技術編號：6209333
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發明涉及半導體制作領域，更確切的說，涉及一種TEM樣品的制備方法。背景技術隨著半導體工藝的不斷進步，樣品的尺寸變得越來越小，在某些工藝中需要進行銅籽晶結構的材料分析，因此對這類結構和材料的研究也越來越需要具有精密加工能力的聚焦離子束系統進行TEM樣品的制備工作。目前傳統的使用FIB (Focused 1n beam,聚焦離子束)進行TEM (Transmissionelectron microscope,透射電子顯微鏡)樣品制備的方法是先在銅籽晶的結構上...
注意：該技術已申請專利，請尊重研發人員的辛勤研發付出，在未取得專利權人授權前，僅供技術研究參考不得用于商業用途。
該專利適合技術人員進行技術研發參考以及查看自身技術是否侵權，增加技術思路，做技術知識儲備，不適合論文引用。