技術編號：5268307
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發明涉及。現有的微尖錐鍍膜工藝有兩大缺陷(1)非定位鍍膜，鍍膜后薄膜覆蓋整個微尖錐表面。對于場發射器件來說，錐體表面或硅基底上的薄膜將可能形成不穩定的發射點，影響器件發射的均勻性和可靠性；納米探針的生長通常需要催化劑，如果整個錐體表面都覆蓋了催化劑薄膜，將無法實現預想的定位生長。(2)存在未凈化表面。現有的微尖錐主要由半導體硅或難熔金屬材料鉬/鎢做成，材料在空氣中易吸附，易氧化，表面形成吸附/氧化層。對于場發射器件來說，鍍膜后介于硅和薄膜層之間的吸附/氧...
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