技術編號：3429175
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發明涉及靶材制備領域，特別是涉及制備高熔點靶材的。在脈沖激光淀積和電子束淀積薄膜技術中，靶材的質量對淀積膜的質量有關鍵性的影響。常用制備靶材的方法是把具有一定純度的原料混合、研磨、壓制成形、再進行高溫燒結(文獻1，Z Z Li，A Perrin，J Padiouand M Sergent“Film-substrate interface reaction in SrxLa2-xCuO4thinfilmsevidence for epitaxial gro...
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