技術編號：10727685
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。通常在集成電路的制造期間實施高縱橫比蝕刻以形成具有高縱橫比的開口。發現，高縱橫比蝕刻可以應用于提高集成電路組件(例如，晶體管、二極管、電阻器、電容器、 電感器等)的密度。例如，可以使用高縱橫比蝕刻以形成溝槽電容器、溝槽存儲器單元、溝槽隔離件、溝槽晶體管或利用三維結構概念的其他集成電路組件。此外，高縱橫比蝕刻可以應用于形成硅柱、微機電結構(MEMS)器件或其他半導體結構。發明內容根據本發明的一些實施例，提供了一種半導體結構，包括半導體襯底，限定開口， 其中，...
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