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半導體襯底的制造方法技術資料下載

技術編號:10688923

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用于晶體管、二極管、太陽能電池等半導體元件的半導體襯底是使磷、硼等雜質擴 散成分擴散至半導體襯底中而制造的。 作為上述,例如已知有下述方法將包含有機磷化合物那 樣的雜質擴散成分、增稠用聚合物、有機溶劑和水的擴散劑組合物涂布在半導體襯底上,然 后在高于1000°C的溫度下,進行例如10小時那樣的長時間加熱,使雜質擴散成分擴散至半 導體襯底中(參見專利文獻1)。 專利文獻1日本特開2005 - 347306號公報發明內容 發明所要解決的課題 但是,在專利文獻...
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