技術編號：10658448
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor絕緣棚.雙極型晶體管)是功率器件的一種，在追求節能社會的建設的今天，其重要性日益增加。特別是由于橫向IGBT能夠組裝至IJIC，所以能夠期待針對多方面的應用。作為提高IGBT的擊穿電壓的技術，例如已知有下述的內容。即在專利文獻I中記載有通過在η+發射極區域和p+集電極區域之間的晶圓表面形成溝槽，并用溝槽埋入絕緣膜填充其中，來使承載擊穿電壓的漂移區域彎曲，延長有效的漂移長度。專利文獻...
注意：該技術已申請專利，請尊重研發人員的辛勤研發付出，在未取得專利權人授權前，僅供技術研究參考不得用于商業用途。
該專利適合技術人員進行技術研發參考以及查看自身技術是否侵權，增加技術思路，做技術知識儲備，不適合論文引用。