技術編號：10658367
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。 互補金屬氧化物半導體(CMOS)裝置使用布置在硅或絕緣體上硅(SOI)襯底上的對 稱取向的P型和η型金屬氧化物半導體場效應晶體管(M0SFET)對。與M0SFET關聯的源極區和 漏極區由溝道連接。布置在溝道上方的柵極控制源極區和漏極區之間的電流流動。源極區、 溝道和漏極區可以由鰭限定，該鰭提供了多于一個表面，柵極通過該多于一個表面控制電 流流動，由此使得M0SFET為"f inFET"器件。 動態隨機訪問存儲器(DRAM)采用如下的存儲單元，該存儲單元具...
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