一種提高屏蔽玻璃GHz頻段電磁屏蔽效能的方法
【技術領域】
[0001]本發明涉及一種提高屏蔽玻璃GHz頻段電磁屏蔽效能的方法，屬于電磁屏蔽技術領域。
【背景技術】
[0002]由于電子技術的普遍應用，為了防止電子設備內部或相互間產生干擾和信息泄漏，對電子設備的人機交互部位提出了高屏蔽效能和高透光的特殊需求，即在透光率不低于70%的前提下，在30M?18GHz頻段內，電磁屏蔽效能要求達到40dB以上。
[0003]目前在電子產品以及軍工產品中已經得到了廣泛的應用的電磁屏蔽可視材料以金屬絲網為主，部分采用磁控濺射鍍膜玻璃的技術實現，絲網屏蔽玻璃是在兩層浮法玻璃或者化學鋼化玻璃中間夾金屬絲網，在屏蔽效能上占有絕對優勢，但是其透光率比較低，還存在褶皺、網感等外觀問題，比如250目或100目不銹鋼的屏蔽效能可以滿足要求，但是其透光率為42%?60%;鍍膜玻璃在玻璃表面通過磁控濺射鍍膜方式沉積透明導電薄膜，目前應用較多的是ΙΤ0，其擁有良好的導電性，同時還有較高的可見光透過率，但是導電性很好的鍍膜玻璃屏蔽效能依然不能滿足電子設備對電磁屏蔽的性能要求，在GHz頻段的屏蔽效能只能達到20dB。因此，有必要對現有技術進行改進。

【發明內容】

[0004]為了克服現有技術中所存在的不足，提供一種提高屏蔽玻璃GHz頻段電磁屏蔽效能的方法，保證透光率在70%的情況下，IGHz?18GHz頻段內的電磁屏蔽效能達到40dB以上。
[0005]為了解決上述技術問題，本發明采用的技術方案為:
一種提高屏蔽玻璃GHz頻段電磁屏蔽效能的方法，PET薄膜或玻璃上端為導電網格，采用多靶磁控濺射鍍膜機將其表面沉積透明導電薄膜，所述透明導電薄膜的方阻為5 Ω /□?8Ω /□。
[0006]所述多靶磁控濺射鍍膜機以純度為99.9%的氧化銦錫、氧化鋅、摻鋁氧化鋅、金屬銀為濺射源，以氬氣和氧氣為濺射工藝氣體。
[0007]所述導電網格絲徑為0.01mm~0.02mm，目數為80目?90目。
[0008]所述透明導電薄膜為氧化銦錫薄膜、氧化鋅薄膜、摻鋁氧化鋅薄膜、金屬銀薄膜的一種或多種。
[0009]所述PET薄膜厚度為0.15mm?0.2mm。
[0010]所述玻璃厚度可以采用0.51111]1、0.751111]1、1.1mm、2mm或3mm規格型號的浮法玻璃或化學鋼化玻璃。
[0011 ]與現有技術相比本發明所具有的有益效果為:
本發明針對電磁防護透明材料的透光率和電磁屏蔽的矛盾，尤其是對于GHz頻段電磁屏蔽效能低的問題，在玻璃或者PET薄膜導電網格的基礎上，通過磁控濺射沉積透明導電薄膜(T⑶)，制得的高屏蔽效能高透光電磁屏蔽玻璃或薄膜的透光率2 72%，屏蔽效能采用GB/T12190-2006標準測試，測試結果滿足GJB5792-2006的B級要求。這種高屏蔽效能高透光電磁屏蔽玻璃或薄膜不僅解決了解決了電磁防護透明材料在GHz頻段屏蔽效能和可見光透過不兼容的問題，而且有效的避免了金屬絲網褶皺、網感明顯等問題。
【具體實施方式】
[0012]下面結合實施例對本發明作進一步的描述。
[0013]PET薄膜或玻璃上端為導電網格，其中PET薄膜厚度為0.15mm~0.2mm，玻璃可以采用厚度為0.5mm、0.75mm、1.或3mm規格型號的浮法玻璃或化學鋼化玻璃，導電網格絲徑為0.0lmm-0.02mm，目數為80目?90目。再采用多靶磁控濺射鍍膜機，以純度為99.9%的ITO(氧化銦錫)、ZnO(氧化鋅)、ΑΖ0(摻招氧化鋅)、Ag(金屬銀)為派射源，Ar (氬氣)和02(氧氣)為濺射工藝氣體，在導電網格表面沉積透明導電薄膜(TC0)。通過選擇電源類型，控制加熱溫度、濺射功率、工藝氣體流量比小車移動速率等工藝條件沉積TCO，可以是ITO薄膜、ZnO薄膜、AZO薄膜、Ag薄膜或者其組合的薄膜，方阻為5 Ω /□?8 Ω/□。
[0014]實施例一:PET導電網格表面沉積ITO薄膜
(1)PET薄膜厚度為0.18mm，導電網格絲徑為0.015mm，目數為85目；
(2)采用磁控濺射沉積ITO薄膜的工藝條件為:
電源類型:直流(DC);
加熱溫度:70 0C-90 0C，最佳值:80 °C ;
濺射功率為:1300W?1500W，最佳值:1500W;
Ar流量為:40SCCM?60SCCM，最佳值:50SCCM ；
O2 流量為:0.4SCCM-0.6SCCM，最佳值:0.5SCCM ；
小車移動速率為:40mm/min?60mm/min。
[0015]實施例二:PET導電網格表面沉積Ag/ITO復合薄膜
(1)PET薄膜厚度為0.18mm，導電網格絲徑為0.015mm，目數為85目；
(2)采用磁控濺射沉積Ag/ITO復合薄膜工藝條件為:
Ag薄膜:
電源類型:射頻(RF);
加熱溫度:室溫；
濺射功率為:350W -500 W，最佳值:400W;
Ar流量為:30SCCM?100SCCM，最佳值:50SCCM；
小車移動速率為:600mm/min?800mm/min。
[0016]ITO 薄膜:
電源類型:直流(DC);
加熱溫度:70 °C-90 °C，最佳值:80 °C ;
派射功率為:1300 W -1500胃，最佳值:1500￥;
Ar流量為:40SCCM?60SCCM，最佳值:50SCCM ；
O2 流量為:0.4SCCM-0.6SCCM，最佳值:0.5SCCM ；
小車移動速率為80mm/min?120mm/min。
[0017]實施例三:玻璃表面導電網格沉積AZO薄膜 (I)玻璃基材采用浮法玻璃或化學鋼化玻璃;厚度采用0.5mm、0.75mm、1.1mm、2mm、3_
等規格型號。
[0018](2)采用磁控濺射沉積AZO薄膜的工藝條件為:
電源類型:直流(DC);
加熱溫度:195 °0205 0C，最佳值:200 °C ；
濺射功率為:1450W?1500W，最佳值:1500W;
Ar流量為:40SCCM?60SCCM，最佳值:50SCCM ；
O2流量為:I.8SCCM?2.2SCCM，最佳值:2.0SCCM ；
小車移動速率為:60mm/min?80mm/min。
[0019]實施例四:玻璃表面導電網格沉積Ag/AZO復合薄膜
(I)玻璃基材采用浮法玻璃或化學鋼化玻璃;厚度采用0.5mm、0.75mm、1.1mm、2mm、3_等規格型號。
[0020](2)采用磁控濺射沉積Ag/AZO復合薄膜的工藝條件為:
Ag薄膜:
電源類型:射頻(RF);
加熱溫度:室溫；
濺射功率為:350W -500 W，最佳值:400W;
Ar流量為:30SCCM?100SCCM，最佳值:50SCCM；
小車移動速率為:600mm/min?800mm/min。
[0021]AZO 薄膜:
電源類型:直流(DC);
加熱溫度:195 °0205 °C，最佳值:200 °C ；
濺射功率為:1450W?1500W，最佳值:1500W;
Ar流量為:40SCCM?60SCCM，最佳值:50SCCM ；
O2流量為:I.8SCCM?2.2SCCM，最佳值:2.0SCCM ；
小車移動速率為:150mm/min?180mm/min。
[0022]GHz頻段電磁屏蔽玻璃或薄膜透光率? 72%。
[0023]GHz頻段電磁屏蔽玻璃或薄膜屏蔽效能采用GB/T12190-2006標準測試，測試結果為電磁屏蔽效能2 40dB( IGHz?18GHz)。
【主權項】
1.一種提高屏蔽玻璃GHz頻段電磁屏蔽效能的方法，其特征在于:PET薄膜或玻璃上端為導電網格，采用多靶磁控濺射鍍膜機將其表面沉積透明導電薄膜，所述透明導電薄膜的方阻為5 Ω /□?8 Ω /口。2.根據權利要求1所述的一種提高屏蔽玻璃GHz頻段電磁屏蔽效能的方法，其特征在于:所述多靶磁控濺射鍍膜機以純度為99.9%的氧化銦錫、氧化鋅、摻鋁氧化鋅、金屬銀為濺射源，以氬氣和氧氣為濺射工藝氣體。3.根據權利要求1或2所述的一種提高屏蔽玻璃GHz頻段電磁屏蔽效能的方法，其特征在于:所述導電網格絲徑為0.0Imm?0.02mm，目數為80目?90目。4.根據權利要求1或2所述的一種提高屏蔽玻璃GHz頻段電磁屏蔽效能的方法，其特征在于:所述透明導電薄膜為氧化銦錫薄膜、氧化鋅薄膜、摻鋁氧化鋅薄膜、金屬銀薄膜的一種或多種。5.根據權利要求1或2所述的一種提高屏蔽玻璃GHz頻段電磁屏蔽效能的方法，其特征在于:所述PET薄膜厚度為0.15mm?0.2mm。6.根據權利要求1或2所述的一種提高屏蔽玻璃GHz頻段電磁屏蔽效能的方法，其特征在于:所述玻璃厚度可以采用0.5mm、0.75mm、1.1mm、2mm或3mm規格型號的浮法玻璃或化學鋼化玻璃。
【專利摘要】本發明涉及一種提高屏蔽玻璃GHz頻段電磁屏蔽效能的方法，屬于電磁屏蔽技術領域；保證透光率在70%的情況下，GHz頻段內的電磁屏蔽效能達到40dB以上；PET薄膜或玻璃上端為導電網格，PET薄膜厚度為0.15mm~0.2mm，玻璃采用厚度為0.5mm、0.75mm、1.1mm、2mm或3mm等的浮法玻璃或化學鋼化玻璃，導電網格絲徑為0.01mm~0.02mm，目數為80目~90目，再以純度為99.9%的ITO、ZnO、AZO、Ag為濺射源，Ar和O2為濺射工藝氣體，在導電網格表面磁控濺射沉積透明導電薄膜，方阻為5Ω/□~8Ω/□；本發明主要應用在生產電磁屏蔽材料方面。
【IPC分類】C23C14/20, C23C14/35, C23C14/18, C23C14/08
【公開號】CN105603373
【申請號】CN201510988325
【發明人】王騰, 許曉麗, 馬富花, 馬志梅, 孫繼偉, 張莉
【申請人】中國電子科技集團公司第三十三研究所
【公開日】2016年5月25日
【申請日】2015年12月24日