晶體生長摻雜裝置制造方法
【專利摘要】晶體生長摻雜裝置，由三乙基鎵管道、三甲基鎵管道、壓力儀、流量儀、三乙基鎵閥門、三乙基鎵罐、三甲基鎵罐、三甲基鎵閥門組成，其特征是三乙基鎵罐通過管道與三乙基鎵閥門相連接，三乙基鎵閥門的上端設置流量儀，壓力儀與流量儀并聯設置，流量儀的上端設置三乙基鎵管道，三甲基鎵罐的上端設置三甲基鎵閥門，三甲基鎵閥門通過流量儀與三甲基鎵管道相連接，本實用新型的有益效果是晶體生長摻雜裝置能更好地配合鎵原料通入反應腔進行反應，控制精度較高，產品的性能穩定，產品的性能指標能滿足市場的需求。
【專利說明】晶體生長摻雜裝置
【技術領域】
[0001]本實用新型屬于晶體生長設備【技術領域】，更具體的說是一種晶體生長摻雜裝置。【背景技術】
[0002]目前，公知的LED晶體外延片生長設備采用的是M0CVD，在生產晶體外延片時，常常采用不同的原材料參于反應，不同的原材料可生產出不同的LED外延片的種類，由于不同的工藝流程所需的原材料種類也不相同，現有技術的藍寶石晶體生長過程中，通常采用的摻雜元素是鎵，采用的原材料是三甲基鎵，生產的藍寶石晶體不能滿足市場的需求，主要原因是三甲基鎵不能更好地配合鎵原料通入反應腔進行反應，控制精度較差，產品的性能不穩定。

【發明內容】

[0003]為了解決上述問題，本實用新型提供了一種能更好地配合鎵原料通入反應腔進行反應、控制精度較高、產品的性能穩定的晶體生長摻雜裝置，其具體方案為:所述的晶體生長摻雜裝置由三乙基鎵管道、三甲基鎵管道、壓力儀、流量儀、三乙基鎵閥門、三乙基鎵罐、三甲基鎵罐、三甲基鎵閥門組成，其特征是三乙基鎵罐通過管道與三乙基鎵閥門相連接，三乙基鎵閥門的上端設置流量儀，壓力儀與流量儀并聯設置，流量儀的上端設置三乙基鎵管道，三甲基鎵罐的上端設置三甲基鎵閥門，三甲基鎵閥門通過流量儀與三甲基鎵管道相連接。
[0004]本實用新型所述的三乙基鎵罐，其特征在于三乙基鎵罐浸泡在恒溫水槽中，溫度控制在17±0.5°C。
[0005]本實用新型所述的三甲基鎵罐，其特征在于三甲基鎵罐浸泡在恒溫水槽中，溫度控制在5±0.5°C。
[0006]本實用新型的有益效果是晶體生長摻雜裝置能更好地配合鎵原料通入反應腔進行反應，控制精度較高，產品的性能穩定，產品的性能指標能滿足市場的需求。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0007]附圖1是本實用新型的結構示意圖；附圖1中:
[0008]1.三乙基鎵管道，2.三甲基鎵管道，3.壓力儀，4.流量儀，5.三乙基鎵閥門，6.三
乙基鎵罐，7.三甲基鎵罐，8.三甲基鎵閥門。
【具體實施方式】
[0009]結合附圖1對本實用新型進一步詳細描述，以便公眾更好地掌握本實用新型的實施方法，本實用新型具體的實施方案為:所述的晶體生長摻雜裝置由三乙基鎵管道1、三甲基鎵管道2、壓力儀3、流量儀4、三乙基鎵閥門5、三乙基鎵罐6、三甲基鎵罐7、三甲基鎵閥門8組成，其特征是三乙基鎵罐6通過管道與三乙基鎵閥門5相連接，三乙基鎵閥門5的上端設置流量儀4，壓力儀3與流量儀4并聯設置，流量儀4的上端設置三乙基鎵管道1，三甲基鎵罐7的上端設置三甲基鎵閥門8，三甲基鎵閥門8通過流量儀4與三甲基鎵管道2相連接。
[0010]本實用新型所述的三乙基鎵罐6，其特征在于三乙基鎵罐6浸泡在恒溫水槽中，溫度控制在17±0.5°C。
[0011 ] 本實用新型所述的三甲基鎵罐7，其特征在于三甲基鎵罐7浸泡在恒溫水槽中，溫度控制在5 ±0.5 °C。
[0012]本實用新型的有益效果是晶體生長摻雜裝置能更好地配合鎵原料通入反應腔進行反應，控制精度較高，產品的性能穩定，產品的性能指標能滿足市場的需求。
【權利要求】
1.晶體生長摻雜裝置，由三乙基鎵管道(I)、三甲基鎵管道(2)、壓力儀(3)、流量儀(4)、三乙基鎵閥門(5)、三乙基鎵罐(6)、三甲基鎵罐(7)、三甲基鎵閥門(8)組成，其特征是三乙基鎵罐(6)通過管道與三乙基鎵閥門(5)相連接，三乙基鎵閥門(5)的上端設置流量儀(4)，壓力儀(3)與流量儀(4)并聯設置，流量儀(4)的上端設置三乙基鎵管道(1)，三甲基鎵罐(7 )的上端設置三甲基鎵閥門(8 )，三甲基鎵閥門(8 )通過流量儀(4 )與三甲基鎵管道(2)相連接。
2.根據權利要求1所述的晶體生長摻雜裝置，其特征在于三乙基鎵罐(6)浸泡在恒溫水槽中，溫度控制在17±0.5°C。
3.根據權利要求1所述的晶體生長摻雜裝置，其特征在于三甲基鎵罐(7)浸泡在恒溫水槽中，溫度控制在5 ±0.5 °C。
【文檔編號】C30B25/02GK203474960SQ201320559276
【公開日】2014年3月12日 申請日期:2013年9月10日 優先權日:2013年9月10日
【發明者】張繼友, 王新陽, 陳建榮 申請人:冠銓（山東）光電科技有限公司