專利名稱：等離子體處理設備、氣體分配裝置以及氣體輸送方法
技術領域：
本發明涉及等離子體加工技術，特別涉及一種用于等離子體處理 設備的氣體分配裝置。本發明還涉及一種包括上述氣體分配裝置的等 離子體處理設備，以及一種向等離子體處理設備的反應腔室中輸送氣 體的方法。
背景技術：
等離子體處理設備廣泛應用于微電子技術領域。
請參考圖1，圖1為一種典型的等離子體處理設備的結構示意圖。 等離子體處理設備1通常包括殼體11，殼體ll中具有反應腔室
12,反應腔室12的頂部和底部分別相對應地設有上極板13和下極板 14;下招j反14的頂部可以設置待處理的加工件。
等離子體處理設備1工作時，通過干泵等真空獲得裝置(圖中未 示出)在反應腔室12中制造并維持接近真空的狀態。在此狀態下，通 過氣體分配裝置16向反應腔室12中輸入氣體，并在上極板13和下極 板14之間輸入適當的射頻，從而激活所述氣體，進而在加工件的表面
產生并維持等離子體環境。由于具有強烈的刻蝕以及淀積能力，所述 等離子體可以與所述加工件發生刻蝕或者淀積等物理化學反應，以獲
得所需要的刻蝕圖形或者淀積層。上述物理化學反應的副產物由所述
真空獲得裝置從反應腔室12中抽出。
請參考圖2，圖2為一種典型的氣體分配裝置的結構示意圖。
一種典型的氣體分布裝置2包括大體呈圓形的支撐板21,支撐板
21位于等離子體處理設備反應腔室頂部的中央位置，且可以以常規的
方式固定安裝，其中心位置設有進氣孔211。
支撐板21的下方固定連接有噴頭電極23,兩者的連接部位保持
氣密封(此處以及下文所述氣密封，均指一種結果，而非手段；也即
無論采用何種具體技術手段，支撐板21與噴頭電極23的連接部位都
不應出現氣體泄漏現象)，且兩者之間形成氣體分配腔室。上述進氣孔211與所述氣體分配腔室連通。
所述氣體分配腔室中以常規的方式設置多層阻流板2 2 ，各層阻流 板22之間，以及阻流板22與支撐板21、噴頭電極23之間保留適當 的距離；阻流板22包括多個將其軸向貫通的氣體通道221。
由于各層阻流板22的氣體通道221均可以相錯離地設置，因此 氣體經過阻流板22時被迫產生 一定的橫向位移，因此徑向均勻度可以 得到增加；隨著阻流板22的層數的增加，氣體發生橫向位移的次數也 增多，因此噴頭電極23的上表面232處得到的氣體的徑向均勻度也將 不斷提高。
噴頭電極23中均勻地分布著多個通氣孔231,用以連通所述氣體 分配腔室中最下層的小腔室以及噴頭電極23下方的反應腔室；氣體可 以自通氣孔231流入等離子體處理設備的反應腔室中。
從上述氣體分布裝置2的具體結構以及工作過程可以明顯地看 出，進入反應腔室之前，各種氣體已經在氣體分布裝置2中混合；因 此，進入反應腔室之前，容易反應的氣體在氣體分布裝置2中將發生 反應，這顯然是應當避免的。
因此，如何將容易反應的氣體有效地隔離從而避免該氣體在進入 反應腔室前發生反應，是本領域技術人員目前需要解決的技術問題。

發明內容
本發明的目的是提供一種氣體分配裝置，能夠將容易反應的氣體 有效隔離，從而避免上述氣體在進入反應腔室前發生反應；同時，進 入反應腔室后各種氣體可以實現較為充分的混合。本發明的另一目的 是提供一種包括上述氣體分配裝置的等離子體處理設備。本發明的第 三個目的是提供一種向等離子體處理設備的反應腔室中輸送氣體的方 法。
為解決上述技術問題，本發明提供一種氣體分配裝置，用于等離 子體處理設備，包括上分配板，設于等離子體處理設備反應腔室上 方，且具有第一進氣孔和第二進氣孔，兩者均大體豎直地貫穿該上分 配板；中分配板，設于所述上分配板下方；該中分配板與所述上分配
板之間具有相互隔離的第 一腔室和第二腔室，兩者分別與所述第 一進
氣孔和第二進氣孔連通；所述中分配板的底部具有多個向下凸出的凸 臺，多個第一送氣通道大體豎直地貫穿所述中分配板以及所述凸臺， 該第一送氣通道的頂部開口位于所述第一腔室中；所述中分配板進一 步具有將其貫通且頂部開口位于所述第二腔室中的第二送氣通道；下
分配板，設于所述中分配板下方，該下分配板具有多個將其貫通的通 孔；任一所述凸臺均位于一所述通孔中，且兩者之間具有貫穿所述下 分配板的間隙，該間隙與所述第二送氣通道相連通。
進一步，所述第一進氣孔位于所述上分配板的中部；各所述第一 送氣通道底部開口的高度自所述中分配板的中部向外周部逐漸降低。
進一步，所述第一送氣通道的底部開口與其所在通孔的底部開口 的高度大體相同。
進一步，具有相同高度的所述第一送氣通道的底部開口形成圍繞 所述中分配才反中心的圓形或者多邊形。
進一步，所述凸臺可拆卸地安裝于所述中分配板的底部。
進一步，所述凸臺通過螺紋連接于所述中分配板的底部。
進一步，所述凸臺的橫截面形狀、所述第一送氣通道的橫截面形 狀以及所述通孔的橫截面形狀均為圓形或者均為正多邊形。
進一步，所述第一送氣通道的底部開口以及所述通孔的底部開口 均漸擴。
進一步，所述凸臺外壁的底部漸縮。
本發明還提供一種等離子體處理設備，包括上述任一項所述的氣 體分配裝置。
本發明還提供了一種氣體輸送方法，用于向等離子體處理設備的 反應腔室中輸送氣體，容易發生反應的氣體分別自不同的進氣路徑進 入所述反應腔室。
進一步，所述進氣路徑包括第一進氣路徑以及與所述第一進氣路 徑相鄰的第二進氣路徑；所述第一進氣路徑和第二進氣路徑的數目均 為多條，且兩者的末端大體均勻分布于所述反應腔室的頂部。
進一步，所述第二進氣路徑的末端包圍所述第 一進氣路徑的末端。
進一步，自所述反應腔室的中心位置向外周位置，所述第一進氣 路徑和第二進氣路徑末端所處的位置逐漸降低。
相對上述背景技術，本發明所提供的氣體分配裝置具有兩條相互 隔離的氣體輸送路徑，即由上分配板的第一進氣孔、上分配板和中分 配板之間的第一腔室、中分配板的第一送氣通道所形成的第一條氣體 輸送3各徑，以及由上分配板的第二進氣孔、上分配^反和中分配一反之間 的第二腔室、中分配板的第二送氣通道、下分配板的通孔所形成的第 二條氣體輸送路徑。上述第一條路徑與第二條路徑完全隔離，容易反 應的氣體因此可以通過不同的輸送路徑進入等離子體處理設備的反應 腔室，有效避免了容易反應的氣體在氣體分配裝置中的接觸，進而完 全消除了氣體在進入反應腔室之前發生反應的可能。同時，由于上述 第 一條路徑的底端開口位于所述凸臺之中，而上述第二條if各徑的底端
開口圍繞所述凸臺；這樣，自不同輸送路徑進入反應腔室的兩路氣體 可以實現較為充分的混合。本發明所提供的等離子體處理設備以及氣 體輸送方法同樣可以實現上述技術效果，不再贅述。
在一種優選的實施方式中，所述第一進氣孔位于所述上分配板的 中部，且所述第一送氣通道底部開口的高度自所述中分配板的中部向 外周部逐漸降低，從而使所述第一送氣通道到下電極的距離自所述中 分配板的中部向外周部逐漸減小。由于氣體是自所述上分配板的中部 進入第一腔室的，因此即使在第一腔室中進行多次勻流，位于中部的 第一送氣通道中氣體的濃度仍會高于位于外周部的第一送氣通道中氣 體的濃度。眾所周知，所述第一送氣通道底部開口與所述下電極的距 離越大，氣體在反應腔室中的擴散路徑將越長、擴散也就越充分；上 述距離越小，氣體在反應腔室中的擴散程度越低。因此，在第一送氣 通道到下電極的距離自中分配板的中部向外周部逐漸減小的情況下， 氣體在中分配板中部的濃度較高但擴散較為充分，氣體在外周部的濃 度較低但擴散程度較低，從而在整體上提高了下電極上方的氣體的徑
向分布均勻度。


圖1為一種典型的等離子體處理設備的結構示意圖2為一種典型的氣體分配裝置的結構示意圖3為本發明所提供的氣體分配裝置一種具體實施方式
的結構示 意圖4為圖3所示中分配板的俯視示意圖5為圖3所示中分配板的側視示意圖6為圖3所示中分配板的仰視示意圖7為圖3所示中分配^1的軸測一見示意圖8為圖3所示氣體分配裝置的剖視結構示意圖9為圖8中A部位的局部》文大圖10為本發明所提供的氣體分配裝置另一種具體實施方式
的剖 視示意圖11為本發明所提供凸臺的一種具體安裝方式示意圖。
具體實施例方式
為了使本技術領域的人員更好地理解本發明方案，下面結合附圖 和具體實施方式
對本發明作進一步的詳細說明。
請參考圖3，圖3為本發明所提供的氣體分配裝置一種具體實施 方式的結構示意圖。
在第一種具體實施方式
中，本發明所提供的氣體分配裝置3包括 上分配^反31、中分配斧反32以及下分配斧反33;三者具有大體相同的形 狀，可以同是正多邊形或者同是圓形。
上分配板31大體水平地固定安裝于等離子體處理設備頂壁的下 方，且具有第一進氣孔311和第二進氣孔312，兩者均大體豎直地貫 穿上分配板31。
第一進氣孔311和第二進氣孔312的橫截面可以是圓形或者多邊 形，兩者的數目均可以是一個或者多個。可以將第一進氣孔311設置 于上分配板31的中部，而將第二進氣孔312設置于上分配板31的外
周部，此時，第一進氣孔311的數目可以少于第二進氣孔312的數目， 如圖所示第一進氣孔311可以僅設置一個，同時可以設置四個第二進 氣孔312;但第一進氣孔311的橫截面積可以大于第二進氣孔312的 才黃截面積。
請同時參考圖4至圖7，圖4為圖3所示中分配板的俯視示意圖； 圖5為圖3所示中分配板的側視示意圖；圖6為圖3所示中分配板的 仰視示意圖；圖7為圖3所示中分配板的軸測視示意圖。
中分配板32大體水平地固定安裝于上分配板31的下方，兩者具 有適當的間距；中分配斧反32具有圍繞其頂面的第一凸起部325， /人而 當中分配板32安裝于上分配板31下方式可以在上分配板31與中分配 板32之間形成密封的腔體(當然，該腔體通過上述第一進氣孔311、 第二進氣孔312以及下文即將描述的第一送氣通道322、第二送氣通 道323與外部連通)。
中分配板32的頂面還具有第二凸起部321。第二凸起部321將上 述密封的腔體分隔為相互隔離的第一腔室341和第二腔室342 (兩者 均示于圖8中)；其中，第一進氣孔311連通所述第一腔室341，第二 進氣孔312連通所述第二腔室342。
當第一進氣孔311、第二進氣孔312分別設置于上分配板31的中 部、外周部時，第一腔室341可以位于中分配板32上方的中部，而第 二腔室342可以位于中分配板32上方的外周部并將第一腔室341包 圍。
中分配澤反32的底部設有多個凸臺324，顯然，凸臺324大體豎直 向下凸出。中分配板32還具有第一送氣通道322以及第二送氣通道 323，兩者橫截面的形狀可以均為圓形或者均為正多邊形；第一送氣通 道322大體豎直延伸，并沿厚度方向貫穿中分配板32且沿軸向貫穿凸 臺324;第二送氣通道323同樣大體豎直延伸，并沿厚度方向貫穿中 分配^反32。
第一送氣通道322的頂部開口可以設于第一腔室341中，即第二 凸起部321的內側；第二送氣通道323的頂部開口可以設于第二腔室
342中，即第二凸起部321的外側。
中分配板32還設有圍繞其底部邊緣并向下凸出的第三凸起部 326，以便在中分配板32和即將描述的下分配板33之間保持適當的距 離，進而在兩者之間形成第三腔室343 (示于圖8中)。
氣體分配裝置3還包括下分配板33。下分配板33大體水平地固 定安裝于中分配板32的下方，大體豎直設置的通孔331貫穿下分配板 33。通孔331的數目和設置位置均與中分配板32底部的凸臺324相適 應，以便下分配板33安裝于中分配板32下方時，每一凸臺324恰好 可以位于一通孔331之中。
凸臺324進入通孔331之后，兩者之間應當具有在豎直方向延伸 的間隙，該間隙可以將下分配板33的上下表面連通。例如，凸臺324 和通孔331的橫截面形狀可以均為圓形或者均為正多邊形，當然，兩 者橫截面的形狀并不限于此；凸臺324的橫截面適當小于通孔331的 橫截面，且兩者同軸設置，從而使上述間隙大體呈筒狀。
請參考圖8和圖9,圖8為圖3所示氣體分配裝置的剖視結構示 意圖；圖9為圖8中A部位的局部放大圖。
上述具體實施方式
中的氣體分配裝置3具有兩條相互隔離的氣體 輸送路徑，第一條路徑由上分配才反31的第一進氣孔311、上分配板31 和中分配板32之間的第 一腔室341 、中分配板32的第 一送氣通道322 所形成，該條路徑在圖9中用虛線以及空心箭頭表示；第二條路徑由 上分配板31的第二進氣孔312、上分配斧反31和中分配才反32之間的第 二腔室342、中分配^反32的第二送氣通道323、中分配板32和下分配 板33之間的第三腔室343、下分配板33的通孔331所形成，該條路 徑在圖9中用虛線以及實心箭頭表示。
上述第一條路徑與第二條路徑完全隔離，容易反應的氣體因此可 以通過不同的輸送路徑進入等離子體處理設備的反應腔室，有效避免 了容易反應的氣體在氣體分配裝置中的接觸，進而完全消除了氣體在 進入反應腔室之前發生反應的可能。同時，由于上述第一條路徑的底 端開口位于凸臺之中，而上述第二條路徑的底端開口圍繞所述凸臺；
這樣，自不同輸送路徑進入反應腔室的兩^各氣體可以實現較為充分的 混合。
如圖8所示，第一送氣通道322的底部開口可以漸擴，從而促進 自上述第 一條路徑進入的氣體在等離子體處理設備反應腔室的徑向上 的擴散；同時，通孔331的底部開口同樣可以漸擴，從而促進自上述 第二條路徑進入的氣體在反應腔室的徑向上的擴散。為了進一步提高
自上述第二條路徑進入的氣體的擴散效果，凸臺324外壁的底部可以 設置漸縮面327 (示于圖5中)，該漸縮面327與漸擴的通孔331底部 相配合可以使自上述第二條路徑進入的氣體向兩側同時擴散，擴散效 果將顯著提高。
請參考圖10,圖10為本發明所提供的氣體分配裝置另一種具體 實施方式的剖一見示意圖。
分配裝置進行改進。
在另一種具體實施方式
中，第一進氣孔311位于所述上分配板31 的中部；中分配板32底部各凸臺324的長度存在差異(即處于不同位 置的凸臺324底面的高度不同)，進而使各第一送氣通道322底部開口 與等離子體處理設備下極板的距離存在差異。
具體地說，各凸臺324的長度自中分配板32的中部向外周部逐 漸增加，因此各第 一送氣通道322底部開口與等離子體處理設備下極 板的距離自中分配板32的中部向外周部逐漸減小。例如，圖10中位 于中部的凸臺324的長度可以為Hl,而位于外周部的凸臺324的長度 可以為H2。
各凸臺324的長度與其所在的通孔331的長度可以大體相等，從 而使各第一送氣通道322的底部開口與其所在的通孔331的底部開口 具有大體相同的高度(即兩者大體相平)。
具有相同高度的各第一送氣通道322的底部開口可以形成圍繞中 分配板32中心的圓形或者多邊形；在中分配板32的徑向上，相鄰的 兩第一送氣通道322的底部開口的高度可以均不相同。
各第一送氣通道32的橫截面積也可以不相同，以此調節反應腔
室中不同位置中氣體的濃度。
在圖IO所示具體實施方式
中，由于氣體是自上分配板31的中部 進入第一腔室341的，因此即使在第一腔室341中進行多次勻流，位 于中分配板32中部的第一送氣通道322中氣體的濃度仍會高于位于中 分配板32外周部的第一送氣通道322中氣體的濃度。眾所周知，第一 送氣通道322底部開口與所述下電極的距離越大，氣體在反應腔室中 的擴散路徑將越長、擴散也就越充分；上述距離越小，氣體在反應腔 室中的擴散程度越低。因此，在第一送氣通道322到下電極的距離自 中分配板32的中部向外周部逐漸減小的情況下，氣體在中分配板32 中部的濃度較高但擴散較為充分，氣體在外周部的濃度較低但擴散程 度較低，從而在整體上提高了下電極上方的氣體的徑向分布均勻度。
在各凸臺324的長度與其所在的通孔331的長度可以大體相等的 情況下，自通孔331流入反應腔室的氣體同樣可以在反應腔室的徑向 上實現更為均勻的分布；原理同上，不再贅述。
請參考圖11,圖11為本發明所提供凸臺的一種具體安裝方式示 意圖。
如前所述，凸臺324設置于中分配^反32的底部；這可以通過常 規的手段實現，例如，將凸臺324焊接于中分配板32的底部。當然， 凸臺324與中分配板32還可以具有一體的結構。
在一種具體實施方式
中，凸臺324以可拆卸的方式固定安裝于中 分配板32的底部；例如，凸臺324與中分配板32可以通過相配合的 內、外螺紋連接于一體。
這樣，可以針對不同的工藝要求更換、調整上述凸臺324，從而 不但可以提高等離子體處理設備的適應性，還可以顯著延長氣體分配 裝置3的整體壽命，降低運行成本。
本發明所提供的等離子體處理設備包括如上所述的氣體分配裝 置3;等離子體處理設備的其他結構請參考現有技術，本文不再贅述。 所述等離子體處理設備具體可以是等離子體刻蝕設備或者等離子體淀積設備。
本發明所提供的氣體輸送方法可以用于向等離子體處理設備的 反應腔室中輸送氣體，該氣體為多種氣體的混合氣，其中若干種氣體 之間容易發生反應，容易發生反應的氣體分別自不同的進氣路徑進入 所述反應腔室。由于容易反應的氣體通過不同的輸送路徑進入等離子 體處理i殳備的反應腔室，這就可以完全消除氣體在進入反應腔室之前 發生反應的可能。
例如，上述進氣路徑可以包括第一進氣路徑以及第二進氣路徑， 兩者相互獨立。假定氣體曱與氣體乙容易發生反應，則可以通過上述 第一進氣路徑向反應腔室中輸送氣體甲，而通過上述第二進氣路徑向 反應腔室中輸送氣體乙。
由于自不同路徑進入的氣體在反應腔室中應當較為均勻地混合， 因此，上述第一進氣路徑和第二進氣路徑的數目均可以是多個，且任 一第 一進氣路徑均臨近至少 一 個第二進氣路徑，兩者的末端大體均勻 分布于所述反應腔室的頂部。這樣，自不同路徑進入反應腔室的氣體 可以得到較為充分、均勻的混合。
上述第一進氣路徑和第二進氣路徑的具體形式可以有多種。 一種 較易實現的具體形式是，所述第二進氣路徑至少在其末端將所述第一 進氣路徑包圍，從而使所述第二進氣路徑的出氣口圍繞所述第一進氣 路徑的出氣口。這種結構形式不但容易實現，而且有利于自不同路徑 進入反應腔室的氣體進一 步均勻地混合。
此外，可以進一步改進上述第一進氣3各徑和第二進氣路徑的末端
所處的位置自所述反應腔室的中心位置向外周位置，所述第一進氣
路徑和第二進氣路徑末端所處的位置逐漸降低。各進氣路徑末端與等 離子體處理設備下電極的距離越大，氣體在反應腔室中的擴散路徑將
越長、擴散也就越充分；上述距離越小，氣體在反應腔室中的擴散程 度越低。因此，上述改進可以促進反應腔室中部的氣體的擴散，有利 于在整體上提高所述下電極上方氣體的徑向分布均勻度。
可以參考上文關于氣體分配裝置以及等離子體處理設備的描述，從而更好地理解本發明所提供的氣體輸送方法。
以上對本發明所提供的氣體分配裝置、應用了該氣體分配裝置的 等離子體處理設備以及向等離子體處理設備的反應腔室中輸送氣體的
方式進行了闡述，以上實施例的說明只是用于幫助理解本發明的方法 及其核心思想。應當指出，對于本技術領域的普通技術人員來說，在 不脫離本發明原理的前提下，還可以對本發明進行若干改進和修飾， 這些改進和修飾也落入本發明權利要求的保護范圍內。
權利要求
1、一種氣體分配裝置，用于等離子體處理設備，其特征在于，包括上分配板，設于等離子體處理設備反應腔室上方，且具有第一進氣孔和第二進氣孔，兩者均大體豎直地貫穿該上分配板；中分配板，設于所述上分配板下方；該中分配板與所述上分配板之間具有相互隔離的第一腔室和第二腔室，兩者分別與所述第一進氣孔和第二進氣孔連通；所述中分配板的底部具有多個向下凸出的凸臺，多個第一送氣通道大體豎直地貫穿所述中分配板以及所述凸臺，該第一送氣通道的頂部開口位于所述第一腔室中；所述中分配板進一步具有將其貫通且頂部開口位于所述第二腔室中的第二送氣通道；下分配板，設于所述中分配板下方，該下分配板具有多個將其貫通的通孔；任一所述凸臺均位于一所述通孔中，且兩者之間具有貫穿所述下分配板的間隙，該間隙與所述第二送氣通道相連通。
2、 如權利要求1所述的氣體分配裝置，其特征在于，所述第一 進氣孔位于所述上分配板的中部；各所述第一送氣通道底部開口的高 度自所述中分配板的中部向外周部逐漸降低。
3、 如權利要求2所述的氣體分配裝置，其特征在于，所述第一 送氣通道的底部開口與其所在通孔的底部開口的高度大體相同。
4、 如權利要求3所述的氣體分配裝置，其特征在于，具有相同 高度的所述第一送氣通道的底部開口形成圍繞所述中分配板中心的圓 形或者多邊形。
5、 如權利要求1所述的氣體分配裝置，其特征在于，所述凸臺 可拆卸地安裝于所述中分配板的底部。
6、 如權利要求5所述的氣體分配裝置，其特征在于，所述凸臺 通過螺紋連接于所述中分配板的底部。
7、 如權利要求1所述的氣體分配裝置，其特征在于，所述凸臺 的橫截面形狀、所述第一送氣通道的橫截面形狀以及所述通孔的橫截 面形狀均為圓形或者均為正多邊形。
8、 如權利要求7所述的氣體分配裝置，其特征在于，所述第一送氣通道的底部開口以及所述通孔的底部開口均漸擴。
9、 如權利要求8所述的氣體分配裝置，其特征在于，所述凸臺外壁的底部漸縮。
10、 一種等離子體處理設備，其特征在于，包括如權利要求1至 9任一項所述的氣體分配裝置。
11、 一種氣體輸送方法，用于向等離子體處理設備的反應腔室中 輸送氣體，其特征在于，容易發生反應的氣體分別自不同的進氣路徑 進入所述反應腔室。
12、 如權利要求11所述的氣體輸送方法，其特征在于，所述進氣 路徑包括第一進氣路徑以及與所述第一進氣路徑相鄰的第二進氣路 徑；所述第一進氣路徑和第二進氣路徑的數目均為多條，且兩者的末 端大體均勻分布于所述反應腔室的頂部。
13、 如權利要求12所述的氣體輸送方法，其特征在于，所述第 二進氣路徑的末端包圍所述第一進氣路徑的末端。
14、 如權利要求12所述的氣體輸送方法，其特征在于，自所述 反應腔室的中心位置向外周位置，所述第一進氣路徑和第二進氣路徑 末端所處的位置逐漸降低。
全文摘要
本發明公開了一種氣體分配裝置及其所應用的等離子體處理設備，所述氣體分配裝置包括上中下三層分配板，三層分配板之間形成兩條相互隔離的氣體輸送路徑，該兩條氣體輸送路徑完全隔離，容易反應的氣體因此可以通過不同的輸送路徑進入等離子體處理設備的反應腔室，有效避免了容易反應的氣體在氣體分配裝置中的接觸，進而完全消除了氣體在進入反應腔室之前發生反應的可能。同時，由于上述兩條氣體輸送路徑相交錯，自不同輸送路徑進入反應腔室的兩路氣體可以實現較為充分的混合。本發明還提供一種用于向等離子體處理設備的反應腔室中輸送氣體的方法，將容易反應的氣體自不同的路徑輸入反應腔室中，消除了氣體進入反應腔室之前發生反應的可能。
文檔編號C30B25/14GK101345184SQ20081011880
公開日2009年1月14日 申請日期2008年8月22日 優先權日2008年8月22日
發明者于大洋 申請人:北京北方微電子基地設備工藝研究中心有限責任公司