用于氣相蝕刻以及清洗的等離子體裝置的制造方法
【專利摘要】本發明涉及一種用于氣相蝕刻以及清洗的等離子體裝置，包括：反應器主體，用于處理目標基板；直接產生等離子體區域，其為所述反應器主體內的直接產生等離子體區域，工藝氣體流入所述反應器主體內，從而直接感應等離子體；等離子體感應組件，向所述直接產生等離子體區域感應等離子體；基板處理區域，其設在所述反應器主體內，通過混合從所述直接產生等離子體區域流入的等離子體和從所述反應器主體的外部流入的汽化氣體來形成反應性物質，并通過所述反應性物質來處理所述目標基板；以及雙配氣擋板，配置在所述直接產生等離子體區域和所述基板處理區域之間，向所述基板處理區域分配等離子體，將汽化氣體分配給所述基板處理區域的中心區域和周邊區域。
【專利說明】
用于氣相蝕刻W及清洗的等離子體裝置
技術領域
[0001] 本發明設及一種用于氣相蝕刻W及清洗的等離子體裝置，更詳細地，設及一種直 接利用反應性高的原子或分子，與目標基板表面的薄膜直接發生反應，從而選擇性地進行 清洗的用于氣相蝕刻W及清洗的等離子體裝置。
【背景技術】
[0002] 半導體是具有電子信號的存儲、放大、切換等功能的有源電子元件，且具有高集 成、高性能、低功耗的性能，是牽引系統行業與服務行業的高附加值化W及主導數字信息化 時代的核屯、部件。
[0003] 半導體制造工藝大體可分為前道工序（晶片加工工序）和后道工序（組裝工序及 檢驗工序），前道工序設備大約占75%的市場份額。其中，濕式清洗設備和所謂等離子體蝕 刻的干式蝕刻設備共占22. 6%的市場份額，形成第二大的市場。在半導體制造工藝中，通常 是將各個部件與將所述各個部件電連接的電路，做成一個圖案（電路設計圖）繪制在半導 體內各層的膜（薄膜）上，此時，去除形成薄膜的基板（晶片）上的不必要的部分，W使電 路圖案顯示出來的工藝就是蝕刻（etching)工藝。蝕刻工藝有利用等離子體的干式蝕刻工 藝和利用清洗溶液的濕式蝕刻工藝。
[0004] 干式蝕刻工藝是指通過使用等離子體的離子流（Ion Flux)的垂直入射粒子而引 起的物理、化學式蝕刻的工藝。因此，隨著設備的設計趨向于小型化，在制造工藝中發生了 損傷圖案的問題。濕式蝕刻工藝是長期普遍使用的技術，是將晶片放進清洗溶液里經過一 段時間，或通過W-定速度旋轉晶片并噴射清洗溶液來去除晶片表面上的不必要的部分的 方式。然而，濕式蝕刻工藝具有產生大量廢水W及難W調節清洗量、難W控制清洗均勻度的 缺點。并且，由于各向同性蝕刻，清洗之后的圖案有時會比設計意圖大或小，從而難W進行 圖案的微細加工。
[0005] 近年來，隨著對處理速度更快的元件與高內存的需求的增加，半導體忍片的單位 元件的尺寸不斷減小，因此晶片表面上的圖案之間的間隔不斷縮小，元件的柵極絕緣膜厚 度越來越薄。由此，W前在半導體工藝中未曾出現或視為不重要的問題越來越受到重視。其 中，基于等離子體引起的代表性的問題是由于帶電引起的損傷（Plasma Damage)。隨著半導 體元件的微型化，在使晶片表面露出的整個工藝中，運種基于帶電引起的等離子的損傷對 包括晶體管在內的很多元件的特性和可靠性產生影響。由等離子體引起的帶電造成的薄膜 損傷主要在蝕刻工程中出現。帶電造成的損傷是干式蝕刻工藝或濕式蝕刻工藝過程中所發 生的問題，急需解決。
[0006] 而且目標基板的尺寸逐漸趨于大型化，因此需要提供均勻的等離子體。
[0007] 現有的作為固定目標基板的基板支撐臺的吸盤（chuck)是通過利用靜電力的靜 電方式巧IectroStatic Quick, ESC)或利用真空力的真空方式（va州um chuck)中的一 種方式驅動。簡單地對每一種方式進行說明，即，真空方式作為廣泛使用的一種方式，是為 了進行半導體的制造工藝，將目標基板放置在真空吸盤（vacuum chuck)的上表面，然后通 過吸入空氣固定目標基板。對于真空方式，如果在真空環境中進行半導體制造工藝時，吸 入空氣的真空力逐漸減弱，從而存在難W固定目標基板的問題。靜電方式是利用靜電吸盤 巧IectroStatic化uck，ESC)的靜電力來固定目標基板。靜電吸盤能夠使由目標基板與夾 (clamp)的接觸引起的微粒污染最小化，還可W防止目標基板的變形，而且與真空吸盤不 同，與腔室內的氛圍無關，能夠利用靜電力固定目標基板。
[0008] W上說明的靜電吸盤或真空吸盤是通過靜電方式或真空方式中的一種方式固定 目標基板。因此，必須按照設置在工藝腔室中的吸盤的種類進行工藝操作。例如，在設置有 真空吸盤的工藝腔室內，難W進行真空氛圍的處理工藝。并且，上述工藝是利用一個方式運 行，因此當吸盤發生問題時，需要停止工藝操作或更換吸盤，從而可使生產率降低，增加維 修成本。

【發明內容】

[0009] (一）要解決的技術問題
[0010] 本發明的目的在于提供一種用于氣相蝕刻W及清洗的等離子體裝置，其能夠與目 標基板表面的薄膜直接發生反應，從而進行清洗，W防止由帶電引起的損傷。
[0011] 本發明的另一個目在于提供一種用于氣相蝕刻W及清洗的等離子體裝置，其為了 進行均勻的等離子體處理，將水蒸氣分別提供給中屯、和邊緣，從而能夠對基板進行均勻的 處理。
[001引（二）技術方案
[0013] 為了解決上述技術問題，本發明的一個方面設及一種用于氣相蝕刻W及清洗的等 離子體處理裝置。本發明的用于氣相蝕刻W及清洗的等離子體處理裝置包括：反應器主體， 用于處理目標基板；直接產生等離子體區域，其為所述反應器主體內的直接產生等離子體 區域，工藝氣體流入所述反應器主體內，從而直接感應等離子體；等離子體感應組件，向所 述直接產生等離子體區域感應等離子體；基板處理區域，其為所述反應器主體內，通過混合 從所述直接產生等離子體區域流入的等離子體和從所述反應器主體的外部流入的汽化氣 體，形成反應性物質，并通過所述反應性物質來處理所述目標基板；W及雙配氣擋板，配置 在所述直接產生等離子體區域和所述基板處理區域之間，向所述基板處理區域分配等離子 體，將汽化氣體分配給所述基板處理區域的中屯、區域和周邊區域。
[0014] 并且，所述等離子體感應組件是包括多個電容禪合電極的電容禪合電極組件或射 頻天線。
[0015] 并且，所述等離子體感應組件包括：中央等離子體感應組件，向所述直接產生等離 子體區域的中屯、區域感應等離子體；邊緣等離子體感應組件，向所述直接產生等離子體區 域的周邊區域感應等離子體。
[0016] 并且，所述中央等離子體感應組件與所述邊緣等離子體感應組件是相同的等離子 體源或不同的等離子體源。
[0017] 并且，所述雙配氣擋板包括：多個通孔，用于所述等離子體分配而貫穿形成；一個 W上的中央汽化氣體噴射孔，用于將通過所述雙配氣擋板內形成的汽化氣體供給管道供給 的汽化氣體，向所述基板處理區域的中屯、區域噴射；一個W上的邊緣汽化氣體噴射孔，用于 將通過所述雙配氣擋板內形成的汽化氣體供給管道供給的汽化氣體，向所述基板處理區域 的周邊區域噴射。
[0018] 并且，所述雙配氣擋板包括熱射線。
[0019] 并且，所述汽化氣體為汽化的&0。
[0020] 并且，所述雙配氣擋板包括：多個通孔，用于所述等離子體分配而貫穿形成；多個 共同汽化氣體噴射孔，用于將通過與所述雙配氣擋板內的汽化氣體供給管道連接的中央注 入口和邊緣注入口供給的汽化氣體，向所述基板處理區域的中央區域和周邊區域噴射，其 中，通過所述中央注入口和邊緣注入口調節所述汽化氣體的供給壓力，并供給汽化氣體。
[0021] 并且，所述等離子體裝置包括一個W上的氣體注入口，其用于向所述反應器主體 內部供給工藝氣體。
[0022] 并且，所述等離子體裝置包括擴散板，其與流入工藝氣體的氣體注入口相對地設 置，并在所述直接產生等離子體區域內擴散工藝氣體。
[0023] 并且，所述等離子體裝置包括：主體部，其在放置所述目標基板的上表面上具備 介電層；一個W上的電極單元，設置在所述主體部內，通過接收電壓而驅動；基板支撐臺， 包括一個W上的形成在所述主體部的混合線路，W便與放置的所述目標基板相接，其中，通 過驅動所述電極單元將所述目標基板固定在所述主體部上，或者通過所述混合線路吸入空 氣，從而將所述目標基板固定在所述主體部上。
[0024] 并且，所述介電層包括通過連接多個所述混合線路而形成的制冷劑循環路徑，當 通過驅動所述電極單元固定所述目標基板時，通過所述混合線路與所述制冷劑循環路徑循 環所述目標基板的冷卻用制冷劑。
[002引 （S )有益效果
[0026] 根據本發明的用于氣相蝕刻W及清洗的等離子體裝置，形成反應性物質，并處理 基板，從而能夠在不發生基于帶電引起的損傷的情況下，進行目標基板處理。并且，具有清 洗目標基板時不產生副產物，且選擇比高的優點。并且，用于氣相清洗的汽化氣體提供至中 央區域和邊緣區域，從而可通過調節汽化氣體的噴射量，整體上均勻地產生反應性物質，由 此能夠均勻地處理目標基板的表面。利用噴射汽化氣體的配氣擋板上具備的熱射線，可W 調節汽化氣體的溫度。并且，不發生基于帶電引起的損傷，因此在精細圖案加工工藝中，也 能夠對目標基板進行處理。并且，工藝氣體通過擴散板向腔室內均勻地擴散，因此能夠均勻 地產生等離子體。由于能夠均勻地產生大面積的等離子體，因此不僅在處理小型基板的情 況下，在處理大型基板的情況下也能夠進行均勻的處理。并且，能夠通過調節擴散板的間距 來調節工藝氣體的擴散程度。并且，通過工藝氣體的有效期限增加，提高氣體分解率，從而 增加蝕刻量巧tch amount)。并且，還具備混合吸盤，從而在根據處理基板的操作工序來支 撐基板時，可W選擇利用靜電方式或真空方式中的一種方式來驅動，因此可W根據工藝氛 圍和環境來選擇基板固定方式。并且，在無法使用一種方式的情況下，可W選擇另一種方式 固定基板，因此發生故障時，無需停止工藝操作或更換吸盤。并且，具有提高生產率和降低 維修成本和生產成本的效果。
【附圖說明】
[0027] 圖1是表示本發明的第一實施例的具備雙配氣擋板的等離子體處理裝置的圖。 [002引圖2是示意表示圖1的電容禪合電極組件的結構的圖。
[0029] 圖3是表示雙配氣擋板的上部的俯視圖。
[0030] 圖4是表示雙配氣擋板的下部的仰視圖。
[0031] 圖5是表示第一實施例的利用等離子體處理裝置的等離子體處理方法的流程圖。
[0032] 圖6是表示本發明的第二實施例的雙配氣擋板的圖。
[0033] 圖7是表示本發明的第=實施例的雙配氣擋板的圖。
[0034] 圖8是表示本發明的第四實施例的雙配氣擋板的圖。
[0035] 圖9是表示本發明的第五實施例的雙配氣擋板的圖。
[0036] 圖10是表示本發明的第六實施例的雙配氣擋板的圖。
[0037] 圖11是表示本發明的第屯實施例的雙配氣擋板的圖。
[0038] 圖12是表示具備擴散板的等離子體處理裝置的圖。
[0039] 圖13是表示擴散板的俯視圖。
[0040] 圖14是表示基于擴散板間隔的等離子體均勻度的曲線圖。
[0041] 圖15是表示利用圖12的等離子體處理裝置的等離子體處理方法的流程圖。
[0042] 圖16和圖17是表示電感禪合等離子體方式的等離子體處理裝置的圖。
[0043] 圖18和圖19是表示具備多個氣體注入口的等離子體處理裝置的圖。
[0044] 圖20是表示本發明的優選實施例的混合吸盤的平面的圖。
[0045] 圖21是表示圖20的混合吸盤的剖面的圖。
[0046] 圖22是表示混合吸盤的操作方法的流程圖。
【附圖說明】 [0047] 標記
[004引1 :目標基板 2 :基板支撐臺
[0049] 3:供電電源 4:直流電源
[0050] 5:阻抗匹配器 6:偏壓電源
[0051] 7:阻抗匹配器
[0052] 10,10曰，10b，IOc, lOd，IOe :等離子體處理裝置
[0053] 12:反應器主體 14:氣體注入口
[0054] 15:工藝氣體供給源 16:排氣口
[005引 17:排氣累 20:電容禪合電極組件
[0056] 21 :接地 22:第一電極
[0057] 22a:突出部 24 :第二電極
[005引 24a:電源電極 24b :絕緣部
[0059] 26 :冷卻通道 27 :冷卻水供給源
[0060] 28 :介質窗 30 :噴氣頭
[0061] 30a，30b :第一、第二噴氣頭
[006引 32:中央噴氣頭 34:邊緣噴氣頭
[006引 40 :配氣擋板 42 :通孔
[0064] 50,50a，50b，50c，50d，50e，50f :雙配氣擋板
[0065] 50-1 :上板 50-2 :下板
[0066] 51:中央供給線 52:通孔
[0067] 53:中央汽化氣體噴射孔 54 :邊緣汽化氣體噴射孔
[006引 55 :供電電源 56 :隔離板
[0069] 56a:中央注入口 56b :共同汽化氣體噴射孔
[0070] 58:邊緣注入口 57:隔板
[0071] 57a:中央供給管道 57b:邊緣供給管道
[007引 57:供電電源 60:升降銷
[007引 62 :升降銷驅動部 72 :排氣孔
[0074] 74:排氣擋板 75:排氣區域
[007引 80:擴散板 82:固定桿
[007引 84 :分配板 86 :通孔
[0077] 87 :塞子 88 :塞子固定件
[007引 92 :射頻天線 94 :磁蓋
[0079] 96 :介質窗 100 :基板支撐臺
[0080] 102 :主體部 104 :升降銷
[008。 106:混合線路 107:制冷劑循環路徑
[008引 108:介電層 110:控制部
[0083] 112,114 ：第一、第二電極部
[0084] 113:絕緣部 120:靜電吸盤供電電源
[00財 130 :真空累 132 :現化傳感器
[008引 140 :切換閥 150 :制冷劑供給源
[0087] 152 :流量測量傳感器 154:流量控制閥
[0088] 200,210 :直接產生等離子體區域
[0089] 230 :基板處理區域
【具體實施方式】
[0090] 為了充分理解本發明，下面參照附圖來說明本發明的優選實施例。本發明的實施 例可W W多種形式變更，本發明的保護范圍并不限定于W下詳細說明的實施例。本實施例 是為了向本發明所屬技術領域的技術人員更加充分地說明本發明的內容而提供的。因此， 為了強調更加明確的說明，可放大表示附圖中的組成構件的形狀等。需要注意的是，附圖中 的相同組成構件用相同的附圖標記表示。對于認為混淆本發明的主旨的公知功能和結構， 將省略其詳細說明。
[0091] 圖1是表示本發明的第一實施例的具備雙配氣擋板的等離子體處理裝置的圖。
[0092] 參照圖1，本發明的等離子體處理裝置10由反應器主體12、電容禪合電極組件20、 配氣擋板40、雙配氣擋板50 W及供電電源3組成。反應器主體12的內部具備放置目標基 板1的基板支撐臺2。反應器主體12的上部具備供給用于等離子體處理的工藝氣體的氣 體注入口 14,由工藝氣體供給源15供給的工藝氣體通過氣體注入口 14供給到反應器主體 12內部。氣體注入口 14具備設有多個氣體噴射孔32的噴氣頭30,從而將工藝氣體通過氣 體噴射孔32供給至直接產生等離子體區域200。噴氣頭30與氣體注入口 14連接，W便可 W向介質窗28的下部噴射工藝氣體。反應器主體12的下部具備排氣口 16,并與排氣累17 連接。反應器主體12的下部形成有排氣區域75,所述排氣區域圍繞基板支撐臺2,并形成 有排氣孔72。排氣孔72可W是連續開口的形狀，也可W由多個通孔形成。并且，排氣區域 75具備多個排氣擋板74, W均勻地排出廢氣。
[0093] 反應器主體12可用侶、不誘鋼、銅等金屬物質制造。或者用鍛覆金屬，例如陽極氧 化侶或鍛儀侶制造，或用難溶金屬Cre化actcxry metal)制造。另外，還可W將反應器主體 12的整體或部分用石英或陶瓷等電絕緣材料制造。如此，反應器主體12可W用適于進行等 離子體工藝的任意物質制造。基于目標基板1，且為了均勻地產生等離子體，反應器主體12 的結構可W具有最合適的結構，例如圓形結構或方形結構或除此之外的任何形狀的結構。
[0094] 目標基板1是指用于制造如半導體裝置、顯示裝置、太陽能電池等各種裝置的晶 片基板、玻璃基板、塑料基板等的基板。基板支撐臺2還可W連接于偏壓電源6。基板支撐 臺2具備升降銷60,所述升降銷為了支撐目標基板1并提升或降低目標基板1，與升降銷驅 動部62連接。基板支撐臺2可W包括加熱器。
[0095] 電容禪合電極組件20設置于反應器主體12的上部，W形成反應器主體12的頂 板。電容禪合電極組件20由與接地（21)連接的第一電極22和與供電電源3連接并接收 變頻電源的第二電極24組成。第一電極22形成反應器主體12的頂板，與接地21連接。 第一電極22形成為一個板狀，具備隔開一定距離向反應器主體內部突出形成的多個突出 部22a。第一電極22的中央設有氣體注入口 14。第二電極24 W與第一電極22隔開規定 距離的方式設置在突出部22a之間。第二電極24的一部分插入并安裝在第一電極22中。 在此，第二電極24由與供電電源3連接并接收無線變頻電源的電源電極24a和設置有電源 電極24a并插入第一電極22的絕緣部24b組成。絕緣部24b可形成為包圍整個電源電極 24a的形狀。第一電極22和第二電極24向等離子體產生區域直接產生電容禪合的等離子 體。在本發明中，為了感應等離子體使用了電容禪合電極組件20,但是為了產生電感禪合的 等離子體也可W使用射頻天線。供電電源3通過阻抗匹配器5與第二電極24連接，并提供 射頻電源。第二電極24可W選擇性地與直流電源4連接。
[0096] 圖2是示意表示圖1的電容禪合電極組件的結構的圖。
[0097] 參照圖2,電容禪合電極組件20是由與接地21連接的第一電極22和與供電電源 3連接的第二電極24形成的螺旋結構組成。第一電極22的突出部22a和第二電極24的電 源電極24a隔開一定距離形成螺旋結構。第二電極24的電源電極24a和第一電極22的突 出部22a保持一定間距并對置，從而可W產生均勻的等離子體。在此，第一電極22和第二 電極24可W設置為并列電極，也可W排列為不同的結構。雖然本發明的第一電極22和第 二電極24示為方形，但可W變更為=角形、圓形等各種形狀。
[009引 電容禪合電極組件20與配氣擋板40之間具備介質窗28。介質窗28耐于帶電損 傷（Plasma Damage),而且可W半永久性地使用。因此，通過介質窗28使電容禪合電極組件 20不外露在等離子體中，從而防止第一電極22和第二電極24的損傷。
[0099] 重新參照圖1，雙配氣擋板50是用于將汽化氣體向基板處理區域230噴射的結構， W與基板支撐臺2相對的方式設置在反應器的主體12內。雙配氣擋板50由多個通孔52和 多個中央汽化氣體噴射孔53 W及邊緣汽化氣體噴射孔54組成。為了使汽化氣體流動，中 央汽化氣體噴射孔53和邊緣汽化氣體噴射孔54形成在雙配氣擋板50內設置的中央供給 管道57a和邊緣供給管道57b中，使向中央供給管道57a和邊緣供給管道5化供給的汽化 氣體向雙配氣擋板50的外部噴射。中央汽化氣體噴射孔53和邊緣汽化氣體噴射孔54形 成在雙配氣擋板50的下面，W使汽化氣體噴射到基板處理區域230。通過中央汽化氣體噴 射孔53和邊緣汽化氣體噴射孔54調節向基板處理區域230的中央區域和邊緣區域供給的 汽化氣體的量，從而在整個基板處理區域230中可形成均勻的反應性物質。由此，通過均勻 形成的反應性物質可W均勻地處理目標基板1。
[0100] 反應器主體12內還可W具備用于在直接產生等離子體區域200均勻地分配等離 子體的配氣擋板40。配氣擋板40設置在直接產生等離子體區域200、210內，通過多個通孔 42均勻地分配被等離子體所分離的工藝氣體。通過雙配氣擋板50的中央汽化氣體噴射孔 53和邊緣汽化氣體噴射孔54向基板處理區域220供給汽化氣體，并通過通孔52向基板處 理區域220供給等離子體，形成反應性物質（reactive sepcies)。反應性物質與目標基板 1的副產物相吸附，在熱處理過程中被去除。運種方式的清洗叫做氣相蝕刻（Vapor Phase etching)。
[0101] 氣相清洗是具備濕式清洗與干式蝕刻的優點的清洗方式，在低溫真空腔室中，直 接利用反應性高的原子或分子與目標基板1表面的薄膜直接發生反應，從而選擇性地進行 蝕刻和清洗。氣相清洗具有選擇比高、容易控制清洗量和不發生帶電損傷（Plasma Damage) 等優點。并且，還具有W下優點，即通常不產生副產物，即使產生副產物也能夠W相對濕式 清洗更簡單的方法充分地去除。
[0102] 用于形成反應性物質的汽化氣體主要使用汽化的水化2〇)。用于產生等離子體的 主要蝕刻氣體（Main etchant gas)使用 NF3、CFa(Fluorine 系列），Carrier 氣體使用 He， Ar，N2(惰性氣體）。優選地，各工藝壓力為幾m torr至幾百torr。
[0103] 配氣擋板40和雙配氣擋板50還可W包括熱射線，作為調節溫度的加熱裝置。在 此，配氣擋板40和雙配氣擋板50均可形成有加熱裝置，也可W是其中一個擋板上形成有加 熱裝置。尤其，形成于雙配氣擋板50的熱射線從供電電源55接收電力，不斷加熱經過中央 供給管道57a和邊緣供給管道57b的汽化的水化2〇)，W使汽化的水化2〇)不被液化，維持 汽化狀態并到達目標基板1。并且，雙配氣擋板50還可W具備能夠檢測汽化氣體溫度的傳 感器。
[0104] 等離子體處理裝置10的與接地21連接的第一電極22內部可W具備冷卻通道26。 冷卻通道26接收由冷卻水供給源27供給的冷卻水，將過熱的第一電極22的溫度降低至一 定溫度并保持。
[0105] 圖3是表示雙配氣擋板上部的俯視圖，圖4是表示雙配氣擋板下部的仰視圖。
[0106] 參照圖3和圖4,雙配氣擋板50的通孔52是貫穿雙配氣擋板50而形成。相反地， 中央汽化氣體噴射孔53和邊緣汽化氣體噴射孔54形成在雙配氣擋板50內部所形成的汽 化氣體供給管道下部，即形成在雙配氣擋板50的下面。通孔52與中央汽化氣體噴射孔53 和邊緣汽化氣體噴射孔54的大小可W相同或不同。并且，中央汽化氣體噴射孔53和邊緣 汽化氣體噴射孔54的大小也可W相同或不同。可通過調節通孔52、中央汽化氣體噴射孔 53和邊緣汽化氣體噴射孔54的大小來調節等離子體和汽化氣體的噴射量。
[0107] 中央汽化氣體噴射孔53 W均勻的間隔形成在雙配氣擋板50的中屯、區域，邊緣汽 化氣體噴射孔54 W中央汽化氣體噴射孔53為中屯、，均勻地形成在其周圍。各噴射孔之間 的間距可W調節為各種間距。
[0108] 圖5是表示第一實施例的利用等離子體處理裝置進行等離子體處理方法的流程 圖。
[0109] 參照圖5,由工藝氣體供給源15供給的工藝氣體通過等離子體處理裝置10的噴氣 頭30供給至直接產生等離子體區域200 (S20)。在直接產生等離子體區域200所產生的等 離子體，通過配氣擋板40和雙配氣擋板50分配給基板處理區域220 (S21)。汽化氣體通過 雙配氣擋板50的中央汽化氣體噴射孔53和邊緣汽化氣體噴射孔54供給至基板處理區域 220的中屯、區域和邊緣區域，形成反應性物質（S22)。利用基板處理區域220中所形成的反 應性物質處理目標基板1 (S23)。
[0110] 圖6是表示本發明的第二實施例的雙配氣擋板的圖。
[0111] 參照圖6,雙配氣擋板50a由向中屯、區域供給汽化氣體的中央供給管道57a和向邊 緣區域供給汽化氣體的邊緣供給管道5化組成。在此，邊緣供給管道5化是通過沿著雙配 氣擋板50a邊緣形成的多個隔板57來形成移動路徑。換句話說，多個隔板57沿著雙配氣 擋板50a的邊緣隔開一定距離而形成，且汽化氣體沿著雙配氣擋板50a的邊緣旋轉并向平 面的中屯、方向移動，并通過形成于雙配氣擋板50a的邊緣汽化氣體噴射孔54向周圍噴射。 經過隔板57之間向中屯、方向供給的邊緣供給管道5化可形成為約5mm的幅度。
[0112] 圖7是本發明的第S實施例的雙配氣擋板的圖。
[0113] 參照圖7,雙配氣擋板5化是由上板50-1和下板50-2組成。上板50-1和下板 50-2均形成有用于共同分配等離子體的多個通孔52。上板50-1的底面和下板50-2的上 表面形成有用于供給汽化氣體的凹槽，上板50-1和下板50-2通過焊接結合，形成汽化氣體 供給管道。
[0114] 在下板50-2形成有用于通過內部的汽化氣體供給管道向基板處理區域220的中 屯、區域和邊緣區域排出的汽化氣體的多個中央汽化氣體噴射孔53和邊緣汽化氣體噴射孔 54。
[0115] 圖8是表示本發明的第四實施例的雙配氣擋板的圖。
[0116] 參照圖8,雙配氣擋板50c形成有用于隔開中央區域和邊緣區域的隔離板56。隔 離板56從雙配氣擋板50c的中屯、保持一定距離。向隔離板56內側供給的汽化氣體噴向雙 配氣擋板50c的中央區域，向隔離板56外側供給的汽化氣體噴向雙配氣擋板50c的邊緣區 域。在此，通過沿著雙配氣擋板50c的邊緣形成的多個隔板57,來形成邊緣汽化氣體供給管 道57b。通過隔板57向周圍供給的汽化氣體沿著雙配氣擋板50c的邊緣旋轉并向平面的中 屯、方向移動，并通過邊緣汽化氣體噴射孔54向周圍噴射。根據隔板57的設置位置，可W調 節向雙配氣擋板50c中屯、區域和邊緣區域供給的汽化氣體的量。
[0117] 圖9是本發明的第五實施例的雙配氣擋板的圖。
[0118] 參照圖9,雙配氣擋板50d的上部設置有中央供給線51。中央供給線51是從雙配 氣擋板50d的上面向中屯、區域方向形成的具有規定深度的凹槽，在中央供給線51的終端連 接有中央汽化氣體噴射孔53。通過中央供給線51供給的汽化氣體供給到中央汽化氣體噴 射孔53。中央供給線51對稱形成，從而可W降低針焊工藝中因填料引起的供給管道的堵 塞，W及加工后可W進行清洗工作。如圖所示，中央供給線51可W形成為直線，也可W形成 為曲線。
[0119] 圖10是表示本發明的第六實施例的雙配氣擋板的圖。
[0120] 參照圖10,如上所述的圖9,在雙配氣擋板50e的上面向中屯、方向形成具有規定深 度的凹槽，在凹槽上部安裝蓋子59,從而可W形成中央汽化氣體供給管道。此時，蓋子59可 W用侶做成桿狀之后焊接在雙配氣擋板50e的上部。
[0121] 圖11是表示本發明的第屯實施例的雙配氣擋板的圖。
[0122] 參照圖11，雙配氣擋板50f在中央部具備用于輸入氣體的中央注入口 56a，兩側具 備用于輸入氣體的邊緣注入口 58。中央注入口 56a和邊緣注入口 58形成在一個共同的汽 化氣體供給管道上。共同汽化氣體供給管道形成有多個共同汽化氣體噴射孔56b。
[0123] 通過調節經中央注入口 56a和邊緣注入口 58供給的汽化氣體的壓力來調節向中 屯、區域和邊緣區域供給的汽化氣體的量。例如，當通過中央注入口 56a W-定的壓力供給 汽化氣體時，所供給的汽化氣體會通過相對地位于中屯、部的共同汽化氣體噴射孔5化噴 射。當通過邊緣注入口 58供給汽化氣體時，所供給的汽化氣體通過相對地位于中屯、部的共 同汽化氣體噴射孔5化噴射。在此，當用高壓向中央注入口 56a供給汽化氣體時，會通過大 范圍的共同汽化氣體噴射孔56b噴射汽化氣體，當用低壓向中央注入口 56a供給汽化氣體 時，會通過相對小范圍的共同汽化氣體噴射孔5化噴射汽化氣體。
[0124] 圖12是表示具備擴散板的等離子體處理裝置的圖。
[0125] 參照圖12,等離子體處理裝置IOa具備用于均勻擴散工藝氣體的擴散板80。擴散 板80是由陶瓷類制作，在直接產生等離子體區域200內均勻地擴散流入反應器主體12的 工藝氣體。擴散板80形成為板狀，W與噴氣頭30對置的方式隔開設置。通過噴氣頭30流 入的工藝氣體集中在直接產生等離子體區域200的中屯、（center),并通過擴散板80向邊緣 (edge)區域擴散。此時，直接產生等離子體區域200內的工藝氣體的整體殘留時間增加，從 而提高分解率。通過噴氣頭30噴射而沒有被分解的工藝氣體主要集中在直接產生等離子 體區域200內的中屯、，并通過擴散板80擴散，且被等離子體分解，因此可W均勻地產生等離 子體。并且，作為蝕刻目標的二氧化娃（si〇2)的蝕刻量（etch amount)會增加。第S實施 例的等離子體處理裝置除了擴散板80,其他結構及功能與圖1所示的等離子體處理裝置相 同，因此省略詳細說明。
[0126] 圖13是表示擴散板的俯視圖。
[0127] 參照圖13,擴散板80由與噴氣頭30連接的固定桿82和與固定桿82連接的板狀 的分配板84形成。從設置在反應器主體12中屯、的噴氣頭30供給的工藝氣體與分配板84 碰撞，并向周圍擴散。因此，曾通過集中在直接產生等離子體區域200中屯、而形成的等離子 體，能夠在整個直接產生等離子體區域200均勻地產生。
[012引分配板84可形成為沒有通孔的一個板，也可W是具備多個通孔86的板。工藝氣 體可通過分配板84擴散的同時，并通過多個通孔86分配到下部。還可W通過將塞子87和 塞子固定件88插入通孔86并塞住多個通孔86,來調節通孔的整個數量。雖然分配板84的 直徑優選為64? □ 10?，但是可根據噴氣頭30的形狀來調節分配板的形狀和大小。
[0129] 圖14是表示基于擴散板間隔的等離子體均勻度的曲線圖。
[0130] 參照圖14,根據擴散板80與噴氣頭30之間的間隔（gap)能夠調節等離子體的均 勻度。首先，確認在不具備擴散板80的正常情況下（Normal)的蝕刻量（etch amount)和 均勻度（uniformity),顯示為427iiZmin 7. 5%。如圖所示，可知目標基板1的中屯嘔域的 蝕刻量多于邊緣區域的蝕刻量。運表示等離子體的發生集中在中屯、區域。
[0131] 相反地，將本發明的擴散板80設置在等離子體裝置IOa中，然后確認蝕刻量和均 勻度，可知當擴散板80的設置間隔（gap)為5mm時的蝕刻量和均勻度為503足/m虹3.8%， 間隔為IOmm時的蝕刻量和均勻度為516A/min 3. 4%，間隔為15mm時的蝕刻量和均勻度為 508A/min 3. 3%。因此，通過擴散板80可W提高等離子體均勻度。另外，隨著擴散板80的 間隔的變化，工藝氣體的擴散速度和距離產生差異，因此可W通過改變間隔來調節蝕刻量， 從而提高等離子體的均勻度。
[0132] 圖15是表示利用圖12的等離子體處理裝置進行等離子體處理方法的流程圖。
[0133] 參照圖15,由工藝氣體供給源15供給的工藝氣體通過等離子體處理裝置IOa的 噴氣頭30供給到直接產生等離子體區域200 (S200)。所供給的工藝氣體通過擴散板80均 勻地擴散在等離子體發生區域200內（S210)。在直接產生等離子體區域200產生的等離 子體通過配氣擋板40和雙配氣擋板50供給到基板處理區域（S220)。將汽化氣體噴射到 基板處理區域的雙配氣擋板50的中屯、區域和邊緣區域，從而使等離子體和汽化氣體發生 反應并形成反應性物質（S230)。利用在基板處理區域所產生的反應性物質處理目標基板 1 悅40)。
[0134] 圖16和圖17是表示電感禪合等離子體方式的等離子體處理裝置的圖。
[0135] 參照圖16和圖17,等離子體處理裝置10b、IOc具備用于向反應器主體12內部供 給電感禪合的等離子體的射頻天線92。射頻天線92 W螺旋形纏繞在反應器主體12上部所 具備的介質窗96上部。射頻天線92通過阻抗匹配器5與供電電源3連接并接收電力。磁 蓋94 W包裹射頻天線92的上部的形狀設置，從而可W將磁通量集中在反應器主體12的內 部。可W將一個射頻天線92設置成螺旋形，也可W將多個射頻天線92并列設置。
[0136] 并且，等離子體處理裝置IOc還具備用于均勻地供給工藝氣體的擴散板80。擴散 板80設置在噴氣頭30上，使供給至反應器主體12內的工藝氣體能夠均勻地噴射。擴散板 80的結構和功能與上述說明的內容相同，在此省略詳細說明。
[0137] 圖18和圖19是表示具備多個氣體注入口的等離子體處理裝置的圖。
[013引參照圖18和圖19,等離子體處理裝置1(M、IOe還具備用于向反應器主體12的中 屯、區域供給工藝氣體的第一噴氣頭30a和用于向反應器主體12的邊緣區域供給工藝氣體 的第二噴氣頭30b。通過調節工藝氣體的供給量，可W調節等離子體的整體均勻度，其中，所 述工藝氣體是通過第一噴氣頭30a和第二噴氣頭30b向中屯、區域和邊緣區域供給。
[0139] 在等離子體處理裝置IOtlOe中，用于向中屯、區域和邊緣區域感應等離子體的等 離子體源各不相同。例如，中屯、區域可設有電容禪合電極，邊緣區域可設有射頻天線。并且， 相反地中屯、區域可設有射頻天線，邊緣區域可設有電容禪合電極。等離子體根據電容禪合 電極和射頻天線，綜合性地放電。
[0140] 并且，等離子體處理裝置IOe還具備用于均勻供給工藝氣體的擴散板80。擴散板 80分別設置于第一噴氣頭30a和第二噴氣頭30b，W使供給至中屯、區域和邊緣區域的工藝 氣體均勻地噴射。擴散板80的結構和功能與上述說明的內容相同，在此省略詳細說明。
[0141] 如上所述的各種形式的等離子體處理裝置10a、10b、10c、IOtlOe所具備的基板 支撐臺2通過靜電方式或真空方式中的一種方式運行，并固定目標基板1。本發明的基板支 撐臺2由可選擇靜電方式或真空方式中一種方式來驅動的混合吸盤（化uck)組成。運種混 合吸盤可W適用于W上說明的所有形式的等離子體處理裝置1〇日、10b、10c、1(M、lOe。
[0142] W下說明混合吸盤的結構和運行方法。
[0143] 圖20是表示本發明的優選實施例的混合吸盤的平面的圖，圖21是表示圖20的混 合吸盤的剖面的圖。
[0144] 參照圖20和圖21，本發明的混合吸盤稱為用于支撐目標基板1的基板支撐臺 100。基板支撐臺100由主體部102、第一電極部112、第二電極部114 W及混合線路106組 成。
[0145] 主體部102是目標基板1放置在其上部的基底部，設在等離子體腔室內。主體部 102可根據所要處理的目標基板1的形狀，形成圓形或方形等各種形狀。主體部102具備 升降銷104,所述升降銷用于支撐目標基板1的同時，提升或降低目標基板1。目標基板1 是，例如用于制造半導體裝置的娃晶片基板或用于制造液晶顯示器或等離子體顯示器等的 玻璃基板。
[0146] 第一電極部112和第二電極部114在主體部102中位于放置有目標基板1的上面。 第一電極部112和第二電極部114的上面形成有介電層108,且目標基板1放置在介電層 108上。介電層108可W形成為一個板狀，也可形成為與第一電極部112和第二電極部114 相同的形狀。第一電極部112和第二電極部114形成為Z字形，相互嵌合地設置。運種電 極部的形狀可W增加電極部與目標基板1的接觸面，并使靜電力的產生極大化。本發明的 電極部的形狀僅僅是一個例示，可W變更為各種形狀。第一電極部112和第二電極部114 與靜電吸盤供電電源120連接，當使用靜電方式驅動基板支撐臺100時，可接收用于產生靜 電力的電壓。
[0147] 第一電極部112和第二電極部114之間具備用于電絕緣的絕緣部113。本發明的 混合吸盤可WW單級扣nipolar，或單極（Monopolar))方式在主體部102設置一個電極并 產生靜電力，優選地，可WW固定基板時無需單獨的電場的雙極度ipolar)方式設置兩個 W上的電極并產生靜電力。本發明中公開并說明了雙極方式的第一電極部112和第二電極 部 114〇
[014引混合線路106通過貫穿一個W上的主體部102而形成。一個W上的混合線路106 與真空累130連接，W真空方式驅動基板支撐臺100時通過混合線路106吸入空氣，從而固 定放置在主體部102上面的目標基板1。
[0149] 混合線路106可W與制冷劑供給源150連接，并用作冷卻目標基板1的冷卻通道。 換句話說，當基板支撐臺100 W真空方式被驅動時，混合線路106吸入空氣并固定目標基板 1，當基板支撐臺100 W靜電方式被驅動時，混合線路106接收制冷劑并冷卻目標基板1。
[0150] 兩個W上的混合線路106相連接并形成制冷劑循環路徑107。制冷劑循環路徑107 W同屯、圓的形狀形成在主體部102上面的介電層108。制冷劑循環路徑107均勻地分布在 整個主體部102的上面。在制冷劑循環路徑107中，一個混合線路106用作制冷劑供給管 道，另一個混合線路106用作制冷劑排出管道。從制冷劑供給源150通過一個混合線路106 接收制冷劑，沿著制冷劑循環路徑107循環，并調節目標基板W的溫度之后通過另一個混合 線路106排出。此時，各混合線路106與用于調節制冷劑流量的流量調節閥154連接。在 真空方式的基板支撐臺100中，可W使用氮化e)氣作為制冷劑。
[0151] 用真空方式驅動基板支撐臺100時，第一電極部112和第二電極部114被驅動，從 而通過電力固定目標基板1。真空方式不受設有基板支撐臺100的腔室內的氛圍的限制，使 氮氣通過制冷劑循環路徑107和混合線路106,向目標基板1的后面循環，同時調節溫度并 改善溫度均勻度。
[0152] 混合線路106通過切換閥140與真空累130或制冷劑供給源150連接。當切換閥 140接收由控制部110傳輸的用于真空方式的驅動的信號時，連接混合線路106和真空累 130。并且，當切換閥140接收由控制部110傳輸的用于靜電方式的驅動的信號時，連接混 合線路106和制冷劑供給源150。此時，控制部110向靜電吸盤供電電源120傳送驅動信 號。
[0153] 為了確認目標基板1固定在基板支撐臺100上的狀態，混合線路106和真空累130 之間具備測壓傳感器132。測壓傳感器132通過檢測混合線路106的真空壓力變化量，來確 認基板的固定狀態。并且，為了確認目標基板1固定在基板支撐臺100上的狀態，混合線路 106和制冷劑供給源150之間具備流量測量傳感器152。流量測量傳感器152通過檢測混 合線路106和制冷劑循環路徑107的制冷劑流量變化來確認基板的固定狀態。
[0154] 現有的基板支撐臺100主要是由陶瓷（Ceramic)材質制成，但本發明的基板支撐 臺100是由聚酷亞胺（Polyimide)制成。陶瓷具有高耐久性和高熱導率W及吸附能力優異 的優點。然而具有如下缺點，即費用高W及制造工藝很難，并且因陶瓷的多孔（porous)性 質，會吸收水分。相反地，聚酷亞胺（Pol^mide)價格低廉，耐熱性優異，因此從低溫到高溫 的特性變化較小。并且，具有高擊穿電壓和放電時間短的優點。而且不受水分的影響，相比 陶瓷，應用范圍廣泛。
[0155] 圖22是表示混合吸盤運行方法的流程圖。
[015引參照圖22,為了進行工藝，當目標基板1進入腔室內時，用戶或控制部110會選擇 使用靜電方式或真空方式中的某一種方式來驅動基板支撐臺1006300)。可由用戶手動選 擇某一種方式，也有可由控制部110根據腔室內的氛圍或基板支撐臺100的狀態而系統選 擇。
[0157] 當選擇使用靜電方式運行時，從靜電吸盤供電電源120向第一電極部112和第二 電極部114施加靜電吸盤電壓（S310)。由制冷劑供給源（150)供給的制冷劑沿著混合線路 106和制冷劑循環路徑107循環（S311)。雖然附圖中未示出，利用測壓計測量循環的制冷 劑的壓力（S312)，通過流量測量傳感器152測量制冷劑的流量并傳送至控制部（S313)。控 制部110通過所測量的制冷劑的流量變化量來確認目標基板1的固定狀態。例如，控制部 110可通過比較目標基板1被正常固定的狀態時與被非正常固定的狀態時的流量變化的數 據與已測量的流量變化量，W此確認基板的固定狀態（S314)。當判斷為制冷劑流量變化量 正常時，進行對目標基板1的操作工序（S316)。但是，當通過制冷劑流量變化量判斷為目標 基板1沒有被正常固定時，可重新將目標基板1放置在基板支撐臺100上，并反復進行W上 說明的過程。并且，當判斷為靜電方式的驅動不順利時，還可W轉換為真空方式，并將目標 基板1固定在基板支撐臺100 (S315)。運樣的驅動方式的轉換，可通過用戶手動進行，也可 根據控制部110的判斷而自動進行。
[0158] 當選擇使用真空方式驅動時，驅動真空累130,并通過混合線路106吸收空氣 (S320)。通過測壓傳感器132測量混合線路106的真空壓力并傳送至控制部（S321)。控 制部110通過比較所測量的真空壓力變化量來確認目標基板1的固定狀態。例如，控制部 110通過將目標基板1被正常固定的狀態時與被非正常固定的狀態時的壓力變化的數據與 已測量的壓力變化量，W此確認固定狀態（S322)。當判斷為真空壓力的變化量正常時，進 行目標基板I的操作工序（S324)。但是，通過真空壓力變化量來判斷為目標基板I沒有被 正常固定時，重新將目標基板1放置在基板支撐臺100上，并反復進行W上所述的過程。或 者，當判斷為真空方式的驅動不順利的情況下，還可W轉換為靜電方式，由此固定目標基板 1 (S323)。運樣的驅動方式的轉換，可通過用戶手動進行，也可根據控制部110的判斷而自 動進行。
[0159] 因此，利用本發明的混合吸盤，可W根據工藝氛圍和環境來選擇基板固定方式。并 且，當無法使用一種方式時的情況下，可W選擇其他方式來固定基板，因此發生故障時，也 無需停止基板處理工序或更換吸盤，從而具有提高生產率W及減少維修成本和生產成本的 效果。
[0160] 如上所述的本發明的用于氣相蝕刻W及清洗的等離子體裝置的實施例子僅僅是 一個例示。本發明所屬領域的技術人員可W進行多種變更和導出均等的實施例。
[0161] 因此，可W理解為本發明并不限定于上述的詳細說明中提及的形態。因此，本發明 的真正的技術保護范圍應根據權利要求書的技術思想而限定。而且，應理解為本發明包括 權利要求書中限定的本發明的主旨和其范圍內的所有變形物和均等物W及替代物。
【主權項】
1. 一種用于氣相蝕刻以及清洗的等離子體處理裝置，其特征在于，包括： 反應器主體，用于處理目標基板； 直接產生等離子體區域，其為所述反應器主體內的直接產生等離子體區域，工藝氣體 流入所述反應器主體內，從而直接感應等離子體； 等離子體感應組件，向所述直接產生等離子體區域感應等離子體； 基板處理區域，其為所述反應器主體內的基板處理區域，通過混合從所述直接產生等 離子體區域流入的等離子體和從所述反應器主體的外部流入的汽化氣體來形成反應性物 質，并通過所述反應性物質來處理所述目標基板；以及 雙配氣擋板，配置在所述直接產生等離子體區域和所述基板處理區域之間，向所述基 板處理區域分配等離子體，將汽化氣體分配給所述基板處理區域的中心區域和周邊區域。2. 根據權利要求1所述的用于氣相蝕刻以及清洗的等離子體處理裝置，其特征在于， 所述等離子體感應組件是包括多個電容耦合電極的電容耦合電極組件或射頻天線。3. 根據權利要求2所述的用于氣相蝕刻以及清洗的等離子體處理裝置，其特征在于， 所述等離子體感應組件包括： 中央等離子體感應組件，向所述直接產生等離子體區域的中心區域感應等離子體； 邊緣等離子體感應組件，向所述直接產生等離子體區域的周邊區域感應等離子體。4. 根據權利要求3所述的用于氣相蝕刻以及清洗的等離子體處理裝置，其特征在于， 所述中央等離子體感應組件與所述邊緣等離子體感應組件是相同的等離子體源或不同的 等離子體源。5. 根據權利要求1所述的用于氣相蝕刻以及清洗的等離子體處理裝置，其特征在于， 所述雙配氣擋板包括： 多個通孔，用于所述等離子體分配而貫穿形成； 一個以上的中央汽化氣體噴射孔，用于將通過所述雙配氣擋板內形成的汽化氣體供給 管道供給的汽化氣體向所述基板處理區域的中心區域噴射； 一個以上的邊緣汽化氣體噴射孔，用于將通過所述雙配氣擋板內形成的汽化氣體供給 管道供給的汽化氣體向所述基板處理區域的周邊區域噴射。6. 根據權利要求1所述的用于氣相蝕刻以及清洗的等離子體處理裝置，其特征在于， 所述雙配氣擋板包括熱射線。7. 根據權利要求1所述的用于氣相蝕刻以及清洗的等離子體處理裝置，其特征在于， 所述汽化氣體是汽化的H20。8. 根據權利要求1所述的用于氣相蝕刻以及清洗的等離子體處理裝置，其特征在于， 所述雙配氣擋板包括： 多個通孔，用于所述等離子體分配而貫穿形成； 多個共同汽化氣體噴射孔，用于將通過與所述雙配氣擋板內的汽化氣體供給管道連接 的中央注入口和邊緣注入口供給的汽化氣體向所述基板處理區域的中央區域和周邊區域 噴射， 其中，通過所述中央注入口和邊緣注入口調節所述汽化氣體的供給壓力，并供給汽化 氣體。9. 根據權利要求1至8中任一項所述的用于氣相蝕刻以及清洗的等離子體處理裝置， 其特征在于，所述等離子體裝置包括一個以上的氣體注入口，其用于向所述反應器主體內 部供給工藝氣體。10. 根據權利要求9所述的用于氣相蝕刻以及清洗的等離子體處理裝置，其特征在于， 所述等離子體裝置包括擴散板，其與流入工藝氣體的氣體注入口相對地設置，并在所述直 接產生等離子體區域內擴散工藝氣體。11. 根據權利要求1所述的用于氣相蝕刻以及清洗的等離子體處理裝置，其特征在于， 所述等離子體裝置包括： 主體部，其在放置所述目標基板的上表面上具備介電層； 一個以上的電極單元，設置在所述主體部內，通過接收電壓而驅動； 基板支撐臺，包括一個以上的形成在所述主體部的混合線路，以便與放置的所述目標 基板相接， 其中，通過驅動所述電極單元將所述目標基板固定在所述主體部上，或者通過所述混 合線路吸入空氣，從而將所述目標基板固定在所述主體部上。12. 根據權利要求11所述的用于氣相蝕刻以及清洗的等離子體處理裝置，其特征在 于，所述介電層包括通過連接多個所述混合線路而形成的制冷劑循環路徑，當通過驅動所 述電極單元固定所述目標基板時，通過所述混合線路與所述制冷劑循環路徑循環所述目標 基板的冷卻用制冷劑。
【文檔編號】H01L21/3065GK106098548SQ201510446622
【公開日】2016年11月9日
【申請日】2015年7月27日
【發明人】金奎東, 申雨坤, 安孝承, 崔致榮
【申請人】吉恩株式會社