專利名稱：聚酰亞胺化合物和撓性電路板的制作方法
技術領域：
本發明涉及聚酰亞胺化合物，并且涉及在導體上形成該聚酰亞胺化合物得到的撓性電路板。
背景技術：
不夾設粘接層而直接在銅箔等導體上設置絕緣性的聚酰亞胺類樹脂層而形成的撓性電路基板，其通過下述方法制造使酸二酐與二胺在N-甲基-2-吡咯烷酮等溶劑中聚合，將所得的含有聚酰胺酸成分的聚酰亞胺前體涂布在導體上，干燥導體上的聚酰亞胺前體，制成聚酰胺酸成分層，進一步通過加熱使其亞胺化，從而在導體上形成聚酰亞胺類樹脂層。
此時，撓性電路基板因具有低熱線膨脹系數的銅箔等導體與通常具有高熱線膨脹系數的聚酰亞胺之間的熱線膨脹系數的不同而產生卷曲的問題。此外，撓性電路基板由于在形成聚酰亞胺時的脫水反應導致反應收縮而在所形成的聚酰亞胺與導體之間產生內部應力，由此也產生卷曲的問題。
導體與所形成的聚酰亞胺之間的熱線膨脹系數的不同，可通過將聚酰亞胺的熱線膨脹系數控制為低值、減小與導體的差，從而可抑制撓性電路基板的卷曲。為了將聚酰亞胺的熱線膨脹系數控制為低值，需要組合均苯四酸二酐、3，4，3’，4’-聯苯四羧酸二酐、對苯二胺這樣的直線性高的單體并使它們聚合。另外，通過將完成亞胺化的聚酰亞胺膜加熱到玻璃化轉變溫度以上、暫且使其塑化，可以除去形成聚酰亞胺時所產生的內部應力。
但是，將導體上的聚酰亞胺前體熱亞胺化時，為了100％完成亞胺化，必須在高溫下進行反應。另外，為了除去內部應力，必須進行最低也在300℃以上、通常在350℃以上的熱處理。這樣高溫下的熱處理，有可能導致導體的氧化、給導體圖案的尺寸穩定性等帶來不良影響。
于是，提出了如下基板為了防止卷曲，用高熱線膨脹系數的第2種聚酰亞胺前體夾持低熱線膨脹系數的第1種聚酰亞胺前體，使整體的熱線膨脹系數變成與銅的熱線膨脹系數相同，這樣形成的撓性電路基板(例如，參考專利文獻1)。另外，提出在玻璃化轉變溫度高、低熱線膨脹系數的聚酰亞胺中混入在所需溫度下塑化的添加劑而制成的撓性電路基板(例如，參考專利文獻2)。
此外，提出如下基板將含有聚酰胺酸成分和聚酰亞胺成分的聚酰亞胺前體亞胺化而形成的聚酰亞胺樹脂層配置成與導體接觸，這樣得到的撓性電路基板，其中，該聚酰胺酸成分通過酸酐成分與胺成分反應而成，該聚酰亞胺成分通過酸酐成分與異氰酸酯成分反應而成(例如，參考專利文獻3)。另外，可以舉出如下方法考慮因反應收縮而縮小的變化量，使用熱線膨脹系數比銅箔的熱線膨脹系數低的聚酰亞胺前體的方法；將可溶性聚酰亞胺溶于溶劑，干燥該可溶性聚酰亞胺，在銅箔上成膜的方法等。
專利文獻1日本特開號公報專利文獻2日本特開號公報專利文獻3日本特開號公報發明內容發明所要解決的問題專利文獻1的撓性電路基板中，通常，低熱線膨脹系數的聚酰亞胺顯示高的玻璃化轉變溫度，高熱線膨脹系數的聚酰亞胺顯示低的玻璃化轉變溫度。即，低熱線膨脹系數的第1種聚酰亞胺前體所形成的聚酰亞胺顯示高的玻璃化轉變溫度，高熱線膨脹系數的第2種聚酰亞胺前體所形成的聚酰亞胺顯示低的玻璃化轉變溫度。用第2種聚酰亞胺前體夾持該第1種聚酰亞胺前體的3層的聚酰亞胺前體所形成的聚酰亞胺，通過在第2種聚酰亞胺前體所形成的聚酰亞胺的玻璃化轉變溫度以上進行加熱，可以緩和內部應力。然而，為了緩和該內部應力，必須進行300℃以上的熱處理。另外，增加了聚酰亞胺前體的涂布工序，變得難以控制膜厚，存在這樣的缺點。
專利文獻2的撓性基板中所使用的添加劑會在加熱處理中在爐內飛散，污染爐。另外，為了除去所形成的聚酰亞胺的內部應力，必須進行300℃以上的熱處理，有可能導致導體的氧化、給導體圖案的尺寸穩定性等帶來不良影響。
專利文獻3的撓性電路基板，為了形成聚酰亞胺前體的聚酰亞胺成分，異氰酸酯成分是必需的。異氰酸酯盡管與酸酐反應，但在例如單體中具有羥基的情況下，較之與酸酐反應更先與羥基反應。因此，無法形成期望的聚酰亞胺。即，使用異氰酸酯時，可使用的單體受到限制，特別是無法使用可以提高堿溶性的具有酚羥基的單體。
另外，考慮因反應收縮而縮小的變化量、使用熱線膨脹系數比銅箔的熱線膨脹系數還低的聚酰亞胺前體的方法，存在聚酰亞胺的剛性增加、與銅箔的粘接力降低、銅箔與聚酰亞胺剝離的可能性。另外，由于熱線膨脹系數設定得比銅箔還低，所以在蝕刻銅箔時，出現撓性電路基板向銅箔一側卷曲的問題。
并且，對于將可溶性聚酰亞胺溶于溶劑、干燥該可溶性聚酰亞胺、在銅箔上成膜的方法而言，由于不是在銅箔上形成聚酰亞胺，因此可以避免聚酰亞胺前體的亞胺化導致的內部應力的產生，但由于熱線膨脹系數與銅箔不同，所以產生卷曲。可通過在聚酰亞胺中大量添加填充劑(填料)、降低熱線膨脹系數來防止該撓性電路基板的卷曲，但存在該添加劑導致耐折性惡化的問題。
因此，本發明鑒于這樣的現有狀況，其目的在于提供一種聚酰亞胺化合物，其具有與導體的熱線膨脹系數同等程度的低熱線膨脹系數、由聚酰亞胺前體的脫水反應所產生的內部應力的影響小。進而其目的在于提供具有該聚酰亞胺化合物的、抑制了卷曲的撓性電路板。
解決問題的方法本發明的聚酰亞胺化合物，其特征在于，其為通過酸二酐與二胺的反應得到的下述式(1)所示的聚酰亞胺化合物， (上述式(1)中的A1為包含芳香環的有機基、脂環基，A2具有包含芳香環的有機基，m和n為整數)，其中，上述二胺含有第1種二胺，其如下述式(2)所示，
(上述式(2)中的R1和R2為被氟取代的烷基，s和p為1至4的整數)，以及第2種二胺，其如下述式(3)所示， (上述式(3)中的R3和R4為羥基，R5和R6為氨基，q和r為1至4的整數，x為0或1的整數)。
這樣，通過使用具有被氟取代的烷基的二胺作為形成聚酰亞胺化合物的二胺，可以使高亞胺化率的聚酰亞胺化合物溶于溶劑中。另外，通過使用具有酚羥基的二胺，可以提高形成聚酰亞胺時的堿溶性。進而，可將使用直線性高的單體所形成的聚酰亞胺的熱線膨脹系數控制在低值，同時可調節熱線膨脹系數。另外，通過將聚酰亞胺化合物的亞胺化率調整為70％至100％，可以減少形成聚酰亞胺時的收縮。
另外，通過在上述聚酰亞胺化合物中含有光敏劑，使通過曝光、顯影形成圖案成為可能。進而，通過包含除上述2種二胺化合物之外的第3種二胺化合物作為上述二胺，可調整所形成的聚酰亞胺的熱線膨脹系數，同時可改變對溶劑的可溶性。
進而，本發明的撓性電路板，其特征在于，該撓性電路板具有導體，和聚酰亞胺層，其由通過酸二酐與二胺反應得到的下述式(1)所示的聚酰亞胺化合物形成，
(上述式(1)中的A1為包含芳香環的有機基、脂環基，A2具有包含芳香環的有機基，m和n為整數)，其中，上述二胺含有第1種二胺，其如下述式(2)所示， (上述式(2)中的R1和R2為被氟取代的烷基，s和p為1至4的整數)，以及第2種二胺，其如下述式(3)所示， (上述式(3)中的R3和R4為羥基，R5和R6為氨基，q和r為1至4的整數，x為0或1的整數)，并將上述聚酰亞胺化合物的亞胺化率調整為70％至100％。
如前所述，撓性電路板的卷曲的原因在于，導體的熱線膨脹系數和形成于導體上的聚酰亞胺的熱線膨脹系數之間的差異、形成聚酰亞胺時在導體上的反應收縮所產生的內部應力。本發明的撓性電路板，將形成于導體上的聚酰亞胺的熱線膨脹系數控制為與導體同等程度的低值，同時可利用所使用的單體進行調節。另外，通過將聚酰亞胺化合物的亞胺化率調整為70％至100％，可以減少對形成聚酰亞胺時的反應收縮產生的內部應力的影響。由此，得到無卷曲的撓性電路板。
發明效果本發明的聚酰亞胺化合物，通過使用具有三氟甲基的二胺和具有酚羥基的二胺，可將所形成的聚酰亞胺化合物的熱線膨脹系數控制為與導體同等程度的低值，同時可以調節熱線膨脹系數。另外，通過三氟甲基可以提高在溶劑中的溶解性，通過酚羥基可以提高在堿性溶液中的溶解性。進一步，通過提高聚酰亞胺化合物的亞胺化率，可以減小形成聚酰亞胺時的反應收縮。另外，可以降低所形成的聚酰亞胺的玻璃化轉變溫度。
另外，撓性電路板由于具有低的熱線膨脹系數、并可以調節該熱線膨脹系數，并且反應收縮帶來的內部應力的影響小，因此可以防止撓性電路板的卷曲。另外，通過使其含有光敏劑等，可在對撓性電路板進行曝光后用氫氧化鈉、氫氧化鉀、碳酸鈉、碳酸氫鈉、四甲基氫氧化銨等堿水溶液形成正型圖案。


圖1是說明本發明的聚酰亞胺化合物所形成的聚酰亞胺的感光原理的圖。
圖2是本發明的撓性電路板的剖面圖。
圖3是表示使用BPDA、PMDA、TFMB、HAB所形成的本發明的聚酰亞胺化合物的加熱時間與亞胺化率的關系的圖。
圖4是表示使用BPDA、PMDA、TFMB、BIS-AP-AF所形成的本發明的聚酰亞胺化合物的加熱時間與亞胺化率的關系的圖。
圖5是表示使用DSDA和APB所形成的聚酰亞胺化合物的加熱時間與亞胺化率的關系的圖。
圖6是表示APB的使用量與熱線膨脹系數的關系的圖。
圖7是表示合成的本發明的聚酰亞胺化合物的紅外吸收光譜的圖。
圖8是表示合成的本發明的聚酰亞胺化合物的紅外吸收光譜的圖。
圖9是表示本發明的撓性電路板的亞胺化率的變化所導致的曝光量和殘膜率的關系的圖。
圖10是表示本發明的撓性電路板的正型圖案的圖。
圖11是表示本發明的撓性電路板的正型圖案的圖。
圖12是表示本發明的撓性電路板的正型圖案的圖。
圖13是表示本發明的撓性電路板的正型圖案的圖。
符號說明1撓性電路板2導體3聚酰亞胺層具體實施方式
下面，對本發明的聚酰亞胺化合物以及撓性電路板進行說明。但是，本發明并不限于以下的說明，在不脫離本發明精神的范圍內可以適當改變。
本發明的聚酰亞胺化合物的一例為，將酸二酐與二胺在N-甲基-2-吡咯烷酮(NMP)等溶劑中加成聚合而得到的下述式(1)所示的聚酰亞胺化合物 (上述式(1)中的A1為包含芳香環的有機基、脂環基，A2具有包含芳香環的有機基，m和n為整數)，上述二胺含有如下物質作為二胺作為下述式(2) (上述式(2)中的R1和R2為被氟取代的烷基，s和p為1至4的整數)所示的第1種二胺，含有R1和R2為三氟甲基、s和p均為1的2，2’-雙三氟甲基-4，4’-二氨基聯苯(TFMB)；以及作為下述式(3)
(上述式(3)中的R3和R4為羥基，R5和R6為氨基，q和r為1至4的整數，x為0或1的整數)所示的第2種二胺，含有q和r均為1、x為0的4，4’-二氨基-3，3’-聯苯二酚(HAB)、或q和r均為1、x為1的2，2-雙(3-氨基-4-羥基苯基)六氟丙烷(BIS-AP-AF)。進一步，本發明的聚酰亞胺化合物的特征在于將其亞胺化率調整為70％至100％。另外，在本發明的聚酰亞胺化合物中還可以含有光敏劑。并且，可以將該聚酰亞胺化合物溶于N-甲基-2-吡咯烷酮(NMP)等溶劑中，并涂布到銅等導體上，通過適宜的加熱溫度形成聚酰亞胺層。
另外，聚酰亞胺化合物可以含有上述式(1)所示的聚酰胺酸成分結構。該聚酰胺酸成分通過使下述中說明的酸二酐與二胺在NMP等溶劑中反應而得到。因此，上述式(1)中的A1為包含來自下述中所示酸二酐的芳香環的有機基，A2為包含來自下述中所示二胺的芳香環的有機基。
作為該酸二酐，為了使所形成的聚酰亞胺的熱線膨脹系數變得更低，可列舉如下所述的高直線性的化合物。例如，作為酸二酐，可列舉均苯四酸二酐(PMDA)、3，4，3’，4’-聯苯四羧酸二酐(BPDA)、2，3，6，7-萘四羧酸二酐、1，2，3，4-環丁烷四羧酸二酐等酸二酐。這些酸二酐可根據所形成的聚酰亞胺的熱線膨脹系數適當改變。通過將這樣的高直線性的酸二酐用作高直線性聚酰亞胺的單體，可降低所形成的聚酰亞胺的熱線膨脹系數。
另外，形成本發明一例的聚酰亞胺化合物的二胺，如上所述含有作為第1種二胺的TFMB和作為第2種二胺的HAB或BIS-AP-AF。而且，為了調節聚酰亞胺化合物在溶劑中的溶解性、所形成的聚酰亞胺的熱線膨脹系數，還可具有第3種二胺。
TFMB是具有三氟甲基的高直線性的二胺。TFMB中的三氟甲基是減弱分子鏈間的相互作用的大體積取代基，通過將其導入所形成的聚酰亞胺中，可以提高在溶劑中的溶解性。
高直線性的酸二酐與高直線性的二胺所形成的聚酰亞胺的熱線膨脹系數低。通常，熱線膨脹系數低的聚酰亞胺具有難以溶解于下述說明的NMP等溶劑中的性質。例如，高直線性的PMDA與高直線性的對苯二胺所形成的聚酰亞胺不溶于NMP。
因此，通過使用TFMB，可以提高聚酰亞胺在溶劑中的溶解性。例如，由PMDA和TFMB形成的亞胺化率100％的聚酰亞胺，在NMP中盡管不溶解，但形成渾濁的凝膠狀。另外，由PMDA、BPDA和TFMB形成的亞胺化率100％的聚酰亞胺，在NMP中盡管不溶解，但形成透明的凝膠狀。并且，由PMDA、BPDA和TFMB形成的聚酰亞胺的熱線膨脹系數顯示出1282ppm/℃。即，若使用TFMB形成聚酰亞胺，可以降低熱線膨脹系數，并且可以提高在溶劑中的溶解性。
二胺中的TFMB的量與導體、所使用的酸二酐、下述中說明的第3種二胺等有關，但優選為45摩爾％以上。比45摩爾％少的量的情況下，在溶劑中的溶解性變低，必須降低所形成的聚酰亞胺化合物的亞胺化率。亞胺化率降低，則導致形成聚酰亞胺時發生的縮合反應變多。例如，在導體上形成聚酰亞胺時，由大的反應收縮導致的內部應力的影響變大，成為卷曲的原因。
作為本發明的聚酰亞胺化合物所使用的第1種二胺，只要是具有直線性并可提高在NMP等溶劑中的溶解性的二胺，就不限于TFMB。例如，作為上述式(2)中的R1和R2所示的取代基，可以是單氟甲基、二氟甲基、五氟乙基、七氟丙基、九氟丁基等被氟取代的烷基。另外該烷基既可以是直鏈狀的，也可以是支鏈狀的。
HAB是具有酚羥基的高直線性的二胺。酚羥基在堿性溶液中具有高的溶解性。因此，通過使用HAB，可以降低熱線膨脹系數，并且可以提高所形成的聚酰亞胺的堿溶性。另一方面，BIS-AP-AF是具有酚羥基的、屈撓性高的二胺，還具有三氟甲基。
因此，通過使用BIS-AP-AF，可以同時提高在溶劑中的溶解性和堿溶性。例如，通過在所形成的聚酰亞胺化合物中含有光敏劑，還可以通過曝光和堿顯影形成正型圖案。
二胺中的HAB的量與所使用的其它二胺的量也有關系，但優選在二胺中至少含有1摩爾％以上，更優選含有20摩爾％以上。含有20摩爾％以上時，所形成的聚酰亞胺化合物的堿溶性變高。另一方面，BIS-AP-AF的量與所使用的其它二胺的量也有關系，但優選在二胺中含有至少為1摩爾％以上、20％以下的范圍。比20摩爾％多時，所形成的聚酰亞胺膜的熱線膨脹系數變大，這可能成為引起卷曲的主要原因。另外，BIS-AP-AF的量例如為1摩爾％以下這樣的少量時，無法充分賦予溶劑溶解性以及堿溶性。另外，對于HAB和BIS-AP-AF而言， 由于在形成聚酰亞胺成分時沒有使用異氰酸酯，所以可以使用具有酚羥基的二胺。
另外，第3種二胺可以調節由上述酸二酐與上述二胺形成的聚酰亞胺的熱線膨脹系數。如前所述，由高直線性的酸二酐與高直線性的二胺形成的聚酰亞胺，可以將熱線膨脹系數降低至與導體大致相同的程度。
例如，經常用作導體的銅箔的熱線膨脹系數為20ppm/℃左右，而由50摩爾％PMDA與50摩爾％BPDA的酸酐以及75摩爾％TFMB與25摩爾％HAB的二胺形成的聚酰亞胺的熱線膨脹系數為13.8ppm/℃。像這樣，聚酰亞胺的熱線膨脹系數比銅箔低，以銅為內側發生卷曲。這種情況下，通過適量使用有屈撓性的第3種二胺，可以使熱線膨脹系數一致。這樣的有屈撓性的第3種二胺，還可以提高在溶劑中的溶解性。由此，可以使具有高亞胺化率的聚酰亞胺化合物也溶解到溶劑中，還可以減小形成聚酰亞胺時的反應收縮。
作為本發明的聚酰亞胺化合物中使用的第2種二胺，只要是可以保持與基材薄膜的熱線膨脹系數的平衡、并可提高在堿性溶液中的溶解性的二胺，就并不限于HAB或BIS-AP-AF。例如，被取代的羥基數可以為1，或者也可以為3以上。
僅由TFMB和HAB這樣的高直線性的化合物形成的聚酰亞胺，其熱線膨脹系數顯著降低。為此，例如，通過混入有屈撓性的可提高所形成的聚酰亞胺的熱線膨脹系數的二胺化合物作為第3種二胺，可以調節熱線膨脹系數。這樣的有屈撓性的化合物，由于在NMP等溶劑中的溶解性高，所以還可以提高聚酰亞胺的溶解性。進而，還可以提高與其上形成聚酰亞胺的導體之間的粘附性。作為這樣的有屈撓性的第3種二胺，可列舉BIS-AP-AF、1，3-雙(3-氨基苯氧基)苯(APB)、1，3-雙(4-氨基苯氧基)苯、1，4-雙(4-氨基苯氧基)苯、9，9-雙(4-氨基苯基)芴、9，9-雙[4-(4-氨基苯氧基苯基)芴]、1，3-雙(3-氨基丙基)-1，1，3，3-四甲基二硅氧烷、二氨基硅氧烷、2，2-雙[4-(4-氨基苯氧基)苯基]六氟丙烷、2，2-雙[4-(4-氨基苯氧基)苯基]丙烷、4，4’-雙(4-氨基苯氧基)聯苯、3，4’-二氨基二苯醚、雙[4-(4-氨基苯氧基)苯基]砜、雙[4-(3-氨基苯氧基)苯基]砜、4，4’-二氨基二苯砜、4，4’-二氨基二苯硫醚等。另外，由TFMB與屈撓性高的BI -AP-AF形成的聚酰亞胺，由于BIS-AP-AF的含量變多時熱線膨脹系數會過度增大，因此可以混入降低由高直線性二胺形成的聚酰亞胺的熱線膨脹系數的化合物作為第3種二胺，以此調節熱線膨脹系數。這樣的有直線性的化合物，可列舉HAB、對苯二胺、鄰聯甲苯胺、間聯甲苯胺、3，3’-二甲基-4，4’-二氨基聯苯-6，6’-二磺酸、反式-1，4-環己二胺、3，3’-二甲氧基-4，4’-二氨基聯苯、鄰聯甲苯胺砜、1，5-二氨基萘、1，4-二氨基萘、2，7-二氨基芴等。第3種二胺通過相應于導體適當改變所使用的化合物及其量，可以調節熱線膨脹系數。
在NMP等溶劑中溶解酸二酐和二胺，使溶劑中的酸二酐與二胺加成聚合。這里，作為所使用的溶劑，例如可以使用NMP、N，N’-二甲基乙酰胺等非質子性酰胺溶劑、甲酚等苯酚類溶劑，從安全性考慮，優選使用NMP。另外，也可以將二甲苯、甲苯、乙二醇單乙醚等混合使用。
合成出來的聚酰亞胺化合物的特性粘度優選為0.3dl/g以上。不足0.3dl/g時，聚酰亞胺化合物的聚合度小，所形成的膜難以得到強度。可以通過改變二胺和酸二酐的摩爾比來調整特性粘度，摩爾比優選為0.8至1.2，比這大或小時，聚合度變小，難以得到膜強度。另外，鄰苯二甲酸酐或苯胺等的封端劑也對特性粘度的調整有效。
作為涂布有聚酰亞胺化合物的導體的材料，可以是銅、鋁、鐵等金屬材料。此外，也可以是這些金屬與鈹、鎳、鉻、鎢等形成的合金材料，例如可以是鈹銅、不銹鋼等。并且，為了提高粘接強度，可對這些金屬箔的表面施加消光處理、鍍鎳或鍍鋅、氧化處理等，另外，還可以施加醇基鋁、鋁螯合物、硅烷偶聯劑、咪唑處理等化學表面處理。
聚酰亞胺化合物中還可含有光敏劑。通過含有該光敏劑，可對所形成的聚酰亞胺賦予感光性。作為該光敏劑，例如可列舉鄰重氮醌(o-quinonediazido)類化合物。含有上述鄰重氮醌類化合物的聚酰亞胺化合物，其堿溶性由于曝光而發生變化。曝光前，在堿性溶液中的溶解性低。另一方面，被曝光后，鄰重氮醌類化合物的分子結構發生變化而生成烯酮類，與堿性溶液反應生成羧酸。并且，所生成的羧酸進一步與堿性溶液反應并溶解。因此，通過光照射，在堿性溶液中的溶解性變高。
圖1是表示聚酰亞胺化合物的堿溶性的圖。即，如圖1所示，由于具有酚羥基而堿溶性較高的聚酰亞胺化合物，通過含有光敏劑鄰重氮醌類化合物(DNQ)，來自HAB或BIS-AP-AF的羥基與鄰重氮醌類化合物氫鍵鍵合。由此，容易溶于堿性溶液的酚羥基被保護，堿溶性降低。當對該狀態的聚酰亞胺化合物進行曝光時，如上所述，鄰重氮醌類化合物的分子結構發生改變，表現出堿溶性。因此，通過含有鄰重氮醌類化合物作為光敏劑，可以在對撓性電路板進行曝光后，用氫氧化鈉、氫氧化鉀、碳酸鈉、碳酸氫鈉、四甲基氫氧化銨等堿水溶液形成正型圖案。
作為鄰重氮醌類化合物，只要是具有鄰重氮醌骨架的化合物就沒有特別限定，例如可列舉2，3，4-三羥基二苯甲酮鄰重氮萘醌-4-磺酸酯、2，3，4-三羥基二苯甲酮鄰重氮萘醌-5-磺酸酯、2，3，4-三羥基二苯甲酮鄰重氮苯醌-4-磺酸酯等。另外，即便將這樣的光敏劑添加到聚酰亞胺化合物中，通過降低所形成的聚酰亞胺的熱線膨脹系數，也能夠使卷曲特性良好。
此外，也可以在聚酰亞胺化合物中添加例如以防止導體的腐蝕為目的的防銹劑、用于提高所形成的聚酰亞胺與導體的粘附性的環氧樹脂等添加劑等。另外，即便將這樣的添加劑添加到聚酰亞胺化合物中，通過降低所形成的聚酰亞胺的熱線膨脹系數，也能夠使卷曲特性良好。
以下對本發明的聚酰亞胺化合物的制造例進行說明。首先，將酸二酐與含有TFMB以及HAB或BIS-AP-AF的二胺溶解于NMP等溶劑中，在室溫到100℃之間攪拌所需的時間，使酸二酐與二胺反應，得到粘稠的聚酰亞胺前體。
然后，在該聚酰亞胺前體中添加甲苯、二甲苯等共沸劑，加熱攪拌到180℃以上，以此進行聚酰胺酸成分的脫水反應，形成聚酰胺酸的部分或全部閉環了的聚酰亞胺成分。此時，根據需要可以添加三乙胺等叔胺、芳香族類異喹啉、吡啶等堿性催化劑；安息香酸、對羥基安息香酸等酸催化劑等作為亞胺化的催化劑。此時，這些催化劑可以單獨添加，也可以并用多個化合物來添加。另外，也可使用作為脫水環化試劑的醋酸酐/吡啶類或二環己基碳二亞胺等化學亞胺化劑來使聚酰胺酸閉環。由此，可以形成上述式(1)所示那樣的聚酰亞胺化合物，即完全的聚酰亞胺或包含聚酰胺酸成分的聚酰亞胺化合物。閉環了的聚酰胺酸成分相對該閉環前的聚酰胺酸成分的比例為亞胺化率。該亞胺化率可以通過調整形成聚酰亞胺成分的加熱溫度、加熱時間、化學亞胺化劑的濃度、攪拌時間等進行控制。可以通過傅立葉變換紅外光譜法(FT-IR)分析部分亞胺化前的聚酰亞胺前體和部分亞胺化后的聚酰亞胺化合物，并通過下式計算出該亞胺化率。另外，100％亞胺化率是通過在300℃以上進行強加熱、并將成為熱完全的聚酰亞胺時的吸光度作為100％來計算出來的。
該聚酰亞胺化合物的亞胺化率優選調整為70％至100％。亞胺化率低于70％時，形成聚酰亞胺時所產生的內部應力的影響變大。因此，在導體上形成本發明的聚酰亞胺化合物時，由于該內部應力導致卷曲。像這樣，通過調整亞胺化率而在導體上形成本發明的聚酰亞胺化合物時，可抑制內部應力導致的卷曲。
本發明的聚酰亞胺化合物溶解于NMP等溶劑、并涂布到銅等導體上。此時，在聚酰亞胺化合物中還可含有光敏劑。將溶解于溶劑的聚酰亞胺化合物涂布到導體上的方法并沒有特別限定，可以使用刮刀涂布、簾式涂布等公知的涂布方法。被涂布在導體上的聚酰亞胺化合物通過加熱等發生脫水反應，可以在導體上形成聚酰亞胺。
像這樣，本發明的聚酰亞胺化合物通過將亞胺化率調整為70％至100％，可減小形成聚酰亞胺時產生的反應收縮的影響。另外，通過使用高直線性的酸二酐和二胺，可形成與導體的熱線膨脹系數同等程度的低熱線膨脹系數的聚酰亞胺。并且，還可通過所使用的酸二酐和二胺來進行熱線膨脹系數的調節。
另外，形成于導體上的聚酰亞胺的熱線膨脹系數可以根據所使用的TFMB、HAB或BIS-AP-AF以及第3種二胺的量來適當改變。例如，通過使用20摩爾％的4，4’-二氨基-3，3’-聯苯二酚和4 5摩爾％至80摩爾％的2，2’-雙三氟甲基-4，4’-二氨基聯苯、3 5摩爾％至0摩爾％的第3種二胺APB作為二胺，可以形成具有8ppm/℃至33ppm/℃的熱線膨脹系數的聚酰亞胺。
另外，亞胺化率與具有光敏劑的聚酰亞胺化合物在堿性溶液中的溶解性相關。例如，將亞胺化率調整為80％所形成的聚酰亞胺化合物，容易用堿性溶液選擇性地除去光照射部分的聚酰亞胺化合物。但是，亞胺化率過低時，未進行曝光的部分的聚酰亞胺也會溶解于堿中，因此亞胺化率為70％以上。
如上形成的聚酰亞胺化合物被涂布到導體上并亞胺化而制成以聚酰亞胺為絕緣層的撓性電路板。此時所形成的聚酰亞胺，通過使用高直線性的酸二酐和二胺，可以形成與導體的熱線膨脹系數同等程度的低熱線膨脹系數的聚酰亞胺。并且，其熱線膨脹系數還可根據所使用的酸二酐和二胺進行調節。由此，可以防止由于導體與聚酰亞胺的熱線膨脹系數的不同以及反應收縮產生的內部應力的影響所導致的卷曲。并且，本發明的聚酰亞胺化合物所形成的聚酰亞胺，其玻璃化轉變溫度低。因此，在需要對聚酰亞胺進行塑化的情況下，可以在較低溫度下塑化，可以減少對導體的影響。
以下，參照附圖對使用了上述聚酰亞胺化合物的撓性電路板進行說明。
圖2是表示本發明的撓性電路板的一例的剖面圖。如圖2所示，本發明的撓性電路板1具有銅箔等導體2和該導體2上由上述聚酰亞胺化合物形成的聚酰亞胺層3。
聚酰亞胺層3是將上述說明的聚酰亞胺化合物在導體2上亞胺化而形成的。從而，聚酰亞胺層3由于是由高直線性的單體形成，所以具有比導體2低的熱線膨脹系數。另外，該熱線膨脹系數可以根據所使用的單體適當改變。并且，聚酰亞胺層3由于是將聚酰亞胺化合物的亞胺化率調整為70％至100％，所以在形成聚酰亞胺時產生的反應收縮導致的內部應力小。
另外，聚酰亞胺層3由于是由上述中說明的聚酰亞胺化合物形成，所以還可以在聚酰亞胺化合物中含有光敏劑、并通過曝光和堿顯影形成正型圖案。如上所述的聚酰亞胺化合物，例如通過含有鄰重氮醌類化合物，使來自HAB或BIS-AP-AF的羥基與鄰重氮醌類化合物氫鍵鍵合。由此，容易溶解于堿的酚羥基受到保護，堿溶性降低。將該狀態的聚酰亞胺化合物曝光時，如前所述，鄰重氮醌類化合物的分子結構改變，顯示出堿溶性。因此，通過含有鄰重氮醌類化合物作為光敏劑，可通過曝光和堿顯影選擇性地溶解聚酰亞胺化合物，形成正型圖案。
作為形成圖案的方法，例如可以將涂布于導體2上的聚酰亞胺化合物進行干燥，在其上設置可使光照射到欲通過曝光除去的聚酰亞胺化合物的部分的掩模層來進行曝光。被光照射的部分由于如前所述堿溶性提高，因此通過浸漬到堿性溶液中，可以使被曝光部分的聚酰亞胺化合物溶于堿。即，可以僅在所需部分形成聚酰亞胺化合物，通過使該聚酰亞胺化合物亞胺化，可以形成成為所需形狀的絕緣層的聚酰亞胺層3。
實施例下面，給出本發明的聚酰亞胺化合物以及撓性電路板的實施例。另外，本發明并不限于下面的描述，在不脫離本發明精神的范圍內可以適當改變。
聚酰亞胺的溶解性將數種酸二酐與以TFMB為代表的數種二胺進行組合并使其反應形成聚酰亞胺化合物。該方法如下所述。即，在500ml四口燒瓶中裝有攪拌機、氮氣進氣管的反應容器中，在氮氣氣氛(流量50ml/s)、室溫下，將按化學計量稱取的二胺溶解到NMP中。確認二胺溶解到NMP之后，將按化學計量稱取的酸二酐緩慢添加到上述容器中，在室溫下攪拌1小時以上，將粘稠的作為聚酰亞胺前體的聚酰胺酸聚合。此時，調整反應容器內的聚酰胺酸濃度為10～15wt％、總重量為250g。之后，在該反應容器上進一步安裝李比希冷凝管、蒸餾柱、甲苯進氣管。然后，將聚酰胺酸的溶液升溫至80℃，保持攪拌30分鐘。之后，添加15ml甲苯并將溶液升溫至190℃，保持該狀態。確認餾出甲苯后，將甲苯滴加到反應溶液中，將柱頂溫度調整為甲苯和水的共沸溫度90℃±10℃。在190℃下保持規定時間后，停止加熱，精確稱量回收的甲苯(含有NMP)、水，然后用新鮮的NMP補充餾出的NMP，以將溶液濃度恢復為10wt％的溶液。然后，冷卻至100℃后，轉移到樣品瓶中，在室溫下評價NMP溶解性。
本實施例1中使用的酸二酐為PMDA、BPDA以及3，3’，4，4’-二苯砜四羧酸二酐(DSDA)。另外，本實施例1中使用的二胺為TFMB、對苯二胺(PDA)、4，4’-二氨基苯酰替苯胺(DABA)、1，5-二氨基萘(DAN)、4，4’-二氨基二苯醚(ODA)、1，3-雙(3-氨基苯氧基)苯(APB)、以及雙[4-(3-氨基苯氧基)苯基]砜(BAPS-M)。
在下述表1中示出所形成的聚合物的溶解性評價。該表1中，酸二酐從左列往右按照形成聚酰亞胺時的熱線膨脹系數變高的順序配置。另外，二胺從上到下按照形成聚酰亞胺時熱線膨脹系數變高的順序配置。
表1

如上述表1可知，大多數聚酰亞胺產生沉淀或凝膠化。可溶于NMP中的僅為通過組合酸二酐BPDA和DSDA與二胺APB和BAPS-M所形成的聚酰亞胺。由這些形成的聚酰亞胺顯示出比導體高的熱線膨脹系數，因此，即便在導體上形成聚酰亞胺，也會產生卷曲。
另一方面，通過組合酸二酐PMDA和BPDA與二胺TFMB所形成的聚酰亞胺，盡管不可溶，但顯示為包含溶劑后凝膠化的狀態。另外，熱線膨脹系數也顯示為與導體同等程度。即，通過將亞胺化率從100％降低、或含有可溶于溶劑的化合物，可以作為可溶于溶劑的聚酰亞胺化合物來使用。
堿溶性為了在聚酰亞胺化合物上形成正型圖案，對二胺進行選定，該二胺可以對涂布于導體上的聚酰亞胺化合物賦予在堿性溶液中的溶解性。在本實施例2中，使用實施例1中對NMP的溶解性比較好的酸二酐和二胺。酸二酐選擇PMDA和BPDA，二胺選擇TFMB。并且，為了賦予在堿性溶液中的溶解性，使用具有酸成分的二胺。使用具有酚羥基的二胺HAB和BIS-AP-AF以及具有羧酸基的二胺5，5’-亞甲基雙(鄰氨基苯甲酸)(MBAA)。
使用與實施例1同樣的方法，使酸二酐PMDA和BPDA與二胺TFMB和HAB、BIS-AP-AF或MBAA反應，形成規定的亞胺化率的聚酰亞胺化合物，評價在NMP中的溶解性。接著，將該清漆涂布在銅箔上并使涂膜厚度為10μm，在100℃下干燥10分鐘。之后，在230℃下加熱30分鐘。在室溫下，將具有形成于銅箔上的聚酰亞胺層的撓性電路板在調制成10wt％的氫氧化鉀水溶液中浸漬3分鐘，進行聚酰亞胺的溶解性的評價。其結果示于下述表2。
表2

從上述結果可知，對于在堿性溶液中的溶解性而言，任意的聚酰亞胺均可溶，但考慮到在作為溶劑的NMP中的溶解性，使用了HAB或BIS-AP-AF的聚酰亞胺是合適的。
亞胺化率的研究使用在上述實施例1和2中顯示良好結果的酸二酐PMDA和BPDA以及二胺TFMB和HAB或BIS-AP-AF，通過與實施例1同樣的方法形成具有規定的亞胺化率的聚酰亞胺化合物。亞胺化率通過加熱時間來調整。研究該亞胺化率與在NMP中的溶解性的關系。其結果示于圖3和圖4。另外，作為對照，在圖5中示出由DSDA與APB形成的聚酰亞胺化合物的亞胺化率。
圖3是表示加熱時間與亞胺化率的關系的圖，亞胺化率到約80％為止的聚酰亞胺化合物溶解于NMP。具有比80％更高的亞胺化率的聚酰亞胺化合物產生凝膠化。另外可知，不使用TFMB而形成的聚酰亞胺化合物，亞胺化率數％就沉淀。在使用HAB的例子的情況下，由于僅由高直線性的單體形成，通常亞胺化僅略微進行就沉淀，而通過使用TFMB，可以飛躍性地提高亞胺化率。進一步可知，通過使用具有三氟甲基的屈撓性化合物BIS-AP-AF來代替HAB，即便亞胺化率達到100％也可以溶解于溶劑中。另外，從表2的熱線膨脹系數可知，圖3、圖4的聚酰亞胺化合物與作為導體的銅箔的熱線膨脹系數大致一致。進而，由于亞胺化率在70％以上，內部應力也變小，因此可以抑制卷曲。但是，亞胺化率為100％的、可以除去內部應力的由DSDA和APB形成的聚酰亞胺的熱線膨脹系數為50.8ppm/℃，即便在導體上形成該聚酰亞胺，也由于熱線膨脹系數的不同而無法抑制卷曲。
卷曲特性使用銅箔作為導體，將改變二胺的組成并以與實施例1同樣的方法形成的聚酰亞胺化合物涂布在該銅箔上，在100℃下干燥10分鐘后，在氮氣氣氛下以TOP溫度280℃加熱30分鐘，使聚酰亞胺化合物的未亞胺化部分亞胺化。亞胺化率為100％的聚酰亞胺也在同樣的條件下熟化。將這樣操作形成的撓性電路板切出10cm方塊，在調節為溫度25℃、濕度65％的氣氛下放置24小時。對該撓性電路板的卷曲進行評價。其結果示于表3。表3中，h表示從水平面到銅箔四角的平均高度，φ表示卷成鉛筆狀的狀態下的直徑。另外，+表示以聚酰亞胺為內側卷曲的狀態，-表示以銅箔為內側卷曲的狀態。
表3

從該結果可知，在進行部分亞胺化的情況與不進行部分亞胺化的情況中，即便熱線膨脹系數相同，卷曲性也不同。該卷曲是由形成聚酰亞胺時的反應收縮所產生的內部應力導致的。因此，僅僅使聚酰亞胺與導體的熱線膨脹系數一致，是無法防止卷曲的。因此，為了防止卷曲，必須減小由亞胺化導致的內部應力的影響。為此，必須在將聚酰亞胺化合物涂布于導體之前，在可以溶解于溶劑的范圍內盡可能地亞胺化。如上述表3中(a)到(d)所示可知，高直線性的單體情況下，通過加入APB這樣的屈撓性的單體來改變組成，在亞胺化率約70％下可抑制卷曲。另一方面，通過使用具有三氟甲基的屈撓性的BIS-AP-AF來代替HAB，可以使亞胺化率達到100％，通過改變二胺的組成比，可以調整卷曲。
熱線膨脹系數的調節其上形成聚酰亞胺的導體根據其材質的不同，熱線膨脹系數不同，為此，進行對應導體的材質來調整熱線膨脹系數的研究。按照與實施例1同樣的方法，使用酸二酐BPDA和PMDA與二胺TFMB、HAB和APB，僅改變TFMB與APB的比例來形成聚酰亞胺，測量熱線膨脹系數。另外，還利用切線法測定玻璃化轉變溫度。其結果示于4，在圖6中示出作為第3種二胺的APB使用量與熱線膨脹系數的關系。
表4

由此可知，通過改變APB的量，可以在8～33ppm/℃的范圍調整熱線膨脹系數。另外，玻璃化轉變溫度在300℃以下，即便將聚酰亞胺加熱到玻璃化轉變溫度以上，也可以降低對導體的影響。
聚酰亞胺化合物的合成(BPDA∶PMDA/TFMB∶HAB∶APB)[50.5∶50.5/65∶20∶15]根據上述實施例1至5的結果進行聚酰亞胺化合物的合成。在干燥氮氣氣氛中，在500ml四口可拆燒瓶內，將作為二胺的2.54g HAB(11.7mmol)、TFMB(38.2mmol)、2.57g APB(8.79mmol)完全溶解于220g NMP中。
之后，同時加入作為酸二酐的8.71g BPDA(29.6mmol)、6.46g PMDA(29.6mmol)粉末，室溫下攪拌1小時。確認酸二酐溶解后，在80℃下攪拌1小時。添加15ml作為共沸劑的甲苯，在195℃下攪拌90分鐘，進行亞胺化。在甲苯/水的共沸溫度90℃下，將亞胺化反應中生成的水排出到體系外，進行部分亞胺化。通過反應溫度和反應時間來調整亞胺化率，合成出聚酰亞胺化合物。另外，加熱攪拌90分鐘以上時，亞胺化率超過90％，室溫時聚酰亞胺化合物發生凝膠化。利用奧斯特瓦爾德粘度計測定特性粘度的結果(0.5wt％NMP溶液，30.0℃下)為0.6dL/g。紅外吸收光譜示于圖7。此時的亞胺化率為77％。
聚酰亞胺化合物的合成(BPDA∶PMDA/TFMBBIS-AP-AF)[50.5∶50.5/80∶20]在干燥氮氣氣氛中，在500ml四口可拆燒瓶內，將作為二胺的BIS-AP-AF(3.73g∶10.2mmol)、TFMB(13.04g∶40.7mmol)完全溶解于220g NMP中。之后，同時加入作為酸酐的BPDA(7.56g∶25.7mmol)、PMDA(5.61g∶25.7mmol)粉末，室溫下攪拌1小時。之后，確認酸酐溶解后，進一步在80℃下攪拌1小時，添加15ml作為共沸劑的甲苯，在185℃攪拌300分鐘并在溶液中進行亞胺化。在甲苯/水的共沸溫度90℃下，將亞胺化反應中生成的水排出到體系外，完成100％亞胺化。利用奧斯特瓦爾德粘度計測定特性粘度的結果(0.5wt％NMP溶液，30.0℃下)為0.8dL/g。紅外吸收光譜示于圖8。此時的亞胺化率為100％。
添加劑的影響針對為賦予所形成之聚酰亞胺光敏性、改善粘接性等而添加添加劑時對撓性電路板的卷曲帶來的影響進行確認。使用酸二酐BPDA和PMDA與二胺TFMB、HAB和APB，按照與實施例1同樣的方法形成聚酰亞胺化合物，將其涂布在銅箔上后，形成聚酰亞胺。在下述表5中示出添加劑對撓性電路板的卷曲帶來的影響。作為光敏劑，使用2，3，4-三羥基二苯甲酮鄰重氮萘醌-4-磺酸酯(DNQ)。另外，使用萘類環氧樹脂(HP·4032D)作為用于改善粘接性的添加劑，為了防止銅生銹而使用三唑類防銹劑(CDA·1)。表5中，h表示銅箔四角的高度，φ表示卷成鉛筆狀的狀態下的直徑。另外，+表示以聚酰亞胺為內側卷曲的狀態，-表示以銅箔為內側卷曲的狀態。
表5

由上述表中的組成所形成的聚酰亞胺的熱線膨脹系數約15ppm/℃，設定為比銅箔的熱線膨脹系數22ppm/℃略微少一些。由此，撓性電路板的卷曲大致限制在容許范圍內，可以消除添加劑的影響。
聚酰亞胺的亞胺化率和堿溶性使用酸二酐BPDA和PMDA與二胺TFMB、HAB、BIS-AP-AF和APB，按照與實施例1、實施例6、實施例7同樣的方法，形成具有不同的亞胺化率36％、77％、100％的聚酰亞胺化合物，相對于聚酰亞胺化合物的固體成分，含有30重量份DNQ作為光敏劑。使用輥涂器，將含有該光敏劑的各個聚酰亞胺化合物涂布在銅箔上，在100℃下干燥20分鐘。用光的透射量緩慢變大的薄膜覆蓋所形成的撓性電路板的聚酰亞胺層一側，對該薄膜，以超高壓水銀燈3線混合照射40mW/cm2、3000mJ/cm2的光。通過覆蓋該薄膜，可以緩慢改變到達聚酰亞胺層的光的能量。撓性電路板被光照射后，將撓性電路板浸漬到40℃的3wt％氫氧化鈉水溶液中2到3分鐘。之后，在室溫下，將撓性電路板浸漬到超聲波照射中的蒸餾水中2分鐘。之后干燥，測定聚酰亞胺層的厚度。其結果示于圖9。
如圖9所示，亞胺化率為36％的聚酰亞胺化合物，由于在堿性溶液中的溶解性過高，導致整個聚酰亞胺層溶解掉。另外，由于形成聚酰亞胺時的反應收縮，導致所形成的撓性電路板卷曲。亞胺化率為77％的聚酰亞胺化合物，通過1340mJ/cm2以上的光照射顯示出在堿性溶液中的溶解性，1340mJ/cm2以下時，向堿中的溶解受到抑制。另外，形成聚酰亞胺后也不產生卷曲。亞胺化率為100％的聚酰亞胺化合物，通過670mJ/cm2以上的光照射顯示出在堿性溶液中的溶解性，670mJ/cm2以下時，向堿中的溶解受到抑制。另外，形成聚酰亞胺后也不產生卷曲。
光敏劑的添加使由50摩爾％的BPDA、50摩爾％的PMDA構成的酸二酐與由65摩爾％的TFMB、20摩爾％的HAB、15摩爾％的APB構成的二胺進行聚合，形成聚酰亞胺化合物，將該聚酰亞胺化合物的亞胺化率調整為80％。將該聚酰亞胺化合物溶解于NMP，再添加30重量份DNQ作為光敏劑，攪拌。將該溶液涂布到銅箔上，在100℃下加熱10分鐘，在銅箔上形成厚度為10μm的聚酰亞胺化合物。以10mW/cm2、3000mJ/cm2將該基板曝光。然后，在20℃至25℃下，將曝光后的基板浸漬到10wt％氫氧化鉀溶液中75秒鐘，進行堿顯影。取出顯影后的基板，在20℃至25℃下，用水清洗該基板1分鐘到2分鐘，干燥基板。其SEM圖像示于圖10、圖11、圖12、圖13。
由此可知，通過添加光敏劑，進行曝光的部分與未進行曝光的部分對堿性溶液的溶解性發生改變，可以選擇性地除去進行曝光的部分。即，本發明的聚酰亞胺化合物，通過在聚酰亞胺化合物中添加光敏劑，可以在所形成的聚酰亞胺化合物上形成正型圖案，可以在撓性電路板上形成所需形狀的聚酰亞胺。
權利要求
1.一種聚酰亞胺化合物，其特征在于，其為通過酸二酐與二胺的反應得到的下述式(1)所示的聚酰亞胺化合物， (上述式(1)中的A1為包含芳香環的有機基、脂環基，A2具有包含芳香環的有機基，m和n為整數)，其中，所述二胺含有第1種二胺，其如下述式(2)所示， (上述式(2)中的R1和R2為被氟取代的烷基，s和p為1至4的整數)，以及第2種二胺，其如下述式(3)所示， (上述式(3)中的R3和R4為羥基，R5和R6為氨基，q和r為1至4的整數，x為0或1的整數)。
2.根據權利要求1所述的聚酰亞胺化合物，其特征在于，所述聚酰亞胺化合物將其亞胺化率調整為70％至100％。
3.根據權利要求1所述的聚酰亞胺化合物，其特征在于，所述第1種二胺為2，2’-雙三氟甲基-4，4’-二氨基聯苯。
4.根據權利要求3所述的聚酰亞胺化合物，其特征在于，在所述二胺中至少包含45摩爾％以上所述2，2’-雙三氟甲基-4，4’-二氨基聯苯。
5.根據權利要求1所述的聚酰亞胺化合物，其特征在于，所述第2種二胺為4，4’-二氨基-3，3’-聯苯二酚或2，2-雙(3-氨基-4-羥基苯基)六氟丙烷。
6.根據權利要求5所述的聚酰亞胺化合物，其特征在于，在所述二胺中至少包含1摩爾％以上所述4，4’-二氨基-3，3’-聯苯二酚或2，2-雙(3-氨基-4-羥基苯基)六氟丙烷。
7.根據權利要求6所述的聚酰亞胺化合物，其特征在于，在所述二胺中包含20摩爾％以上所述4，4’-二氨基-3，3’-聯苯二酚。
8.根據權利要求6所述的聚酰亞胺化合物，其特征在于，在所述二胺中包含20摩爾％以下所述2，2-雙(3-氨基-4-羥基苯基)六氟丙烷。
9.根據權利要求1所述的聚酰亞胺化合物，其特征在于，所述聚酰亞胺化合物溶于溶劑。
10.根據權利要求1所述的聚酰亞胺化合物，其特征在于，所述聚酰亞胺化合物含有光敏劑。
11.根據權利要求10所述的聚酰亞胺化合物，其特征在于，所述光敏劑為鄰重氮醌類化合物。
12.一種撓性電路板，其特征在于，該撓性電路板具有導體，和聚酰亞胺層，其由通過酸二酐與二胺的反應得到的下述式(1)所示的聚酰亞胺化合物形成， (上述式(1)中的A1為包含芳香環的有機基、脂環基，A2具有包含芳香環的有機基，m和n為整數)，其中，所述二胺含有第1種二胺，其如下述式(2)所示， (上述式(2)中的R1和R2為被氟取代的烷基，s和p為1至4的整數)，以及第2種二胺，其如下述式(3)所示， (上述式(3)中的R3和R4為羥基，R5和R6為氨基，q和r為1至4的整數，x為0或1的整數)，并將所述聚酰亞胺化合物的亞胺化率調整為70％至100％。
全文摘要
一種聚酰亞胺化合物，其具有與導體的熱線膨脹系數同等程度的低熱線膨脹系數、由脫水反應產生的反應收縮的影響小，該聚酰亞胺化合物通過使直線性高的酸二酐與二胺反應、再以高的亞胺化率進行亞胺化而得到。該聚酰亞胺化合物由于具有與導體同等程度的低熱線膨脹系數，所以可以減小形成聚酰亞胺時的反應收縮的影響。另外，具有由該聚酰亞胺化合物形成的聚酰亞胺的撓性電路板可以防止卷曲。
文檔編號H05K1/03GK101014643SQ20058003021
公開日2007年8月8日 申請日期2005年10月28日 優先權日2005年1月28日
發明者石井淳一, 赤松正 申請人:索尼化學&信息部件株式會社