本(ben)發(fa)明涉(she)及電(dian)聲轉換技(ji)術領域。更(geng)具體(ti)地，涉(she)及一種(zhong)發(fa)聲系(xi)統。

背景技術：

發聲(sheng)器(qi)(qi)模組是(shi)一種能夠將電能轉化(hua)為聲(sheng)能的(de)(de)器(qi)(qi)件，其廣(guang)泛應(ying)用于(yu)(yu)手(shou)機等(deng)終端設備中(zhong)。近年(nian)來(lai)，為了滿足手(shou)機等(deng)電子產(chan)品(pin)(pin)的(de)(de)外(wai)觀要求，電子產(chan)品(pin)(pin)的(de)(de)體積(ji)不斷減小，外(wai)形趨于(yu)(yu)輕薄化(hua)，因(yin)此，安裝在電子產(chan)品(pin)(pin)中(zhong)的(de)(de)發聲(sheng)器(qi)(qi)模組的(de)(de)體積(ji)也趨于(yu)(yu)小型(xing)輕薄化(hua)。

發(fa)聲(sheng)(sheng)器(qi)(qi)模(mo)組包(bao)括(kuo)(kuo)(kuo)模(mo)組外(wai)(wai)(wai)殼(ke)(ke)和(he)固定在(zai)(zai)(zai)模(mo)組外(wai)(wai)(wai)殼(ke)(ke)中(zhong)的(de)發(fa)聲(sheng)(sheng)器(qi)(qi)。發(fa)聲(sheng)(sheng)器(qi)(qi)包(bao)括(kuo)(kuo)(kuo)形成有容納空(kong)間的(de)外(wai)(wai)(wai)殼(ke)(ke)和(he)收容于所述外(wai)(wai)(wai)殼(ke)(ke)內(nei)的(de)振(zhen)(zhen)(zhen)動(dong)系(xi)統和(he)磁路系(xi)統。外(wai)(wai)(wai)殼(ke)(ke)包(bao)括(kuo)(kuo)(kuo)殼(ke)(ke)體(ti)以(yi)及與殼(ke)(ke)體(ti)對應設置(zhi)的(de)前(qian)蓋。振(zhen)(zhen)(zhen)動(dong)系(xi)統包(bao)括(kuo)(kuo)(kuo)邊緣(yuan)固定在(zai)(zai)(zai)殼(ke)(ke)體(ti)與前(qian)蓋之間的(de)振(zhen)(zhen)(zhen)膜(mo)(mo)(mo)(mo)以(yi)及固定在(zai)(zai)(zai)振(zhen)(zhen)(zhen)膜(mo)(mo)(mo)(mo)靠(kao)近前(qian)蓋一(yi)(yi)側的(de)音(yin)(yin)(yin)(yin)圈。振(zhen)(zhen)(zhen)膜(mo)(mo)(mo)(mo)包(bao)括(kuo)(kuo)(kuo)位于振(zhen)(zhen)(zhen)膜(mo)(mo)(mo)(mo)中(zhong)央的(de)振(zhen)(zhen)(zhen)膜(mo)(mo)(mo)(mo)中(zhong)央部和(he)與振(zhen)(zhen)(zhen)膜(mo)(mo)(mo)(mo)中(zhong)央部邊緣(yuan)連(lian)接(jie)的(de)振(zhen)(zhen)(zhen)膜(mo)(mo)(mo)(mo)折(zhe)環部。音(yin)(yin)(yin)(yin)圈通過引出的(de)兩(liang)條音(yin)(yin)(yin)(yin)圈引線與外(wai)(wai)(wai)部電(dian)路的(de)正、負極電(dian)連(lian)接(jie)形成回路，外(wai)(wai)(wai)部電(dian)路將(jiang)電(dian)能(neng)(neng)經由(you)音(yin)(yin)(yin)(yin)圈引線輸入音(yin)(yin)(yin)(yin)圈，音(yin)(yin)(yin)(yin)圈受(shou)到磁路系(xi)統安培力的(de)作用產(chan)生振(zhen)(zhen)(zhen)動(dong)，音(yin)(yin)(yin)(yin)圈振(zhen)(zhen)(zhen)動(dong)帶動(dong)振(zhen)(zhen)(zhen)膜(mo)(mo)(mo)(mo)振(zhen)(zhen)(zhen)動(dong)發(fa)聲(sheng)(sheng)，從(cong)而使電(dian)能(neng)(neng)轉化(hua)(hua)為聲(sheng)(sheng)能(neng)(neng)，實現發(fa)聲(sheng)(sheng)器(qi)(qi)的(de)發(fa)聲(sheng)(sheng)功能(neng)(neng)。音(yin)(yin)(yin)(yin)圈接(jie)收的(de)外(wai)(wai)(wai)部電(dian)路能(neng)(neng)量的(de)很大一(yi)(yi)部分轉化(hua)(hua)為熱(re)量釋放在(zai)(zai)(zai)發(fa)聲(sheng)(sheng)器(qi)(qi)內(nei)。隨著發(fa)聲(sheng)(sheng)器(qi)(qi)使用時間延長，音(yin)(yin)(yin)(yin)圈產(chan)生的(de)熱(re)量聚積，使發(fa)聲(sheng)(sheng)器(qi)(qi)內(nei)的(de)溫(wen)(wen)(wen)度升高。在(zai)(zai)(zai)高溫(wen)(wen)(wen)情況下，振(zhen)(zhen)(zhen)膜(mo)(mo)(mo)(mo)折(zhe)環部會(hui)受(shou)熱(re)變軟，影響振(zhen)(zhen)(zhen)膜(mo)(mo)(mo)(mo)的(de)順(shun)性與平衡性；磁路系(xi)統的(de)永磁體(ti)有可(ke)能(neng)(neng)高溫(wen)(wen)(wen)下退磁；粘接(jie)各部分的(de)膠水有可(ke)能(neng)(neng)失(shi)效等等，從(cong)而影響發(fa)聲(sheng)(sheng)器(qi)(qi)的(de)音(yin)(yin)(yin)(yin)質和(he)可(ke)靠(kao)性。振(zhen)(zhen)(zhen)膜(mo)(mo)(mo)(mo)在(zai)(zai)(zai)高溫(wen)(wen)(wen)情況下還可(ke)能(neng)(neng)與外(wai)(wai)(wai)殼(ke)(ke)發(fa)生擦碰，導致發(fa)聲(sheng)(sheng)器(qi)(qi)的(de)使用壽(shou)命(ming)降(jiang)低。

目前，通(tong)常通(tong)過(guo)控制(zhi)發(fa)(fa)聲(sheng)(sheng)(sheng)(sheng)器(qi)(qi)(qi)的(de)(de)(de)(de)輸入能(neng)量，降低(di)發(fa)(fa)聲(sheng)(sheng)(sheng)(sheng)器(qi)(qi)(qi)工作(zuo)溫(wen)度，提高(gao)振(zhen)膜(mo)的(de)(de)(de)(de)穩定(ding)性。公(gong)開號為cn102595280a，發(fa)(fa)明名稱為“一(yi)種(zhong)帶(dai)傳感器(qi)(qi)(qi)反饋及驅(qu)動電路的(de)(de)(de)(de)揚聲(sheng)(sheng)(sheng)(sheng)器(qi)(qi)(qi)集成系(xi)統”的(de)(de)(de)(de)中(zhong)國專利(li)申請提出一(yi)種(zhong)采用(yong)溫(wen)度傳感器(qi)(qi)(qi)檢測揚聲(sheng)(sheng)(sheng)(sheng)器(qi)(qi)(qi)溫(wen)度，將檢測到(dao)的(de)(de)(de)(de)溫(wen)度反饋至驅(qu)動電路，通(tong)過(guo)減(jian)少驅(qu)動功率，使(shi)揚聲(sheng)(sheng)(sheng)(sheng)器(qi)(qi)(qi)的(de)(de)(de)(de)溫(wen)度降低(di)到(dao)安全工作(zuo)范圍內的(de)(de)(de)(de)技術方(fang)案(an)(an)。但此技術方(fang)案(an)(an)采用(yong)的(de)(de)(de)(de)溫(wen)度傳感器(qi)(qi)(qi)體(ti)積較大，在(zai)發(fa)(fa)聲(sheng)(sheng)(sheng)(sheng)器(qi)(qi)(qi)體(ti)積的(de)(de)(de)(de)限制(zhi)下，溫(wen)度傳感器(qi)(qi)(qi)放置(zhi)的(de)(de)(de)(de)位置(zhi)和數(shu)(shu)量都受到(dao)限制(zhi)，不利(li)于發(fa)(fa)聲(sheng)(sheng)(sheng)(sheng)器(qi)(qi)(qi)的(de)(de)(de)(de)輕薄化設計(ji)，也不利(li)于通(tong)過(guo)增加傳感器(qi)(qi)(qi)的(de)(de)(de)(de)數(shu)(shu)量改善振(zhen)膜(mo)溫(wen)度檢測的(de)(de)(de)(de)準確(que)度。

因(yin)此(ci)，需要提供一(yi)種體積小、準確(que)度(du)高(gao)(gao)的(de)溫度(du)調控發聲系統(tong)以(yi)及發聲器模(mo)組，提高(gao)(gao)工作穩定性(xing)，進而提高(gao)(gao)發聲器的(de)音質和使用(yong)壽命(ming)。

技術實現要素：

本(ben)發(fa)明的(de)一個(ge)目的(de)在(zai)于(yu)提(ti)供(gong)一種發(fa)聲系(xi)(xi)統，方便(bian)、準確地檢(jian)測(ce)、反饋(kui)和(he)調控發(fa)聲器(qi)內振膜的(de)溫度，提(ti)高(gao)系(xi)(xi)統穩定性(xing)，從而提(ti)高(gao)發(fa)聲器(qi)音質、可靠性(xing)和(he)使用壽命(ming)。

為達到上述目的，本發明采用下述技(ji)術方案：

本發(fa)明公開(kai)了一種發(fa)聲系統，包括發(fa)聲器(qi)和溫(wen)控單元，

所述溫控單元包括

固定在發聲器內的至少一個熱釋(shi)電薄(bo)膜(mo)；

與(yu)每個熱釋(shi)電(dian)薄(bo)膜電(dian)連接用于輸出表征(zheng)熱釋(shi)電(dian)薄(bo)膜所感測溫度的(de)電(dian)信號(hao)的(de)檢(jian)測單元；以及

基于來自所述檢測單元的(de)電信號產生控制施(shi)加到發聲器的(de)電能(neng)的(de)控制信號的(de)控制單元。

優選地，

當來自檢測單元的電信號達到預設閾值時，所述控制(zhi)單元輸出(chu)降低(di)發(fa)聲器輸入功率或輸入電壓的控制(zhi)信號。

優選地，所述控制(zhi)單元為智能功率放大器(qi)，用于(yu)(yu)基于(yu)(yu)來自所述檢測(ce)單元的電信號輸出(chu)施加到發聲器(qi)的電能。

優選地，

所述發聲器為發聲單體，包(bao)括外殼(ke)和固定在所述外殼(ke)中的振動系(xi)統和磁路系(xi)統；

所述(shu)熱釋電(dian)薄(bo)膜固定于(yu)外殼、振(zhen)動(dong)系統或磁路系統上。

優選地，所述振(zhen)(zhen)動系(xi)統包括(kuo)固定于外殼上(shang)的振(zhen)(zhen)膜(mo)和結合(he)于振(zhen)(zhen)膜(mo)下方(fang)的音圈，所述振(zhen)(zhen)膜(mo)包括(kuo)中(zhong)(zhong)心部(bu)和圍繞中(zhong)(zhong)心部(bu)的弧形(xing)的折(zhe)環部(bu)；

所述熱釋電薄膜復(fu)合于所述中心部上，或者所述熱釋電薄膜復(fu)合于所述折環部上，或者所述熱釋電薄膜固定于音圈上。

優選(xuan)地(di)，所述(shu)磁(ci)路系統包括導磁(ci)軛、安(an)(an)裝(zhuang)于所述(shu)導磁(ci)軛上的磁(ci)鐵(tie)和安(an)(an)裝(zhuang)于所述(shu)磁(ci)鐵(tie)上的導磁(ci)板；

所(suo)述熱(re)(re)釋(shi)電(dian)薄膜固定(ding)(ding)于所(suo)述導磁軛(e)上，或者所(suo)述熱(re)(re)釋(shi)電(dian)薄膜固定(ding)(ding)于所(suo)述導磁板(ban)上。

優(you)選(xuan)地，所(suo)(suo)述(shu)(shu)外(wai)殼包(bao)括殼體(ti)(ti)和前(qian)(qian)蓋，所(suo)(suo)述(shu)(shu)殼體(ti)(ti)用于固定(ding)所(suo)(suo)述(shu)(shu)振動(dong)系統(tong)(tong)和磁路系統(tong)(tong)，所(suo)(suo)述(shu)(shu)前(qian)(qian)蓋扣設于所(suo)(suo)述(shu)(shu)殼體(ti)(ti)的(de)上(shang)方，振動(dong)系統(tong)(tong)的(de)振膜的(de)邊緣固定(ding)于前(qian)(qian)蓋和殼體(ti)(ti)之間；

所(suo)述(shu)熱釋電薄膜固定于所(suo)述(shu)前(qian)蓋的朝(chao)向振(zhen)膜的內(nei)表面上。

優選地，所(suo)述(shu)發(fa)聲器為(wei)模(mo)組，包括發(fa)聲單(dan)體和模(mo)組殼，模(mo)組殼形成有(you)容納腔(qiang)體并具有(you)出(chu)聲口，所(suo)述(shu)發(fa)聲單(dan)體固定于所(suo)述(shu)容納腔(qiang)體內并將容納腔(qiang)體分割為(wei)前(qian)腔(qiang)和后腔(qiang)，所(suo)述(shu)前(qian)腔(qiang)與出(chu)聲口連通；

所(suo)述(shu)(shu)熱釋電薄膜固定于(yu)所(suo)述(shu)(shu)前腔或后腔的(de)內壁上(shang)。

優選地，所述熱(re)釋電薄(bo)膜為聚偏二氟(fu)乙(yi)烯(xi)、鋯鈦(tai)酸(suan)鉛(qian)、鈮鎂酸(suan)鉛(qian)或bt樹(shu)脂熱(re)釋電薄(bo)膜。

優選(xuan)地，所(suo)述熱釋電(dian)薄膜為(wei)環形或片狀(zhuang)。

優(you)選(xuan)地(di)，所述熱釋電薄膜設有至少兩(liang)個。

本(ben)發明的發聲(sheng)(sheng)系統包括發聲(sheng)(sheng)器(qi)和(he)溫控(kong)(kong)單(dan)(dan)(dan)(dan)元(yuan)(yuan)。溫控(kong)(kong)單(dan)(dan)(dan)(dan)元(yuan)(yuan)包括固定在發聲(sheng)(sheng)器(qi)內的至(zhi)少一個熱(re)釋電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)薄膜(mo)、與(yu)每(mei)個熱(re)釋電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)薄膜(mo)分別(bie)電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)連接的檢測(ce)單(dan)(dan)(dan)(dan)元(yuan)(yuan)以及與(yu)所(suo)(suo)述(shu)檢測(ce)單(dan)(dan)(dan)(dan)元(yuan)(yuan)電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)連接的控(kong)(kong)制(zhi)(zhi)單(dan)(dan)(dan)(dan)元(yuan)(yuan)。所(suo)(suo)述(shu)檢測(ce)單(dan)(dan)(dan)(dan)元(yuan)(yuan)可用于(yu)輸出表征(zheng)熱(re)釋電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)薄膜(mo)所(suo)(suo)感測(ce)溫度的電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)信(xin)號。所(suo)(suo)述(shu)控(kong)(kong)制(zhi)(zhi)單(dan)(dan)(dan)(dan)元(yuan)(yuan)設(she)置在外部電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)路中，可基(ji)于(yu)來自所(suo)(suo)述(shu)檢測(ce)單(dan)(dan)(dan)(dan)元(yuan)(yuan)的電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)信(xin)號產生控(kong)(kong)制(zhi)(zhi)施加(jia)到發聲(sheng)(sheng)器(qi)的電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)能的控(kong)(kong)制(zhi)(zhi)信(xin)號。

基(ji)于(yu)熱(re)(re)釋(shi)電(dian)薄(bo)(bo)膜(mo)(mo)的(de)(de)(de)熱(re)(re)釋(shi)電(dian)效應，熱(re)(re)釋(shi)電(dian)薄(bo)(bo)膜(mo)(mo)在感受到(dao)發(fa)(fa)聲(sheng)器(qi)(qi)內的(de)(de)(de)溫(wen)(wen)度(du)變(bian)化時(shi)產(chan)生電(dian)荷(he)，溫(wen)(wen)度(du)變(bian)化越(yue)大熱(re)(re)釋(shi)電(dian)薄(bo)(bo)膜(mo)(mo)產(chan)出的(de)(de)(de)電(dian)荷(he)越(yue)多(duo)，檢測(ce)單(dan)元(yuan)對(dui)熱(re)(re)釋(shi)電(dian)薄(bo)(bo)膜(mo)(mo)產(chan)生的(de)(de)(de)電(dian)荷(he)進行收集、分(fen)析，形成(cheng)電(dian)信號(hao)。控(kong)制(zhi)單(dan)元(yuan)根據所述(shu)電(dian)信號(hao)，實(shi)時(shi)掌握和監測(ce)發(fa)(fa)聲(sheng)器(qi)(qi)內的(de)(de)(de)溫(wen)(wen)升。當發(fa)(fa)聲(sheng)器(qi)(qi)內的(de)(de)(de)溫(wen)(wen)升超(chao)過(guo)(guo)了預定的(de)(de)(de)溫(wen)(wen)升閾值時(shi)，控(kong)制(zhi)單(dan)元(yuan)調(diao)節(jie)(jie)外部電(dian)路(lu)輸入(ru)發(fa)(fa)聲(sheng)器(qi)(qi)音圈(quan)的(de)(de)(de)功率或電(dian)壓，使音圈(quan)產(chan)生的(de)(de)(de)熱(re)(re)量減少，進而(er)使發(fa)(fa)聲(sheng)器(qi)(qi)內的(de)(de)(de)溫(wen)(wen)度(du)降低。通過(guo)(guo)熱(re)(re)釋(shi)電(dian)薄(bo)(bo)膜(mo)(mo)、檢測(ce)單(dan)元(yuan)和控(kong)制(zhi)單(dan)元(yuan)對(dui)發(fa)(fa)聲(sheng)器(qi)(qi)進行溫(wen)(wen)度(du)監測(ce)、反饋和調(diao)節(jie)(jie)，可調(diao)控(kong)發(fa)(fa)聲(sheng)器(qi)(qi)內的(de)(de)(de)溫(wen)(wen)度(du)水平，防止發(fa)(fa)聲(sheng)器(qi)(qi)由于(yu)工(gong)作時(shi)間持續較長產(chan)生高(gao)溫(wen)(wen)環境，進而(er)防止一系列(lie)的(de)(de)(de)發(fa)(fa)聲(sheng)器(qi)(qi)失真度(du)變(bian)高(gao)、響度(du)降低等(deng)問題，從而(er)有(you)效提高(gao)發(fa)(fa)聲(sheng)器(qi)(qi)的(de)(de)(de)音質、可靠性(xing)以及(ji)發(fa)(fa)聲(sheng)器(qi)(qi)的(de)(de)(de)壽命。

本發(fa)(fa)明的(de)(de)(de)(de)(de)熱(re)(re)(re)釋(shi)電(dian)(dian)薄(bo)(bo)膜(mo)(mo)優選的(de)(de)(de)(de)(de)可(ke)(ke)(ke)(ke)采用(yong)聚偏(pian)二(er)氟(fu)乙烯、鋯鈦酸鉛、鈮鎂酸鉛或bt樹脂熱(re)(re)(re)釋(shi)電(dian)(dian)薄(bo)(bo)膜(mo)(mo)。利用(yong)熱(re)(re)(re)釋(shi)電(dian)(dian)薄(bo)(bo)膜(mo)(mo)在(zai)(zai)處(chu)理后具(ju)有(you)(you)的(de)(de)(de)(de)(de)熱(re)(re)(re)釋(shi)電(dian)(dian)效應來實(shi)(shi)現發(fa)(fa)聲(sheng)(sheng)(sheng)(sheng)器(qi)(qi)內的(de)(de)(de)(de)(de)溫(wen)度(du)(du)監測和(he)(he)反饋(kui)。熱(re)(re)(re)釋(shi)電(dian)(dian)薄(bo)(bo)膜(mo)(mo)可(ke)(ke)(ke)(ke)設(she)(she)(she)置(zhi)為(wei)環形或矩(ju)形的(de)(de)(de)(de)(de)薄(bo)(bo)片狀(zhuang)(zhuang)，從(cong)而可(ke)(ke)(ke)(ke)將熱(re)(re)(re)釋(shi)電(dian)(dian)薄(bo)(bo)膜(mo)(mo)貼設(she)(she)(she)于(yu)發(fa)(fa)聲(sheng)(sheng)(sheng)(sheng)器(qi)(qi)各部(bu)(bu)件的(de)(de)(de)(de)(de)表(biao)面。由于(yu)熱(re)(re)(re)釋(shi)電(dian)(dian)薄(bo)(bo)膜(mo)(mo)的(de)(de)(de)(de)(de)形狀(zhuang)(zhuang)可(ke)(ke)(ke)(ke)做成(cheng)薄(bo)(bo)片狀(zhuang)(zhuang)，其(qi)(qi)厚度(du)(du)可(ke)(ke)(ke)(ke)達到幾微米，固定(ding)在(zai)(zai)發(fa)(fa)聲(sheng)(sheng)(sheng)(sheng)器(qi)(qi)內其(qi)(qi)占(zhan)用(yong)的(de)(de)(de)(de)(de)發(fa)(fa)聲(sheng)(sheng)(sheng)(sheng)器(qi)(qi)內部(bu)(bu)的(de)(de)(de)(de)(de)體(ti)(ti)積非(fei)常小，有(you)(you)利于(yu)發(fa)(fa)聲(sheng)(sheng)(sheng)(sheng)器(qi)(qi)的(de)(de)(de)(de)(de)輕薄(bo)(bo)化設(she)(she)(she)計(ji)。同時，熱(re)(re)(re)釋(shi)電(dian)(dian)薄(bo)(bo)膜(mo)(mo)也可(ke)(ke)(ke)(ke)根據實(shi)(shi)際情況采用(yong)其(qi)(qi)他不規則形狀(zhuang)(zhuang)，從(cong)而該發(fa)(fa)聲(sheng)(sheng)(sheng)(sheng)系統可(ke)(ke)(ke)(ke)應用(yong)于(yu)多(duo)種結構(gou)的(de)(de)(de)(de)(de)發(fa)(fa)聲(sheng)(sheng)(sheng)(sheng)器(qi)(qi)，所述發(fa)(fa)聲(sheng)(sheng)(sheng)(sheng)器(qi)(qi)可(ke)(ke)(ke)(ke)以(yi)(yi)是發(fa)(fa)聲(sheng)(sheng)(sheng)(sheng)單體(ti)(ti)，也可(ke)(ke)(ke)(ke)以(yi)(yi)是模組，本發(fa)(fa)明還可(ke)(ke)(ke)(ke)以(yi)(yi)應用(yong)于(yu)發(fa)(fa)聲(sheng)(sheng)(sheng)(sheng)器(qi)(qi)陣列，具(ju)有(you)(you)廣泛(fan)適(shi)用(yong)性(xing)和(he)(he)實(shi)(shi)用(yong)性(xing)。為(wei)了(le)提高溫(wen)度(du)(du)檢(jian)測的(de)(de)(de)(de)(de)準確性(xing)，可(ke)(ke)(ke)(ke)在(zai)(zai)發(fa)(fa)聲(sheng)(sheng)(sheng)(sheng)器(qi)(qi)中設(she)(she)(she)置(zhi)多(duo)個熱(re)(re)(re)釋(shi)電(dian)(dian)薄(bo)(bo)膜(mo)(mo)，優選的(de)(de)(de)(de)(de)使多(duo)個熱(re)(re)(re)釋(shi)電(dian)(dian)薄(bo)(bo)膜(mo)(mo)均勻地分布在(zai)(zai)發(fa)(fa)聲(sheng)(sheng)(sheng)(sheng)器(qi)(qi)內部(bu)(bu)，可(ke)(ke)(ke)(ke)同時監測發(fa)(fa)聲(sheng)(sheng)(sheng)(sheng)器(qi)(qi)內多(duo)個區域的(de)(de)(de)(de)(de)溫(wen)度(du)(du)值，實(shi)(shi)現多(duo)點反饋(kui)調控(kong)，從(cong)而對發(fa)(fa)聲(sheng)(sheng)(sheng)(sheng)器(qi)(qi)內溫(wen)度(du)(du)的(de)(de)(de)(de)(de)檢(jian)測和(he)(he)調控(kong)更加準確和(he)(he)靈敏。

附圖說明

下(xia)面結合附圖對本發明的具體實施方式作進一步詳細的說明。

圖1示出(chu)根據本發(fa)明發(fa)聲系統(tong)實施例一的分解(jie)圖；

圖2示出根據本發(fa)明(ming)發(fa)聲系(xi)統實施例(li)一設有熱釋電薄(bo)膜的音圈的局部示意(yi)圖；

圖3示(shi)出根(gen)據本發(fa)明發(fa)聲系統實施例二(er)的剖面(mian)圖；

圖(tu)4示出(chu)根據本發明發聲(sheng)系統實施例三(san)的剖面圖(tu)；

附圖標記：

11、發聲單體(ti)，12、熱釋電薄膜(mo)，13、振(zhen)膜(mo)，131、振(zhen)膜(mo)中(zhong)央部(bu)(bu)，132、振(zhen)膜(mo)折(zhe)環部(bu)(bu)，14、音圈，15、導磁軛，16、前蓋，17、殼(ke)體(ti)；

22、pvdf薄膜，25、導磁軛；

32、pvdf薄膜，36、前蓋，37、殼(ke)體。

具體實施方式

為了更清楚地說(shuo)明(ming)(ming)本(ben)發(fa)(fa)明(ming)(ming)，下面結合優(you)選(xuan)實施(shi)例和附(fu)圖對本(ben)發(fa)(fa)明(ming)(ming)做進一步的(de)(de)(de)說(shuo)明(ming)(ming)。附(fu)圖中相似的(de)(de)(de)部件(jian)以(yi)相同的(de)(de)(de)附(fu)圖標(biao)記進行表(biao)示。本(ben)領域(yu)技術人員應當理解，下面所具(ju)體描述(shu)的(de)(de)(de)內容是(shi)說(shuo)明(ming)(ming)性的(de)(de)(de)而非限制(zhi)性的(de)(de)(de)，不應以(yi)此限制(zhi)本(ben)發(fa)(fa)明(ming)(ming)的(de)(de)(de)保護范(fan)圍。

實施例一

圖1示出(chu)根據本發明發聲(sheng)系(xi)統(tong)實施例(li)一的分解圖，本實施例(li)提(ti)供了一種應用(yong)于動(dong)圈式(shi)(shi)發聲(sheng)單(dan)(dan)(dan)體11的發聲(sheng)系(xi)統(tong)，該發聲(sheng)系(xi)統(tong)包(bao)括(kuo)動(dong)圈式(shi)(shi)發聲(sheng)單(dan)(dan)(dan)體11和溫(wen)(wen)控單(dan)(dan)(dan)元(yuan)(yuan)。所述溫(wen)(wen)控單(dan)(dan)(dan)元(yuan)(yuan)包(bao)括(kuo)固定設置在發聲(sheng)單(dan)(dan)(dan)體11內的熱(re)釋(shi)電(dian)(dian)薄膜12、與所述熱(re)釋(shi)電(dian)(dian)薄膜電(dian)(dian)連接用(yong)于輸出(chu)表征(zheng)熱(re)釋(shi)電(dian)(dian)薄膜所感測(ce)溫(wen)(wen)度的電(dian)(dian)信號(hao)的檢(jian)測(ce)單(dan)(dan)(dan)元(yuan)(yuan)和以及基于來(lai)自所述檢(jian)測(ce)單(dan)(dan)(dan)元(yuan)(yuan)的電(dian)(dian)信號(hao)產(chan)生控制(zhi)(zhi)施加到(dao)發聲(sheng)器的電(dian)(dian)能的控制(zhi)(zhi)信號(hao)的控制(zhi)(zhi)單(dan)(dan)(dan)元(yuan)(yuan)。

所述動圈(quan)式發聲單(dan)體(ti)11包括(kuo)單(dan)體(ti)外殼和收容于(yu)所述單(dan)體(ti)外殼內(nei)的振動系(xi)統和磁(ci)路系(xi)統。所述熱釋電薄膜可固定于(yu)單(dan)體(ti)外殼、振動系(xi)統或磁(ci)路系(xi)統上。

其中(zhong)，所述(shu)外殼(ke)包括(kuo)對(dui)應設置的殼(ke)體(ti)(ti)17和前(qian)蓋16。所述(shu)熱釋電(dian)薄膜可設置于殼(ke)體(ti)(ti)17或前(qian)蓋16上，優選地可固定設置在(zai)前(qian)蓋16朝向(xiang)振膜13的內表面(mian)上。

所述(shu)(shu)(shu)振(zhen)(zhen)動系統包括(kuo)固(gu)定(ding)(ding)在(zai)單(dan)體(ti)外殼上(shang)(shang)(shang)的(de)(de)(de)振(zhen)(zhen)膜13以及(ji)固(gu)定(ding)(ding)在(zai)振(zhen)(zhen)膜13背離前蓋16一側(ce)的(de)(de)(de)音(yin)(yin)圈14。其中(zhong)，振(zhen)(zhen)膜13包括(kuo)位于(yu)振(zhen)(zhen)膜13中(zhong)央(yang)的(de)(de)(de)振(zhen)(zhen)膜中(zhong)央(yang)部(bu)(bu)(bu)131、與振(zhen)(zhen)膜中(zhong)央(yang)部(bu)(bu)(bu)131邊緣連接的(de)(de)(de)振(zhen)(zhen)膜折(zhe)環部(bu)(bu)(bu)132和與所述(shu)(shu)(shu)振(zhen)(zhen)膜折(zhe)環部(bu)(bu)(bu)132連接的(de)(de)(de)固(gu)定(ding)(ding)在(zai)殼體(ti)17與前蓋16中(zhong)的(de)(de)(de)振(zhen)(zhen)膜固(gu)定(ding)(ding)部(bu)(bu)(bu)，所述(shu)(shu)(shu)音(yin)(yin)圈14固(gu)定(ding)(ding)于(yu)振(zhen)(zhen)膜中(zhong)央(yang)部(bu)(bu)(bu)131上(shang)(shang)(shang)。所述(shu)(shu)(shu)熱釋電薄膜可(ke)復合于(yu)所述(shu)(shu)(shu)振(zhen)(zhen)膜中(zhong)央(yang)部(bu)(bu)(bu)131、所述(shu)(shu)(shu)振(zhen)(zhen)膜折(zhe)環部(bu)(bu)(bu)132或者音(yin)(yin)圈14上(shang)(shang)(shang)。

所(suo)述(shu)(shu)(shu)磁(ci)(ci)路系統包括固定在殼體17上的導(dao)磁(ci)(ci)軛15、安裝(zhuang)于(yu)所(suo)述(shu)(shu)(shu)導(dao)磁(ci)(ci)軛15上的磁(ci)(ci)鐵(tie)和安裝(zhuang)于(yu)所(suo)述(shu)(shu)(shu)磁(ci)(ci)鐵(tie)上的導(dao)磁(ci)(ci)板(ban)。所(suo)述(shu)(shu)(shu)熱釋(shi)電薄(bo)膜(mo)可(ke)固定于(yu)所(suo)述(shu)(shu)(shu)導(dao)磁(ci)(ci)軛15上，或者(zhe)所(suo)述(shu)(shu)(shu)熱釋(shi)電薄(bo)膜(mo)可(ke)固定于(yu)所(suo)述(shu)(shu)(shu)導(dao)磁(ci)(ci)板(ban)上。

本(ben)實施例中發(fa)聲(sheng)系(xi)統包(bao)括在發(fa)聲(sheng)單(dan)體(ti)11振(zhen)動(dong)系(xi)統的(de)音(yin)圈(quan)(quan)14上(shang)貼設的(de)一個覆蓋音(yin)圈(quan)(quan)14頂面的(de)環形熱釋電(dian)(dian)(dian)薄膜12，其局部示(shi)意圖(tu)如圖(tu)2所示(shi)。該溫控(kong)單(dan)元(yuan)進一步設置有與所述(shu)(shu)熱釋電(dian)(dian)(dian)薄膜12電(dian)(dian)(dian)連接(jie)(jie)的(de)檢(jian)測(ce)單(dan)元(yuan)，該檢(jian)測(ce)單(dan)元(yuan)同時與發(fa)聲(sheng)單(dan)體(ti)11外的(de)控(kong)制單(dan)元(yuan)電(dian)(dian)(dian)連接(jie)(jie)，所述(shu)(shu)檢(jian)測(ce)單(dan)元(yuan)和控(kong)制單(dan)元(yuan)在圖(tu)中未示(shi)出。控(kong)制單(dan)元(yuan)可選用智能功率放大(da)器(smartpa)。

熱釋(shi)電(dian)薄(bo)膜12可采用(yong)聚(ju)偏(pian)二(er)氟(fu)乙(yi)烯(xi)、鋯(gao)鈦酸(suan)(suan)鉛、鈮(ni)鎂酸(suan)(suan)鉛或(huo)bt樹脂熱釋(shi)電(dian)薄(bo)膜，本實施例中(zhong)采用(yong)聚(ju)偏(pian)二(er)氟(fu)乙(yi)烯(xi)(pvdf)薄(bo)膜。pvdf是一種有機(ji)壓(ya)電(dian)聚(ju)合物材料，pvdf薄(bo)膜經過拉(la)伸極化(hua)(hua)處理(li)(li)除了(le)具(ju)(ju)有壓(ya)電(dian)性能，還具(ju)(ju)有很(hen)好的(de)(de)熱釋(shi)電(dian)效應(ying)。根據熱釋(shi)電(dian)效應(ying)的(de)(de)原理(li)(li)，微小的(de)(de)溫(wen)度變化(hua)(hua)在pvdf的(de)(de)表面就會有電(dian)荷產生，一定范圍內，溫(wen)度的(de)(de)變化(hua)(hua)量與電(dian)荷的(de)(de)變化(hua)(hua)量成(cheng)正比，基(ji)于這一原理(li)(li)，pvdf可用(yong)于電(dian)聲轉(zhuan)換的(de)(de)系統中(zhong)，進(jin)行溫(wen)度的(de)(de)監控反饋。

發(fa)(fa)(fa)聲單(dan)體(ti)11在(zai)工作(zuo)時(shi)(shi)，音(yin)(yin)圈14輸入信(xin)號(hao)(hao)的(de)(de)一部分(fen)轉化(hua)為熱(re)量(liang)(liang)散失，導(dao)致發(fa)(fa)(fa)聲單(dan)體(ti)11內溫(wen)(wen)(wen)度(du)(du)升高，貼(tie)設在(zai)音(yin)(yin)圈14頂面的(de)(de)pvdf薄膜(mo)受音(yin)(yin)圈14發(fa)(fa)(fa)熱(re)的(de)(de)影(ying)(ying)響其溫(wen)(wen)(wen)度(du)(du)發(fa)(fa)(fa)生變(bian)化(hua)并(bing)產(chan)生電(dian)(dian)(dian)荷，隨(sui)著發(fa)(fa)(fa)聲單(dan)體(ti)11工作(zuo)時(shi)(shi)間(jian)的(de)(de)延(yan)長，pvdf薄膜(mo)產(chan)生的(de)(de)電(dian)(dian)(dian)荷量(liang)(liang)增加，檢測單(dan)元對pvdf薄膜(mo)產(chan)生的(de)(de)電(dian)(dian)(dian)荷進行(xing)收(shou)集、分(fen)析，形(xing)成(cheng)電(dian)(dian)(dian)信(xin)號(hao)(hao)，控制(zhi)(zhi)單(dan)元根(gen)據(ju)電(dian)(dian)(dian)信(xin)號(hao)(hao)的(de)(de)電(dian)(dian)(dian)壓(ya)或(huo)電(dian)(dian)(dian)流值(zhi)(zhi)(zhi)確定對應(ying)的(de)(de)溫(wen)(wen)(wen)度(du)(du)變(bian)化(hua)情況(kuang)。其中，在(zai)發(fa)(fa)(fa)聲單(dan)體(ti)11工作(zuo)開始之前，通過(guo)溫(wen)(wen)(wen)度(du)(du)檢測可獲得發(fa)(fa)(fa)聲單(dan)體(ti)11的(de)(de)初(chu)始溫(wen)(wen)(wen)度(du)(du)值(zhi)(zhi)(zhi)為t0，隨(sui)著發(fa)(fa)(fa)聲單(dan)體(ti)11持續工作(zuo)，音(yin)(yin)圈14發(fa)(fa)(fa)熱(re)嚴重(zhong)，當音(yin)(yin)圈14溫(wen)(wen)(wen)度(du)(du)達(da)(da)到(dao)(dao)t時(shi)(shi)，其溫(wen)(wen)(wen)度(du)(du)變(bian)化(hua)量(liang)(liang)δt＝t-t0達(da)(da)到(dao)(dao)規定的(de)(de)溫(wen)(wen)(wen)升閾(yu)值(zhi)(zhi)(zhi)，此(ci)(ci)時(shi)(shi)對應(ying)的(de)(de)pvdf薄膜(mo)形(xing)成(cheng)的(de)(de)電(dian)(dian)(dian)信(xin)號(hao)(hao)達(da)(da)到(dao)(dao)規定的(de)(de)最大(da)值(zhi)(zhi)(zhi)，將此(ci)(ci)時(shi)(shi)pvdf薄膜(mo)形(xing)成(cheng)的(de)(de)電(dian)(dian)(dian)信(xin)號(hao)(hao)值(zhi)(zhi)(zhi)設為閾(yu)值(zhi)(zhi)(zhi)，當檢測單(dan)元輸出的(de)(de)pvdf薄膜(mo)形(xing)成(cheng)的(de)(de)表(biao)征熱(re)釋(shi)電(dian)(dian)(dian)薄膜(mo)所感測溫(wen)(wen)(wen)度(du)(du)的(de)(de)電(dian)(dian)(dian)信(xin)號(hao)(hao)達(da)(da)到(dao)(dao)該閾(yu)值(zhi)(zhi)(zhi)時(shi)(shi)，表(biao)示音(yin)(yin)圈14的(de)(de)溫(wen)(wen)(wen)度(du)(du)值(zhi)(zhi)(zhi)已達(da)(da)到(dao)(dao)臨界溫(wen)(wen)(wen)度(du)(du)值(zhi)(zhi)(zhi)，若(ruo)音(yin)(yin)圈14繼續散發(fa)(fa)(fa)大(da)量(liang)(liang)熱(re)量(liang)(liang)，會使振膜(mo)溫(wen)(wen)(wen)度(du)(du)繼續升高，進而會對振膜(mo)13的(de)(de)可靠性產(chan)生影(ying)(ying)響，影(ying)(ying)響發(fa)(fa)(fa)聲單(dan)體(ti)11的(de)(de)諧振頻率(lv)，可能導(dao)致發(fa)(fa)(fa)聲單(dan)體(ti)11音(yin)(yin)質(zhi)和響度(du)(du)降(jiang)(jiang)低(di)，加劇發(fa)(fa)(fa)聲單(dan)體(ti)11的(de)(de)失真度(du)(du)，持續時(shi)(shi)間(jian)過(guo)長將嚴重(zhong)影(ying)(ying)響發(fa)(fa)(fa)聲單(dan)體(ti)11的(de)(de)壽命(ming)。因此(ci)(ci)，當所述檢測單(dan)元檢測到(dao)(dao)的(de)(de)熱(re)釋(shi)電(dian)(dian)(dian)薄膜(mo)12形(xing)成(cheng)的(de)(de)電(dian)(dian)(dian)信(xin)號(hao)(hao)值(zhi)(zhi)(zhi)達(da)(da)到(dao)(dao)預設閾(yu)值(zhi)(zhi)(zhi)時(shi)(shi)，smartpa根(gen)據(ju)接收(shou)的(de)(de)信(xin)號(hao)(hao)可控制(zhi)(zhi)降(jiang)(jiang)低(di)發(fa)(fa)(fa)聲單(dan)體(ti)11輸入信(xin)號(hao)(hao)的(de)(de)輸入功率(lv)或(huo)輸入電(dian)(dian)(dian)壓(ya)以(yi)降(jiang)(jiang)低(di)音(yin)(yin)圈14的(de)(de)發(fa)(fa)(fa)熱(re)量(liang)(liang)，促使振膜(mo)13溫(wen)(wen)(wen)度(du)(du)降(jiang)(jiang)低(di)，保持振膜(mo)13性能，從(cong)而提高發(fa)(fa)(fa)聲單(dan)體(ti)11音(yin)(yin)質(zhi)和聽音(yin)(yin)良率(lv)。

本(ben)實施例(li)采用(yong)的(de)(de)pvdf薄(bo)膜可以做的(de)(de)很薄(bo)，達到(dao)微米級(ji)的(de)(de)厚度(du)，并可采用(yong)環形(xing)、矩形(xing)或(huo)圓形(xing)等多種形(xing)狀，從而能(neng)夠方(fang)便地設(she)置在發聲(sheng)(sheng)單體11需(xu)要(yao)檢測(ce)溫度(du)的(de)(de)區域，一方(fang)面(mian)(mian)有利于發聲(sheng)(sheng)單體11的(de)(de)輕薄(bo)化設(she)計(ji)，另(ling)一方(fang)面(mian)(mian)也能(neng)夠更為(wei)準確地檢測(ce)發聲(sheng)(sheng)單體11振動系統的(de)(de)溫度(du)，避免由于溫度(du)監測(ce)反饋靈敏度(du)不(bu)高(gao)而導(dao)致(zhi)高(gao)溫對發聲(sheng)(sheng)單體11造(zao)成不(bu)良影響。

綜上，包括pvdf薄膜、檢測單(dan)(dan)(dan)元和控制單(dan)(dan)(dan)元的溫(wen)控單(dan)(dan)(dan)元能夠在實(shi)現(xian)對發(fa)聲(sheng)(sheng)單(dan)(dan)(dan)體(ti)11溫(wen)度快(kuai)速、準(zhun)確(que)檢測并反(fan)饋調(diao)節的同時滿足靈活設(she)置的需(xu)求以及(ji)發(fa)聲(sheng)(sheng)單(dan)(dan)(dan)體(ti)11輕薄化設(she)計的需(xu)求，且操作(zuo)簡單(dan)(dan)(dan)，易于實(shi)施，可實(shi)現(xian)對發(fa)熱(re)嚴重區域溫(wen)度的準(zhun)確(que)測量(liang)，調(diao)控發(fa)聲(sheng)(sheng)單(dan)(dan)(dan)體(ti)11內的溫(wen)度水平，保證振膜13的振動(dong)特性，從而改善發(fa)聲(sheng)(sheng)單(dan)(dan)(dan)體(ti)11性能，提高消費者體(ti)驗。

實施例二

圖3示出根據本(ben)發明(ming)發聲系統的(de)(de)實(shi)施(shi)(shi)例(li)(li)二的(de)(de)剖面(mian)示意圖，本(ben)實(shi)施(shi)(shi)例(li)(li)與實(shi)施(shi)(shi)例(li)(li)一(yi)(yi)的(de)(de)區別(bie)(bie)在于(yu)，本(ben)實(shi)施(shi)(shi)例(li)(li)在導(dao)磁軛25側(ce)壁的(de)(de)長邊頂(ding)面(mian)和短邊頂(ding)面(mian)上分別(bie)(bie)設(she)置一(yi)(yi)個(ge)pvdf薄(bo)膜22，通過設(she)置多個(ge)pvdf薄(bo)膜22，可實(shi)現多點溫度(du)檢(jian)測(ce)反(fan)饋調節。本(ben)實(shi)施(shi)(shi)例(li)(li)中pvdf薄(bo)膜22的(de)(de)形狀、數量以及設(she)置位置也可根據實(shi)際需要靈(ling)活設(she)置。

本(ben)實(shi)(shi)(shi)施(shi)例中(zhong)(zhong)(zhong)的(de)發(fa)聲(sheng)系(xi)統在工作時，pvdf薄膜(mo)(mo)(mo)22可產生(sheng)表征振(zhen)(zhen)(zhen)膜(mo)(mo)(mo)的(de)溫度(du)的(de)電(dian)信(xin)(xin)號，從而發(fa)聲(sheng)系(xi)統可通過設(she)置(zhi)的(de)多個pvdf薄膜(mo)(mo)(mo)22對(dui)振(zhen)(zhen)(zhen)膜(mo)(mo)(mo)進行多點溫度(du)監測，當(dang)檢測單元接收的(de)四個pvdf薄膜(mo)(mo)(mo)22中(zhong)(zhong)(zhong)的(de)一(yi)個的(de)電(dian)信(xin)(xin)號值達(da)到預設(she)的(de)閾值時，smartpa即調節音(yin)圈的(de)輸(shu)入功率或輸(shu)入電(dian)壓(ya)，促進振(zhen)(zhen)(zhen)膜(mo)(mo)(mo)溫度(du)降低。本(ben)實(shi)(shi)(shi)施(shi)例中(zhong)(zhong)(zhong)其他部分與實(shi)(shi)(shi)施(shi)例一(yi)中(zhong)(zhong)(zhong)相似，在此不再贅述。

實施例三

圖4示出根據本(ben)發明發聲系(xi)統的(de)實(shi)施(shi)(shi)例(li)三的(de)剖面示意圖，本(ben)實(shi)施(shi)(shi)例(li)與實(shi)施(shi)(shi)例(li)一的(de)區別在于，本(ben)實(shi)施(shi)(shi)例(li)中環形pvdf薄膜32設置于對應于振膜的(de)前(qian)蓋(gai)36的(de)內表(biao)面上。

本實施例(li)中(zhong)(zhong)將pvdf薄(bo)膜(mo)32設置在(zai)前蓋36上然(ran)后(hou)與殼體37組合形成(cheng)發聲單體，相應調(diao)整溫控單元(yuan)預設的電信號閾值，即可在(zai)保證溫度(du)檢測準確度(du)的同時(shi)，簡(jian)化工藝(yi)和安裝復雜度(du)。本實施例(li)中(zhong)(zhong)其他部分與實施例(li)一中(zhong)(zhong)相似(si)，在(zai)此不再(zai)贅述。

實施例四

本實(shi)(shi)(shi)施(shi)例與(yu)實(shi)(shi)(shi)施(shi)例一(yi)、實(shi)(shi)(shi)施(shi)例二或(huo)實(shi)(shi)(shi)施(shi)例三的(de)(de)區(qu)別在(zai)于(yu)，本實(shi)(shi)(shi)施(shi)例中發(fa)(fa)聲(sheng)(sheng)系統的(de)(de)發(fa)(fa)聲(sheng)(sheng)器為模(mo)組(zu)，該(gai)模(mo)組(zu)包括模(mo)組(zu)殼和固定(ding)于(yu)模(mo)組(zu)殼形成(cheng)的(de)(de)容(rong)(rong)納腔(qiang)(qiang)體(ti)(ti)(ti)中的(de)(de)如以(yi)上實(shi)(shi)(shi)施(shi)例所(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)的(de)(de)發(fa)(fa)聲(sheng)(sheng)單體(ti)(ti)(ti)。所(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)模(mo)組(zu)殼上形成(cheng)有出(chu)聲(sheng)(sheng)口，所(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)發(fa)(fa)聲(sheng)(sheng)單體(ti)(ti)(ti)將容(rong)(rong)納腔(qiang)(qiang)體(ti)(ti)(ti)分割為前腔(qiang)(qiang)和后(hou)腔(qiang)(qiang)，所(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)前腔(qiang)(qiang)與(yu)出(chu)聲(sheng)(sheng)口連通。所(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)熱釋電薄膜還可(ke)固定(ding)于(yu)所(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)前腔(qiang)(qiang)或(huo)后(hou)腔(qiang)(qiang)的(de)(de)內壁上。作為控制單元的(de)(de)smartpa也可(ke)集成(cheng)固定(ding)在(zai)模(mo)組(zu)殼形成(cheng)的(de)(de)容(rong)(rong)納腔(qiang)(qiang)體(ti)(ti)(ti)中。

顯(xian)然(ran)，本(ben)發(fa)明(ming)(ming)的(de)(de)(de)上(shang)述實(shi)施(shi)例(li)僅(jin)僅(jin)是(shi)(shi)為清(qing)楚地說明(ming)(ming)本(ben)發(fa)明(ming)(ming)所(suo)作的(de)(de)(de)舉(ju)例(li)，而并非是(shi)(shi)對(dui)(dui)本(ben)發(fa)明(ming)(ming)的(de)(de)(de)實(shi)施(shi)方式的(de)(de)(de)限定，對(dui)(dui)于(yu)所(suo)屬領域(yu)的(de)(de)(de)普通技術人員來說，在上(shang)述說明(ming)(ming)的(de)(de)(de)基礎(chu)上(shang)還可(ke)以做出(chu)其它不同形式的(de)(de)(de)變化(hua)或變動，這里無法對(dui)(dui)所(suo)有的(de)(de)(de)實(shi)施(shi)方式予(yu)以窮舉(ju)，凡是(shi)(shi)屬于(yu)本(ben)發(fa)明(ming)(ming)的(de)(de)(de)技術方案(an)所(suo)引(yin)伸出(chu)的(de)(de)(de)顯(xian)而易見(jian)的(de)(de)(de)變化(hua)或變動仍(reng)處于(yu)本(ben)發(fa)明(ming)(ming)的(de)(de)(de)保(bao)護范圍之列(lie)。