本實用(yong)新型涉(she)及(ji)(ji)換(huan)能(neng)器領域，更準確地說，本實用(yong)新型涉(she)及(ji)(ji)一種(zhong)發聲裝置；本實用(yong)新型還涉(she)及(ji)(ji)一種(zhong)電子設備。

背景技術：

發(fa)聲(sheng)(sheng)裝置是(shi)電(dian)(dian)子(zi)設(she)備中的(de)重(zhong)要(yao)聲(sheng)(sheng)學部件，作為一種把電(dian)(dian)信號轉變(bian)為聲(sheng)(sheng)信號的(de)換(huan)能器(qi)件，其已經普遍應用(yong)在(zai)(zai)手機、筆記本電(dian)(dian)腦等(deng)電(dian)(dian)子(zi)產品上。現有的(de)揚聲(sheng)(sheng)器(qi)模(mo)組(zu)，包括外殼(ke)，以(yi)及設(she)置在(zai)(zai)外殼(ke)內的(de)振(zhen)動(dong)系(xi)統(tong)(tong)、磁路系(xi)統(tong)(tong)，其中振(zhen)動(dong)系(xi)統(tong)(tong)包括振(zhen)膜以(yi)及設(she)置在(zai)(zai)振(zhen)膜上用(yong)于驅動(dong)振(zhen)膜發(fa)聲(sheng)(sheng)的(de)音圈(quan)，磁路系(xi)統(tong)(tong)包括磁鐵、華司(si)等(deng)。線圈(quan)的(de)一端連接在(zai)(zai)振(zhen)膜上，另一端伸入至磁路系(xi)統(tong)(tong)的(de)磁間隙內。

這種發(fa)聲(sheng)裝(zhuang)置的(de)結構較為(wei)復(fu)雜，使得發(fa)聲(sheng)裝(zhuang)置的(de)體積較大，而且多為(wei)人工流(liu)水線組裝(zhuang)，自動化程(cheng)度不高，遠遠不能(neng)滿足現代(dai)化的(de)發(fa)展需求。

技術實現要素：

本實用新型的(de)一(yi)(yi)個目的(de)是提供(gong)一(yi)(yi)種雙(shuang)背(bei)極MEMS發聲裝置的(de)新技術方案。

根(gen)據本實用新型的(de)(de)(de)(de)第(di)一方面，提供了一種(zhong)雙(shuang)背(bei)(bei)(bei)極(ji)(ji)MEMS發聲裝置(zhi)(zhi)(zhi)，包(bao)括襯(chen)底(di)，在所(suo)述襯(chen)底(di)上(shang)(shang)通過沉(chen)積(ji)、刻蝕(shi)的(de)(de)(de)(de)方式依(yi)次設置(zhi)(zhi)(zhi)有下背(bei)(bei)(bei)極(ji)(ji)、振(zhen)膜(mo)、上(shang)(shang)背(bei)(bei)(bei)極(ji)(ji)，所(suo)述下背(bei)(bei)(bei)極(ji)(ji)、振(zhen)膜(mo)、上(shang)(shang)背(bei)(bei)(bei)極(ji)(ji)之間通過絕(jue)緣層(ceng)進行支撐；所(suo)述襯(chen)底(di)上(shang)(shang)設置(zhi)(zhi)(zhi)有與下背(bei)(bei)(bei)極(ji)(ji)對應設置(zhi)(zhi)(zhi)的(de)(de)(de)(de)背(bei)(bei)(bei)腔；所(suo)述上(shang)(shang)背(bei)(bei)(bei)極(ji)(ji)、下背(bei)(bei)(bei)極(ji)(ji)被配置(zhi)(zhi)(zhi)為分別持續(xu)施加相反電壓的(de)(de)(de)(de)直流電信號，所(suo)述振(zhen)膜(mo)被配置(zhi)(zhi)(zhi)為施加交流電信號。

可選地，所(suo)述振膜整體由導(dao)電材料構成。

可(ke)選(xuan)地(di)，所(suo)述振膜包括非導電(dian)(dian)層以及(ji)導電(dian)(dian)層，所(suo)述導電(dian)(dian)層設置在非導電(dian)(dian)層的下方、上方或者內部(bu)。

可選(xuan)地，所述導電(dian)層(ceng)(ceng)通(tong)過沉積、印刷、噴(pen)涂、電(dian)鍍(du)或者化學鍍(du)的方式與非(fei)導電(dian)層(ceng)(ceng)結合在一起。

可(ke)選(xuan)地，還包括基(ji)板(ban)以(yi)及與基(ji)板(ban)構成封裝結(jie)構的殼(ke)體(ti)(ti)，所述襯底(di)位于封裝結(jie)構內并安(an)裝在基(ji)板(ban)上，在所述殼(ke)體(ti)(ti)上設置(zhi)有音孔(kong)。

可選(xuan)地(di)，所(suo)述(shu)基板(ban)為電(dian)路(lu)板(ban)。

可選(xuan)地，所述振膜包括位(wei)于(yu)邊緣用于(yu)連接的連接部(bu)(bu)，位(wei)于(yu)中心位(wei)置的振動(dong)部(bu)(bu)，以及位(wei)于(yu)連接部(bu)(bu)與振動(dong)部(bu)(bu)之間(jian)的折(zhe)環(huan)部(bu)(bu)。

可選地(di)，在所述上(shang)背極(ji)上(shang)設(she)置有(you)第一(yi)貫(guan)(guan)通(tong)孔(kong)；或/和在所述下(xia)背極(ji)上(shang)設(she)置有(you)第二貫(guan)(guan)通(tong)孔(kong)。

可選地，所述(shu)發(fa)聲(sheng)裝置為揚聲(sheng)器(qi)(qi)或者(zhe)受話器(qi)(qi)。

根(gen)據本實用(yong)新型的另一(yi)(yi)方面(mian)，還(huan)提(ti)供了一(yi)(yi)種電子(zi)設備，包括上述的雙背極(ji)MEMS發聲(sheng)裝置(zhi)。

本實用(yong)新型的(de)(de)發(fa)聲(sheng)裝置，上背(bei)極(ji)(ji)、下(xia)背(bei)極(ji)(ji)構(gou)(gou)成了(le)一平行(xing)板電容器結(jie)構(gou)(gou)，在(zai)上背(bei)極(ji)(ji)與(yu)下(xia)背(bei)極(ji)(ji)之間(jian)形成了(le)電場(chang)，帶交流信號的(de)(de)振(zhen)膜會受(shou)到(dao)上背(bei)極(ji)(ji)與(yu)下(xia)背(bei)極(ji)(ji)之間(jian)的(de)(de)電場(chang)力作用(yong)，從而(er)使得(de)振(zhen)膜隨信號頻率發(fa)生振(zhen)動，實現了(le)振(zhen)膜的(de)(de)發(fa)聲(sheng)。本實用(yong)新型的(de)(de)這種發(fa)聲(sheng)裝置，可以應用(yong)到(dao)受(shou)話器或(huo)者(zhe)揚聲(sheng)器當(dang)中(zhong)，其(qi)突破了(le)傳統(tong)線(xian)圈、磁(ci)鐵的(de)(de)安裝結(jie)構(gou)(gou)，使其(qi)體積更小(xiao)，而(er)且可以采用(yong)MEMS工藝(yi)進行(xing)制造。

本(ben)實(shi)用(yong)新(xin)型的(de)(de)(de)發明人(ren)發現(xian)，在現(xian)有技(ji)術(shu)(shu)中，發聲裝置的(de)(de)(de)結構較為(wei)(wei)復雜，其(qi)體積較大(da)，而且多(duo)為(wei)(wei)人(ren)工(gong)流水線組裝，自動化程度不高，遠遠不能滿(man)足現(xian)代化的(de)(de)(de)發展需求。因此，本(ben)實(shi)用(yong)新(xin)型所要實(shi)現(xian)的(de)(de)(de)技(ji)術(shu)(shu)任(ren)務或者(zhe)所要解(jie)決(jue)的(de)(de)(de)技(ji)術(shu)(shu)問題是本(ben)領域技(ji)術(shu)(shu)人(ren)員(yuan)從(cong)未想到(dao)的(de)(de)(de)或者(zhe)沒有預期到(dao)的(de)(de)(de)，故本(ben)實(shi)用(yong)新(xin)型是一(yi)種新(xin)的(de)(de)(de)技(ji)術(shu)(shu)方案(an)。

通過(guo)以下參照附圖對(dui)本(ben)實(shi)用新(xin)型(xing)的示例性實(shi)施例的詳細描述，本(ben)實(shi)用新(xin)型(xing)的其它(ta)特征(zheng)及其優點(dian)將會變(bian)得(de)清(qing)楚。

附圖說明

被結合(he)在說(shuo)明書(shu)中并構成說(shuo)明書(shu)的一部(bu)分的附圖示出了本(ben)實(shi)用新(xin)型的實(shi)施(shi)例(li)，并且連同其(qi)說(shuo)明一起用于解釋本(ben)實(shi)用新(xin)型的原(yuan)理。

圖1是本實(shi)用新型發聲裝置的結構示(shi)意圖。

圖2是(shi)本實用新型發聲裝(zhuang)置另一實施例的結(jie)構示意圖。

具體實施方式

現在將參照附圖來詳(xiang)細描述本實用(yong)新型的(de)各種示例(li)性實施例(li)。應(ying)注意到：除非另外具體(ti)說明(ming)，否則在這些實施例(li)中闡述的(de)部件和(he)步驟(zou)的(de)相對布置、數字表達式和(he)數值不限制本實用(yong)新型的(de)范圍。

以(yi)下對至少一個示例性(xing)實(shi)施(shi)例的描述實(shi)際上僅僅是說(shuo)明性(xing)的，決不作為對本實(shi)用(yong)新型及其應用(yong)或使用(yong)的任何限制。

對于相(xiang)關領域普通技術(shu)人員已(yi)知的(de)技術(shu)、方(fang)法和設(she)備可能不(bu)作詳細討論，但在(zai)適(shi)當情況下，所述技術(shu)、方(fang)法和設(she)備應當被視為說明(ming)書的(de)一部分。

在(zai)這里(li)示出和討(tao)論(lun)的(de)所(suo)有例(li)(li)子中，任何具體值應被解(jie)釋為僅(jin)僅(jin)是示例(li)(li)性的(de)，而不是作(zuo)為限制。因此(ci)，示例(li)(li)性實施例(li)(li)的(de)其它例(li)(li)子可以具有不同的(de)值。

應(ying)注意到(dao)：相(xiang)似的標號和字母(mu)在(zai)(zai)下(xia)面的附圖(tu)中表(biao)示(shi)類似項，因此，一旦某一項在(zai)(zai)一個附圖(tu)中被定義，則在(zai)(zai)隨后的附圖(tu)中不(bu)需要對(dui)其進(jin)行進(jin)一步討論。

參(can)考(kao)圖1，本實(shi)用(yong)新(xin)型(xing)提供了(le)一種雙背(bei)極(ji)MEMS發聲裝置，其包括襯底(di)(di)3、振膜(mo)5、上(shang)背(bei)極(ji)6、下(xia)(xia)背(bei)極(ji)4等(deng)。本實(shi)用(yong)新(xin)型(xing)的襯底(di)(di)3可以采用(yong)單晶硅，這(zhe)種硅襯底(di)(di)的材料(liao)屬于本領域技術人員(yuan)的公知常識(shi)。所(suo)述(shu)下(xia)(xia)背(bei)極(ji)4、振膜(mo)5、上(shang)背(bei)極(ji)6依次通過沉(chen)積、刻蝕的方式(shi)形成在襯底(di)(di)2上(shang)，且(qie)所(suo)述(shu)下(xia)(xia)背(bei)極(ji)4、振膜(mo)5、上(shang)背(bei)極(ji)6之間(jian)通過絕緣部進(jin)行支(zhi)撐，使得下(xia)(xia)背(bei)極(ji)4、振膜(mo)5、上(shang)背(bei)極(ji)6之間(jian)均具有一定的間(jian)隙。在所(suo)述(shu)襯底(di)(di)3上(shang)對應下(xia)(xia)背(bei)極(ji)4的位置還設置有背(bei)腔結構。

本(ben)實用(yong)新型的(de)(de)振(zhen)(zhen)膜5可(ke)(ke)以為一(yi)平整的(de)(de)膜層(ceng)，在本(ben)實用(yong)新型一(yi)個(ge)優選的(de)(de)試(shi)實施方式中(zhong)，參考圖2，所(suo)述(shu)(shu)振(zhen)(zhen)膜5包括位(wei)于(yu)(yu)邊緣位(wei)置的(de)(de)連(lian)接(jie)部(bu)11，以及(ji)位(wei)于(yu)(yu)中(zhong)部(bu)位(wei)置的(de)(de)振(zhen)(zhen)動(dong)部(bu)12，以及(ji)位(wei)于(yu)(yu)振(zhen)(zhen)動(dong)部(bu)12與(yu)連(lian)接(jie)部(bu)11之(zhi)間的(de)(de)折(zhe)環部(bu)10。所(suo)述(shu)(shu)振(zhen)(zhen)膜5的(de)(de)連(lian)接(jie)部(bu)11搭載在下背(bei)極(ji)4上，振(zhen)(zhen)膜5中(zhong)部(bu)區域的(de)(de)振(zhen)(zhen)動(dong)部(bu)12可(ke)(ke)以懸(xuan)置在下背(bei)極(ji)4的(de)(de)上方；折(zhe)環部(bu)10可(ke)(ke)以呈波(bo)紋狀(zhuang)或者鋸齒狀(zhuang)，通過該折(zhe)環部(bu)10可(ke)(ke)以提(ti)高振(zhen)(zhen)膜5的(de)(de)振(zhen)(zhen)動(dong)效果。

在(zai)本(ben)實用(yong)新型一個(ge)具(ju)體的(de)實施方式中(zhong)，所(suo)(suo)述下(xia)背(bei)極(ji)4可以采用(yong)多晶硅或者金屬材(cai)料等(deng)本(ben)領域(yu)技術(shu)人員(yuan)所(suo)(suo)熟知的(de)導電材(cai)料。在(zai)制作的(de)時候，例如(ru)可以在(zai)襯底3上沉積背(bei)極(ji)層，然后通過刻蝕的(de)方式形成(cheng)下(xia)背(bei)極(ji)4的(de)圖案。為了保證襯底3與下(xia)背(bei)極(ji)4之(zhi)間的(de)絕(jue)(jue)緣(yuan)性，在(zai)所(suo)(suo)述襯底3與下(xia)背(bei)極(ji)4之(zhi)間接觸的(de)區域(yu)可設置(zhi)第一絕(jue)(jue)緣(yuan)層7，該第一絕(jue)(jue)緣(yuan)層7可以采用(yong)二氧(yang)化硅等(deng)本(ben)領域(yu)技術(shu)人員(yuan)所(suo)(suo)熟知的(de)絕(jue)(jue)緣(yuan)材(cai)料。

所(suo)述(shu)振(zhen)(zhen)(zhen)膜5通(tong)過沉(chen)積、刻蝕(shi)的方(fang)式(shi)(shi)形(xing)(xing)成(cheng)在(zai)下背(bei)極(ji)4上，例如可(ke)在(zai)下背(bei)極(ji)4上沉(chen)積振(zhen)(zhen)(zhen)膜層，之(zhi)后(hou)通(tong)過刻蝕(shi)的方(fang)式(shi)(shi)形(xing)(xing)成(cheng)振(zhen)(zhen)(zhen)膜5的圖(tu)案。為了保證下背(bei)極(ji)4與振(zhen)(zhen)(zhen)膜5之(zhi)間(jian)的絕緣性，以及(ji)為了使(shi)下背(bei)極(ji)4與振(zhen)(zhen)(zhen)膜5之(zhi)間(jian)具有(you)一(yi)定(ding)的間(jian)隙，在(zai)所(suo)述(shu)下背(bei)極(ji)4與振(zhen)(zhen)(zhen)膜5之(zhi)間(jian)接觸的區域設置有(you)第(di)二絕緣層8，該第(di)二絕緣層8可(ke)以采(cai)用本領域技(ji)術人員所(suo)熟知的二氧(yang)化硅等材(cai)料。

本(ben)實(shi)用(yong)新(xin)型的振膜(mo)(mo)(mo)5為(wei)導電振膜(mo)(mo)(mo)，其可以(yi)采(cai)用(yong)導電金屬、多晶(jing)硅等(deng)本(ben)領域技(ji)術人員所(suo)熟知的導電材(cai)料等(deng)。在本(ben)實(shi)用(yong)新(xin)型一(yi)個(ge)具(ju)體(ti)的實(shi)施方式(shi)中(zhong)，所(suo)述振膜(mo)(mo)(mo)5整(zheng)體(ti)采(cai)用(yong)導電材(cai)料，也就是說，振膜(mo)(mo)(mo)5僅由導電材(cai)料構(gou)成；第二(er)絕緣(yuan)層8設置在所(suo)述振膜(mo)(mo)(mo)5與下背極4之間(jian)(jian)，以(yi)保證二(er)者之間(jian)(jian)的絕緣(yuan)。

在(zai)本(ben)(ben)實用(yong)新(xin)型另一個具(ju)體的實施(shi)方式中，所(suo)述(shu)振(zhen)膜(mo)5包括導(dao)(dao)(dao)電(dian)(dian)(dian)層(ceng)以及非(fei)導(dao)(dao)(dao)電(dian)(dian)(dian)層(ceng)，該非(fei)導(dao)(dao)(dao)電(dian)(dian)(dian)層(ceng)例如(ru)可以采用(yong)本(ben)(ben)領(ling)域技術人(ren)員所(suo)熟知(zhi)的非(fei)導(dao)(dao)(dao)電(dian)(dian)(dian)振(zhen)膜(mo)材料。非(fei)導(dao)(dao)(dao)電(dian)(dian)(dian)層(ceng)通(tong)過MEMS工藝沉積在(zai)襯底3上，所(suo)述(shu)導(dao)(dao)(dao)電(dian)(dian)(dian)層(ceng)可設(she)置在(zai)非(fei)導(dao)(dao)(dao)電(dian)(dian)(dian)層(ceng)的下方、上方或者內部。優選的是(shi)，根據導(dao)(dao)(dao)電(dian)(dian)(dian)層(ceng)與非(fei)導(dao)(dao)(dao)電(dian)(dian)(dian)層(ceng)之間的關系以及導(dao)(dao)(dao)電(dian)(dian)(dian)層(ceng)的材質(zhi)，所(suo)述(shu)導(dao)(dao)(dao)電(dian)(dian)(dian)層(ceng)可以選擇(ze)通(tong)過沉積、印刷(shua)、噴(pen)涂(tu)、光刻膠(jiao)、電(dian)(dian)(dian)鍍(du)或者化(hua)學(xue)鍍(du)的方式與非(fei)導(dao)(dao)(dao)電(dian)(dian)(dian)層(ceng)結合在(zai)一起(qi)。

例如在(zai)(zai)制作的(de)(de)時候，可(ke)以首先在(zai)(zai)下背極4上沉積第(di)二(er)絕(jue)緣層(ceng)8，在(zai)(zai)第(di)二(er)絕(jue)緣層(ceng)8的(de)(de)上方沉積導(dao)電(dian)層(ceng)，在(zai)(zai)導(dao)電(dian)層(ceng)的(de)(de)上方沉積非(fei)導(dao)電(dian)層(ceng)，從(cong)而得到(dao)導(dao)電(dian)層(ceng)在(zai)(zai)下、非(fei)導(dao)電(dian)層(ceng)在(zai)(zai)上的(de)(de)振膜(mo)結構。

或(huo)者是(shi)，首先沉積(ji)非(fei)導(dao)電層，在(zai)非(fei)導(dao)電層的(de)上(shang)方沉積(ji)、印刷、噴(pen)涂、光刻(ke)膠、電鍍或(huo)者化學鍍的(de)方式形成導(dao)電層，從(cong)而得到導(dao)電層在(zai)上(shang)、非(fei)導(dao)電層在(zai)下的(de)振膜結構。

或者是，首先沉積(ji)非導(dao)(dao)電(dian)層(ceng)(ceng)，在非導(dao)(dao)電(dian)層(ceng)(ceng)的上(shang)方沉積(ji)、印刷、噴(pen)涂、光刻膠、電(dian)鍍或者化(hua)學(xue)鍍的方式(shi)形成導(dao)(dao)電(dian)層(ceng)(ceng)，在導(dao)(dao)電(dian)層(ceng)(ceng)上(shang)繼續沉積(ji)一層(ceng)(ceng)非導(dao)(dao)電(dian)層(ceng)(ceng)，從(cong)而形成了夾心的多(duo)層(ceng)(ceng)結構。

本實用新型的(de)發聲裝置(zhi)，所(suo)述(shu)上(shang)背(bei)(bei)極6可以(yi)(yi)采(cai)用多(duo)晶硅或(huo)者金屬等本領域技術人員所(suo)熟知的(de)材料，所(suo)述(shu)上(shang)背(bei)(bei)極6通過沉(chen)積、刻蝕的(de)方(fang)式(shi)形成在振(zhen)膜(mo)5上(shang)，例如可在振(zhen)膜(mo)5上(shang)沉(chen)積背(bei)(bei)極層(ceng)，之后通過刻蝕的(de)方(fang)式(shi)形成上(shang)背(bei)(bei)極6的(de)圖案。為(wei)了保證上(shang)背(bei)(bei)極6與振(zhen)膜(mo)5之間的(de)絕(jue)緣性，以(yi)(yi)及為(wei)了使上(shang)背(bei)(bei)極6與振(zhen)膜(mo)5之間具有(you)(you)一定的(de)間隙，在所(suo)述(shu)上(shang)背(bei)(bei)極6與振(zhen)膜(mo)5之間接觸的(de)區域設置(zhi)有(you)(you)第(di)三絕(jue)緣層(ceng)9，該第(di)三絕(jue)緣層(ceng)9可以(yi)(yi)采(cai)用本領域技術人員所(suo)熟知的(de)二氧化硅等材料。

本實用新(xin)型(xing)的發(fa)聲(sheng)裝(zhuang)置(zhi)，所述上(shang)背(bei)(bei)(bei)極(ji)(ji)(ji)6、下(xia)(xia)背(bei)(bei)(bei)極(ji)(ji)(ji)4被配(pei)置(zhi)為分別持(chi)續施(shi)加(jia)相反(fan)電(dian)(dian)(dian)壓(ya)的直(zhi)流(liu)(liu)電(dian)(dian)(dian)信號，所述振膜(mo)5被配(pei)置(zhi)為施(shi)加(jia)交流(liu)(liu)電(dian)(dian)(dian)信號。也就是說，上(shang)背(bei)(bei)(bei)極(ji)(ji)(ji)6、下(xia)(xia)背(bei)(bei)(bei)極(ji)(ji)(ji)4施(shi)加(jia)的電(dian)(dian)(dian)荷(he)是相反(fan)的，例如上(shang)背(bei)(bei)(bei)極(ji)(ji)(ji)6持(chi)續施(shi)加(jia)直(zhi)流(liu)(liu)的正電(dian)(dian)(dian)荷(he)，下(xia)(xia)背(bei)(bei)(bei)極(ji)(ji)(ji)4持(chi)續施(shi)加(jia)直(zhi)流(liu)(liu)的負電(dian)(dian)(dian)荷(he)，這就使得上(shang)背(bei)(bei)(bei)極(ji)(ji)(ji)6、下(xia)(xia)背(bei)(bei)(bei)極(ji)(ji)(ji)4構成了(le)一平行板電(dian)(dian)(dian)容器結構，在上(shang)背(bei)(bei)(bei)極(ji)(ji)(ji)6與下(xia)(xia)背(bei)(bei)(bei)極(ji)(ji)(ji)4之(zhi)間(jian)(jian)形成了(le)電(dian)(dian)(dian)場。此時，為振膜(mo)輸(shu)入(ru)交流(liu)(liu)電(dian)(dian)(dian)信號，帶交流(liu)(liu)信號的振膜(mo)5會受到上(shang)背(bei)(bei)(bei)極(ji)(ji)(ji)6與下(xia)(xia)背(bei)(bei)(bei)極(ji)(ji)(ji)4之(zhi)間(jian)(jian)的電(dian)(dian)(dian)場力，從而使得振膜(mo)5隨(sui)信號頻率發(fa)生振動，實現了(le)振膜(mo)的發(fa)聲(sheng)。

本實用新型的這種發(fa)聲裝置，可以(yi)應用到受話器或者揚(yang)聲器當(dang)中，其突破(po)了傳統線圈、磁鐵的安(an)裝結構，使(shi)其體(ti)積(ji)更小，而且可以(yi)采用MEMS工藝進行制造。

本實用新型的(de)(de)(de)發(fa)(fa)聲(sheng)(sheng)裝置，還可(ke)(ke)以(yi)(yi)包括(kuo)基板(ban)(ban)1以(yi)(yi)及設置在(zai)(zai)(zai)(zai)(zai)基板(ban)(ban)1上(shang)的(de)(de)(de)殼體2；該基本1優(you)選為電路板(ban)(ban)，所述殼體2固定(ding)在(zai)(zai)(zai)(zai)(zai)基板(ban)(ban)1上(shang)后，形(xing)成了(le)封裝結(jie)構(gou)(gou)。襯(chen)底3、下背極(ji)4、振(zhen)膜(mo)5、上(shang)背極(ji)6等結(jie)構(gou)(gou)均(jun)設置在(zai)(zai)(zai)(zai)(zai)封裝結(jie)構(gou)(gou)的(de)(de)(de)內部，例如可(ke)(ke)以(yi)(yi)將襯(chen)底3貼裝在(zai)(zai)(zai)(zai)(zai)基板(ban)(ban)1上(shang)，使得基板(ban)(ban)1封閉住(zhu)襯(chen)底3的(de)(de)(de)背腔(qiang)，以(yi)(yi)完成發(fa)(fa)聲(sheng)(sheng)裝置的(de)(de)(de)封裝。其中，在(zai)(zai)(zai)(zai)(zai)所述殼體2上(shang)還設置有音(yin)孔20，以(yi)(yi)便振(zhen)膜(mo)5發(fa)(fa)出的(de)(de)(de)聲(sheng)(sheng)音(yin)可(ke)(ke)以(yi)(yi)流出。其中，可(ke)(ke)在(zai)(zai)(zai)(zai)(zai)基板(ban)(ban)1上(shang)與振(zhen)膜(mo)5對(dui)應的(de)(de)(de)位置上(shang)設置泄壓(ya)孔13，通過(guo)該泄壓(ya)孔13可(ke)(ke)以(yi)(yi)均(jun)衡發(fa)(fa)聲(sheng)(sheng)裝置后聲(sheng)(sheng)腔(qiang)中的(de)(de)(de)氣壓(ya)，以(yi)(yi)提高振(zhen)膜(mo)5的(de)(de)(de)振(zhen)動效(xiao)果。

本(ben)實(shi)用新型的發聲裝(zhuang)置(zhi)(zhi)，可(ke)以(yi)對上(shang)背極(ji)(ji)6進(jin)行(xing)圖案化，以(yi)在(zai)上(shang)背極(ji)(ji)6上(shang)形成有第(di)(di)(di)一貫(guan)(guan)通(tong)(tong)孔(kong)(kong)(kong)(kong)60，通(tong)(tong)過(guo)(guo)該(gai)(gai)第(di)(di)(di)一貫(guan)(guan)通(tong)(tong)孔(kong)(kong)(kong)(kong)60使(shi)得(de)(de)外界(jie)與振(zhen)膜(mo)5連(lian)通(tong)(tong)起來，以(yi)此來均衡(heng)氣(qi)壓；或者，可(ke)以(yi)對下背極(ji)(ji)4進(jin)行(xing)圖案化，以(yi)在(zai)下背極(ji)(ji)4上(shang)形成第(di)(di)(di)二(er)貫(guan)(guan)通(tong)(tong)孔(kong)(kong)(kong)(kong)40，通(tong)(tong)過(guo)(guo)該(gai)(gai)第(di)(di)(di)二(er)貫(guan)(guan)通(tong)(tong)孔(kong)(kong)(kong)(kong)40使(shi)得(de)(de)振(zhen)膜(mo)5可(ke)以(yi)與襯底3的背腔連(lian)通(tong)(tong)起來，也就是說，使(shi)得(de)(de)發聲裝(zhuang)置(zhi)(zhi)具有較大的后聲腔，以(yi)提高發聲裝(zhuang)置(zhi)(zhi)的發音效(xiao)(xiao)果(guo)。或者是，可(ke)以(yi)在(zai)上(shang)背極(ji)(ji)6、下背極(ji)(ji)4上(shang)分別設置(zhi)(zhi)第(di)(di)(di)一貫(guan)(guan)通(tong)(tong)孔(kong)(kong)(kong)(kong)60、第(di)(di)(di)二(er)貫(guan)(guan)通(tong)(tong)孔(kong)(kong)(kong)(kong)40，以(yi)保證振(zhen)膜(mo)5的振(zhen)動效(xiao)(xiao)果(guo)。而且在(zai)通(tong)(tong)過(guo)(guo)MEMS工藝進(jin)行(xing)制造的時(shi)候，還可(ke)以(yi)通(tong)(tong)過(guo)(guo)第(di)(di)(di)一貫(guan)(guan)通(tong)(tong)孔(kong)(kong)(kong)(kong)60、第(di)(di)(di)二(er)貫(guan)(guan)通(tong)(tong)孔(kong)(kong)(kong)(kong)40對第(di)(di)(di)二(er)絕緣層8、第(di)(di)(di)三絕緣層9進(jin)行(xing)腐蝕(shi)，從而將振(zhen)膜(mo)5、下背極(ji)(ji)4、上(shang)背極(ji)(ji)6釋(shi)放出(chu)來，這種腐蝕(shi)的工藝屬(shu)于本(ben)領域技術人員的公(gong)知常(chang)識，在(zai)此不再(zai)具體說明。

本實用(yong)新(xin)型(xing)的(de)發(fa)聲(sheng)裝置可以應用(yong)到各電(dian)子設備中，為此本實用(yong)新(xin)型(xing)還提供(gong)了一種電(dian)子設備，其(qi)包括(kuo)上述的(de)駐(zhu)極體發(fa)聲(sheng)裝置。

雖然已(yi)經通(tong)過例子對本實(shi)用新(xin)型的(de)(de)一些特(te)定實(shi)施(shi)例進行(xing)(xing)(xing)了詳細說(shuo)明(ming)，但是本領(ling)域的(de)(de)技術(shu)人(ren)員應該理(li)解，以上例子僅是為(wei)了進行(xing)(xing)(xing)說(shuo)明(ming)，而不(bu)是為(wei)了限(xian)(xian)制本實(shi)用新(xin)型的(de)(de)范圍。本領(ling)域的(de)(de)技術(shu)人(ren)員應該理(li)解，可在不(bu)脫離本實(shi)用新(xin)型的(de)(de)范圍和精神的(de)(de)情況(kuang)下(xia)，對以上實(shi)施(shi)例進行(xing)(xing)(xing)修改。本實(shi)用新(xin)型的(de)(de)范圍由(you)所附權利要求(qiu)來(lai)限(xian)(xian)定。