中文字幕无码日韩视频无码三区

高頻器件的制作方法

文檔序號:7722355閱讀(du):233來源(yuan):國(guo)知(zhi)局
專利名稱:高頻器件的制作方法
技術領域
本發明涉及移動通信設備例如蜂窩式電話等,特別涉及能使用在發送和接收信號的天線共用器中的高頻器。
背景技術
最近在移動通信設備例如蜂窩式電話等方面注意到了由于不希望有的靜電或者噪聲損壞內部電路的危險。
在日本專利公開申請號中揭示測量情況,如在圖8中所示,為保護開關電路2,在天線端子1與開關電路2之間連接了由電容器Co和電感器Lo構成的高通濾波器3。
移動通信設備例如蜂窩式電話等目前每年都為縮小尺寸取得迅速進展,在本文中要求為裝在設備內部的尺寸縮小的器件。
以上敘述的高通濾波器3必須被更換為有多級形式電容器Co和電感器Lo,以提供具有較大的通頻帶外的衰減。然而,為提供具有大的通頻帶外衰減的高通濾波器3,當引入多級形式的電容器Co和電感器Lo時,必須同意不僅接受增加的插入損耗還同樣在尺寸上是大型器件的這些不利條件。
另外,如果有接近于信號通頻帶這些頻率的高壓噪聲,因此能穿過高通濾波器3侵入進例如移動通信設備,靜電或高電壓噪聲將直接侵入進連接到天線端子1的開關電路2,以造成毀壞移動通信設備的事件。
本發明的目的在于提供高頻器件能保護連接到天線端子1的后級的電路器件,防止可能有接近于信號通頻帶這些頻率的高壓噪聲。

發明內容
本發明的目的在于上述已敘述過的用途,在本發明中提供的高頻器件有下述配置,包括(a)天線終端;(b)連接到天線終端的天線共用器;
(c)連接到天線共用器的多個開關;(d)連接到這些開關的SAW(表面聲波)濾波器和低通濾波器,其中這些開關是提供有二極管,和在天線端子與二極管之間連接的可變電阻器。
通過吸收穿過天線終端侵入的不希望有的靜電或者高壓噪聲,該配置能保護包含這些二極管的電路。


圖1說明在本發明的典型的具體實施方式
中使用的高頻器件的第一個電路。
圖2說明在本發明的典型的具體實施方式
中使用的高頻器件的第二個電路。
圖3說明在本發明的典型的具體實施方式
中使用的高頻器件的第三個電路。
圖4說明在本發明的典型的具體實施方式
中使用的高頻器件的第四個電路。
圖5說明在本發明的典型的具體實施方式
中使用的高頻器件的剖面圖。
圖6說明在本發明的典型的具體實施方式
中使用的高頻器件的平面圖。
圖7說明在本發明的典型的具體實施方式
中使用的另一種高頻器件的剖面圖。
圖8說明常規的高頻器件的電路圖。
具體實施例方式
(典型的具體實施方式
1)圖1說明在本發明中使用的高頻器的第一個布線圖。例如,遵照用于數字電話的歐洲標準,GSM/DCS(全球移動通信系統/數字蜂窩式通信系統)的雙頻帶蜂窩式電話系統的天線共用器中可以使用這種電路。
在圖1中,天線共用器(此后稱為DIP)11連接到天線端子10用于GSM和DCS頻帶的多路分解或者多路復用頻率的工作。
標志A的電路部分處理GSM頻帶的頻率和標志B的電路部分處理DCS頻帶的頻率。在各自的電路A和B中,這些開關(此后稱為SW)13和14對有關DIP(天線共用器)11選擇發送或者接收信號。
SW13和14是連接到低通濾波器(此后稱為LPF)15和16,以清除掉在發送信號中的高次諧波,并連接到SAW濾波器17和18。
濾波器15、16、17和18分別連接到端子19、20、21和22。在圖1中未展示,SW13提供有一些二極管。可變電阻器70的第一個端子是連接在天線端子10與DIP11之間。可變電阻器的第二個端連接到接地端子24。
(典型的具體實施方式
2)圖2說明在本發明中使用的高頻器件的第二個布線圖。與圖1以方框圖形式展示的電路不同,圖2以具體圖形式展示了開關電路13。
例如,遵照用于數字電話的歐洲標準,GSM/DCS(全球數字移動通信系統/數字蜂窩式通信系統)的雙頻帶蜂窩式電話系統的天線共用器中可以使用這種電路。
在圖2中,DIP11連接到天線端子10用于GSM頻帶和DCS頻帶的多路分解或者多路復用頻率的工作。
標志A的電路部分處理GSM頻帶的頻率和標志B的電路部分處理DCS頻帶的頻率。在各自的電路A和B中,SW13和14選擇用于DIP11的發送或者接收信號。
SW13和14是連接到LPF15和16,以清除掉在傳輸信號中的高次諧波,并連接到各自具有專用通頻帶的SAW濾波器17和18。
濾波器15、16、17和18是分別連接到端子19、20、21和22。
SW13具有下述結構,包括(a)二極管40和電感器41是串聯連接在天線端子10與端子33之間的連接路線;(b)串聯電路由電感器42和電容器43構成并是與二極管40并聯連接,電容器44是并聯連接在電感器41與端子23之間;(c)電感器45是串聯連接在天線端子10與SAW濾波器17之間,并是與由電容器46、二極管47、電容器48和電感器45構成的電路并聯連接;(d)可變電阻器80的第一個端頭連接在二極管40與電感器45之間,換句話講,可變電阻器80是連接在天線端子10和二極管40與二極管47和SAW濾波器17之間;和(e)可變電阻器80的第二個端頭連接到接地端子33。
(典型的具體實施方式
3)圖3說明在本發明的典型具體實施方式
中,使用的高頻器件的第三個電路。與圖2的不同,圖3展示天線共用器(DIP)11的具體電路圖。
例如,遵照用于數字電話的歐洲標準,GSM/DCS(全球移動通信系統/數字蜂窩式通信系統)的雙頻帶蜂窩式電話系統的天線共用器中可以使用這種電路。
在圖3中,DIP11連接到天線端子10用于GSM頻帶和DCS頻帶的多路分解或者多路復用頻率的工作。
在圖3中標志A的電路部分處理GSM頻帶的頻率,和標志B的電路部分處理DCS頻帶的頻率。在各自的A和B電路中,SW13和14選擇用于DIP11發送或接收信號。
SW13和14連接到LPF15和16,以清除掉發送信號中的諧波成分,并連接到有各自的專用通頻帶的SAW濾波器17和18。
濾波器15、16、17和18分別連接到端子19、20、21和22。
在GSM電路側,從天線端子10觀察,DIP11有串聯連接的電感器30,和電容器31和可變電阻器32并聯連接在天線端子10與SW13之間。
在DCS電路側,從天線端子10觀察,DIP11有在天線端子10與SW14之間串聯連接的電容器34和35,有在電容器34和35之間并聯連接的電容器37和電感器36構成的串聯電路。可變電阻器32的另一個端頭連接到接地端子33。
SW13有在天線端子10與端子23之間串聯連接的二極管40和電感器41,并有與二極管40并聯連接的電感器42和電容器43構成的串聯電路,和有在電感器41與端子23之間并聯連接的電容器44。而且,電感器是串聯連接在天線端子10與SAW濾波器17之間,由電容器46、二極管47、電容器48和電感器49構成的電路是與SAW17并聯連接。電容器50連接在二極管40與電感器45之間。
(典型的具體實施方式
4)圖4說明在本發明的典型的具體實施方式
中使用的高頻器件的第四個電路。例如,遵照用于數字電話的歐洲標準,GSM/DCS(全球移動通信系統/數字蜂窩式通信系統)的雙頻帶蜂窩式電話系統的天線共用器中可以使用這種電路。
展示的電路大致相同于典型的具體實施方式
3,圖4不同于圖3,在于對天線端子10以最接近的位置展示所提供的可變電阻器32。
在圖4中,天線共用器(DIP)11連接到天線接端10用于GSM頻帶和DCS頻帶的多路分解和多路復用頻率的工作。
在圖4中標志A的電路部分處理GSM頻帶的頻率,和標志B的電路部分處理DCS頻帶的頻率。在A和B的各自電路中,SW13和14扮演將DIP11的信號切換為發送或者接收的角色。SW13和14有低通濾波器(LPF)15和16連接以清除掉在發送信號中的諧波成分,并連接到有各自的專用通頻帶的SAW濾波器17和18。
濾波器15、16、17和18分別地連接到端子19、20、21和22。
在GSM電路側,從天線端子10觀察,DIP 11有串聯連接的電感器30,在天線端子10與SW13之間,有并聯連接的電容器31a和31b和可變電阻器32。
在DCS電路側,從天線端子10觀察,DIP11有在天線端子10與SW14之間串聯連接的電容器34和35,并有在電容器34和35之間并聯連接的電感器36和電容器37構成的串聯電路。可變電阻器32的末端和電容器31b的末端連接到接地端子33和38。
SW13有類似于圖3的配置,由此的敘述就省略了。
而且,在用于對GSM側發送或者接收信號的部分,DIP11有可變電阻器32和電容器31b,它們的其它末端連接到接地端子33和38,如圖4的電路所示。在這樣的電路配置中,在用于對GSM側發送和接收信號的部分中,有多個元件的可變電阻器32或者電容器31b,其它端連接到接地端子33或38,應該在對天線端子10較接近的位置提供可變電阻器32,以更快地清除掉高壓噪聲。
在圖4中展示的可變電阻器32,作為在正常運行中的電容器來工作的。當考慮到靜電電容時。可以設計具有小的插入損耗的高頻器件。
另外,雖然作為GSM/DCS雙頻帶系統的應用是作為例子來敘述的,本發明的范圍是不限制在例子之內的。但是,與天線端子并聯應用的可變電阻器和連接到天線端子的電路可能同樣起作用,例如,在單頻帶系統或甚至三頻帶系統,只需要對穿過天線端子侵入的高壓噪聲測量。
(典型的具體實施方式
5)圖5說明在本發明的典型的具體實施方式
中使用的高頻器件的剖面圖。
目前,在本發明中揭示高頻器件是參照到圖3、4和5來敘述的。
首先在圖5中,多層陶瓷基底60有陶瓷層62和導電圖形63多層交替的結構。該配置提供天線端子10、SW13(除去二極管64之外)和14,在外部表面上(未圖示)或者內部地形成LPF15和16。
除去可變電阻器32和電感器36的部分之外,DIP11是在多層陶瓷基底60的內部形成的。二極管64、SAW濾波器65和由可變電阻器32和電感器36構成的多層復合器件61是在多層陶瓷基底60的外表面上形成的,實地應用在圖4展示的電路。
有陶瓷層66和內部電極層67的多層復合器件61多層交替地有外部端子施加在兩端表面,由具有不超過30的比較小的相對介電常數的陶瓷層構成的可變電阻器32,是從由專用氧化鋅作為主成分和硅化合物作為輔助成分加入而構成的可變電阻器材料來形成的。
內部電極層67是由金屬來形成的,例如或者具有低導電系數的富銀化合物。
采用的配置能提供具有極高質量的可變電阻器32,不僅具有被抑制在不超過3pF的低值中的靜電電容,并且同樣在從-10到75度(攝氏)的溫度范圍之下在靜電電容方面的變化系數限制在+/-0.1%之內。
可變電阻器,在正常運行中起到如同電容器的作用,當靜電或者高壓噪聲穿過天線端子侵入時,可變電阻器就執行它原來的功能同時清除掉靜電或者高壓噪聲。
換句話講,依據靜電或者高壓噪聲穿過天線端子10的侵入,首先可變電阻器32從器件清除掉高壓噪聲并將原始正常信號發送到SW13。
因為二極管40、70和SAW濾波器17被確定受到不希望的靜電或高壓噪聲而在特性方面容易惡化,被可靠地保護免受不希望有的靜電或者高壓噪聲的影響后高頻器件能具有優佳的可靠性。
在這種情況中,連接在天線端子10與DIP11之間的可變電阻器可以作為用于靜電或者高壓噪聲的措施。然而,當可變電阻器32在溫度變動下在靜電電容方面有大的變量或者有大數值的靜電時可變電阻器32與構成高頻器件的其他電路匹配中發生許多困難。由于極差的匹配條件引起的大的插入損耗,高頻器件在性能方面惡化。
然后,在典型的具體實施方式
5的配置中,因為可變電阻器32是被允許同樣作為電容器起作用,從而設計的器件使可變電阻器的靜電電容考慮到對其他電路產生良好的匹配條件。
當然,該配置能提供具有極小的插入損耗的高頻器件,清除掉存儲的靜電和高壓噪聲。
而且,多層陶瓷基底60可以用有助于減小器件尺寸來減少元件數量的方法來形成,因為可變電阻器32,同樣作為電容器來工作,電感器36是裝入單個多層元件里。
另外,在典型的具體實施方式
5中所揭示的高頻器件中,可變電阻器32是僅提供在有大約900MHz的通頻帶頻率的GSM電路側,而不提供在有大約1.8GHz通頻帶頻率的DCS電路側。其原因取決于天線共用器(DIP)11的電路配置。即,由電感器36和電容器34構成的高通濾波器是提供在對在DCS電路側中最接近天線端子10的位置。這種配置意味著大約500MHz正常頻率等級的低頻高壓噪聲能不侵入這個電路。
在當高通濾波器不是提供在最接近天線端子10的位置時的情況,可變電阻器最好應該是并聯連接,使靜電電容考慮為類似于GSM電路側。
另外,包括SAW濾波器17和18的SAW濾波器65裝入單個封裝。
(典型的具體實施方式
6)圖6說明在本發明中揭示的高頻器件平面圖。尤其,可變電阻器32有新設計的結構。即,多層陶瓷基底60被熱處理過后,在進一步印制端子之后形成可變電阻器32,用可變電阻器材料(在典型的具體實施方式
5中敘述過的)在多層陶瓷基底560的表面上印制而成可變電阻器32。
該配置,與在典型具體實施方式
5中敘述的多層元件不同,可以制成具有低斷面的高頻器件并可以有助于移動通信設備的尺寸縮小。
(典型的具體實施方式
7)圖7說明在本發明中揭示的另一種高頻器件的剖面圖。高頻器件是以可變電阻器32的結構為特征的。即,多層陶瓷基底60有陶瓷層62和導電圖案63多層迭合在一起的結構,并有天線端子10、DIP11、SW13和14,加在內部的或者在底板的外表面上的LPF15和16。同時,由可變電阻器材料和內部電極層67構成的陶瓷層66是多層的以形成在多層陶瓷基底60的內部的可變電阻器32,如同在圖7中所示。
當與在典型的具體實施方式
5和圖5中敘述的高頻器件相比較時,該配置可以產生具有低斷面的高頻器件,并可以有助于移動通信設備的尺寸縮小。另外,因為可變電阻器在多層陶瓷基底60形成之后不必很麻煩地去形成,因此該裝置有極佳的生產性。
工業應用性如上所述,揭示的發明可以提供高頻器件,能可靠地保護高頻器件本身和在后級上的其他電路,防止可能有接近于高頻帶頻率的這些頻率的高壓噪聲穿過天線終端而侵入。
而且,該高頻器件具有能夠抑制低值的插入損耗,使可變電阻器用作常規情況下的電容。
即,在這個發明中揭示的高頻器件可以保護連接到該裝置的這些電路,如同可變電阻器吸收穿過天線終端而侵入的高壓噪聲,其中可變電阻器是被連接到在天線終端與二極管之間的連接路線上,兩者都是這個發明的配置元件。
按照這個發明的一個方面,高頻器件可以更可靠地保護這些電路,如同可變電阻器是連接到在天線終端與天線共用器之間的連接路線上,兩者都是這個發明的配置元件。
按照這個發明的另一個方面,高頻器件可以保護包括一些二極管的這些電路,因為在高頻器件的天線共用器中所提供的可變電阻器吸收不希望有的靜電或者穿過天線終端侵入的高壓噪聲。
按照這個發明的另一個方面,高頻器件可以是用低斷面生產的并展示所敘述的電性能,因為高頻器件有安裝在基底上的多層復合器件的結構,其中陶瓷層和導電層是交替多層的,以形成在天線共用器和可變電阻器中所提供的電感器而構成的多層復合器件。
按照這個發明的另一個方面,高頻器件可以更可靠地清除掉靜電或者高壓噪聲,因為有可變電阻器和電容器連接到接地端子的天線共用器,可變電阻器是連接到在天線終端與二極管之間較近天線終端的位置處。
按照這個發明的一個方面,高頻器件可以保護連接到天線終端的電路器件,因為可變電阻器是安裝在有許多功能的多層陶瓷基底的表面上,并能僅通過單個元件本身吸收穿過天線終端侵入的高壓噪聲或者靜電。
同樣還按照這個發明的一個方面,高頻器件可以用低斷面生產的并能有助于移動通信設備的尺寸縮小,因為可變電阻器元件是在印制中形成在有許多功能的多層陶瓷基底的表面上。
同樣還按照這個發明的一個方面,高頻器件能展示具有在靜電電容方面低變動系數和以低值抑制的插入損耗的穩定性能,作為使用的可變電阻器在從-10到75度攝低的溫度范圍下在靜電電容方面的變動系數在+/-0.1%之內。
同樣還按照這個發明的一個方面,由于靜電電容引起的高頻器件的性能方面的惡化可以被抑制在低數值中,因為使用的可變電阻器材料具有不超過30的相對介質常數,能提供具有不超過3pF的靜電電容的可變電阻器。
按照這個發明的另一個方面,高頻器件可以用低斷面生產,因為使用的可變電阻器是由氧化鋅作為主成分和加入的硅化合物作為輔助成分來形成,能提供具有不超過3pF的靜電電容的可變電阻器。
按照本發明的另一個方面,高頻器件可以有抑制在低值的插入損耗,因為銀有低導電系數是用作為主要成分去形成可變電阻器,其中高頻器件有由氧化鋅作為主成分和內部電極層構成的陶瓷層結構,或者可變電阻器由銀作為主成分、多層交替地構成的。
權利要求
1.一種高頻器件,其特征在于,包括(a)天線終端;(b)連接到天線終端的天線共用器;(c)連接到天線共用器的多個開關;和(d)連接到開關的SAW濾波器和低通濾波器,其中開關是用二極管提供的,且可變電阻器是連接到在天線端子與兩極管之間的連接路線。
2.如權利要求1所述的高頻器件,其特征在于,可變電阻器連接在天線共用器與天線終端之間。
3.如權利要求1所述的高頻器件,其特征在于,除了二極管之外開關還提供有可變電阻器。
4.如權利要求1所述的高頻器件,其特征在于,為天線共用器提供可變電阻器。
5.如權利要求1所述的高頻器件,其特征在于,陶瓷層和導電層多層交替地形成多層復合器件,被安裝在基底上,多層復合器件構成了天線共用器和可變電阻器中所提供的電感器。
6.如權利要求1所述的高頻器件,其特征在于,天線共用器有連接到接地終端的可變電阻器和電容器,并且可變電阻器是與二極管并聯連接到在天線終端與二極管之間對天線終端較近的位置中。
7.如權利要求1所述的高頻器件,其特征在于,可變電阻器是安裝在由導電圖形和陶瓷層多層在一起構成的多層陶瓷基底的表面上,以形成具有天線共用器、開關和低通濾波器的結構。
8.如權利要求1所述的高頻器件,其特征在于,可變電阻器是在印制中形成在由導電圖形和陶瓷層多層在一起構成的多層陶瓷基底的表面上,以形成具有天線共用器、開關和低通濾波器的結構。
9.如權利要求1所述的高頻器件,其特征在于,天線共用器、開關、低通濾波器和可變電阻器形成在由導電圖形和陶瓷層多層在一起構成的多層陶瓷基底上。
10.如權利要求1所述的高頻器件,其特征在于,可變電阻器在從-10到75度攝氏的溫度范圍下在靜電電容方面有變動系數在+/-0.1%之內。
11.如權利要求1所述的高頻器件,其特征在于,可變電阻器是由具有不超過30的相對介質常數的材料形成。
12.如權利要求1所述的高頻器件,其特征在于,可變電阻器是由氧化鋅作為主成分和加入硅化合物作為輔助成分而形成。
13.如權利要求1所述的高頻器件,其特征在于,可變電阻器是氧化鋅作為主成分構成的陶瓷層和由銀作為主成分構成的內部電極層交錯多層在一起來形成的。
全文摘要
一種高頻器件能保護連接到天線終端的電路,以防止可能侵入的靜電或高壓噪聲。天線共用器11連接到天線終端10,執行用于GSM和DCS頻帶的多路分解或多路復用頻率。對于GSM和DCS頻帶處理頻率的這些電路有開關13和14分別用于天線共用器11切換發送或者接收信號。開關13和14是分別地連接到低通濾波器去清除掉發送信號中的高階諧波,并是連接到有各自專用通頻帶的SAW濾波器17和18。濾波器15、16、17和18是分別連接到端子19、20、21和22。而且,可變電阻器32的第一端是連接在天線終端10與天線共用器11之間而可變電阻器32的第二端是連接到接地端子24。
文檔編號H04B1/52GK1484892SQ02803480
公開日2004年3月24日 申請日期2002年9月20日 優先權日2001年9月21日
發明者鈴木孝太郎, 佐佐木理穗, 大森吉晴, 晴, 理穗 申請人:松下電器產業株式會社
網友詢問留言 已有0條留言
  • 還沒有人留言評論。精彩留言會獲得點贊!
1