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一種電磁爐加熱線盤的制作方法

文(wen)檔(dang)序號(hao):8734168閱讀:405來源:國知局
一種電磁爐加熱線盤的制作方法
【技術領域】
[0001]本實用新型涉及到一種電磁爐加熱線盤。
【背景技術】
[0002]電磁爐又被稱為電磁灶,其原理是磁場感應渦流加熱。即利用電流通過加熱線盤產生磁場,當磁場內磁力線通過鐵質鍋的底部時,磁力線被切割,從而產生無數小渦流,使鐵質鍋自身的鐵原子高速旋轉并產生碰撞磨擦生熱而直接加熱于鍋內的食物。
[0003]加熱線盤是由導體線束自內向外盤繞于線圈盤支架上而形成的,加熱線盤的好壞對電磁爐的性能具有決定性的影響。傳統加熱線盤的各個位置的都是導體線束都是相同的,該種方法制成的加熱線盤會導致電磁爐中心的磁場較弱,加熱不夠均勻。

【發明內容】

[0004]本實用新型的目的是提出一種磁場均勻的電磁爐加熱線盤。
[0005]本實用新型的電磁爐加熱線盤由導體線束自內向外盤繞于線圈盤支架上而形成,關鍵在于所述線圈盤支架由內支架和環繞于內支架外部的外支架構成,所述內支架上的導體線束的截面面積的總和大于外支架上的導體線束的截面面積的總和。電磁爐加熱線盤所產生的磁場的強度是由導體線束的截面面積的總和所決定的,導體線束的截面面積的總和越大,其產生的磁場強度也就越大。根據上述原理,本實用新型將線圈盤支架分為內支架和外支架兩部分,并使內支架上的導體線束的截面面積的總和大于外支架上的導體線束的截面面積的總和,從而增強了電磁爐中心的磁場強度,使得電磁爐的磁場強度更加均勻。
[0006]進一步地,所述內支架和外支架上的導體線束均繞成多層,以提高單位面積的功率,從而減少電磁爐加熱線盤所占的面積。
[0007]具體來說,所述內支架上的導體線束為2?5層,且每層的導體線束繞6?9圈;所述外支架上的導體線束為I?3層,且每層的導體線束繞5?8圈。
[0008]本實用新型的電磁爐加熱線盤通過改變導體線束的繞制方法,增強了電磁爐中心的磁場強度,使得電磁爐的磁場強度更加均勻,具有很好的實用性。
【附圖說明】
[0009]圖1是本實用新型的電磁爐加熱線盤的截面圖。
【具體實施方式】
[0010]下面對照附圖,通過對實施實例的描述,對本實用新型的【具體實施方式】如所涉及的各構件的形狀、構造、各部分之間的相互位置及連接關系、各部分的作用及工作原理等作進一步的詳細說明。
[0011]實施例1:
[0012]如圖所示,本實施例的電磁爐加熱線盤由導體線束3自內向外盤繞于線圈盤支架上而形成,關鍵在于所述線圈盤支架由內支架I和環繞于內支架I外部的外支架2構成,所述內支架I上的導體線束3的截面面積的總和大于外支架2上的導體線束3的截面面積的總和。
[0013]具體來說,所述內支架I上的導體線束3為4層,且每層的導體線束3繞6圈;所述外支架2上的導體線束3為2層,且每層的導體線束3繞5圈,以提高單位面積的功率,從而減少電磁爐加熱線盤所占的面積。
[0014]電磁爐加熱線盤所產生的磁場的強度是由該位置導體線束3的截面面積的總和所決定的,導體線束3的截面面積的總和越大,該位置所產生的磁場強度也就越大。根據上述原理,本實用新型將線圈盤支架分為內支架I和外支架2兩部分,并使內支架I上的導體線束3的截面面積的總和大于外支架2上的導體線束3的截面面積的總和,從而增強了電磁爐中心的磁場強度,使得電磁爐的磁場強度更加均勻。
【主權項】
1.一種電磁爐加熱線盤,由導體線束自內向外盤繞于線圈盤支架上而形成,其特征在于所述線圈盤支架由內支架和環繞于內支架外部的外支架構成,所述內支架上的導體線束的截面面積的總和大于外支架上的導體線束的截面面積的總和。
2.根據權利要求1所述的電磁爐加熱線盤,其特征在于所述內支架和外支架上的導體線束均繞成多層。
3.根據權利要求2所述的電磁爐加熱線盤,其特征在于所述內支架上的導體線束為2?5層,且每層的導體線束繞6?9圈;所述外支架上的導體線束為I?3層,且每層的導體線束繞5?8圈。
【專利摘要】本實用新型的目的是提出一種磁場均勻的電磁爐加熱線盤。本實用新型的電磁爐加熱線盤由導體線束自內向外盤繞于線圈盤支架上而形成,關鍵在于所述線圈盤支架由內支架和環繞于內支架外部的外支架構成,所述內支架上的導體線束的截面面積的總和大于外支架上的導體線束的截面面積的總和。電磁爐加熱線盤所產生的磁場的強度是由導體線束的截面面積的總和所決定的,導體線束的截面面積的總和越大,其產生的磁場強度也就越大。根據上述原理,本實用新型將線圈盤支架分為內支架和外支架兩部分,并使內支架上的導體線束的截面面積的總和大于外支架上的導體線束的截面面積的總和,從而增強了電磁爐中心的磁場強度,使得電磁爐的磁場強度更加均勻。
【IPC分類】F24C7-06, H05B6-40
【公開號】CN204442732
【申請號】CN201420855814
【發明人】阮保清, 池關可
【申請人】阮保清
【公開日】2015年7月1日
【申請日】2014年12月30日
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