一種基于線性度處理電路的增益放大型溫度檢測系統的制作方法
【專利摘要】本發明公開了一種基于線性度處理電路的增益放大型溫度檢測系統，其特征在于，主要由處理芯片U1，溫度傳感器U，與傳感器U相連接的增益放大電路，串接在增益放大電路和處理芯片U1的IN+管腳之間的基極觸發電路，正極順次經電阻R9和電阻R8后與處理芯片U1的V+管腳相連接、負極與處理芯片U1的BALANCE管腳相連接的電容C4等組成。本發明可以對溫度傳感器輸出的檢測信號進行放大處理，提高檢測信號的強度，從而使檢測信號更加容易識別、處理，如此則可以提高本發明對檢測信號處理的效率。
【專利說明】
一種基于線性度處理電路的増益放大型溫度檢測系統
技術領域
[0001]本發明涉及一種檢測系統，具體是指一種基于線性度處理電路的增益放大型溫度檢測系統。
【背景技術】
[0002]在工業生產過程和科研工作中，很多時候都需要對生產設備或者生產環境的溫度進行檢測并根據需求對溫度進行控制，從而提高生產效率和產品的質量。然而，現有的溫度檢測系統在對檢測信號處理時容易使檢測信號失真，從而導致其無法準確的檢測出溫度值，無法滿足生產需求。
【發明內容】
[0003]本發明的目的在于克服目前的溫度檢測系統在對檢測信號處理時容易使檢測信號失真的缺陷，提供一種基于線性度處理電路的增益放大型溫度檢測系統。
[0004]本發明的目的用以下技術方案實現:一種基于線性度處理電路的增益放大型溫度檢測系統，主要由處理芯片Ul，溫度傳感器U，與傳感器U相連接的增益放大電路，串接在增益放大電路和處理芯片Ul的IN+管腳之間的基極觸發電路，正極順次經電阻R9和電阻R8后與處理芯片Ul的V+管腳相連接、負極與處理芯片Ul的BALANCE管腳相連接的電容C4，串接在處理芯片Ul的BALANCE管腳和BAL管腳之間的電阻RlO，正極與處理芯片Ul的BAL管腳相連接、負極則與處理芯片Ul的GND管腳相連接的同時接地的電容C5，負極接地、正極經電阻R6后與處理芯片Ul的IN-管腳相連接的電容C3，與處理芯片Ul的OUT管腳相連接的線性度處理電路，以及與線性度處理電路相連接的射極輸出電路組成;所述處理芯片Ul的V-管腳與電容C3的正極相連接;所述電阻R8和電阻R9的連接點與基極觸發電路相連接的同時接電源。
[0005]進一步的，所述增益放大電路由放大器P2，放大器P3，放大器P4，三極管VT8，串接在放大器P2的負極和放大器P3的正極之間的電位器Rl 7，一端與放大器P2的輸出端相連接、另一端則與電位器R17的控制端相連接的電阻R19，P極經電阻R20后與放大器P2的輸出端相連接、N極與放大器P4的輸出端相連接的二極管D5，串接在二極管D5的P極和放大器P4的正極之間的電阻R21，串接在放大器P3的負極和輸出端之間的電阻Rl8，正極與放大器P3的輸出端相連接、負極與三極管VT8的基極相連接的電容C8，以及正極與三極管VT8的發射極相連接、負極接地的電容C9組成;所述放大器P3的負極接地;所述放大器P4的負極與三極管VT8的集電極相連接、其輸出端作為該增益放大電路的輸出端并與基極觸發電路相連接;所述放大器P2的正極作為該增益放大電路的輸入端并與溫度傳感器U的信號輸出端相連接。
[0006]所述線性度處理電路由三極管VT4，三極管VT5，三極管VT6，三極管VT7，放大器Pl，正極經電阻R12后與三極管VT4的發射極相連接、負極經電位器R13后與三極管VT6的集電極相連接的電容C7，串接在三極管VT7的集電極和放大器PI的負極之間的電阻Rl 4，以及N極經電阻R16后接地、P極經電阻R15后與三極管VT6的集電極相連接的二極管D4組成;所述電容C7的正極接地、其負極則與電位器R13的控制端相連接;所述三極管VT4的基極作為該線性度處理電路的輸入端并與處理芯片Ul的OUT管腳相連接、其集電極則與三極管VT5的基極相連接;所述三極管VT7的發射極與三極管VT5的發射極相連接的同時接地、其基極則與三極管VT6的發射極相連接;所述三極管VT6的基極與三極管VT5的集電極相連接;所述放大器Pl的正極與二極管D4的N極相連接、其輸出端作為該線性度處理電路的輸出端并與射極輸出電路相連接。
[0007]所述基極觸發電路由三極管VTl，三極管VT2，場效應管M0S，正極與三極管VTl的發射極相連接、負極順次經電阻R2和電阻R7后與處理芯片Ul的IN+管腳相連接的電容Cl，N極經電阻R5后與場效應管MOS的漏極相連接、P極順次經電容C2和電阻Rl后與三極管VT2的發射極相連接的二極管D2，P極與二極管D2的P極相連接的同時接地、N極經電阻R4后與場效應管MOS的源極相連接的二極管Dl，以及串接在三極管VT2的集電極和場效應管MOS的柵極之間的電阻R3組成;所述三極管VTI的基極與增益放大電路的輸出端相連接、其集電極則與三極管VT2的基極相連接;所述場效應管MOS的漏極與電阻R8和電阻R9的連接點相連接。
[0008]所述射極輸出電路由放大器P，三極管VT3，P極與線性度處理電路的輸出端相連接、N極與放大器P的正極相連接的二極管D3，串接在二極管03的~極和三極管VT3的基極之間的電阻Rll，以及正極與放大器P的輸出端相連接、負極作為該射極輸出電路的輸出端的電容C6組成;所述放大器P的負極接地、其輸出端與三極管VT3的發射極相連接;所述三極管VT3的集電極接地。
[0009]所述處理芯片Ul為LM311集成芯片。
[0010]本發明與現有技術相比，具有以下優點及有益效果:
[0011](I)本發明可以對檢測信號的頻率進行處理，使檢測信號的頻率更加穩定，從而可以使輸入的檢測信號的波形與輸出的檢測信號的波形相同，保持檢測信號的保真度，避免信號失真而影響溫度檢測精度。
[0012](2)本發明可以提高檢測信號的線性度，使檢測信號更加穩定，從而減小本發明的檢測誤差。
[0013](3)本發明可以對溫度傳感器輸出的檢測信號進行放大處理，提高檢測信號的強度，從而使檢測信號更加容易識別、處理，如此則可以提高本發明對檢測信號處理的效率。
【附圖說明】
[0014]圖1為本發明的整體結構示意圖。
[0015]圖2為本發明的線性度處理電路結構圖。
[0016]圖3為本發明的增益放大電路的結構圖。
【具體實施方式】
[0017]下面結合具體實施例對本發明作進一步地詳細說明，但本發明的實施方式不限于此。
[0018]實施例
[0019]如圖1所示，本發明主要由處理芯片Ul，溫度傳感器U，與傳感器U相連接的增益放大電路，串接在增益放大電路和處理芯片UI的IN+管腳之間的基極觸發電路，正極順次經電阻R9和電阻R8后與處理芯片Ul的V+管腳相連接、負極與處理芯片Ul的BALANCE管腳相連接的電容C4，串接在處理芯片Ul的BALANCE管腳和BAL管腳之間的電阻R10，正極與處理芯片Ul的BAL管腳相連接、負極則與處理芯片Ul的GND管腳相連接的同時接地的電容C5，負極接地、正極經電阻R6后與處理芯片Ul的IN-管腳相連接的電容C3，與處理芯片Ul的OUT管腳相連接的線性度處理電路，以及與線性度處理電路相連接的射極輸出電路組成。
[0020]所述處理芯片Ul的V-管腳與電容C3的正極相連接;所述電阻R8和電阻R9的連接點與基極觸發電路相連接的同時接電源。為了更好的實施本發明，所述處理芯片Ul優選LM311集成芯片來實現。該溫度傳感器U則采用北京九純健科技發展有限公司生產的JCJ100ZGF溫度傳感器來實現。
[0021 ]進一步的，基極觸發電路由三極管VTl，三極管VT2，場效應管MOS，電阻Rl，電阻R2，電阻R3，電阻R4，電阻R5，電阻R7，電容Cl，電容C2，二極管Dl以及二極管D2組成。
[0022]連接時，電容Cl的正極與三極管VTl的發射極相連接、其負極順次經電阻R2和電阻R7后與處理芯片Ul的IN+管腳相連接。二極管02的_及經電阻R5后與場效應管MOS的漏極相連接、其P極與電容C2的負極相連接。該電容C2的正極則經電阻Rl后與三極管VT2的發射極相連接。二極管Dl的P極與二極管D2的P極相連接的同時接地、其N極經電阻R4后與場效應管MOS的源極相連接。電阻R3串接在三極管VT2的集電極和場效應管MOS的柵極之間。
[0023]同時，所述三極管VTl的基極與增益放大電路的輸出端相連接、其集電極則與三極管VT2的基極相連接。所述場效應管MOS的漏極與電阻R8和電阻R9的連接點相連接。
[0024]另外，所述射極輸出電路由放大器P，三極管VT3，電阻RlI，二極管D3以及電容C6組成。二極管D3的P極與線性度處理電路的輸出端相連接、其N極與放大器P的正極相連接。電阻RlI串接在二極管03的~極和三極管VT3的基極之間。電容C6的正極與放大器P的輸出端相連接、其負極作為該射極輸出電路的輸出端并接外部顯示器。所述放大器P的負極接地、其輸出端與三極管VT3的發射極相連接;所述三極管VT3的集電極接地。
[0025]如圖2所示，所述線性度處理電路由三極管VT4，三極管VT5，三極管VT6，三極管VT7，放大器P1，電阻R12，電位器13，電阻R14，電阻R15，電阻R16，二極管D4以及電容C7組成。
[0026]連接時，電容C7的正極經電阻Rl2后與三極管VT4的發射極相連接、其負極經電位器R13后與三極管VT6的集電極相連接。電阻R14串接在三極管VT7的集電極和放大器Pl的負極之間。二極管D4的N極經電阻R16后接地、其P極經電阻R15后與三極管VT6的集電極相連接。
[0027]所述電容C7的正極接地、其負極則與電位器Rl3的控制端相連接。所述三極管VT4的基極作為該線性度處理電路的輸入端并與處理芯片Ul的OUT管腳相連接、其集電極則與三極管VT5的基極相連接。所述三極管VT7的發射極與三極管VT5的發射極相連接的同時接地、其基極則與三極管VT6的發射極相連接。所述三極管VT6的基極與三極管VT5的集電極相連接。所述放大器Pl的正極與二極管D4的N極相連接、其輸出端作為該線性度處理電路的輸出端并與二極管D3的P極相連接。
[0028]如圖3所示，所述增益放大電路由放大器P2，放大器P3，放大器P4，三極管VT8，電位器Rl 7，電阻Rl8，電阻Rl9，電阻R20，電阻R21，電容C8，電容C9以及二極管D5組成。
[0029 ]電位器Rl 7串接在放大器P2的負極和放大器P3的正極之間。電阻Rl 9的一端與放大器P2的輸出端相連接、其另一端則與電位器R17的控制端相連接。二極管D5的P極經電阻R20后與放大器P2的輸出端相連接、其N極與放大器P4的輸出端相連接。電阻R21串接在二極管D5的P極和放大器P4的正極之間。電阻R18串接在放大器P3的負極和輸出端之間。電容C8的正極與放大器P3的輸出端相連接、其負極與三極管VT8的基極相連接。電容C9的正極與三極管VT8的發射極相連接、其負極接地。
[0030]所述放大器P3的負極接地;所述放大器P4的負極與三極管VT8的集電極相連接、其輸出端作為該增益放大電路的輸出端并與三極管VTI的基極相連接;所述放大器P2的正極作為該增益放大電路的輸入端并與溫度傳感器U的信號輸出端相連接。
[0031]本發明可以對溫度傳感器輸出的檢測信號的頻率進行處理，使檢測信號的頻率更加穩定，從而可以使輸入的檢測信號的波形與輸出的檢測信號的波形相同，保持檢測信號的保真度，同時，本發明可以提高檢測信號的線性度，使檢測信號更加穩定，從而減小本發明的檢測誤差。本發明還可以對溫度傳感器輸出的檢測信號進行放大處理，提高檢測信號的強度，從而使檢測信號更加容易識別、處理，如此則可以提高本發明對檢測信號處理的效率。
[0032]如上所述，便可很好的實現本發明。
【主權項】
1.一種基于線性度處理電路的增益放大型溫度檢測系統，其特征在于，主要由處理芯片Ul，溫度傳感器U，與傳感器U相連接的增益放大電路，串接在增益放大電路和處理芯片Ul的IN+管腳之間的基極觸發電路，正極順次經電阻R9和電阻R8后與處理芯片Ul的V+管腳相連接、負極與處理芯片Ul的BALANCE管腳相連接的電容C4，串接在處理芯片Ul的BALANCE管腳和BAL管腳之間的電阻R10，正極與處理芯片Ul的BAL管腳相連接、負極則與處理芯片Ul的GND管腳相連接的同時接地的電容C5，負極接地、正極經電阻R6后與處理芯片Ul的IN-管腳相連接的電容C3，與處理芯片Ul的OUT管腳相連接的線性度處理電路，以及與線性度處理電路相連接的射極輸出電路組成;所述處理芯片Ul的V-管腳與電容C3的正極相連接;所述電阻R8和電阻R9的連接點與基極觸發電路相連接的同時接電源。2.根據權利要求1所述的一種基于線性度處理電路的增益放大型溫度檢測系統，其特征在于:所述增益放大電路由放大器P2，放大器P3，放大器P4，三極管VT8，串接在放大器P2的負極和放大器P 3的正極之間的電位器R17，一端與放大器P 2的輸出端相連接、另一端則與電位器R17的控制端相連接的電阻R19，P極經電阻R20后與放大器P2的輸出端相連接、N極與放大器P4的輸出端相連接的二極管D5，串接在二極管D5的P極和放大器P4的正極之間的電阻R21，串接在放大器P3的負極和輸出端之間的電阻Rl8，正極與放大器P3的輸出端相連接、負極與三極管VT8的基極相連接的電容C8，以及正極與三極管VT8的發射極相連接、負極接地的電容C9組成;所述放大器P3的負極接地;所述放大器P4的負極與三極管VT8的集電極相連接、其輸出端作為該增益放大電路的輸出端并與基極觸發電路相連接;所述放大器P2的正極作為該增益放大電路的輸入端并與溫度傳感器U的信號輸出端相連接。3.根據權利要求2所述的一種基于線性度處理電路的增益放大型溫度檢測系統，其特征在于:所述線性度處理電路由三極管VT4，三極管VT5，三極管VT6，三極管VT7，放大器Pl，正極經電阻R12后與三極管VT4的發射極相連接、負極經電位器R13后與三極管VT6的集電極相連接的電容C7，串接在三極管VT7的集電極和放大器PI的負極之間的電阻Rl 4，以及N極經電阻R16后接地、P極經電阻R15后與三極管VT6的集電極相連接的二極管D4組成;所述電容C7的正極接地、其負極則與電位器R13的控制端相連接;所述三極管VT4的基極作為該線性度處理電路的輸入端并與處理芯片Ul的OUT管腳相連接、其集電極則與三極管VT5的基極相連接;所述三極管VT7的發射極與三極管VT5的發射極相連接的同時接地、其基極則與三極管VT6的發射極相連接;所述三極管VT6的基極與三極管VT5的集電極相連接;所述放大器Pl的正極與二極管D4的N極相連接、其輸出端作為該線性度處理電路的輸出端并與射極輸出電路相連接。4.根據權利要求3所述的一種基于線性度處理電路的增益放大型溫度檢測系統，其特征在于:所述基極觸發電路由三極管VTl，三極管VT2，場效應管MOS，正極與三極管VTl的發射極相連接、負極順次經電阻R2和電阻R7后與處理芯片Ul的IN+管腳相連接的電容Cl，N極經電阻R5后與場效應管MOS的漏極相連接、P極順次經電容C2和電阻Rl后與三極管VT2的發射極相連接的二極管D2，P極與二極管D2的P極相連接的同時接地、N極經電阻R4后與場效應管MOS的源極相連接的二極管Dl，以及串接在三極管VT2的集電極和場效應管MOS的柵極之間的電阻R3組成;所述三極管VTI的基極與增益放大電路的輸出端相連接、其集電極則與三極管VT2的基極相連接;所述場效應管MOS的漏極與電阻R8和電阻R9的連接點相連接。5.根據權利要求4所述的一種基于線性度處理電路的增益放大型溫度檢測系統，其特征在于:所述射極輸出電路由放大器P，三極管VT3，P極與線性度處理電路的輸出端相連接、N極與放大器P的正極相連接的二極管D3，串接在二極管03的~極和三極管VT3的基極之間的電阻Rll，以及正極與放大器P的輸出端相連接、負極作為該射極輸出電路的輸出端的電容C6組成;所述放大器P的負極接地、其輸出端與三極管VT3的發射極相連接;所述三極管VT3的集電極接地。6.根據權利要求5所述的一種基于線性度處理電路的增益放大型溫度檢測系統，其特征在于:所述處理芯片Ul為LM311集成芯片。
【文檔編號】G01K1/00GK105978503SQ201610437092
【公開日】2016年9月28日
【申請日】2016年6月15日
【發明人】不公告發明人
【申請人】成都特普瑞斯節能環保科技有限公司