用于彎曲對象的表面處理設備的制造方法
【技術領域】
[0001]本發明總體涉及一種表面處理設備，更具體地說，涉及一種用于彎曲對象的表面處理設備，其使用大氣壓等離子體并且可均勻地和可靠地處理彎曲對象的表面。
【背景技術】
[0002]通常，在諸如玻璃或膜的另一物質附著至對象之前或者在執行針對對象的另一處理之前常使用用于對象的表面處理。具體地說，廣泛使用利用大氣壓等離子體的表面處理方法，這是因為表面處理的成本可降低、在表面處理過程中不產生環境污染材料以及可獲得最可靠的表面處理效果。
[0003]利用大氣壓等離子體的表面處理是一種可滿意地處理目標對象的表面的技術，其處理方式是，大氣壓等離子體產生裝置產生等離子體，并僅越過設置在等離子體產生裝置下方的目標對象的暴露表面。
[0004]然而，雖然利用大氣壓等離子體的常規表面處理設備通過水平地移動目標對象或者表面處理設備本身可均勻地處理平坦的對象，但是存在難以均勻地處理彎曲對象的表面的問題。
[0005]此外，如果彎曲對象的曲率相對大或彎曲對象的彎曲凹陷相對深，則由利用大氣壓等離子體的表面處理設備產生的大量的等離子體不會均勻地到達目標對象的表面。在這種情況下，幾乎不可能處理目標對象的表面。

【發明內容】

[0006]因此，鑒于在現有技術中出現的以上問題，提出本發明，并且本發明的一個目的是提供一種用于彎曲對象的表面處理設備，其使用大氣壓等離子體，并可均勻和可靠地處理彎曲對象的表面。
[0007]為了實現以上目的，本發明提供了一種用于彎曲對象的表面處理設備，該設備包括:高電壓電極單元，其包括沿著向下凸的彎曲表面布置的多個桿形高電壓電極，所述彎曲表面的曲率對應于待處理的彎曲對象的曲率；殼體，其在與高電壓電極單元間隔開的位置覆蓋高電壓電極單元的上部；等離子體發射單元，其設置在殼體下部以下并接地，等離子體發射單元形成包圍高電壓電極單元的向下凸的彎曲表面，并放射狀地發射已穿過高電壓電極單元的等離子體；反應氣體供應單元，其安裝在殼體中，反應氣體供應單元將反應氣體供應至其中設置有高電壓電極單元的空間中；以及冷卻單元，其設置在殼體的中心部分中，冷卻單元被構造為按照冷卻劑循環通過冷卻單元的方式使殼體和高電壓電極單元冷卻。
[0008]桿形高電壓電極的每一個可包括:高電壓電極體，其設置在桿形高電壓電極的中心位置；以及外部介電對象，其設置成圍繞高電壓電極體的外表面，外部介電對象由具有預定厚度的陶瓷材料制成。
[0009]等離子體發射單元可以可拆卸的方式結合至殼體的下部，并具有按照規則間隔排列的多個等離子體發射孔。
[0010]表面處理設備還可包括設置在等離子體發射單元的下方的支承夾具。支承夾具的彎曲表面可對應于等離子體發射單元的彎曲表面，從而支承夾具與等離子體發射單元的下表面以恒定距離間隔開，其中待處理的彎曲對象布置在支承夾具上。
[0011]表面處理設備還可包括水平傳送裝置，其用于沿著對應于支承夾具的縱向的方向水平地傳送表面處理設備。
【附圖說明】
[0012]從以下結合附圖的詳細描述中，本發明的以上和其它目的、特點和優點將變得更加清楚地理解，其中:
[0013]圖1是示出根據本發明的實施例的用于彎曲對象的表面處理設備的剖視圖；
[0014]圖2是示出根據本發明的實施例的表面處理設備的操作的示圖；以及
[0015]圖3是示出根據本發明的實施例的表面處理設備的結構的透視圖。
【具體實施方式】
[0016]下文中，將參照附圖詳細地描述本發明的實施例。
[0017]如圖1所示，根據本發明的實施例的用于彎曲對象的表面處理設備I包括高電壓電極單元20、殼體10、等離子體發射單元30、反應氣體供應單元50和冷卻單元60。
[0018]如圖1所示，高電壓電極單元20包括沿著向下凸的彎曲表面布置的多個桿形高電壓電極20a至20g，所述彎曲表面的曲率對應于待處理的彎曲對象S的曲率。也就是說，不是包括單個高電壓電極的高電壓電極單元20以多個高電壓電極按照與待處理的彎曲對象的曲率相同的曲率布置的方式構造。
[0019]優選地，具有上述布置方式的高電壓電極20a至20g的每一個包括具有圓形截面的桿形高電壓電極，如圖1所示。這樣，因為各個高電壓電極包括桿形高電壓電極，所以即使高電壓電極以各種曲率布置，也可以相同密度發射大氣壓等離子體。各個高電壓電極的直徑和高電壓電極的數量可以各種方式改變。
[0020]在該實施例中，如圖1所示，桿形高電壓電極20a至20g的每一個優選地包括:高電壓電極體22a，布置在高電壓電極的中心位置；和外部介電質24a，由具有預定厚度的陶瓷制成，并布置圍繞高電壓電極體22a的外表面。在大氣壓等離子體處理工藝中，將高電壓功率施加至高電壓電極體以進行等離子體處理。
[0021]參照圖1，殼體10是在與高電壓電極單元20間隔開預定距離的位置覆蓋高電壓電極單元20的上部的元件。詳細地說，殼體10形成根據該實施例的彎曲對象表面處理設備I的整體形狀，并提供其中安裝其它元件的空間。
[0022]如圖1和圖3所示，等離子體發射單元30設置在殼體10的下部以下并形成包圍高電壓電極單元20的向下凸的彎曲表面。此外，等離子體發射單元30接地，并構造為放射狀地發射已穿過高電壓電極單元20的等離子體。換句話說，等離子體發射單元30是一種發射大氣壓等離子體的元件，并且其具有朝著待處理的彎曲對象S凸出的彎曲表面，并具有與彎曲對象S的曲率相同的曲率。
[0023]為此，如圖1和圖3所示，等離子體發射單元30在其整個表面上具有按照規則間隔布置的多個等離子體發射孔34。在該實施例中，如圖1所示，等離子體發射單元30的曲率與彎曲對象S的曲率相同，從而等離子體發射單元30與彎曲對象S之間的距離在整個區域上是不變的，因此使得彎曲對象S的均勻表面處理成為可能。
[0024]同時，在該實施例中，如圖1所示，等離子體發射單元30可分離地構造，以使得其可以可拆卸的方