本(ben)申請涉(she)及太(tai)陽能(neng)電(dian)池(chi)，具體涉(she)及一種電(dian)池(chi)組(zu)件及其制備方法、太(tai)陽能(neng)電(dian)池(chi)。

背景技術：

1、鈣鈦礦(kuang)(kuang)太陽能(neng)電池因(yin)為(wei)其潛(qian)在的高效率、低(di)成本(ben)優勢(shi)，作為(wei)第三代(dai)光(guang)伏技(ji)術備(bei)受關(guan)注。相對于晶硅太陽能(neng)電池，鈣鈦礦(kuang)(kuang)太陽能(neng)電池的大面積制(zhi)備(bei)工(gong)藝更加簡單(dan)高效。通(tong)常將鈣鈦礦(kuang)(kuang)太陽能(neng)電池劃分為(wei)電池單(dan)元(cell)，并采用(yong)串聯的方(fang)式將多個(ge)電池單(dan)元連接，實現功率輸出。

2、然而，由于各個電(dian)池單(dan)元(yuan)串聯(lian)拼接(jie)處(chu)為死(si)(si)區結(jie)構(gou)，死(si)(si)區結(jie)構(gou)無法進行光電(dian)轉(zhuan)換，導致鈣鈦礦太陽能電(dian)池的功率(lv)轉(zhuan)換效率(lv)(power?conversion?efficiency，pce)較(jiao)低。

技術實現思路

1、為了(le)解(jie)決上(shang)述問(wen)題(ti)，本申請(qing)實施(shi)例(li)提(ti)供(gong)一種電池組件及其(qi)制備方(fang)法(fa)、太陽能電池。

2、第(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)方面，本申請實施例提(ti)供一(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)種電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)池(chi)(chi)組件，包(bao)括(kuo)(kuo)：襯(chen)底；第(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)池(chi)(chi)單(dan)元(yuan)(yuan)(yuan)(yuan)(yuan)和(he)第(di)(di)(di)(di)二(er)(er)(er)(er)電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)池(chi)(chi)單(dan)元(yuan)(yuan)(yuan)(yuan)(yuan)，位于(yu)襯(chen)底的一(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)側(ce)，在(zai)逐漸遠離襯(chen)底的方向上，第(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)池(chi)(chi)單(dan)元(yuan)(yuan)(yuan)(yuan)(yuan)和(he)第(di)(di)(di)(di)二(er)(er)(er)(er)電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)池(chi)(chi)單(dan)元(yuan)(yuan)(yuan)(yuan)(yuan)包(bao)括(kuo)(kuo)依(yi)次疊層(ceng)(ceng)設置的第(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)極(ji)層(ceng)(ceng)、功能(neng)層(ceng)(ceng)和(he)第(di)(di)(di)(di)二(er)(er)(er)(er)電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)極(ji)層(ceng)(ceng)；隔(ge)斷(duan)結(jie)構，設置于(yu)第(di)(di)(di)(di)二(er)(er)(er)(er)電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)池(chi)(chi)單(dan)元(yuan)(yuan)(yuan)(yuan)(yuan)的第(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)極(ji)層(ceng)(ceng)背離襯(chen)底的一(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)側(ce)；第(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)池(chi)(chi)單(dan)元(yuan)(yuan)(yuan)(yuan)(yuan)包(bao)括(kuo)(kuo)死區(qu)(qu)，死區(qu)(qu)位于(yu)第(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)池(chi)(chi)單(dan)元(yuan)(yuan)(yuan)(yuan)(yuan)靠近第(di)(di)(di)(di)二(er)(er)(er)(er)電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)池(chi)(chi)單(dan)元(yuan)(yuan)(yuan)(yuan)(yuan)的一(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)側(ce)，死區(qu)(qu)包(bao)括(kuo)(kuo)貫穿(chuan)功能(neng)層(ceng)(ceng)的第(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)開口，至少(shao)部分隔(ge)斷(duan)結(jie)構和(he)至少(shao)部分第(di)(di)(di)(di)二(er)(er)(er)(er)電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)池(chi)(chi)單(dan)元(yuan)(yuan)(yuan)(yuan)(yuan)的第(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)極(ji)層(ceng)(ceng)分別暴露于(yu)第(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)開口中，隔(ge)斷(duan)結(jie)構隔(ge)斷(duan)第(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)池(chi)(chi)單(dan)元(yuan)(yuan)(yuan)(yuan)(yuan)的第(di)(di)(di)(di)二(er)(er)(er)(er)電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)極(ji)層(ceng)(ceng)和(he)第(di)(di)(di)(di)二(er)(er)(er)(er)電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)池(chi)(chi)單(dan)元(yuan)(yuan)(yuan)(yuan)(yuan)的第(di)(di)(di)(di)二(er)(er)(er)(er)電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)極(ji)層(ceng)(ceng)的電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)連(lian)接(jie)，隔(ge)斷(duan)結(jie)構與(yu)第(di)(di)(di)(di)二(er)(er)(er)(er)電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)池(chi)(chi)單(dan)元(yuan)(yuan)(yuan)(yuan)(yuan)的第(di)(di)(di)(di)二(er)(er)(er)(er)電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)極(ji)層(ceng)(ceng)之間存在(zai)間隙(xi)，第(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)池(chi)(chi)單(dan)元(yuan)(yuan)(yuan)(yuan)(yuan)的第(di)(di)(di)(di)二(er)(er)(er)(er)電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)極(ji)層(ceng)(ceng)與(yu)第(di)(di)(di)(di)二(er)(er)(er)(er)電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)池(chi)(chi)單(dan)元(yuan)(yuan)(yuan)(yuan)(yuan)的第(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)極(ji)層(ceng)(ceng)連(lian)接(jie)。

3、結合第(di)(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)方面，第(di)(di)(di)(di)(di)二(er)(er)(er)(er)(er)電(dian)池(chi)單(dan)(dan)(dan)元(yuan)的(de)(de)(de)(de)(de)第(di)(di)(di)(di)(di)二(er)(er)(er)(er)(er)電(dian)極(ji)層(ceng)在(zai)襯底(di)的(de)(de)(de)(de)(de)正(zheng)投影(ying)與(yu)隔斷結構在(zai)襯底(di)的(de)(de)(de)(de)(de)正(zheng)投影(ying)存在(zai)交疊；優選(xuan)(xuan)(xuan)地(di)，第(di)(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)開(kai)口包括(kuo)靠(kao)近(jin)第(di)(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)電(dian)池(chi)單(dan)(dan)(dan)元(yuan)一(yi)(yi)側(ce)(ce)設(she)置的(de)(de)(de)(de)(de)第(di)(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)側(ce)(ce)壁(bi)(bi)和(he)靠(kao)近(jin)第(di)(di)(di)(di)(di)二(er)(er)(er)(er)(er)電(dian)池(chi)單(dan)(dan)(dan)元(yuan)一(yi)(yi)側(ce)(ce)設(she)置的(de)(de)(de)(de)(de)第(di)(di)(di)(di)(di)二(er)(er)(er)(er)(er)側(ce)(ce)壁(bi)(bi)，至少部(bu)分第(di)(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)電(dian)池(chi)單(dan)(dan)(dan)元(yuan)的(de)(de)(de)(de)(de)第(di)(di)(di)(di)(di)二(er)(er)(er)(er)(er)電(dian)極(ji)層(ceng)覆(fu)蓋(gai)(gai)第(di)(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)側(ce)(ce)壁(bi)(bi)并延伸覆(fu)蓋(gai)(gai)部(bu)分第(di)(di)(di)(di)(di)二(er)(er)(er)(er)(er)電(dian)池(chi)單(dan)(dan)(dan)元(yuan)的(de)(de)(de)(de)(de)第(di)(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)電(dian)極(ji)層(ceng)，至少部(bu)分第(di)(di)(di)(di)(di)二(er)(er)(er)(er)(er)電(dian)池(chi)單(dan)(dan)(dan)元(yuan)的(de)(de)(de)(de)(de)第(di)(di)(di)(di)(di)二(er)(er)(er)(er)(er)電(dian)極(ji)層(ceng)覆(fu)蓋(gai)(gai)于第(di)(di)(di)(di)(di)二(er)(er)(er)(er)(er)側(ce)(ce)壁(bi)(bi)；第(di)(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)電(dian)池(chi)單(dan)(dan)(dan)元(yuan)的(de)(de)(de)(de)(de)第(di)(di)(di)(di)(di)二(er)(er)(er)(er)(er)電(dian)極(ji)層(ceng)靠(kao)近(jin)第(di)(di)(di)(di)(di)二(er)(er)(er)(er)(er)電(dian)池(chi)單(dan)(dan)(dan)元(yuan)的(de)(de)(de)(de)(de)一(yi)(yi)端與(yu)隔斷結構存在(zai)間(jian)隙，位于第(di)(di)(di)(di)(di)二(er)(er)(er)(er)(er)側(ce)(ce)壁(bi)(bi)的(de)(de)(de)(de)(de)第(di)(di)(di)(di)(di)二(er)(er)(er)(er)(er)電(dian)池(chi)單(dan)(dan)(dan)元(yuan)的(de)(de)(de)(de)(de)第(di)(di)(di)(di)(di)二(er)(er)(er)(er)(er)電(dian)極(ji)層(ceng)靠(kao)近(jin)襯底(di)的(de)(de)(de)(de)(de)端面與(yu)隔斷結構存在(zai)間(jian)隙；優選(xuan)(xuan)(xuan)地(di)，端面包括(kuo)相對于第(di)(di)(di)(di)(di)二(er)(er)(er)(er)(er)側(ce)(ce)壁(bi)(bi)傾斜(xie)(xie)的(de)(de)(de)(de)(de)斜(xie)(xie)面；優選(xuan)(xuan)(xuan)地(di)，斜(xie)(xie)面的(de)(de)(de)(de)(de)形狀為(wei)平面或(huo)曲面。

4、結(jie)合第(di)(di)一方(fang)面，隔斷結(jie)構(gou)在(zai)襯(chen)底(di)(di)上(shang)的(de)(de)正投(tou)影(ying)和第(di)(di)二電(dian)池(chi)單元(yuan)在(zai)襯(chen)底(di)(di)上(shang)的(de)(de)正投(tou)影(ying)部(bu)分重疊或(huo)(huo)(huo)相接；優(you)選地(di)(di)，第(di)(di)二電(dian)池(chi)單元(yuan)的(de)(de)功能層包(bao)括(kuo)第(di)(di)一凹槽(cao)，第(di)(di)一凹槽(cao)的(de)(de)開口位于(yu)(yu)(yu)功能層靠近第(di)(di)一電(dian)池(chi)單元(yuan)的(de)(de)側壁上(shang)，部(bu)分隔斷結(jie)構(gou)填充第(di)(di)一凹槽(cao)；優(you)選地(di)(di)，隔斷結(jie)構(gou)在(zai)襯(chen)底(di)(di)上(shang)的(de)(de)投(tou)影(ying)寬度(du)取(qu)值(zhi)為(wei)大(da)于(yu)(yu)(yu)或(huo)(huo)(huo)等(deng)于(yu)(yu)(yu)15μm且小(xiao)于(yu)(yu)(yu)或(huo)(huo)(huo)等(deng)于(yu)(yu)(yu)190μm；優(you)選地(di)(di)，位于(yu)(yu)(yu)第(di)(di)一凹槽(cao)內的(de)(de)隔斷結(jie)構(gou)在(zai)襯(chen)底(di)(di)上(shang)的(de)(de)投(tou)影(ying)寬度(du)取(qu)值(zhi)為(wei)大(da)于(yu)(yu)(yu)或(huo)(huo)(huo)等(deng)于(yu)(yu)(yu)5μm且小(xiao)于(yu)(yu)(yu)或(huo)(huo)(huo)等(deng)于(yu)(yu)(yu)50μm；優(you)選地(di)(di)，隔斷結(jie)構(gou)在(zai)垂直于(yu)(yu)(yu)襯(chen)底(di)(di)方(fang)向的(de)(de)厚度(du)取(qu)值(zhi)為(wei)大(da)于(yu)(yu)(yu)或(huo)(huo)(huo)等(deng)于(yu)(yu)(yu)0.01μm且小(xiao)于(yu)(yu)(yu)或(huo)(huo)(huo)等(deng)于(yu)(yu)(yu)1μm，優(you)選為(wei)大(da)于(yu)(yu)(yu)或(huo)(huo)(huo)等(deng)于(yu)(yu)(yu)0.1μm且小(xiao)于(yu)(yu)(yu)或(huo)(huo)(huo)等(deng)于(yu)(yu)(yu)0.2μm。

5、結(jie)合第(di)一(yi)方面，隔(ge)斷(duan)結(jie)構層的材(cai)料(liao)(liao)(liao)包括(kuo)電(dian)荷排斥(chi)材(cai)料(liao)(liao)(liao)，或者(zhe)，隔(ge)斷(duan)結(jie)構的材(cai)料(liao)(liao)(liao)包括(kuo)陰(yin)極圖案材(cai)料(liao)(liao)(liao)；優選地，第(di)二(er)電(dian)極層的材(cai)料(liao)(liao)(liao)包括(kuo)金(jin)屬材(cai)料(liao)(liao)(liao)。

6、結合第一方面，第一開口在襯底上(shang)的投影寬度取值為大于(yu)或(huo)等于(yu)50μm且小于(yu)或(huo)等于(yu)150μm；優(you)選地，所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)第一電(dian)(dian)池單(dan)元(yuan)的所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)第二電(dian)(dian)極層與所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)第二電(dian)(dian)池單(dan)元(yuan)的所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)第一電(dian)(dian)極層連接(jie)的部分在襯底上(shang)的投影寬度取值為大于(yu)或(huo)等于(yu)10μm且小于(yu)或(huo)等于(yu)140μm。

7、結合第一(yi)方面，死區包括第二(er)開(kai)口(kou)，第二(er)開(kai)口(kou)貫穿第一(yi)電極層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)，第二(er)開(kai)口(kou)在襯(chen)底上(shang)的正投(tou)(tou)影與第一(yi)開(kai)口(kou)在襯(chen)底上(shang)的正投(tou)(tou)影不重(zhong)疊，第二(er)開(kai)口(kou)位于第一(yi)開(kai)口(kou)背離第二(er)電池單元的一(yi)側；優(you)選(xuan)(xuan)地，在逐漸遠離襯(chen)底的方向上(shang)，功能層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)包括依次疊層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)設置的第一(yi)傳(chuan)輸層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)、鈣(gai)鈦(tai)(tai)礦活性(xing)(xing)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)和(he)第二(er)傳(chuan)輸層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)；優(you)選(xuan)(xuan)地，在第一(yi)傳(chuan)輸層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)和(he)鈣(gai)鈦(tai)(tai)礦活性(xing)(xing)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)之間設置有(you)第一(yi)鈍化(hua)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)，和(he)/或在鈣(gai)鈦(tai)(tai)礦活性(xing)(xing)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)與第二(er)傳(chuan)輸層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)之間設置有(you)第二(er)鈍化(hua)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)。

8、第(di)(di)(di)(di)二(er)方(fang)面，本(ben)申請實(shi)施例(li)提供一(yi)種電(dian)池組件的(de)制備方(fang)法，包括：在(zai)(zai)(zai)襯底的(de)一(yi)側(ce)形(xing)成(cheng)第(di)(di)(di)(di)一(yi)電(dian)極(ji)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)；在(zai)(zai)(zai)第(di)(di)(di)(di)一(yi)電(dian)極(ji)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)遠離襯底的(de)一(yi)側(ce)形(xing)成(cheng)隔斷結(jie)(jie)構，隔斷結(jie)(jie)構在(zai)(zai)(zai)第(di)(di)(di)(di)一(yi)電(dian)極(ji)材料層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)上間(jian)隔設置；在(zai)(zai)(zai)第(di)(di)(di)(di)一(yi)電(dian)極(ji)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)遠離襯底的(de)一(yi)側(ce)形(xing)成(cheng)功(gong)能(neng)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)，在(zai)(zai)(zai)功(gong)能(neng)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)上形(xing)成(cheng)第(di)(di)(di)(di)一(yi)開口(kou)，至少部(bu)分隔斷結(jie)(jie)構暴露于(yu)第(di)(di)(di)(di)一(yi)開口(kou)中；在(zai)(zai)(zai)功(gong)能(neng)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)遠離襯底的(de)一(yi)側(ce)形(xing)成(cheng)第(di)(di)(di)(di)二(er)電(dian)極(ji)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)，第(di)(di)(di)(di)二(er)電(dian)極(ji)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)與隔斷結(jie)(jie)構之間(jian)存在(zai)(zai)(zai)間(jian)隙。

9、結合第(di)二(er)方(fang)面，在第(di)一(yi)電(dian)(dian)極(ji)層(ceng)遠離(li)襯底(di)(di)(di)的一(yi)側形(xing)(xing)成隔(ge)(ge)斷(duan)(duan)結構(gou)，包(bao)括：利(li)用(yong)掩膜板(ban)，采(cai)用(yong)真空蒸(zheng)鍍(du)或(huo)(huo)電(dian)(dian)子(zi)束(shu)蒸(zheng)鍍(du)在第(di)一(yi)電(dian)(dian)極(ji)層(ceng)遠離(li)襯底(di)(di)(di)的一(yi)側形(xing)(xing)成隔(ge)(ge)斷(duan)(duan)結構(gou)；或(huo)(huo)者，采(cai)用(yong)真空蒸(zheng)鍍(du)或(huo)(huo)電(dian)(dian)子(zi)束(shu)蒸(zheng)鍍(du)在第(di)一(yi)電(dian)(dian)極(ji)層(ceng)遠離(li)襯底(di)(di)(di)的一(yi)側形(xing)(xing)成絕緣材(cai)料(liao)層(ceng)，對(dui)絕緣材(cai)料(liao)層(ceng)進行刻蝕(shi)形(xing)(xing)成隔(ge)(ge)斷(duan)(duan)結構(gou)；優選地(di)，在功能(neng)層(ceng)遠離(li)襯底(di)(di)(di)的一(yi)側形(xing)(xing)成第(di)二(er)電(dian)(dian)極(ji)層(ceng)，包(bao)括：采(cai)用(yong)真空蒸(zheng)鍍(du)、電(dian)(dian)子(zi)束(shu)蒸(zheng)鍍(du)或(huo)(huo)磁控濺射在功能(neng)層(ceng)遠離(li)襯底(di)(di)(di)的一(yi)側制備第(di)二(er)電(dian)(dian)極(ji)層(ceng)；優選地(di)，所述所述隔(ge)(ge)斷(duan)(duan)結構(gou)的材(cai)料(liao)包(bao)括電(dian)(dian)荷(he)排(pai)斥材(cai)料(liao)，或(huo)(huo)者，所述隔(ge)(ge)斷(duan)(duan)結構(gou)的材(cai)料(liao)包(bao)括陰(yin)極(ji)圖(tu)案化(hua)材(cai)料(liao)；優選地(di)，所述第(di)二(er)電(dian)(dian)極(ji)層(ceng)的材(cai)料(liao)包(bao)括金屬(shu)材(cai)料(liao)。

10、結(jie)(jie)合第(di)二方(fang)面(mian)，在(zai)在(zai)第(di)一電(dian)極(ji)層(ceng)遠(yuan)離(li)襯(chen)底(di)的(de)一側(ce)形成(cheng)隔(ge)斷(duan)結(jie)(jie)構之(zhi)后，該方(fang)法還包括：在(zai)第(di)一電(dian)極(ji)層(ceng)上(shang)形成(cheng)第(di)二開(kai)口，第(di)二開(kai)口在(zai)襯(chen)底(di)上(shang)的(de)正投影(ying)與隔(ge)斷(duan)結(jie)(jie)構在(zai)襯(chen)底(di)上(shang)的(de)正投影(ying)不重(zhong)疊；或者(zhe)，在(zai)在(zai)第(di)一電(dian)極(ji)層(ceng)遠(yuan)離(li)襯(chen)底(di)的(de)一側(ce)形成(cheng)隔(ge)斷(duan)結(jie)(jie)構之(zhi)前，該方(fang)法還包括：在(zai)第(di)一電(dian)極(ji)層(ceng)上(shang)形成(cheng)第(di)二開(kai)口，第(di)二開(kai)口在(zai)襯(chen)底(di)上(shang)的(de)正投影(ying)與隔(ge)斷(duan)結(jie)(jie)構在(zai)襯(chen)底(di)上(shang)的(de)正投影(ying)不重(zhong)疊。

11、第(di)三(san)方面，本申請實(shi)施例提供(gong)一種太陽能(neng)電池(chi)，包含上(shang)述的(de)電池(chi)組(zu)件，或者，包含上(shang)述方法制備的(de)電池(chi)組(zu)件。

12、通過上述技術方案，在第(di)二(er)(er)(er)電(dian)(dian)(dian)池(chi)(chi)(chi)(chi)單元的(de)第(di)一電(dian)(dian)(dian)極層背(bei)離襯(chen)底的(de)一側設置(zhi)隔斷結(jie)構，隔斷結(jie)構隔斷第(di)一電(dian)(dian)(dian)池(chi)(chi)(chi)(chi)單元的(de)第(di)二(er)(er)(er)電(dian)(dian)(dian)極層和第(di)二(er)(er)(er)電(dian)(dian)(dian)池(chi)(chi)(chi)(chi)單元的(de)第(di)二(er)(er)(er)電(dian)(dian)(dian)極層的(de)電(dian)(dian)(dian)連(lian)接，即(ji)可以實現第(di)一電(dian)(dian)(dian)池(chi)(chi)(chi)(chi)單元的(de)第(di)二(er)(er)(er)電(dian)(dian)(dian)極層和第(di)二(er)(er)(er)電(dian)(dian)(dian)池(chi)(chi)(chi)(chi)單元的(de)第(di)二(er)(er)(er)電(dian)(dian)(dian)極層斷開，無(wu)需額外(wai)設置(zhi)刻線槽(cao)，減少了死區面(mian)積(ji)，增(zeng)加(jia)受光面(mian)積(ji)，提高電(dian)(dian)(dian)池(chi)(chi)(chi)(chi)的(de)功率轉換效(xiao)率。

技術特征：

1.一(yi)種(zhong)電池(chi)組件，其特征在(zai)于，包括：

2.根據權利(li)要求1所述的(de)電池(chi)組(zu)件，其特(te)征在于，

3.根據權利要求1所(suo)(suo)述的電池(chi)組件(jian)，其特征在(zai)(zai)于，所(suo)(suo)述隔斷結構在(zai)(zai)所(suo)(suo)述襯底上的正(zheng)投(tou)影和所(suo)(suo)述第二電池(chi)單元在(zai)(zai)所(suo)(suo)述襯底上的正(zheng)投(tou)影部(bu)分重疊或者相接；

4.根據權利要求1所述的(de)(de)(de)電池組件，其特征在于，所述隔斷結構的(de)(de)(de)材(cai)(cai)(cai)料(liao)包(bao)括電荷排(pai)斥材(cai)(cai)(cai)料(liao)，或者，所述隔斷結構的(de)(de)(de)材(cai)(cai)(cai)料(liao)包(bao)括陰極(ji)圖案(an)化材(cai)(cai)(cai)料(liao)；

5.根據權利要求1所述(shu)(shu)(shu)的電池組件，其特征在于(yu)，所述(shu)(shu)(shu)第一開口(kou)在所述(shu)(shu)(shu)襯(chen)底上(shang)的投(tou)影寬度取值(zhi)為大于(yu)或等于(yu)50μm且小于(yu)或等于(yu)150μm；

6.根據權利要求1所(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)的(de)電(dian)(dian)池(chi)組件，其特征在(zai)于(yu)，所(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)死(si)區(qu)包括第(di)(di)二(er)開(kai)口(kou)(kou)，所(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)第(di)(di)二(er)開(kai)口(kou)(kou)貫(guan)穿所(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)第(di)(di)一電(dian)(dian)極層，所(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)第(di)(di)二(er)開(kai)口(kou)(kou)在(zai)所(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)襯底上的(de)正投影與(yu)所(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)第(di)(di)一開(kai)口(kou)(kou)在(zai)所(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)襯底上的(de)正投影不重疊，所(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)第(di)(di)二(er)開(kai)口(kou)(kou)位于(yu)所(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)第(di)(di)一開(kai)口(kou)(kou)背離所(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)第(di)(di)二(er)電(dian)(dian)池(chi)單元的(de)一側(ce)；

7.一種電池組件的制備方法，其特征在于(yu)，包括：

8.根據權利要求(qiu)7所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)的方法(fa)，其特(te)征在(zai)于，所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)在(zai)所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)第一電極層遠離所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)襯底的一側形成隔斷結構，包括：

9.根據權利要求7所(suo)述(shu)(shu)的(de)方(fang)(fang)法，其(qi)特(te)征在(zai)于(yu)，在(zai)所(suo)述(shu)(shu)在(zai)所(suo)述(shu)(shu)第(di)一(yi)電極層遠離所(suo)述(shu)(shu)襯底(di)的(de)一(yi)側形成隔斷結構之(zhi)后，所(suo)述(shu)(shu)方(fang)(fang)法還(huan)包括：在(zai)所(suo)述(shu)(shu)第(di)一(yi)電極層上(shang)形成第(di)二(er)(er)開口(kou)，所(suo)述(shu)(shu)第(di)二(er)(er)開口(kou)在(zai)所(suo)述(shu)(shu)襯底(di)上(shang)的(de)正(zheng)投(tou)(tou)影(ying)與所(suo)述(shu)(shu)隔斷結構在(zai)所(suo)述(shu)(shu)襯底(di)上(shang)的(de)正(zheng)投(tou)(tou)影(ying)不重(zhong)疊；或者，

10.一(yi)種太陽能電(dian)池，其特(te)征在(zai)于，包(bao)(bao)含(han)權利要求(qiu)1～6中任一(yi)項(xiang)所(suo)述(shu)的(de)電(dian)池組件，或者(zhe)，包(bao)(bao)含(han)權利要求(qiu)7～9中任一(yi)項(xiang)所(suo)述(shu)方法制備的(de)電(dian)池組件。

技術總結
本申請提供一種電池組件，包括：襯底；第一電池單元和第二電池單元，位于襯底一側，在逐漸遠離襯底方向上，第一電池單元和第二電池單元包括依次疊層設置的第一電極層、功能層和第二電極層；隔斷結構，設置于第二電池單元的第一電極層背離襯底的一側；第一電池單元包括死區，死區包括貫穿功能層的第一開口，至少部分隔斷結構和至少部分第二電池單元的第一電極層分別暴露于第一開口中，隔斷結構隔斷第一電池單元的第二電極層和第二電池單元的第二電極層的電連接，隔斷結構與第二電池單元的第二電極層之間存在間隙，第一電池單元的第二電極層與第二電池單元的第一電極層連接。該方案減少了死區面積。

技術研發人員：呂奎,高薇
受保護的技術使用者：江蘇匯顯顯示技術有限公司
技術研發日：
技術公布日：2024/9/19