本技(ji)術總體(ti)上涉(she)及(ji)一種散熱技(ji)術，以及(ji)更具(ju)體(ti)地，涉(she)及(ji)一種真(zhen)空腔(qiang)均熱板以及(ji)具(ju)有所(suo)述真(zhen)空腔(qiang)均熱板的電(dian)子(zi)設備。

背景技術：

1、真(zhen)(zhen)(zhen)空腔(qiang)(qiang)(qiang)(qiang)均熱(re)(re)(re)板(ban)是(shi)一種高(gao)(gao)效的(de)(de)(de)(de)散(san)熱(re)(re)(re)解決方(fang)案，廣泛應用在(zai)電(dian)子產(chan)品(pin)上(shang)。真(zhen)(zhen)(zhen)空腔(qiang)(qiang)(qiang)(qiang)均熱(re)(re)(re)板(ban)是(shi)一種內壁具(ju)有(you)微結(jie)構(gou)的(de)(de)(de)(de)真(zhen)(zhen)(zhen)空腔(qiang)(qiang)(qiang)(qiang)體(ti)(ti)并(bing)且通常(chang)由(you)銅制成。真(zhen)(zhen)(zhen)空腔(qiang)(qiang)(qiang)(qiang)均熱(re)(re)(re)板(ban)具(ju)有(you)蒸(zheng)(zheng)發(fa)(fa)(fa)區(qu)(qu)和凝結(jie)區(qu)(qu)，蒸(zheng)(zheng)發(fa)(fa)(fa)區(qu)(qu)靠近熱(re)(re)(re)源(例(li)如，電(dian)子設備(bei)的(de)(de)(de)(de)主(zhu)板(ban))設置。當熱(re)(re)(re)源向(xiang)蒸(zheng)(zheng)發(fa)(fa)(fa)區(qu)(qu)傳導熱(re)(re)(re)量(liang)時(shi)，真(zhen)(zhen)(zhen)空腔(qiang)(qiang)(qiang)(qiang)體(ti)(ti)中的(de)(de)(de)(de)液(ye)相的(de)(de)(de)(de)冷(leng)(leng)卻(que)(que)介(jie)(jie)質(zhi)(zhi)在(zai)真(zhen)(zhen)(zhen)空環境中受熱(re)(re)(re)后快速(su)氣化，即液(ye)相的(de)(de)(de)(de)冷(leng)(leng)卻(que)(que)介(jie)(jie)質(zhi)(zhi)吸收熱(re)(re)(re)能(neng)轉變為氣相的(de)(de)(de)(de)冷(leng)(leng)卻(que)(que)介(jie)(jie)質(zhi)(zhi)，氣相的(de)(de)(de)(de)冷(leng)(leng)卻(que)(que)介(jie)(jie)質(zhi)(zhi)迅速(su)膨脹并(bing)且向(xiang)低(di)溫冷(leng)(leng)凝區(qu)(qu)擴散(san)。當氣相的(de)(de)(de)(de)冷(leng)(leng)卻(que)(que)介(jie)(jie)質(zhi)(zhi)接觸(chu)到凝結(jie)區(qu)(qu)時(shi)，便(bian)會產(chan)生(sheng)凝結(jie)的(de)(de)(de)(de)現(xian)象，即氣相的(de)(de)(de)(de)冷(leng)(leng)卻(que)(que)介(jie)(jie)質(zhi)(zhi)釋放(fang)熱(re)(re)(re)能(neng)且體(ti)(ti)積減小，凝結(jie)后的(de)(de)(de)(de)液(ye)相冷(leng)(leng)卻(que)(que)介(jie)(jie)質(zhi)(zhi)經由(you)微結(jie)構(gou)的(de)(de)(de)(de)毛細管(guan)道再(zai)回流到蒸(zheng)(zheng)發(fa)(fa)(fa)區(qu)(qu)。這種蒸(zheng)(zheng)發(fa)(fa)(fa)、冷(leng)(leng)凝的(de)(de)(de)(de)相變過程(cheng)在(zai)真(zhen)(zhen)(zhen)空腔(qiang)(qiang)(qiang)(qiang)均熱(re)(re)(re)板(ban)內快速(su)循環發(fa)(fa)(fa)生(sheng)，能(neng)高(gao)(gao)效地帶(dai)走(zou)發(fa)(fa)(fa)熱(re)(re)(re)元(yuan)件上(shang)的(de)(de)(de)(de)熱(re)(re)(re)量(liang)，從而實(shi)現(xian)高(gao)(gao)的(de)(de)(de)(de)散(san)熱(re)(re)(re)效率(lv)。

2、通(tong)(tong)常情況(kuang)下，真(zhen)空腔(qiang)均熱(re)(re)板(ban)(ban)(ban)(ban)(ban)的(de)(de)頂表(biao)(biao)面和底表(biao)(biao)面都是平的(de)(de)。如(ru)圖1中(zhong)所示(shi)，在利(li)用這種真(zhen)空腔(qiang)均熱(re)(re)板(ban)(ban)(ban)(ban)(ban)100對諸(zhu)如(ru)服(fu)務器(qi)、顯卡的(de)(de)電(dian)子(zi)(zi)設(she)備110進行散熱(re)(re)時(shi)，由(you)于電(dian)子(zi)(zi)設(she)備110的(de)(de)主(zhu)板(ban)(ban)(ban)(ban)(ban)120上(shang)的(de)(de)多個(ge)部件(jian)具有(you)不(bu)同的(de)(de)高度，因此需(xu)要(yao)在真(zhen)空腔(qiang)均熱(re)(re)板(ban)(ban)(ban)(ban)(ban)100與諸(zhu)如(ru)中(zhong)央處理單元(yuan)(yuan)(cpu)或圖形處理單元(yuan)(yuan)(gpu)的(de)(de)發(fa)熱(re)(re)元(yuan)(yuan)件(jian)130之間(jian)設(she)置具有(you)不(bu)同厚(hou)(hou)度的(de)(de)冷板(ban)(ban)(ban)(ban)(ban)140(例如(ru)，銅板(ban)(ban)(ban)(ban)(ban))。為簡單起見，圖1中(zhong)僅示(shi)出了一個(ge)銅板(ban)(ban)(ban)(ban)(ban)140，銅板(ban)(ban)(ban)(ban)(ban)140通(tong)(tong)過(guo)焊錫(xi)160焊接在真(zhen)空腔(qiang)均熱(re)(re)板(ban)(ban)(ban)(ban)(ban)100上(shang)，并且銅板(ban)(ban)(ban)(ban)(ban)140通(tong)(tong)過(guo)熱(re)(re)傳導(dao)介(jie)質150和發(fa)熱(re)(re)元(yuan)(yuan)件(jian)130壓接。。此外(wai)，還需(xu)要(yao)在真(zhen)空腔(qiang)均熱(re)(re)板(ban)(ban)(ban)(ban)(ban)100與諸(zhu)如(ru)可變(bian)電(dian)阻器(qi)170-1，170-2、電(dian)源充電(dian)器(qi)170-3等(deng)發(fa)熱(re)(re)元(yuan)(yuan)件(jian)之間(jian)設(she)置具有(you)不(bu)同厚(hou)(hou)度的(de)(de)多個(ge)導(dao)熱(re)(re)墊180-1、180-2、180-3。

3、通過這種方式，能(neng)(neng)(neng)夠盡可能(neng)(neng)(neng)避(bi)免真(zhen)空腔(qiang)均(jun)熱(re)板(ban)(ban)100對主板(ban)(ban)120上的(de)(de)(de)部件的(de)(de)(de)影響(xiang)，但是(shi)冷(leng)板(ban)(ban)140的(de)(de)(de)存(cun)在將增大熱(re)阻，同時使用不同厚度(du)的(de)(de)(de)導熱(re)墊(dian)180-1、180-2、180-3也使得系統的(de)(de)(de)制(zhi)造(zao)復雜化，并且影響(xiang)主板(ban)(ban)120上的(de)(de)(de)cpu或(huo)gpu的(de)(de)(de)性能(neng)(neng)(neng)。因此，需要一種改善的(de)(de)(de)真(zhen)空腔(qiang)均(jun)熱(re)板(ban)(ban)設(she)計，其(qi)能(neng)(neng)(neng)夠提高具有(you)這種真(zhen)空腔(qiang)均(jun)熱(re)板(ban)(ban)的(de)(de)(de)電(dian)子設(she)備(bei)的(de)(de)(de)散熱(re)能(neng)(neng)(neng)力，并提高電(dian)子設(she)備(bei)的(de)(de)(de)性能(neng)(neng)(neng)。

技術實現思路

1、根據本實(shi)(shi)用(yong)新型的(de)實(shi)(shi)施(shi)例，提供了一種真空(kong)腔均熱板(ban)(ban)，包(bao)括：底(di)(di)板(ban)(ban)，所(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)底(di)(di)板(ban)(ban)具(ju)有第(di)(di)一表面以(yi)及(ji)與所(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)第(di)(di)一表面相對(dui)的(de)第(di)(di)二表面；蓋板(ban)(ban)，所(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)蓋板(ban)(ban)位于所(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)底(di)(di)板(ban)(ban)的(de)所(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)第(di)(di)一表面之(zhi)上，所(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)底(di)(di)板(ban)(ban)與所(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)蓋板(ban)(ban)密封連接以(yi)形成中(zhong)(zhong)空(kong)的(de)密閉腔室(shi)(shi)；以(yi)及(ji)設(she)置(zhi)于所(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)密閉腔室(shi)(shi)中(zhong)(zhong)的(de)冷卻液(ye)，其中(zhong)(zhong)，所(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)底(di)(di)板(ban)(ban)具(ju)有從所(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)第(di)(di)二表面突出(chu)的(de)多個第(di)(di)一凸起。

2、在一(yi)些(xie)實施(shi)例中，所述多個(ge)第一(yi)凸起(qi)具有不同的(de)高度。

3、在一(yi)些實施(shi)例中，所(suo)述(shu)底板(ban)和所(suo)述(shu)蓋(gai)板(ban)由(you)金(jin)屬(shu)制(zhi)成(cheng)。

4、在一些(xie)實施例中(zhong)，所述金(jin)屬(shu)包括銅或(huo)不銹(xiu)鋼。

5、在(zai)一(yi)些(xie)實施例中，在(zai)與一(yi)個或多個所述(shu)第(di)一(yi)凸起對應的位置處，所述(shu)底板具有從所述(shu)第(di)一(yi)表面凹(ao)陷的一(yi)個或多個凹(ao)槽。

6、在一(yi)些實施(shi)例中，所述多個凹槽具有不同的深度(du)。

7、在一(yi)些實施例中，所述(shu)(shu)真(zhen)空腔(qiang)均熱(re)板(ban)還(huan)包括設(she)置于(yu)所述(shu)(shu)密閉(bi)腔(qiang)室中并且覆蓋(gai)所述(shu)(shu)底(di)板(ban)的(de)所述(shu)(shu)第(di)一(yi)表(biao)(biao)面的(de)第(di)一(yi)金屬網，所述(shu)(shu)第(di)一(yi)金屬網的(de)上(shang)表(biao)(biao)面抵接(jie)所述(shu)(shu)蓋(gai)板(ban)的(de)面向所述(shu)(shu)底(di)板(ban)的(de)底(di)表(biao)(biao)面。

8、在(zai)一(yi)些(xie)實施例(li)中，所述一(yi)個或多個凹槽填充有(you)第(di)二金(jin)屬網或金(jin)屬線。

9、在一(yi)些實施(shi)例中(zhong)，所(suo)(suo)述第一(yi)金屬(shu)網和所(suo)(suo)述第二金屬(shu)網包括銅網，并且所(suo)(suo)述金屬(shu)線(xian)包括銅線(xian)。

10、在一(yi)些實施(shi)例中，所述(shu)(shu)蓋(gai)板的(de)所述(shu)(shu)底(di)表面(mian)上設置有(you)多個第(di)二凸起(qi)，并且所述(shu)(shu)第(di)一(yi)金屬網的(de)上表面(mian)抵接所述(shu)(shu)多個第(di)二凸起(qi)的(de)底(di)表面(mian)。

11、在(zai)一些實施例(li)中，所述冷卻液包(bao)括水。

12、根據本實用(yong)新型的(de)實施例，提供了一種電子設備，包括：基板；發(fa)熱元(yuan)件，所述(shu)發(fa)熱元(yuan)件設置于所述(shu)基板上；以及根據發(fa)明(ming)所述(shu)的(de)真(zhen)空(kong)腔(qiang)均(jun)熱板，其中，所述(shu)真(zhen)空(kong)腔(qiang)均(jun)熱板的(de)多個所述(shu)第一凸起通過熱傳(chuan)導介質壓接(jie)至所述(shu)發(fa)熱元(yuan)件。

13、在一些(xie)實施(shi)例中(zhong)，所述熱傳導介質包括導熱硅脂、相變材料或導熱墊(dian)。

14、在一些實(shi)施例中，所述導熱(re)墊具有相(xiang)同的厚(hou)度(du)。

15、在一(yi)(yi)些實施例中，所述第一(yi)(yi)凸起(qi)的(de)面(mian)積大(da)于所述第一(yi)(yi)凸起(qi)所壓接發(fa)熱元件的(de)面(mian)積。

16、在一(yi)些實施例中，所述發熱元件包括可變電(dian)阻器、電(dian)源充電(dian)器、cpu和(he)gpu中的至少一(yi)種。

技術特征：

1.一種真空腔均熱板(ban)，包括(kuo)：

2.根據權(quan)利要(yao)求1所述的真空腔(qiang)均熱(re)板，其特征在于(yu)，所述多個(ge)第一凸起(qi)具有不同的高度。

3.根據權利要(yao)求1所(suo)述(shu)的真空腔(qiang)均熱板，其特征(zheng)在于，所(suo)述(shu)底(di)板和所(suo)述(shu)蓋板由金屬制成。

4.根據權利(li)要(yao)求(qiu)3所述的真空腔均熱板，其特征在于，所述金屬包(bao)括銅或(huo)不銹鋼。

5.根據權(quan)利要求1所(suo)述的真空腔均熱(re)板，其(qi)特征在于(yu)，在與一(yi)(yi)(yi)個或(huo)多個所(suo)述第(di)一(yi)(yi)(yi)凸(tu)起對應(ying)的位置處，所(suo)述底板具有(you)從所(suo)述第(di)一(yi)(yi)(yi)表面凹陷的一(yi)(yi)(yi)個或(huo)多個凹槽。

6.根據權利要(yao)求5所述的真空(kong)腔均熱板，其特征(zheng)在于，所述多(duo)個凹槽具有(you)不同的深度。

7.根(gen)據權利要求5或6所(suo)述(shu)(shu)的真(zhen)空腔均熱板(ban)(ban)，其特征在于(yu)，所(suo)述(shu)(shu)真(zhen)空腔均熱板(ban)(ban)還包括設置于(yu)所(suo)述(shu)(shu)密(mi)閉腔室(shi)中并且(qie)覆蓋所(suo)述(shu)(shu)底(di)板(ban)(ban)的所(suo)述(shu)(shu)第一(yi)表面的第一(yi)金(jin)屬(shu)網(wang)，所(suo)述(shu)(shu)第一(yi)金(jin)屬(shu)網(wang)的上表面抵接所(suo)述(shu)(shu)蓋板(ban)(ban)的面向所(suo)述(shu)(shu)底(di)板(ban)(ban)的底(di)表面。

8.根據權利要求7所(suo)述的真空腔均熱板，其特(te)征在于，所(suo)述一(yi)個或(huo)多個凹槽(cao)填(tian)充有第(di)二(er)金屬(shu)網(wang)或(huo)金屬(shu)線。

9.根據權利要求8所(suo)(suo)述的真空(kong)腔(qiang)均熱板(ban)，其特征在(zai)于，所(suo)(suo)述第一金(jin)屬網(wang)和所(suo)(suo)述第二金(jin)屬網(wang)包(bao)括(kuo)銅(tong)網(wang)，并且所(suo)(suo)述金(jin)屬線包(bao)括(kuo)銅(tong)線。

10.根據(ju)權利(li)要求(qiu)7所(suo)述的真空腔均熱板，其特(te)征在于，所(suo)述蓋板的所(suo)述底(di)表(biao)面(mian)上設置(zhi)有多個第二(er)凸起(qi)(qi)，并且(qie)所(suo)述第一(yi)金(jin)屬網的上表(biao)面(mian)抵接所(suo)述多個第二(er)凸起(qi)(qi)的底(di)表(biao)面(mian)。

11.根據權利要求(qiu)1所(suo)述的真空腔均熱(re)板(ban)，其特征在(zai)于(yu)，所(suo)述冷卻液包(bao)括(kuo)水。

12.一種電(dian)子設備，包括：

13.根據權(quan)利(li)要求12所述的電子設備，其特征(zheng)在于，所述熱傳導(dao)(dao)介質包括導(dao)(dao)熱硅脂、相變材(cai)料或導(dao)(dao)熱墊。

14.根據權利要(yao)求13所述的電子設備，其特征在(zai)于，所述導熱墊具有相同的厚度(du)。

15.根據權利要求12所述(shu)的電子設備，其特(te)征(zheng)在于，所述(shu)第(di)一凸(tu)起(qi)的面積大于所述(shu)第(di)一凸(tu)起(qi)所壓接的發熱元件的面積。

16.根據(ju)權利要求12所述的電(dian)子設備(bei)，其特征在于，所述發(fa)熱元件包括cpu、gpu、可(ke)變電(dian)阻器(qi)和電(dian)源(yuan)充電(dian)器(qi)中(zhong)的至少一(yi)種。

技術總結
本技術公開了一種真空腔均熱板以及具有所述真空腔均熱板的電子設備。根據本公開的實施例，所述真空腔均熱板包括：底板，所述底板具有第一表面以及與所述第一表面相對的第二表面；蓋板，所述蓋板位于所述底板的所述第一表面之上，所述底板與所述蓋板密封連接以形成中空的密閉腔室；以及設置于所述密閉腔室中的冷卻液，其特征在于，所述底板具有從所述第二表面突出的多個第一凸起。

技術研發人員：孫葆慈,田西勇
受保護的技術使用者：英特爾公司
技術研發日：20231215
技術公布日：2024/9/19