本實用(yong)(yong)新型屬于X射(she)線(xian)平(ping)板探(tan)(tan)測(ce)器設計領域，特別是涉(she)及一種用(yong)(yong)于平(ping)板探(tan)(tan)測(ce)器的電(dian)磁(ci)屏蔽復合(he)材料。

背景技術：

近年來，照相平板印刷和(he)微(wei)電(dian)(dian)子(zi)技(ji)術領(ling)域(yu)的(de)(de)(de)(de)(de)不斷進步(bu)，使集(ji)成(cheng)基于TFT陣列讀(du)(du)出(chu)裝置的(de)(de)(de)(de)(de)大面積X射(she)(she)線(xian)探測器(qi)的(de)(de)(de)(de)(de)應用越(yue)來越(yue)普(pu)及。基于TFT的(de)(de)(de)(de)(de)平板系統的(de)(de)(de)(de)(de)電(dian)(dian)荷(he)收(shou)集(ji)和(he)讀(du)(du)出(chu)電(dian)(dian)子(zi)元件緊貼與X射(she)(she)線(xian)發(fa)生交(jiao)互作用的(de)(de)(de)(de)(de)材料層，使X光的(de)(de)(de)(de)(de)探測器(qi)的(de)(de)(de)(de)(de)結構緊湊，并能(neng)實時轉化為(wei)數字影像，因此(ci)X射(she)(she)線(xian)探測器(qi)正成(cheng)為(wei)醫療輻(fu)射(she)(she)成(cheng)像，工業(ye)探傷和(he)安檢(jian)的(de)(de)(de)(de)(de)中(zhong)堅力量。

X射(she)(she)線(xian)平板探(tan)測(ce)(ce)(ce)(ce)器(qi)的(de)(de)(de)成(cheng)像(xiang)(xiang)(xiang)過程(cheng)需要經歷X射(she)(she)線(xian)到(dao)可見光(guang)(guang)，然后(hou)電(dian)(dian)荷圖(tu)(tu)像(xiang)(xiang)(xiang)到(dao)數字(zi)圖(tu)(tu)像(xiang)(xiang)(xiang)的(de)(de)(de)成(cheng)像(xiang)(xiang)(xiang)轉(zhuan)換過程(cheng)，通常也被稱作間接轉(zhuan)換型(xing)平板探(tan)測(ce)(ce)(ce)(ce)器(qi)，是一種以非(fei)晶硅光(guang)(guang)電(dian)(dian)二(er)極管陣(zhen)列(lie)為核心(xin)的(de)(de)(de)X射(she)(she)線(xian)影像(xiang)(xiang)(xiang)探(tan)測(ce)(ce)(ce)(ce)器(qi)。在X射(she)(she)線(xian)照(zhao)射(she)(she)下探(tan)測(ce)(ce)(ce)(ce)器(qi)的(de)(de)(de)閃爍(shuo)體(ti)或(huo)熒光(guang)(guang)體(ti)層將X射(she)(she)線(xian)光(guang)(guang)子轉(zhuan)換為可見光(guang)(guang)，而后(hou)由(you)具(ju)有(you)光(guang)(guang)電(dian)(dian)二(er)極管作用的(de)(de)(de)非(fei)晶硅陣(zhen)列(lie)變(bian)為圖(tu)(tu)像(xiang)(xiang)(xiang)電(dian)(dian)信號(hao)，通過外圍電(dian)(dian)路積分讀出及A/D變(bian)換，從(cong)而獲得(de)數字(zi)化圖(tu)(tu)像(xiang)(xiang)(xiang)。非(fei)晶硅平板探(tan)測(ce)(ce)(ce)(ce)器(qi)具(ju)有(you)成(cheng)像(xiang)(xiang)(xiang)速度(du)(du)快，良好的(de)(de)(de)空間及密度(du)(du)分辨率，高信噪比(bi)，直接數字(zi)輸出等(deng)顯著優點。

然而(er)，X射(she)線平板探測器設(she)備的(de)自(zi)動化程度高，各種(zhong)轉動部件所使用的(de)電機產生(sheng)的(de)電磁干擾可(ke)能會影(ying)響圖像質(zhi)量，從(cong)而(er)影(ying)響客(ke)戶(hu)體驗(yan)。

現有的平板(ban)探測器(qi)通(tong)常(chang)采用(yong)密度低的鎂(mei)鋁合金(jin)作為結構件，用(yong)以減(jian)輕探測的重(zhong)量。然(ran)而(er)，鎂(mei)鋁合金(jin)的抗電(dian)磁干擾能力弱，并不能為X射(she)線平板(ban)探測器(qi)提(ti)供很好的電(dian)磁防護(hu)能力。

基于以上所述，提供一(yi)種能夠有(you)效提高平(ping)板探測器中TFT電路正面的抗(kang)干(gan)擾能力的結構件實屬必要。

技術實現要素：

鑒于(yu)以上所述現有(you)技術的缺點(dian)，本實用(yong)新型(xing)的目的在于(yu)提(ti)(ti)供一種用(yong)于(yu)平板(ban)(ban)探(tan)測器的電磁(ci)屏(ping)蔽復合(he)材料，用(yong)于(yu)解決現有(you)技術中(zhong)鎂鋁(lv)合(he)金的抗電磁(ci)干(gan)擾(rao)能(neng)力弱(ruo)，并不能(neng)為(wei)X射線(xian)平板(ban)(ban)探(tan)測器提(ti)(ti)供很(hen)好的電磁(ci)防護能(neng)力的問題。

為實現上述目的(de)(de)及其他相關目的(de)(de)，本實用新型(xing)提供一種用于平板探測器(qi)的(de)(de)電磁(ci)屏蔽復合材料，所述電磁(ci)屏蔽復合材料包(bao)括(kuo)(kuo)：鎂鋁結(jie)構(gou)件(jian)，包(bao)括(kuo)(kuo)相對(dui)的(de)(de)第(di)一表(biao)面以及第(di)二(er)表(biao)面；以及鐵鎳合金層，覆蓋于所述鎂鋁結(jie)構(gou)件(jian)的(de)(de)至少一個(ge)表(biao)面上。

作為本實(shi)用(yong)(yong)新(xin)型(xing)的(de)用(yong)(yong)于平板探測器的(de)電磁屏蔽復合(he)材料的(de)一種(zhong)優選方案，所述鐵(tie)鎳(nie)合(he)金層(ceng)為經過退火處(chu)理的(de)電鍍鐵(tie)鎳(nie)合(he)金層(ceng)。

作為本(ben)實用新型的用于平(ping)板探測器的電磁屏(ping)蔽復合材料的一種優選方(fang)案，所述鎂鋁結構件的第(di)一表(biao)面(mian)以及第(di)二表(biao)面(mian)均覆蓋(gai)有鐵鎳(nie)合金層。

作為本實用新型的用于平板探(tan)測器的電磁(ci)屏蔽(bi)復合(he)材料的一種優選方案，所述鐵鎳(nie)合(he)金層直接與所述鎂(mei)鋁結(jie)構件的表面接觸(chu)。

作(zuo)為本實用新(xin)型的(de)用于平板探測器的(de)電磁屏蔽復合(he)材料的(de)一種優選方案(an)，所述鐵鎳合(he)金(jin)層(ceng)中的(de)合(he)金(jin)晶粒的(de)尺(chi)寸(cun)范圍為1～10微米。

作為本實(shi)用新型的用于平(ping)板(ban)探測(ce)器的電磁屏蔽復(fu)合(he)材料的一種優選(xuan)方案，所述鐵鎳(nie)合(he)金層的厚(hou)度范(fan)圍為5～20微(wei)米。

作為(wei)本實用新(xin)型的用于平板探測器的電磁屏蔽復合材料(liao)的一(yi)種優(you)選(xuan)方案，所(suo)述鎂(mei)鋁結構件的厚度(du)范圍為(wei)1～10毫(hao)米(mi)。

如(ru)上所述，本實(shi)用(yong)(yong)新型的用(yong)(yong)于平板探測器(qi)的電磁屏蔽復合(he)材(cai)料，具有以下有益效果：

1、本(ben)實(shi)用新型在鎂鋁(lv)合(he)金結構(gou)件(jian)表面(mian)制(zhi)作鐵鎳合(he)金層(ceng)，使得原本(ben)不具防護(hu)電磁干擾(rao)能(neng)力(li)的鎂鋁(lv)合(he)金結構(gou)件(jian)能(neng)夠(gou)防護(hu)電磁干擾(rao)，擴(kuo)展了其(qi)應(ying)用范圍。

2、通過電(dian)鍍后(hou)進行激光退火的工藝，可以快速對鐵鎳(nie)合(he)金(jin)(jin)層進行表面處理。使電(dian)鍍出(chu)來的鐵鎳(nie)合(he)金(jin)(jin)晶粒長大(da)至1～10微米，大(da)大(da)提高了鐵鎳(nie)合(he)金(jin)(jin)層的電(dian)磁屏(ping)蔽效果。

3、本實用新型(xing)的電磁屏蔽復(fu)合材(cai)料，在(zai)電磁防護(hu)領域尤其是X射線平板(ban)探測器設計領域具有(you)廣泛的應用前景。

附圖說明

圖(tu)1～圖(tu)3顯(xian)(xian)示為(wei)(wei)本(ben)實(shi)用(yong)(yong)(yong)新型實(shi)施(shi)例1中的用(yong)(yong)(yong)于平(ping)板探測器(qi)(qi)的電(dian)磁(ci)屏蔽復合材料的制備方法各步(bu)驟所呈現的結(jie)構(gou)示意圖(tu)，其中，圖(tu)3顯(xian)(xian)示為(wei)(wei)本(ben)實(shi)用(yong)(yong)(yong)新型實(shi)施(shi)例1中的用(yong)(yong)(yong)于平(ping)板探測器(qi)(qi)的電(dian)磁(ci)屏蔽復合材料的結(jie)構(gou)示意圖(tu)。

圖4～圖6顯示(shi)為本實用(yong)新(xin)型實施(shi)例(li)2中的(de)(de)用(yong)于平(ping)板探(tan)測器(qi)(qi)的(de)(de)電(dian)磁(ci)屏蔽(bi)(bi)復合材料的(de)(de)制備方法各步驟(zou)所呈現的(de)(de)結(jie)(jie)構示(shi)意圖，其中，圖6顯示(shi)為本實用(yong)新(xin)型實施(shi)例(li)2中的(de)(de)用(yong)于平(ping)板探(tan)測器(qi)(qi)的(de)(de)電(dian)磁(ci)屏蔽(bi)(bi)復合材料的(de)(de)結(jie)(jie)構示(shi)意圖。

元件標號說明

101 鎂鋁結構(gou)件

102 電鍍的鐵鎳合金層

103 退火后的(de)鐵鎳合(he)金層

具體實施方式

以(yi)(yi)下(xia)通過特定的(de)(de)(de)具(ju)體(ti)(ti)實(shi)(shi)(shi)例說明本(ben)(ben)(ben)實(shi)(shi)(shi)用(yong)新型的(de)(de)(de)實(shi)(shi)(shi)施(shi)方式，本(ben)(ben)(ben)領域技術人員可由本(ben)(ben)(ben)說明書所揭露的(de)(de)(de)內容輕易地了解本(ben)(ben)(ben)實(shi)(shi)(shi)用(yong)新型的(de)(de)(de)其他優點(dian)與(yu)功效。本(ben)(ben)(ben)實(shi)(shi)(shi)用(yong)新型還可以(yi)(yi)通過另外(wai)不同的(de)(de)(de)具(ju)體(ti)(ti)實(shi)(shi)(shi)施(shi)方式加以(yi)(yi)實(shi)(shi)(shi)施(shi)或應用(yong)，本(ben)(ben)(ben)說明書中的(de)(de)(de)各(ge)項細節也可以(yi)(yi)基于不同觀(guan)點(dian)與(yu)應用(yong)，在沒有(you)背(bei)離本(ben)(ben)(ben)實(shi)(shi)(shi)用(yong)新型的(de)(de)(de)精神下(xia)進行各(ge)種修飾或改變。

請參閱圖(tu)1～圖(tu)6。需(xu)要說明(ming)的(de)是，本(ben)實(shi)施例中(zhong)所提供(gong)的(de)圖(tu)示(shi)僅以(yi)示(shi)意方式說明(ming)本(ben)實(shi)用新型(xing)的(de)基本(ben)構想，遂圖(tu)示(shi)中(zhong)僅顯示(shi)與(yu)本(ben)實(shi)用新型(xing)中(zhong)有(you)關的(de)組件(jian)而非(fei)按照實(shi)際實(shi)施時的(de)組件(jian)數(shu)(shu)目、形狀及(ji)尺(chi)寸繪制，其(qi)實(shi)際實(shi)施時各組件(jian)的(de)型(xing)態(tai)、數(shu)(shu)量及(ji)比例可為一(yi)種隨(sui)意的(de)改(gai)變，且其(qi)組件(jian)布局型(xing)態(tai)也(ye)可能更為復雜(za)。

實施例1

如圖3所示，本實(shi)施例提供一(yi)種用于平板(ban)探測器的(de)電(dian)(dian)磁(ci)屏蔽(bi)復(fu)合(he)材料，所述(shu)電(dian)(dian)磁(ci)屏蔽(bi)復(fu)合(he)材料包(bao)括：鎂鋁結構件101，包(bao)括相對的(de)第一(yi)表(biao)面(mian)以(yi)及(ji)第二表(biao)面(mian)；以(yi)及(ji)鐵(tie)鎳合(he)金層103，覆(fu)蓋于所述(shu)鎂鋁結構件101的(de)第一(yi)表(biao)面(mian)上。

作為示例，所(suo)述鐵鎳(nie)合金(jin)層(ceng)103為經過退火(huo)處理的(de)電鍍鐵鎳(nie)合金(jin)層(ceng)。

作為示例，所(suo)述鐵(tie)鎳合金層(ceng)103直接(jie)與所(suo)述鎂鋁結構件101的表(biao)面接(jie)觸。

作為(wei)示例，所(suo)述(shu)鐵(tie)鎳(nie)(nie)合(he)金層103中的(de)合(he)金晶(jing)粒的(de)尺(chi)寸范圍為(wei)1～10微米。在本實(shi)施(shi)例中，所(suo)述(shu)鐵(tie)鎳(nie)(nie)合(he)金層103中的(de)合(he)金晶(jing)粒的(de)尺(chi)寸范圍為(wei)4～8微米。

作為示例(li)(li)，所(suo)述(shu)鐵(tie)鎳(nie)合金層103的厚度(du)范(fan)圍(wei)為5～20微米(mi)。在本實施例(li)(li)中，所(suo)述(shu)鐵(tie)鎳(nie)合金層103的厚度(du)范(fan)圍(wei)10微米(mi)。

作為(wei)(wei)示例，所述(shu)鎂(mei)鋁(lv)結(jie)構(gou)件101的厚(hou)度范圍為(wei)(wei)1～10毫米(mi)。在(zai)本實施例中，所述(shu)鎂(mei)鋁(lv)結(jie)構(gou)件101的厚(hou)度為(wei)(wei)5毫米(mi)。

作為示例，所(suo)述用(yong)于(yu)平板(ban)(ban)探測器(qi)的(de)(de)電磁屏蔽(bi)復(fu)(fu)合材(cai)料用(yong)于(yu)承載X射線探測器(qi)的(de)(de)電路(lu)板(ban)(ban)，同時支(zhi)撐(cheng)TFT平板(ban)(ban)，例如，所(suo)述電磁屏蔽(bi)復(fu)(fu)合材(cai)料為盒狀(zhuang)結(jie)(jie)構，所(suo)述TFT平板(ban)(ban)被支(zhi)撐(cheng)于(yu)所(suo)述盒狀(zhuang)結(jie)(jie)構的(de)(de)上表面，所(suo)述電路(lu)板(ban)(ban)則(ze)設置于(yu)所(suo)述盒狀(zhuang)結(jie)(jie)構內，這種結(jie)(jie)構可以有效通過本實用(yong)新(xin)型的(de)(de)電磁屏蔽(bi)復(fu)(fu)合材(cai)料對電路(lu)板(ban)(ban)進(jin)行(xing)電磁防護，以增強其抗干擾能力。

如圖1～圖3所(suo)示(shi)，本實(shi)施例還提供(gong)一種(zhong)用于(yu)平板探測器(qi)的(de)(de)電磁屏(ping)蔽復合材料的(de)(de)制(zhi)備方法(fa)，包括步驟(zou)：

如(ru)圖1所示，首先進行步驟(zou)1)，提供一鎂鋁結構件101，至少(shao)去(qu)除所述鎂鋁結構件101第一表面的氧化層；

如圖2所示，然后進行步(bu)驟2)，在所述(shu)鎂鋁(lv)結構件101的第(di)一表面電鍍鐵(tie)鎳(nie)合金層(ceng)102，所述(shu)鐵(tie)鎳(nie)合金層(ceng)102的厚度(du)范圍為(wei)5～10微米左右；

如圖3所示，接(jie)著進(jin)行步驟3)，電鍍出來的(de)鐵鎳(nie)(nie)合金(jin)晶(jing)粒尺寸較小(xiao)，對鐵鎳(nie)(nie)合金(jin)層(ceng)(ceng)(ceng)表(biao)面進(jin)行激光退火形成退火后的(de)鐵鎳(nie)(nie)合金(jin)層(ceng)(ceng)(ceng)103，使得鐵鎳(nie)(nie)合金(jin)晶(jing)粒的(de)尺寸長大(da)至(zhi)4～8微米，同時消除所述鐵鎳(nie)(nie)合金(jin)層(ceng)(ceng)(ceng)的(de)表(biao)面缺陷(xian)；

最后(hou)進行(xing)步驟4)，將表面(mian)處理好(hao)的(de)(de)帶有鐵(tie)鎳合金層103的(de)(de)鎂鋁結構(gou)件101用(yong)于平板探測器的(de)(de)裝配。

實施例2

如圖6所(suo)示，本實施(shi)例提供一(yi)種用(yong)于(yu)平板探測(ce)器的電(dian)磁(ci)屏蔽復(fu)合(he)材(cai)料，所(suo)述(shu)電(dian)磁(ci)屏蔽復(fu)合(he)材(cai)料包(bao)括：鎂鋁結(jie)構件101，包(bao)括相對的第(di)一(yi)表(biao)面以及第(di)二表(biao)面；以及鐵鎳(nie)合(he)金層103，覆蓋于(yu)所(suo)述(shu)鎂鋁結(jie)構件101的第(di)一(yi)表(biao)面以及第(di)二表(biao)面上。

作為示例，所述鐵(tie)鎳合金(jin)層103為經過退火處理(li)的電鍍(du)鐵(tie)鎳合金(jin)層。

作為示例，所述(shu)鐵鎳合金層103直接(jie)與(yu)所述(shu)鎂鋁結(jie)構件101的表面接(jie)觸。

作為(wei)(wei)示例，所述鐵鎳(nie)合金(jin)層103中的合金(jin)晶粒的尺(chi)寸(cun)范圍為(wei)(wei)1～10微米。在(zai)本(ben)實(shi)施例中，所述鐵鎳(nie)合金(jin)層103中的合金(jin)晶粒的尺(chi)寸(cun)范圍為(wei)(wei)4～8微米。

作為示例(li)(li)，所(suo)述鐵鎳合(he)金(jin)層(ceng)103的厚度范圍(wei)為5～20微米(mi)。在(zai)本實施例(li)(li)中，所(suo)述鐵鎳合(he)金(jin)層(ceng)103的厚度范圍(wei)10微米(mi)。

作為(wei)示例，所(suo)述鎂(mei)鋁結構(gou)件(jian)101的(de)厚度(du)范圍為(wei)1～10毫米。在本實施例中，所(suo)述鎂(mei)鋁結構(gou)件(jian)101的(de)厚度(du)為(wei)5毫米。

作為示例，所(suo)述(shu)(shu)用(yong)于(yu)平(ping)板(ban)(ban)(ban)探測器(qi)的(de)電磁屏(ping)蔽(bi)復(fu)合材(cai)(cai)料(liao)用(yong)于(yu)承載X射線探測器(qi)的(de)電路板(ban)(ban)(ban)，同時支(zhi)撐(cheng)TFT平(ping)板(ban)(ban)(ban)，例如，所(suo)述(shu)(shu)電磁屏(ping)蔽(bi)復(fu)合材(cai)(cai)料(liao)為盒(he)(he)狀(zhuang)結(jie)構(gou)，所(suo)述(shu)(shu)TFT平(ping)板(ban)(ban)(ban)被支(zhi)撐(cheng)于(yu)所(suo)述(shu)(shu)盒(he)(he)狀(zhuang)結(jie)構(gou)的(de)上表面，所(suo)述(shu)(shu)電路板(ban)(ban)(ban)則設(she)置(zhi)于(yu)所(suo)述(shu)(shu)盒(he)(he)狀(zhuang)結(jie)構(gou)內，這種結(jie)構(gou)可以(yi)有效通(tong)過本實用(yong)新型(xing)的(de)電磁屏(ping)蔽(bi)復(fu)合材(cai)(cai)料(liao)對電路板(ban)(ban)(ban)進行電磁防(fang)護(hu)，以(yi)增(zeng)強其抗干擾(rao)能力。

如圖4～圖6所示(shi)，本實施例(li)還提供一種用于平板探測器的電磁屏蔽復(fu)合材料的制備方(fang)法，包(bao)括步驟(zou)：

如(ru)圖4所示，首先(xian)進行步驟1)，提供一(yi)鎂(mei)鋁(lv)結構(gou)件(jian)101，并(bing)去除所述鎂(mei)鋁(lv)結構(gou)件(jian)101第一(yi)表面以及第二表面的氧(yang)化層；

如圖5所(suo)示，然后進行步驟2)，在(zai)所(suo)述鎂鋁結構件101的第一表面以及(ji)第二表面電鍍鐵(tie)鎳(nie)合金層(ceng)102，所(suo)述鐵(tie)鎳(nie)合金層(ceng)102的厚度范圍為5～10微米(mi)左(zuo)右；

如圖(tu)6所示(shi)，接著進行步驟3)，電鍍出來的(de)(de)鐵鎳(nie)合(he)(he)金(jin)(jin)晶粒尺(chi)寸(cun)較小(xiao)，對鐵鎳(nie)合(he)(he)金(jin)(jin)層表面進行激光退火(huo)形成退火(huo)后的(de)(de)鐵鎳(nie)合(he)(he)金(jin)(jin)層103，使得鐵鎳(nie)合(he)(he)金(jin)(jin)晶粒的(de)(de)尺(chi)寸(cun)長大至(zhi)4～8微米，同時消除所述(shu)鐵鎳(nie)合(he)(he)金(jin)(jin)層的(de)(de)表面缺陷；

最(zui)后進行步驟4)，將表面(mian)處理好的(de)帶有鐵鎳合金層103的(de)鎂鋁結構件(jian)101用(yong)于平板探(tan)測器的(de)裝配。

如上所(suo)述(shu)，本實用(yong)新(xin)型(xing)的用(yong)于平板探測(ce)器(qi)的電磁(ci)屏(ping)蔽復合材料，具有(you)以下(xia)有(you)益(yi)效果：

1、本(ben)實(shi)用新型(xing)在鎂鋁(lv)合(he)金結構件表面制作鐵鎳合(he)金層(ceng)，使得原本(ben)不具(ju)防護(hu)電磁干(gan)擾能(neng)力的鎂鋁(lv)合(he)金結構件能(neng)夠防護(hu)電磁干(gan)擾，擴展了其應用范圍。

2、通過電鍍后(hou)進行激(ji)光退火的(de)(de)工藝，可以快(kuai)速對鐵鎳(nie)合(he)(he)金(jin)層(ceng)進行表面處理。使電鍍出(chu)來的(de)(de)鐵鎳(nie)合(he)(he)金(jin)晶粒長(chang)大(da)(da)至1～10微(wei)米，大(da)(da)大(da)(da)提高(gao)了鐵鎳(nie)合(he)(he)金(jin)層(ceng)的(de)(de)電磁(ci)屏蔽效(xiao)果。

3、本實用(yong)新型的(de)電磁屏(ping)蔽復合材(cai)料，在電磁防護(hu)領域(yu)尤(you)其是(shi)X射(she)線(xian)平板探(tan)測器設計領域(yu)具(ju)有廣泛的(de)應(ying)用(yong)前(qian)景(jing)。

所以，本實用新型(xing)有效克(ke)服了現有技術中的種種缺點而具高度(du)產業(ye)利用價值(zhi)。

上述實施例(li)(li)僅例(li)(li)示(shi)性說明本(ben)實用(yong)新型(xing)(xing)(xing)的(de)原理及其功效，而非用(yong)于限制本(ben)實用(yong)新型(xing)(xing)(xing)。任何熟(shu)悉(xi)此(ci)(ci)技(ji)術(shu)的(de)人士(shi)皆(jie)可在不違背本(ben)實用(yong)新型(xing)(xing)(xing)的(de)精神(shen)及范(fan)疇下(xia)，對上述實施例(li)(li)進行修飾(shi)或改變。因(yin)此(ci)(ci)，舉凡所屬技(ji)術(shu)領(ling)域中具有通常知識者在未脫離本(ben)實用(yong)新型(xing)(xing)(xing)所揭示(shi)的(de)精神(shen)與技(ji)術(shu)思想下(xia)所完成(cheng)的(de)一切等效修飾(shi)或改變，仍應由本(ben)實用(yong)新型(xing)(xing)(xing)的(de)權利要求所涵蓋。