驗條件，覆銅板200的選用尺寸為61X 67 X
0.92mm，散熱器底板100由銅制成，電壓為480V，電流0-150A，從O逐步增加輸出相電流至150A，測試IGBT模組的最高溫度，以及用熱阻測試儀測量IGBT芯片2000配氮化硅基板的覆銅板200的穩態熱阻。其中，需要說明的是，IGBT芯片2000采用的型號為IGC193T120T8RMA，而且IGBT芯片2000為1200v/200A，IGBT芯片2000的生產公司為英飛凌公司。
[0065]最后介紹一下IGBT模組的試驗結果，通過熱阻測試儀測得覆銅板200的溫度熱阻為0.08582k/w，IGBT模組最高溫度為81°C，從而可以得知:IGBT模組可以滿足散熱要求，而且IGBT模組的散熱效果好。
[0066]在本實用新型的描述中，需要理解的是，術語“中心”、“縱向”、“橫向”、“長度”、“寬度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“豎直”、“水平”、“頂”、“底” “內”、“外”、“順時針”、“逆時針”、“軸向”、“徑向”、“周向”等指示的方位或位置關系為基于附圖所示的方位或位置關系，僅是為了便于描述本實用新型和簡化描述，而不是指示或暗示所指的裝置或元件必須具有特定的方位、以特定的方位構造和操作，因此不能理解為對本實用新型的限制。
[0067]此外，術語“第一”、“第二”僅用于描述目的，而不能理解為指示或暗示相對重要性或者隱含指明所指示的技術特征的數量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隱含地包括至少一個該特征。在本實用新型的描述中，“多個”的含義是至少兩個，例如兩個，三個等，除非另有明確具體的限定。
[0068]在本實用新型中，除非另有明確的規定和限定，術語“安裝”、“相連”、“連接”、“固定”等術語應做廣義理解，例如，可以是固定連接，也可以是可拆卸連接，或成一體;可以是機械連接，也可以是電連接或彼此可通訊；可以是直接相連，也可以通過中間媒介間接相連，可以是兩個元件內部的連通或兩個元件的相互作用關系，除非另有明確的限定。對于本領域的普通技術人員而言，可以根據具體情況理解上述術語在本實用新型中的具體含義。
[0069]在本實用新型中，除非另有明確的規定和限定，第一特征在第二特征“上”或“下”可以是第一和第二特征直接接觸，或第一和第二特征通過中間媒介間接接觸。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”可是第一特征在第二特征正上方或斜上方，或僅僅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”可以是第一特征在第二特征正下方或斜下方，或僅僅表示第一特征水平高度小于第二特征。
[0070]在本說明書的描述中，參考術語“一個實施例”、“一些實施例”、“示例”、“具體示例”、或“一些示例”等的描述意指結合該實施例或示例描述的具體特征、結構、材料或者特點包含于本實用新型的至少一個實施例或示例中。在本說明書中，對上述術語的示意性表述不必須針對的是相同的實施例或示例。而且，描述的具體特征、結構、材料或者特點可以在任一個或多個實施例或示例中以合適的方式結合。此外，在不相互矛盾的情況下，本領域的技術人員可以將本說明書中描述的不同實施例或示例以及不同實施例或示例的特征進行結合和組合。
[0071]盡管上面已經示出和描述了本實用新型的實施例，可以理解的是，上述實施例是示例性的，不能理解為對本實用新型的限制，本領域的普通技術人員在本實用新型的范圍內可以對上述實施例進行變化、修改、替換和變型。
【主權項】
1.一種IGBT散熱模組，其特征在于，包括: 散熱器底板，所述散熱器底板包括:底板本體和N個散熱柱，所述底板本體包括本體部和分別設置在所述本體部的相對的兩個表面上的第一表層和第二表層，所述N個散熱柱間隔開設在所述第一表層上，且每個所述散熱柱的一端與所述第一表層固定且另一端為自由端，所述第一表層和所述散熱柱均適于與冷卻液接觸，所述散熱器底板為銅制成； 覆銅板，所述覆銅板包括基板、第一銅層和第二銅層，所述第一銅層與所述第二銅層分別設置在所述基板上的相對設置的兩個表面上，所述基板為氮化硅基板，所述第一銅層設在所述第二表層上。2.根據權利要求1所述的IGBT散熱模組，其特征在于，所述第一銅層與所述第二銅層的厚度相等。3.根據權利要求1所述的IGBT散熱模組，其特征在于，所述第一銅層和所述第二銅層的厚度均為0.2毫米-0.6毫米。4.根據權利要求1所述的IGBT散熱模組，其特征在于，所述基板的厚度為0.25毫米-1毫米。5.根據權利要求1所述的IGBT散熱模組，其特征在于，所述覆銅板為多個，多個所述覆銅板沿所述散熱器底板的長度方向間隔開設置，相鄰兩個所述覆銅板之間的距離為3毫米-10毫米。6.根據權利要求1所述的IGBT散熱模組，其特征在于，所述第一表層上與所述冷卻液接觸部分的面積為SI，所述第一表層上與每個所述散熱柱相接觸部分的面積為S2，180 SSl/52< 800，其中300<~<650。7.根據權利要求6所述的IGBT散熱模組，其特征在于，200< S1/S2 < 500;其中300 <N<420。8.根據權利要求6所述的IGBT散熱模組，其特征在于，所述IGBT散熱模組的散熱面積為S，N個所述散熱柱的周壁的外表面的面積之和為S3，N個所述散熱柱的自由端的端面的面積之和為S4，S = S1+S3+S4，且40000平方毫米SSS 50000平方毫米。9.根據權利要求6所述的IGBT散熱模組，其特征在于，所述散熱柱的高度為h，其中，7.5毫米<h<8.2毫米。10.根據權利要求9所述的IGBT散熱模組，其特征在于，每個所述散熱柱的散熱面積為(S3+S4)/N,80< (S3+S4)/N< 120ο11.根據權利要求6所述的IGBT散熱模組，其特征在于，從所述散熱柱的所述一端向所述自由端，所述散熱柱的橫截面的面積從所述散熱柱的所述一端向所述自由端減小。12.根據權利要求11所述的IGBT散熱模組，其特征在于，所述散熱柱的橫截面為圓形，所述散熱柱的所述一端的半徑與所述自由端的半徑之比為α ,1.2<α<1.8ο13.根據權利要求6所述的IGBT散熱模組，其特征在于，所述冷卻液適于盛放在冷卻槽中，所述冷卻槽適于與所述第一表層相連，且所述散熱柱的自由端距離所述冷卻槽的底壁的距離最小處為LI，0.2毫米SLl ^ 2毫米。14.根據權利要求6所述的IGBT散熱模組，其特征在于，相鄰兩個所述散熱柱的距離為1^2，0.4毫米<1^2<1.1毫米。15.根據權利要求14所述的IGBT散熱模組，其特征在于，任意相鄰兩個所述散熱柱構成一組，其中一組的L2與其余組中的一組的L2不相等。16.根據權利要求15所述的IGBT散熱模組，其特征在于，N=368，其中第一組的L2 =0.62毫米，第二組的L2 = 1.04毫米，其余組的L2滿足如下條件:0.62毫米< L2 < 1.04毫米。17.根據權利要求6所述的IGBT散熱模組，其特征在于，每個所述散熱柱的拔模角β為2度-4度。18.根據權利要求6所述的IGBT散熱模組，其特征在于，所述本體部、所述第一表層、所述第二表層和所述散熱柱通過氣壓滲流法壓鑄一體成型。19.根據權利要求8所述的IGBT散熱模組，其特征在于，40000平方毫米50000平方毫米，N=368，S1/S2 = 229.284。20.根據權利要求1-19中任一項所述的IGBT散熱模組，其特征在于，所述N個散熱柱分為多組，多組沿所述IGBT散熱模組的長度方向間隔設置，所述多組包括沿所述IGBT散熱模組的長度方向交替設置的第一子組和第二子組，所述第一子組和所述第二子組中均包括沿所述IGBT散熱模組的寬度方向間隔設置的多個散熱柱。21.—種IGBT模組，其特征在于，包括IGBT芯片和根據權利要求1-20中任一項所述的IGBT散熱模組，所述IGBT芯片設置在所述第二銅層上。
【專利摘要】本實用新型公開了一種IGBT散熱模組以及具有其的IGBT模組，IGBT散熱模組包括：散熱器底板，散熱器底板包括：底板本體和N個散熱柱，底板本體包括本體部和分別設置在本體部的相對的兩個表面上的第一表層和第二表層，N個散熱柱間隔開設在第一表層上，且每個散熱柱的一端與第一表層固定且另一端為自由端，第一表層和散熱柱均適于與冷卻液接觸，散熱器底板為銅制成；覆銅板，覆銅板包括基板、第一銅層和第二銅層，第一銅層與第二銅層分別設置在基板上的相對設置的兩個表面上，基板為氮化硅基板，第一銅層設在第二表層上。銅制的散熱器底板散熱效果好，可以提升IGBT散熱模組的散熱能力，可以滿足IGBT散熱模組的散熱要求。而且氮化硅基板結構強度好。
【IPC分類】H01L23/473, H01L23/373
【公開號】CN205282468
【申請號】CN201520973052
【發明人】林信平, 徐強
【申請人】比亞迪股份有限公司
【公開日】2016年6月1日
【申請日】2015年11月30日