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一種柔性導電線及設置有所述柔性導電線的柔性背板的制作方法

文檔序號:10300241閱讀:184來源:國知局
一種柔性導電線及設置有所述柔性導電線的柔性背板的制作方法
【技術領域】
[0001] 本實用新型設及柔性顯示裝置領域,具體設及一種柔性導電線W及設置有運種柔 性導電線的柔性背板。
【背景技術】
[0002] 隨著顯示技術的不斷發展,OLED(有機發光二極管)因其發光亮度高、色彩豐富、低 壓直流驅動、制備工藝簡單等優點,日益成為國際研究的熱點。OL抓視野范圍更廣,可制成 更大尺寸的產品,可滿足用戶對不同尺寸的要求。上述突出的優點決定了化抓將成為下一 代顯示技術的主流。隨著材料技術的發展,顯示屏已經可W制作成可彎曲的形式。采用柔性 顯示屏的設備有很多優點,比如攜帶方便、可彎曲、可隨意變形等。但是柔性背板內部的金 屬線在彎曲狀態下電阻容易發生巨大的變化甚至斷裂,從而影響屏體的壽命。 【實用新型內容】
[0003] 為此,本實用新型所要解決的技術問題是現有柔性背板內部的金屬線在彎曲狀態 下電阻容易發生巨大的變化甚至斷裂的問題,本實用新型提供一種柔性導電線,W及設置 有運種柔性導電線的柔性背板。所述柔性導電線彎曲過程中電阻率能夠保持穩定,延長了 柔性背板的壽命。
[0004] 為解決上述技術問題,本實用新型采用的技術方案如下:
[0005] -種柔性導電線,包括第一金屬層和第二金屬層,所述第一金屬層和第二金屬層 之間設置有導電顆粒層。
[0006] 所述導電顆粒層中的導電顆粒為圓球形、楠圓形、菱形或正方形中一種或其中幾 種圖形的組合。
[0007] 所述導電顆粒的粒徑為50nm-500nm。
[000引導電顆粒層中的導電顆粒為納米導電聚合物材料顆粒、銅(Cu)金屬納米顆粒,銀 (Ag)金屬納米顆粒、金(Au)金屬納米顆粒或儀(Ni)金屬納米顆粒中的一種或其中幾種的組 么 n O
[0009] 所述第一金屬層的厚度為100nm-300nm,所述第二金屬層的厚度為100nm-300nm。
[0010] 所述第一金屬層和第二金屬層相同或不同,分別為鋼金屬層、銅金屬層、侶金屬層 或鐵金屬層。
[00川一種柔性背板,包括柔性襯底和形成在柔性襯底上的TFT(薄膜晶體管借板,所述 TFT背板包括在柔性襯底上形成的柵極層、柵極絕緣層、多晶娃半導體層和源/漏電極層,所 述柵極層和/或源/漏電極層為所述柔性導電線。
[0012] -種柔性背板,包括柔性襯底和形成在柔性襯底上的TFT背板,所述TFT背板包括 在柔性襯底上形成的有源層、柵極絕緣層、層間絕緣層、柵極層和源/漏電極層,所述柵極層 和/或源/漏電極層為所述柔性導電線。
[0013] 本實用新型的上述技術方案相比現有技術具有W下優點:
[0014] 本實用新型提供的柔性導電線包括第一金屬層和第二金屬層,所述第一金屬層和 第二金屬層之間設置有導電顆粒層。當柔性導電線發生彎曲時,曲率較大的位置的導電顆 粒可能會有接觸不良的情況,此時上下兩層的金屬層可W作為補充,不會導致導電線的電 阻變大;如果上下兩層金屬層出現某處斷裂的情況,導電顆粒會將上下金屬進行連接,不會 導致導電線電阻變大或者斷裂。因此本實用新型的柔性導電線電阻變化小,可靠性高。
[0015] 本實用新型提供的TFT背板的柵極層、源/漏電極層采用了上述柔性導電線結構, 當柔性襯底彎曲時,TFT背板中的導電線電阻不會出現劇烈變大或者斷裂情況,增加了裝置 的可靠性。
【附圖說明】
[0016] 為了使本實用新型的內容更容易被清楚的理解,下面根據本實用新型的具體實施 例并結合附圖,對本實用新型作進一步詳細的說明,其中
[0017] 圖1是本實用新型柔性導電線的結構示意圖;
[0018] 圖2是本實用新型柔性導電線彎曲的結構示意圖
[0019] 圖3是本實用新型柔性背板的結構示意圖;
[0020] 圖4是本實用新型柔性背板的另一實施方式結構示意圖;
[0021] 圖中附圖標記表示為:1-柔性襯底、2-柵極層、3-柵極絕緣層、4-多晶娃半導體層、 5-純化層,6-源漏極層,7-層間絕緣層,8-有源層,11-束一金屬層,12-導電顆私,13-束^金 屬層。
【具體實施方式】
[0022] 為使本實用新型的目的、技術方案和優點更加清楚,下面將結合附圖對本實用新 型實施方式作進一步地詳細描述。
[0023] 本實用新型可W W許多不同的形式實施,而不應該被理解為限于在此闡述的實施 例。相反,提供運些實施例,使得本公開將是徹底和完整的,并且將把本實用新型的構思充 分傳達給本領域技術人員,本實用新型將僅由權利要求來限定。在附圖中,為了清晰起見, 會夸大層和區域的尺寸和相對尺寸。應當理解的是,當元件例如層、區域或柔性襯底被稱作 "形成在"或"設置在"另一元件"上"時,該元件可W直接設置在所述另一元件上,或者也可 W存在中間元件。相反,當元件被稱作"直接形成在"或"直接設置在"另一元件上時,不存在 中間元件。
[0024] 如圖1和圖2所示,本實用新型的一種柔性導電線,包括第一金屬層11和第二金屬 層13,所述第一金屬層11和第二金屬層13之間設置有導電顆粒層。所述導電顆粒層中的導 電顆粒12為圓球形、楠圓形、菱形或正方形中一種或其中幾種圖形的組合。所述導電顆粒的 粒徑為50nm-500nm。導電顆粒層中的導電顆粒12為納米導電聚合物材料顆粒、銅(化)金屬 納米顆粒,銀(Ag)金屬納米顆粒、金(Au)金屬納米顆粒或儀(Ni)金屬納米顆粒中的一種或 其中幾種的組合。所述第一金屬層的厚度為l〇〇nm-300nm,所述第二金屬層的厚度為IOOnm-300nm。所述第一金屬層和第二金屬層相同或不同,分別為鋼金屬層、銅金屬層、侶金屬層或 鐵金屬層。
[0025] 如圖2所示,柔性導電線彎曲后,曲率較大的位置的可能會有接觸不良的情況,此 時上下兩層的金屬層可W作為補充,不會導致導電線的電阻變大;如果上下兩層金屬層出 現某處斷裂的情況,導電顆粒12會將上下金屬進行連接,不會導致導電線電阻變大或者斷 裂。因此本實用新型的柔性導電線電阻變化小,可靠性高。
[0026] 如圖3所示,一種柔性背板,包括柔性襯底1和形成在柔性襯底1上的底柵型TFT,所 述TFT包括在柔性襯底上形成的柵極層2、柵極絕緣層3、多晶娃半導體層4和源/漏電極層6, 所述柵極層2和源/漏電極層6為所述柔性導電線。作為其他實施方式,所述TFT也可W為:柵 極層2采用圖1所示的柔性導電線結構,源/漏電極層6采用普通的現有結構;或者源/漏電極 層6采用圖1所示柔性導電線,柵極層2采用普通的現有結構。
[0027] 所述柵極絕緣層3選自但不限于氧化娃、氮化娃、氮氧化娃、氧化侶、氧化鐵中的一 種或多種材料的堆疊結構層,本實施例優選氧化娃層;本實施例中所述柵極絕緣層3的厚度 為1200/\,作為本實用新型的其他實施例,所述柵極絕緣層3的厚度還可W為 800~3000 乂,均可W實現本實用新型的目的,屬于本實用新型的保護范圍。
[0028] 所述多晶娃半導體層4在源/漏電極層6的圖案化的過程中容易受到損傷,為此,本 實施例中所述多晶娃半導體層4上還設置有覆蓋所述多晶娃半導體層4遠離所述基板1的表 面和側面的純化層5。所述純化層選自但不限于氧化娃、氮化娃、氮氧化娃、氧化侶、氧化鐵 中的一種或多種材料的堆疊結構層,均可W實現本實用新型的目的,屬于本實用新型的保 護范圍。本實施例中所述純化層5優選刻蝕阻擋層,所述刻蝕阻擋層優選氧化娃層,厚度為 lOOOA。
[0029] 在薄膜晶體管TFT中,所述源極和漏極通常采用同種原料形成在同一層中,為此, 為了方便描述,通常將所述源極和所述漏極所在層統稱為源/漏極層6。源/漏極層6通過純 化層5中的過孔與多晶娃半導體層4的源區和漏區連接。在本實用新型所有附圖中,所述源 極和所述漏極的位置可W互換。
[0030] 上述柔性背板的制備工藝中TFT、像素顯示單元同現有技術,其中柔性導電線制備 方法如下:
[0031] S1、采用磁控瓣射方法在柵絕緣層或者層間絕緣層沉積第一金屬層11,其厚度為 lOOnm-SOOnm;
[0032] S2、采用coat ing方法制備導電顆粒層12;
[0033] S3、采用磁控瓣射方法在導電顆粒層12上沉積第二金屬層13,其厚度為IOOnm-SOOnm。
[0034] 作為另一實施方式,如圖4所示柔性背板,采用頂柵TFT,具體包括柔性襯底1和形 成在柔性襯底1上的頂柵型TFT,所述TFT包括在柔性襯底上形成的有源層8、柵極絕緣層3、 層間絕緣層7、柵極層2和源/漏電極層6,所述柵極層2和源/漏電極層6為所述柔性導電線。 作為其他實施方式,所述TFT也可W為:柵極層2采用圖1所示的柔性導電線結構,源/漏電極 層6采用普通的現有結構;或者源/漏電極層6采用圖1所示柔性導電線,柵極層2采用普通的 現有結構。
[0035] 顯然,上述實施例僅僅是為清楚地說明所作的舉例,而并非對實施方式的限定。對 于所屬領域的普通技術人員來說,在上述說明的基礎上還可W做出其它不同形式的變化或 變動。運里無需也無法對所有的實施方式予W窮舉。而由此所引伸出的顯而易見的變化或 變動仍處于本實用新型的保護范圍之中。
【主權項】
1. 一種柔性導電線,其特征在于,包括第一金屬層和第二金屬層,所述第一金屬層和第 二金屬層之間設置有導電顆粒層。2. 根據權利要求1所述柔性導電線,其特征在于,所述導電顆粒層中的導電顆粒為圓球 形、橢圓形、菱形或正方形中一種或其中幾種圖形的組合。3. 根據權利要求2所述柔性導電線,其特征在于,所述導電顆粒的粒徑為50nm-500nm。4. 根據權利要求3所述柔性導電線,其特征在于,導電顆粒層中的導電顆粒為納米導電 聚合物材料顆粒、銅金屬納米顆粒,銀金屬納米顆粒、金金屬納米顆粒或鎳金屬納米顆粒中 的一種。5. 根據權利要求1所述柔性導電線,其特征在于,所述第一金屬層的厚度為lOOnm-300nm,所述第二金屬層的厚度為100nm-300nm。6. 根據權利要求1或5所述柔性導電線,其特征在于,所述第一金屬層和第二金屬層相 同或不同,分別為鉬金屬層、銅金屬層、鋁金屬層或鈦金屬層。7. -種柔性背板,包括柔性襯底和形成在柔性襯底上的TFT背板,所述TFT背板包括在 柔性襯底上形成的柵極層、柵極絕緣層、多晶硅半導體層和源/漏電極層,其特征在于,所述 柵極層和/或源/漏電極層為權利要求1-6任一所述柔性導電線。8. -種柔性背板,包括柔性襯底和形成在柔性襯底上的TFT背板,所述TFT背板包括在 柔性襯底上形成的有源層、柵極絕緣層、層間絕緣層、柵極層和源/漏電極層,其特征在于, 所述柵極層和/或源/漏電極層為權利要求1-6任一所述柔性導電線。
【專利摘要】本實用新型提供的一種柔性導電線及設置有所述柔性導電線的柔性背板,包括第一金屬層和第二金屬層,所述第一金屬層和第二金屬層之間設置有導電顆粒層。所述柔性導電線彎曲過程中電阻率能夠保持穩定,延長了柔性背板的壽命。
【IPC分類】H01L27/12, H01L29/43
【公開號】CN205211753
【申請號】CN201520984147
【發明人】高勝, 劉玉成, 袁波
【申請人】昆山工研院新型平板顯示技術中心有限公司, 昆山國顯光電有限公司
【公開日】2016年5月4日
【申請日】2015年12月2日
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