USBType-C母座連接器的結構的制作方法
【技術領域】
[0001]本實用新型涉及一種連接器結構，特別是指一種USB Type-C母座連接器的結構。
【背景技術】
[0002]隨著多媒體與高速寬帶的使用普及，電子裝置間傳遞的數據量日益龐大，故如何在短暫的時間內傳輸大量電子數據，是現今信息科技發展的趨勢。除了增加電子裝置間傳輸電子訊號的通路外，目前一般采取的對應措施是提高電子裝置間所傳遞的電子訊號頻率。而連接器是一種位于不同電子裝置間的電子訊號溝通橋梁，隨著傳輸量要求的提升，連接器亦漸漸面臨高頻訊號傳遞的挑戰。
[0003]為了使USB能夠應用于更高速率的訊號傳輸，全新的通用串行總線Type C便因應而生。USB國際制定標準協會(USB-1F)于日前宣布了這項名為USB Type C接口的標準規范，由于同步傳輸的數據量大幅增加，在使用過程中可能產生相對應的電磁輻射，以致干擾其它電子組件的正常運作，有鑒于此，業界普遍都會以接地方式來降低電磁干擾(EMI)的產生。
[0004]然上述USB Type C連接器于使用時，確實存在下列問題與缺失尚待改進:
[0005]1、僅以接地方式降低電磁干擾，成效明顯不足。
[0006]2、連接器外殼體的多處鏤空以及端子焊接處，常是干擾最難抑制的位置。
[0007]3、高頻端子間以及端子彎折處造成的干擾問題。
[0008]因此，要如何解決上述習用的問題與缺失，即為本實用新型的申請人與從事此行業之相關廠商所亟欲研究改善的方向所在。
[0009]故，本實用新型的申請人有鑒于上述缺失，乃搜集相關資料，經由多方評估及考慮，并以從事于此行業累積的多年經驗，經由不斷試作及修改，終于設計出此種利用絕佳的包覆性及多層的隔離效果，使連接器具有防止噪聲(EM1、RFI)散逸優勢，而可有效抑制電磁波福射的USB Type-C母座連接器的結構。
【實用新型內容】
[0010]本實用新型的目的在于提供一種使連接器具有防止噪聲(EM1、RFI)散逸優勢，而可有效抑制電磁波輻射的USB Type-C母座連接器之結構。
[0011]為了達成上述目的，本實用新型的解決方案是:
[0012]一種USB Type-C母座連接器的結構，包含:
[0013]—上傳輸導體組，該上傳輸導體組包含多個高頻訊號上傳輸導體組、多個置于高頻訊號上傳輸導體組兩側的差動電源上傳輸導體組、及多個置于各該差動電源上傳輸導體組間的低頻訊號上傳輸導體組，且該些高頻訊號上傳輸導體組、該些差動電源上傳輸導體組及該些低頻訊號上傳輸導體組系分別界定有一上傳輸導體組接觸部、一由該上傳輸導體組接觸部一端延伸形成的上傳輸導體組延伸部、及一由該上傳輸導體組延伸部背離該上傳輸導體組接觸部一端彎折形成的上傳輸導體組焊接部，該上傳輸導體組焊接部為單排焊接狀態，其中該上傳輸導體組延伸部包含一向下彎折形成的上傾斜部；
[0014]—與該上傳輸導體組上下并排的下傳輸導體組，該下傳輸導體組包含多個高頻訊號下傳輸導體組、多個置于該些高頻訊號下傳輸導體組兩側的差動電源下傳輸導體組、及多個置于各該差動電源下傳輸導體組間的低頻訊號下傳輸導體組，且該些高頻訊號下傳輸導體組、該些差動電源下傳輸導體組及該些低頻訊號下傳輸導體組分別界定有一下傳輸導體組接觸部、一由該下傳輸導體組接觸部一端延伸形成的下傳輸導體組延伸部、及一由該下傳輸導體組延伸部背離該下傳輸導體組接觸部一端彎折形成的下傳輸導體組焊接部，而該下傳輸導體組焊接部為單排焊接狀態，其中該下傳輸導體組延伸部包含一向下彎折形成的下傾斜部；
[0015]至少一設于該上傳輸導體組延伸部及該下傳輸導體組延伸部間的隔板部，該隔板部包含一位于該上傾斜部及該下傾斜部間的斜板部；
[0016]至少一供設置該隔板部、該上傳輸導體組、及該下傳輸導體組的絕緣膠體；至少一收容該上傳輸導體組、該下傳輸導體組及該絕緣膠體的屏蔽殼體，該屏蔽殼體包含一內屏蔽殼體、一包覆該內屏蔽殼體的外屏蔽殼體、及至少一設于該內屏蔽殼體一側的絕緣墊體；及多個形成于該內屏蔽殼體一側且分別位于該上傳輸導體組延伸部及該下傳輸導體組延伸部上下兩側的接地導磁板狀體。
[0017]進一步，所述外屏蔽殼體包含一容置部、一由該容置部一側翻折形成而披覆于該容置部上的披覆部、一形成于該披覆部一側且寬度大于該披覆部的蓋體部、一形成于該蓋體部一側的斜后蓋、及多個形成于該披覆部或該蓋體部至少一側處的焊接腳。
[0018]進一步，所述內屏蔽殼體兩側具有至少一固定彈片，且該絕緣墊體包含一平面部、二分別形成于該平面部兩側的限位部、及至少一位于該平面部底側的支撐部，各該接地導磁板狀體間具有一間隔部。
[0019]進一步，所述絕緣膠體包含一設于該隔板部一側的上絕緣膠體及一設于該隔板部背離該上絕緣膠體一側的下絕緣膠體。
[0020]進一步，所述上絕緣膠體包含一第一上絕緣層、一向上凸出形成于該第一上絕緣層一側的第二上絕緣層、至少一向上凸出形成于該第二上絕緣層背離該第一上絕緣層一側的第三上絕緣層、及至少一向下凸出形成于該第三上絕緣層背離該第二上絕緣層一側且供包覆該上傳輸導體組焊接部的第一絕緣塊。
[0021]進一步，所述下絕緣膠體包含一第一下絕緣層、一向下凸出形成于該第一下絕緣層一側的第二下絕緣層、至少一向下凸出形成于該第二下絕緣層背離該第一下絕緣層一側的第三下絕緣層、及至少一向下凸出形成于該第三下絕緣層背離該第二下絕緣層一側且供包覆該下傳輸導體組焊接部的第二絕緣塊。
[0022]進一步，各所述差動電源上傳輸導體組及各差動電源下傳輸導體組是沿背離該低頻訊號上傳輸導體組及該低頻訊號下傳輸導體組的方向向外擴散，該上傳輸導體組接觸部的寬度大于該上傳輸導體組延伸部的寬度，該上傳輸導體組延伸部的寬度大于該上傳輸導體組焊接部的寬度，該下傳輸導體組接觸部的寬度大于該下傳輸導體組延伸部的寬度，且該下傳輸導體組延伸部的寬度大于該下傳輸導體組焊接部的寬度。
[0023]進一步，所述上傾斜部與該上傳輸導體組延伸部及該上傳輸導體組焊接部間之夾角為135度，所述下傾斜部與該下傳輸導體組延伸部及該下傳輸導體組焊接部間的夾角為135 度。
[0024]進一步，所述隔板部包含至少一卡扣彈片、多個形成于該隔板部上的卡扣孔、及至少一形成于該隔板部或該斜板部上的隔離部。
[0025]進一步，所述外屏蔽殼體至少一側處具有多個供固定于一電路基板上的焊接腳，且該焊接腳上具有至少一供加強固持力的鏤空部。
[0026]采用上述結構后，本實用新型USB Type-C利用設于該上傳輸導體組延伸部及該下傳輸導體組延伸部間的隔板部，將上下兩排傳輸導體組予以隔離，配合接地導磁板狀體的作用調節特征阻抗、減少插入或回授訊號損失、或調整近端與遠程的串音，以解決USBTyP e-C對內、對外的噪聲干擾問題。
[0027]本實用新型以向下彎折的上傳輸導體焊接部及下傳輸導體焊接部交錯排列形成垂直單排焊接的態樣，且在上傳輸導體延伸部及下傳輸導體延伸部間利用隔板部予以隔離，再于內屏蔽殼體上設置多個供降低回授損失及調整串音的接地導磁板狀體，最后利用外屏蔽殼體將內屏蔽殼體連同垂直段的上、下傳輸導體焊接部完全包覆，藉此確實降低EMI及RFI。藉由上述技術，可針對習用USB Type-C所存在的問題點加以改善，以達到上述優點的實用進步性。
【附圖說明】
[0028]圖1為本實用新型較佳實施例的立體圖；
[0029]圖2為本實用新型傳輸導體組及隔板部的側面透視圖；
[0030]圖3為本實用新型上傳輸導體組的俯視圖；
[0031]圖4為本實用新型下傳輸導體組的俯視圖；
[0032]圖5為本實用新型外屏蔽殼體的立體圖；
[0033]圖6為本實用新型內屏蔽殼體的立體圖；
[0034]圖7為本實用新型絕緣墊體的立體圖；
[0035]圖8為本實用新型絕緣膠體的立體圖；
[0036]圖8A為圖8另一角度的立體圖；
[0037]圖9為本實用新型隔板部另一角度的立體圖；
[0038]圖10為本實用新型另一實施例的立體圖。
[0039]其中:
[0040]上傳輸導體組...1
[0041]高頻訊號上傳輸導體組….11
[0042]上傳輸導體組接觸部...111
[0043]上傳輸導體組延伸部...112
[0044]上傾斜部...1121
[0045]上傳輸導體組焊接部...113
[0046]差動電源上傳輸導體組...12
[0047]上傳輸導體組接觸部.