一種全彩氮化鎵基led芯片立式封裝體的制作方法
【技術領域】
[0001]本實用新型屬于半導體技術領域，特別是指一種全彩氮化鎵基LED芯片立式封裝體。
【背景技術】
[0002]由于LED具有節能、環保、壽命長等優點，在未來幾年后，LED有可能取代白熾燈、熒光燈等傳統照明燈具而進入千家萬戶。目前LED的封裝方法主要為貼片式封裝，即LED芯片水平貼附在支架上。這種封裝方法使得有源區發出的光線只能從正面出射，這就增大了光線被金屬電極吸收的概率，并且被限制在LED芯片內的光線會在氮化鎵材料和外界空氣的界面處來回反射，從而被氮化鎵材料吸收，大大影響了器件的提取效率，同時還會影響到器件的可靠性。同時這種封裝方法也會大大影響LED光源的遠場分布，從而限制LED在背光源等方面的應用。
【實用新型內容】
[0003]為了克服上述問題本實用新型提供了一種全彩氮化鎵基LED芯片立式封裝體，包括柔性襯底、一顆或多顆氮化鎵基LED芯片、多條電極電路和封裝部分，一顆或多顆氮化鎵基LED芯片倒裝固定至柔性襯底上及多條電極電路固定至柔性襯底上，其中每顆氮化鎵基LED芯片均連接至兩條電極電路，多條電極電路均與柔性襯底底邊垂直，封裝部分完全覆蓋一顆或多顆氮化鎵基LED芯片和多條電極電路并固化至所述柔性襯底上，柔性襯底為立式圓筒狀。
[0004]本實用新型公開的一種全彩氮化鎵基LED芯片立式封裝體的實施例中，一顆或多顆氮化鎵基LED芯片包括紅光芯片和/或綠光芯片和/或藍光芯片。
[0005]本實用新型公開的一種全彩氮化鎵基LED芯片立式封裝體的實施例中，紅光芯片的波長為600-800nm，綠光芯片的波長為500_600nm，藍光芯片的波長為400_500nm。
[0006]本實用新型公開的一種全彩氮化鎵基LED芯片立式封裝體的實施例中，柔性襯底為柔性透明硅膠、聚酰亞胺或柔性塑料。
[0007]本實用新型公開的一種全彩氮化鎵基LED芯片立式封裝體的實施例中，多條電極電路可以蒸鍍或印刷或噴印至柔性襯底上。
[0008]本實用新型公開的一種全彩氮化鎵基LED芯片立式封裝體的一個實施例中，柔性襯底上設置有3顆氮化鎵基LED芯片，分別為紅光芯片、綠光芯片和藍光芯片。
[0009]本實用新型公開的一種全彩氮化鎵基LED芯片立式封裝體的一個實施例中，柔性襯底為立式三角形，立式三角形的每個側面上設有一顆氮化鎵基LED芯片和兩條電極電路。
[0010]有益效果
[0011]本實用新型的目的在于提供一種全彩氮化鎵基LED芯片立式封裝體，沒有借助任何輔助支撐物體，實現了氮化鎵基LED芯片的立式封裝。使得封裝效率大大提高，封裝工藝簡化，有利于半導體照明的普及和發展。
[0012]另外使LE D芯片有源區發出的光能夠從芯片的正、背面出射，而且發出全彩的光源，大大提高了 LED器件的提取效率，同時也大大改善了其遠場分布。
【附圖說明】
[0013]圖1是一種全彩氮化鎵基LED芯片立式封裝體的一個實施例的結構示意圖。
[0014]圖2是一種全彩氮化鎵基LED芯片立式封裝體被封裝前的結構示意圖。
[0015]圖3是一種全彩氮化鎵基LED芯片立式封裝體的另一個實施例的結構示意圖。
【具體實施方式】
[0016]下面結合附圖和具體實施例對本實用新型作進一步詳細描述，但不作為對本實用新型的限定。
[0017]圖1是一種全彩氮化鎵基LED芯片立式封裝體的一個實施例的結構示意圖。如圖1所示，本實用新型提供了一種全彩氮化鎵基LED芯片立式封裝體，包括柔性襯底(01)、一顆或多顆氮化鎵基LED芯片(02)、多條電極電路(03)和封裝部分(04)，一顆或多顆氮化鎵基LED芯片(02)倒裝固定至柔性襯底(01)上及多條電極電路(03)固定至柔性襯底(01)上，其中每顆氮化鎵基LED芯片(02)均連接至兩條電極電路(03)，多條電極電路(03)均與柔性襯底(01)邊垂直，封裝部分(04)完全覆蓋一顆或多顆氮化鎵基LED芯片(02)和多條電極電路(03)并固化至所述柔性襯底(01)上，柔性襯底(01)為立式圓筒狀。
[0018]上述一種全彩氮化鎵基LED芯片立式封裝體的制作方法如下:
[0019]首先，在柔性襯底(01)上制作多條電極電路(03)，多條電極電路(03)與柔性襯底(01)底邊垂直，其次，將倒裝一顆或多顆氮化鎵基LED芯片(02)固定在與柔性襯底(01)上，并分別于兩條電極電路(03)連接，圖2是一種全彩氮化鎵基LED芯片立式封裝體被封裝前的結構示意圖，如圖2所示。芯片固晶后，用透明膠將一顆或多顆氮化鎵基LED芯片
(02)完全覆蓋，并在烘箱里固化后形成封裝部分(04);最后，將柔性襯底(01)與一顆或多顆氮化鎵基LED芯片(02) —起卷成筒狀，并在連接處用膠粘接，完成立式封裝，通過多條電極電路(03)點亮一顆或多顆氮化鎵基LED芯片(02)。
[0020]本實用新型公開的一種全彩氮化鎵基LED芯片立式封裝體的實施例中，一顆或多顆氮化鎵基LED芯片(02)包括紅光芯片和/或綠光芯片和/或藍光芯片，其中，紅光芯片的波長為600-800nm，綠光芯片的波長為500_600nm，藍光芯片的波長為400_500nm，這樣分別調節一顆或多顆氮化鎵基LED芯片(02)可以調節發出全彩。
[0021]本實用新型公開的一種全彩氮化鎵基LED芯片立式封裝體的實施例中，柔性襯底
(01)為柔性透明硅膠、聚酰亞胺或柔性塑料，另外封裝部分(04)為透明膠，這樣使氮化鎵基LED芯片(02)有源區發出的光能夠從其正、背面出射，大大提高了 LED器件的提取效率，同時也大大改善了其遠場分布。
[0022]本實用新型公開的一種全彩氮化鎵基LED芯片立式封裝體的實施例中，多條電極電路(03)可以蒸鍍或印刷或噴印至柔性襯底(01)上。
[0023]圖3是一種全彩氮化鎵基LED芯片立式封裝體的另一個實施例的結構示意圖。如圖3所示，本實用新型公開的一種全彩氮化鎵基LED芯片立式封裝體的一個實施例中，柔性襯底(Ol)上設置有3顆氮化鎵基LED芯片(02)，分別為紅光芯片、綠光芯片和藍光芯片。其中，柔性襯底(01)為立式三角形，立式三角形的每個側面上設有一顆氮化鎵基LED芯片
(02)和兩條電極電路(03)。
[0024]以上所述，僅是本實用新型較佳的實施方式，并非對本實用新型的技術方案做任何形式上的限制。凡是依據本實用新型的技術實質對以上實施例做任何簡單修改，形式變化和修飾，均落入本實用新型的保護范圍。
【主權項】
1.一種全彩氮化鎵基LED芯片立式封裝體，包括柔性襯底、一顆或多顆氮化鎵基LED芯片、多條電極電路和封裝部分，所述一顆或多顆氮化鎵基LED芯片倒裝固定至所述柔性襯底上及所述多條電極電路固定至所述柔性襯底上，其中每顆氮化鎵基LED芯片均連接至兩條電極電路，所述多條電極電路均與所述柔性襯底底邊垂直，所述封裝部分完全覆蓋所述一顆或多顆氮化鎵基LED芯片和所述多條電極電路并固化至所述柔性襯底上，所述柔性襯底為立式圓筒狀。2.根據權利要求1所述的一種全彩氮化鎵基LED芯片立式封裝體，其特征在于:所述一顆或多顆氮化鎵基LED芯片包括紅光芯片和/或綠光芯片和/或藍光芯片。3.根據權利要求2所述的一種全彩氮化鎵基LED芯片立式封裝體，其特征在于:所述紅光芯片的波長為600-800nm，所述綠光芯片的波長為500_600nm，所述藍光芯片的波長為400_500nmo4.根據權利要求1所述的一種全彩氮化鎵基LED芯片立式封裝體，其特征在于:所述柔性襯底上設置有3顆氮化鎵基LED芯片，分別為紅光芯片、綠光芯片和藍光芯片。5.根據權利要求4所述的一種全彩氮化鎵基LED芯片立式封裝體，其特征在于:所述柔性襯底為立式三角形，所述立式三角形的每個側面上設有一顆氮化鎵基LED芯片和兩條電極電路。
【專利摘要】本實用新型提供了一種全彩氮化鎵基LED芯片立式封裝體，包括柔性襯底、一顆或多顆氮化鎵基LED芯片、多條電極電路和封裝部分，一顆或多顆氮化鎵基LED芯片倒裝固定至柔性襯底上及多條電極電路固定至柔性襯底上，其中每顆氮化鎵基LED芯片均連接至兩條電極電路，多條電極電路均與柔性襯底底邊垂直，封裝部分完全覆蓋一顆或多顆氮化鎵基LED芯片和多條電極電路并固化至柔性襯底上，柔性襯底為立式圓筒狀。本實用新型沒有借助任何輔助支撐物體，實現了氮化鎵基LED芯片的立式封裝，使得封裝效率大大提高，封裝工藝簡化，另外使LED芯片有源區發出的光能夠從芯片的正、背面出射，而且發出全彩的光源，大大提高了LED器件的提取效率，同時也大大改善了其遠場分布。
【IPC分類】H01L33/48, H01L33/62, H01L25/075
【公開號】CN204857773
【申請號】CN201520489338
【發明人】彭效冉, 張逸韻, 汪煉成, 宋亮, 趙輝, 劉玉蕾, 謝海忠
【申請人】明德之星(北京)科技有限公司
【公開日】2015年12月9日
【申請日】2015年7月9日