半導體陣列探測器的制造方法
【技術領域】
[0001]本實用新型涉及一種半導體陣列探測器的封裝技術領域，具體涉及一種半導體陣列探測器。
【背景技術】
[0002]半導體探測器是用于測量輻射劑量的探測器，半導體探測器目前多采用CaF2 (Eu)跟光電二極管的簡單貼合工藝，銪激活的氟化鈣晶體-CaF2(Eu)，化學性穩定，不易斷裂。目前通過簡單封裝的CaF2(Eu)、光電二極管的半導體探測器普遍存在使用壽命短、性能不穩定，而且非全密封的工藝方式無法徹底去除可見光漏光干擾的問題。目前國家對此類項目的研宄開發也相當重視，如國家重大科學儀器設備開發專項“新型電離輻射檢測儀器和關鍵部件開發及應用”(項目編號:2013YQ090811)資金資助。
[0003]基于CaF2 (Eu)和光電二極管的半導體探測器廣泛的用于輻射劑量探測。目前半導體探測器的封裝過于簡單，只是將CaF2(Eu)片貼在封裝好的光電二極管的表面，使用的過程中進行包裹減少可見光的干擾。
[0004]這樣的非全密封的封裝并不能杜絕CaF2(Eu)片的輕微潮解問題以及使用過程中可見光的干擾。
【實用新型內容】
[0005]本實用新型克服了現有技術的不足，解決現有半導體探測器易受可見光干擾以及CaF2(Eu)片的輕微潮解問題。提供一種半導體陣列探測器。
[0006]為解決上述的技術問題，本實用新型采用以下技術方案:
[0007]一種半導體陣列探測器，包括光電二極管芯片和CaF2(Eu)片，所述的半導體陣列探測器還包括陶瓷基座，所述陶瓷基座設置有凹槽，所述陶瓷基座兩側設置有預設引腳；所述光電二極管芯片貼合在所述凹槽底部，所述光電二極管芯片的引腳與所述預設引腳焊接；所述CaF2 (Eu)片通過透明粘接介質粘接在所述光電二極管上表面；所述陶瓷基座的凹槽通過黑色絕緣電子灌封膠密封。
[0008]更進一步的技術方案是陶瓷基座為方形結構。
[0009]更進一步的技術方案是陶瓷基座的預設引腳設置有對數個，所述對數個預設引腳對稱設置在所述陶瓷基座兩側。
[0010]與現有技術相比，本實用新型的有益效果是:本實用新型可以將CaF2 (Eu)、光電二極管芯片完全密封在陶瓷基座上，根本上解決了 CaF2(Eu)的輕微潮解問題和使用過程可能存在的可見光漏光干擾的問題。能很好的防止CaF2 (Eu)的輕微潮解，抗干擾能力強，并且有更長的使用壽命和穩定的性能表現。
【附圖說明】
[0011]圖1為本實用新型一個實施例的半導體陣列探測器封裝過程結構變化示意圖。
[0012]圖2為本實用新型一個實施例中貼有光電二極管芯片的陶瓷基座結構示意圖。
[0013]圖3為本實用新型一個實施例中貼有光電二極管芯片和CaF2(Eu)片的陶瓷基座結構示意圖。
[0014]圖4為本實用新型一個實施例中封裝后的半導體陣列探測器結構示意圖。
【具體實施方式】
[0015]本說明書中公開的所有特征，或公開的所有方法或過程中的步驟，除了互相排斥的特征和/或步驟以外，均可以以任何方式組合。
[0016]本說明書(包括任何附加權利要求、摘要和附圖)中公開的任一特征，除非特別敘述，均可被其他等效或具有類似目的的替代特征加以替換。即，除非特別敘述，每個特征只是一系列等效或類似特征中的一個例子而已。
[0017]下面結合附圖及實施例對本實用新型的【具體實施方式】進行詳細描述。
[0018]實施例1
[0019]如圖1至4所示，根據本實用新型的一個實施例，本實施例半導體陣列探測器的封裝方法，所的封裝方法包括以下步驟:
[0020]步驟SI，將光電二極管芯片2貼入陶瓷基座I的凹槽內，并且將光電二極管的引腳焊接與所述陶瓷基座的預設引腳4焊接好；得到的貼有光電二極管芯片的陶瓷基座結構如圖2所示。利用陶瓷做為基座來進行全密封封接，能很好的防止CaF2 (Eu)的輕微潮解和可見光漏光的干擾。
[0021]步驟S2，將CaF2 (Eu)片3通過透明的粘結介質粘結在光電二極管的芯片2上表面；得到的貼有光電二極管芯片和CaF2(Eu)片的陶瓷基座結構如圖3所示。
[0022]具體的，用于粘結CaF2(Eu)片和光電二極管芯片的粘結介質必須是透明的，因為CaF2(Eu)是將射線吸收以后轉化成光信號，波長λ范圍在390?800nm之間。
[0023]步驟S3，用黑色絕緣電子灌封膠5澆注陶瓷基座的凹槽1，使其密封。
[0024]進一步的實施方案是在步驟3完成之后，待所述黑色絕緣電子灌封膠固化后，對所述半導體陣列探測器的基本通信情況進行測試。封裝完成后效果如圖4所示。本實施例封裝后的半導體陣列探測器抗干擾能力強，并且有更長的使用壽命和穩定的性能表現。
[0025]實施例2
[0026]根據本實用新型的另一個實施例，本實施例半導體陣列探測器如圖4所示，它包括光電二極管芯片和CaF2 (Eu)片，所述的半導體陣列探測器還包括陶瓷基座I，陶瓷基座可設置為方形結構，目的是與光電二極管芯片和CaF2(Eu)片結構一致，節約空間，更有益于陶瓷基座后期的密封。利用陶瓷做為基座來進行全密封封接，能很好的防止CaF2(Eu)的輕微潮解和可見光漏光的干擾。
[0027]陶瓷基座設置有凹槽，陶瓷基座兩側還設置有預設引腳4 ;預設引腳設置有對數個，對數個預設引腳對稱設置在陶瓷基座兩側，便于光電二極管芯片的引腳焊接，以及使用方便。
[0028]光電二極管芯片貼合在凹槽底部，且光電二極管芯片的引腳與預設引腳焊接好；CaF2(Eu)片通過透明粘接介質粘接在所述光電二極管上表面；用于粘結CaF2(Eu)片和光電二極管芯片的粘結介質必須是透明的，因為CaF2(Eu)是將射線吸收以后轉化成光信號，波長λ范圍在390?800nm之間。
[0029]陶瓷基座的凹槽通過黑色絕緣電子灌封膠密封。對封裝后的半導體陣列探測器進行基本的通信情況完成封裝測試后，便可投入使用。
[0030]本實施例將CaF2(Eu)、光電二極管芯片完全密封在陶瓷基座上，根本上解決了CaF2(Eu)的輕微潮解問題和使用過程可能存在的可見光漏光干擾的問題。其抗干擾能力強，并且有更長的使用壽命和穩定的性能表現。
[0031]在本說明書中所談到的“一個實施例”、“另一個實施例”、“實施例”、等，指的是結合該實施例描述的具體特征、結構或者特點包括在本申請概括性描述的至少一個實施例中。在說明書中多個地方出現同種表述不是一定指的是同一個實施例。進一步來說，結合任一個實施例描述一個具體特征、結構或者特點時，所要主張的是結合其他實施例來實現這種特征、結構或者特點也落在本實用新型的范圍內。
[0032]盡管這里參照實用新型的多個解釋性實施例對本實用新型進行了描述，但是，應該理解，本領域技術人員可以設計出很多其他的修改和實施方式，這些修改和實施方式將落在本申請公開的原則范圍和精神之內。更具體地說，在本申請公開權利要求的范圍內，可以對主題組合布局的組成部件和/或布局進行多種變型和改進。除了對組成部件和/或布局進行的變型和改進外，對于本領域技術人員來說，其他的用途也將是明顯的。
【主權項】
1.一種半導體陣列探測器，它包括光電二極管芯片和CaF2(Eu)片，其特征在于所述的半導體陣列探測器還包括陶瓷基座，所述陶瓷基座設置有凹槽，所述陶瓷基座兩側設置有預設引腳；所述光電二極管芯片貼合在所述凹槽底部，所述光電二極管芯片的引腳與所述預設引腳焊接；所述CaF2 (Eu)片通過透明粘接介質粘接在所述光電二極管上表面；所述陶瓷基座的凹槽通過黑色絕緣電子灌封膠密封。
2.根據權利要求1所述的半導體陣列探測器，其特征在于所述的陶瓷基座為方形結構。
3.根據權利要求1所述的半導體陣列探測器，其特征在于所述的陶瓷基座的預設引腳設置有對數個，所述對數個預設引腳對稱設置在所述陶瓷基座兩側。
【專利摘要】本實用新型公開了一種半導體陣列探測器，包括光電二極管芯片和CaF2(Eu)片，所述的半導體陣列探測器還包括陶瓷基座，所述陶瓷基座設置有凹槽，所述陶瓷基座兩側設置有預設引腳；所述光電二極管芯片貼合在所述凹槽底部，所述光電二極管芯片的引腳與所述預設引腳焊接；所述CaF2(Eu)片通過透明粘接介質粘接在所述光電二極管上表面；所述陶瓷基座的凹槽通過黑色電子灌封膠密封。本實用新型可以將CaF2(Eu)、光電二極管芯片完全密封在陶瓷基座上，根本上解決了CaF2(Eu)的輕微潮解問題和使用過程可能存在的可見光漏光干擾的問題。能很好的防止CaF2(Eu)的輕微潮解，抗干擾能力強，并且有更長的使用壽命和穩定的性能表現。
【IPC分類】H01L31-18, H01L31-0203
【公開號】CN204558476
【申請號】CN201520095084
【發明人】徐恒, 龔嵐, 黃成剛, 張曉棟
【申請人】四川中測輻射科技有限公司
【公開日】2015年8月12日
【申請日】2015年2月10日