單步閃蒸法生長大尺寸晶粒的鈣鈦礦薄膜及平面型太陽能電池的制備方法
【專利摘要】本發明公開了一種單步閃蒸法生長大尺寸晶粒的鈣鈦礦薄膜及平面型太陽能電池的制備方法，其中鈣鈦礦薄膜制備方法是用鈣鈦礦材料的溶液做單一蒸發源，采用瞬間快速將電流迅速加至200A，使蒸發舟溫度瞬間達到1000℃以上，材料瞬間升華，通過調整不同溶液配比，制備出成份可控以及大晶粒尺寸的鈣鈦礦薄膜。采用一步閃蒸法制備的鈣鈦礦薄膜具有能耗低，蒸發速率快，時間短，薄膜無空洞且大面積均勻，襯底選擇范圍廣，適合做平面型器件的特點。同時采用PCBM為n型材料，Spiro?OMeTAD為p型材料與i型的鈣鈦礦薄膜一起構成p?i?n型平面太陽能電池器件，優化制備條件后可獲得效率大于10.01%的器件。
【專利說明】
單步閃蒸法生長大尺寸晶粒的鈣鈦礦薄膜及平面型太陽能電池的制備方法
技術領域
[0001]本發明涉及一種太陽能電池的制備方法，特別是涉及一種平面型太陽能電池的制備方法，應用于薄膜太陽能電池制造工藝技術領域。
【背景技術】
[0002]當今社會，人類的發展日益迅速，而人類社會的發展則離不開能源。長期以來，人類利用的主要能源有煤炭、石油和天然氣等不可再生能源。進入21世紀以來，隨著人們生產生活的迅速提高，對能源的需求和消耗也大幅度的增加，不可再生能源面臨著枯竭的危機，因此尋找新型、潔凈的可再生能源成為當務之急。目前有多種新能源不斷被利用開發，如太陽能、水能、風能等。其中太陽能由于其來源無窮無盡和穩定性，成為最具有發展潛力的可再生新能源。目前利用太陽能的方式主要有兩種:光熱轉換與光電轉換。光熱轉化已經被廣泛應用，其最主要的代表就是太陽能熱水器;而光電轉化則是處于高速發展階段，其最好的方式就是太陽能電池，又稱為光伏電池。太陽能電池在光電轉化過程中，無污染、零排放、不產生任何噪音和輻射，是一種環境友好的綠色能源優異轉化裝置。
[0003]目前光伏市場中晶體硅太陽能電池還是占主導地位，效率接近20%。但是單晶硅耗時耗能。第二代太陽能電池雖然節約材料，生長成本低，但也有著無法避免的缺點，Te，In，Ga等都是地球上儲量很少的元素，比Au更稀缺，這將使其無法大規模生產，極大的影響了其產值。第三代太陽能電池，例如有機光伏(OPVs )，染料敏化太陽能電池(DSCs)和量子點太陽能電池(QDSCs)，是將溶液通過刮涂，Shiscreen印刷和噴涂等工藝涂覆在非常規襯底從而保證低成本太陽能電池發電。最近，一種新型材料的迅猛發展吸引了產業界和許多研究者的注意。具有鈣鈦礦結構的CH3NH3PbX3I材料，是一種禁帶寬度為1.5eV的直接帶隙材料，其中X=1、Br或C。以CH3NH3PbX3I材料為主體吸收層的太陽能電池的轉換效率在短短幾年內迅速飆升，從一開始的3.8%突破到了 20.1%，成為了國內外光伏領域的研究熱點。該材料的制備方法主要為化學方法。如旋涂法和基于旋涂法的兩步法等。這兩種方法都可在基于多孔材料T12和ZnO中沉積出高質量的薄膜，從而獲得高效率。但由于旋涂法制備的薄膜不平整，覆蓋率不高，這將減少光子的吸收，并同時減小并聯電阻，使器件效率降低，對于平面型器件不太適合，與之相對的是，基于真空的方法可明顯改善薄膜覆蓋度。如Snaith教授采用的雙源共蒸法大大改善了旋涂法制備的薄膜在覆蓋率、厚度均勻性和孔洞數量上的不足，形成了連續的薄膜，其晶粒尺寸在微米量級。但雙源法控制復雜，兩個獨立的蒸發源需要控制在一定的溫度范圍，是蒸發速率能穩定在確定比例上。另外，為實現高質量薄膜，蒸發速率需要非常的慢，一般需要控制在0.5埃每秒以內。這樣低的速率不適合大規模生產。

【發明內容】

[0004]為了解決現有技術問題，本發明的目的在于克服已有技術存在的不足，提供一種單步閃蒸法生長大尺寸晶粒的鈣鈦礦薄膜及平面型太陽能電池的制備方法，采用鈣鈦礦材料的溶液或粉末做蒸發源，用單步閃蒸法直接制備鈣鈦礦薄膜作為太陽能電池的吸收層，并制備出相應的太陽能電池器件，為制備高轉換效率的鈣鈦礦薄膜太陽能電池提供一種新的工藝。
[0005]為達到上述發明創造目的，本發明采用下述技術方案:
一種單步閃蒸法生長大尺寸晶粒的鈣鈦礦薄膜的制備方法，包括以下步驟:
a.|丐欽礦材料配料:米用N,N-Dimethylformamide (DMF)和 γ-butyrolactone(GBL)中的任意一種或任意幾種的混合物作為有機溶劑，把兩種不同的原料粉末溶解于有機溶劑中制備成ABX3型有機無機雜化鈣鈦礦溶液，或者將兩種不同的原料粉末混合制成ABX3型有機無機雜化鈣鈦礦粉末，其中兩種不同的原料粉末分別為AX粉末和BX2粉末，其中A是指正一價有機小分子基團，B是正二價金屬元素，X是負一價的鹵族元素，在進行鈣鈦礦材料配料時，采用的原料粉末中的AX粉末和BX2粉末的物質摩爾比為(1.0?3.0):1，根據不同的原料來調整配比參數;作為本發明優選的技術方案，在進行鈣鈦礦材料配料時，優選采用的原料粉末中的AX粉末為CH3NH3X，即A是正一價的CH3NH3—有機小分子基團，優選采用的原料粉末中的BX2粉末為PbX2，S卩B是Pb金屬元素，X優選為1、Br或Cl元素，所制備的ABX3型有機無機雜化鈣鈦礦溶液為CH3NH3PbX3鈣鈦礦溶液，或者制備的ABX3型有機無機雜化鈣鈦礦粉末為CH3NH3PbX3鈣鈦礦粉末；
b.單步閃蒸法生長大尺寸晶粒的鈣鈦礦薄膜:采用在所述步驟a中制備的ABX3型有機無機雜化鈣鈦礦溶液或ABX3型有機無機雜化鈣鈦礦粉末做單一蒸發源，將金屬蒸發舟進行預處理，金屬蒸發舟優選采用鉭片、鉬片或鎢片制成，采用閃蒸法儀器裝置，將鈣鈦礦溶液轉移涂覆到金屬蒸發舟上形成液膜，或者將鈣鈦礦粉末均勻的平鋪于金屬蒸發舟上形成粉末層，然后將裝料后的金屬蒸發舟置入蒸法儀器裝置的蒸發室中；再將蒸發室內的氣壓抽真空至低于5X 10—3Pa,并繼續保持抽速以保持蒸發室的真空度，或關閉真空栗及氣體管路閥門，并通入惰性氣體或氮氣使蒸發室內氣壓至Ι-lOOPa，當蒸發室內氣氛氣壓條件穩定后，加載不低于200A的電流，將金屬蒸發舟上的鈣鈦礦材料溶液或鈣鈦礦材料粉末在小于I秒的時間內快速升溫至1000-15000C，使鈣鈦礦材料溶液中的鈣鈦礦材料溶質或鈣鈦礦材料粉末瞬間升華，控制蒸發過程小于5秒，通過閃蒸法，將鈣鈦礦材料溶液中的鈣鈦礦材料溶質或鈣鈦礦材料粉末蒸鍍到襯底上，即在襯底上制備出大晶粒尺寸的鈣鈦礦薄膜。
[0006]作為本發明優選的技術方案，在所述步驟a中在進行鈣鈦礦材料配料時，通過調整AX粉末和BX2粉末進行混合時的鈣鈦礦材料原料配比，并進一步優選采用的原料粉末中的AX粉末和BX2粉末的物質摩爾比為2.0:1，最終在所述步驟b中制備出成份可控以及大晶粒尺寸的鈣鈦礦薄膜。
[0007]—種利用本發明單步閃蒸法生長大尺寸晶粒的鈣鈦礦薄膜的制備方法制備的鈣鈦礦薄膜作為主體吸收層的平面型太陽能電池的制備方法，包括以下步驟:
(I)襯底預處理和制備電子傳輸層:襯底采用透明導電玻璃襯底或硅片，對襯底進行預處理，采用PCBM作為η型材料，然后在襯底上旋涂一層電子傳輸層PCBM，固化后作為蒸鍍襯底備用，其中對襯底進行的預處理過程具體為:
當采用透明導電玻璃襯底時，優選采用FTO或ITO，襯底為FTO，即摻F的SnO2;或ITO，即摻Sn的In2O3,先采用曲拉通清洗透明導電玻璃襯底表面，然后用去離子水清洗，之后分別采用丙酮、乙醇超聲清洗15分鐘，最后采用紫外臭氧或微波等離子體處理透明導電玻璃襯底表面，即完成透明導電玻璃襯底預處理；當采用硅片作為襯底時，先用RCA標準清洗法對硅片清洗后，在900 0C下，通入干燥氧氣進行氧化10分鐘，在硅片表面氧化出一層厚度為83 nm的二氧化硅層，即完成硅片預處理；
(2)主體吸收層制備:采用所述步驟b的單步閃蒸法，將在所述步驟(I)中結合電子傳輸層PCBM后的襯底放入閃蒸法儀器裝置的樣品臺上，在襯底之上的層電子傳輸層PCBM上生長大尺寸晶粒的i型的鈣鈦礦薄膜材料層，使鈣鈦礦薄膜材料層作為主體吸收層與電子傳輸層結合；
(3 )空穴傳輸層制備:采用Sp iro-OMeTAD作為p型材料，在所述步驟(2 )制備好的鈣鈦礦薄膜上旋涂Spiro-OMeTAD材料層，固化后作為空穴傳輸層，與和在所述步驟(2)中制備的主體吸收層i型的鈣鈦礦薄膜材料層和在步驟(I)中制備的電子傳輸層η型材料層一起構成P-1-n型平面型光電器件；
(4)采用真空蒸發方法，在所述步驟(3)中制備的空穴傳輸層上蒸鍍制備具有設定圖案形狀的金電極或銀電極，從而制備得到平面型太陽能電池器件。
[0008]本發明與現有技術相比較，具有如下顯而易見的突出實質性特點和顯著優點:
1.本發明采用簡單且生長速度快的物理生長法，即單步閃蒸法，制備有機無機雜化鈣鈦礦薄膜材料，并獲得了高效率的太陽能電池器件，與現有技術的雙源法和旋涂法相比較，本發明采用單步閃蒸法制備薄膜與襯底依賴關系小，且為低溫工藝，襯底選擇范圍廣，便于圖形化制備，而且節約材料，省時省能，易于大規模生產；
2.本發明方法過程簡單，易于操作，可重復性好，可制備大面積均勻，平整度高，晶粒尺寸大的薄膜，本發明方法可實現光電轉化效率大于10.01%的鈣鈦礦太陽能電池的制備。
【附圖說明】
[0009]圖1為本發明實施例一采用的閃蒸法儀器裝置結構示意圖。
[0010]圖2為本發明實施例一采用單步閃蒸法制備的CH3NH3PbI3薄膜X射線衍射圖。
[0011]圖3為本發明實施例一采用單步閃蒸法制備的CH3NH3Pb13薄膜的掃描電子顯微鏡圖。
[0012]圖4為本發明實施例一制備的平面型CH3NH3PbI3薄膜太陽能電池功能層結構示意圖。
[0013]圖5為本發明實施例一制備的平面型CH3NH3PbI3薄膜太陽能電池器件截面圖。
[0014]圖6為本發明實施例一制備的CH3NH3PbI3薄膜太陽能電池在1.5AM的光照條件下的電流電壓測試圖。
【具體實施方式】
[0015]本發明的優選實施例詳述如下:
實施例一:
在本實施例中，參見圖1?6，一種利用鈣鈦礦薄膜作為主體吸收層的平面型太陽能電池的制備方法，包括以下步驟:
(I)襯底預處理:襯底采用FTO透明導電玻璃襯底，先用鋅粉和稀鹽酸刻蝕出所需要的圖案，去離子水沖洗干凈，然后采用曲拉通清洗透明導電玻璃襯底表面，去除襯底表面的污漬，然后用去離子水清洗，將襯底表面殘余的曲拉通沖洗掉，之后分別采用丙酮、乙醇超聲清洗15分鐘，然后用去離子水沖洗表面，隨后將襯底表面用氣槍吹干，最后采用紫外臭氧處理透明導電玻璃襯底表面，即完成透明導電玻璃襯底預處理；
(2 )制備電子傳輸層:采用PCBM作為η型材料，取5mg的PCBM溶于Iml的氯苯中，室溫攪拌12h，使之充分混合，黑暗條件下，在步驟(I)中預處理后的FTO透明導電玻璃上旋涂電子傳輸層PCBM，旋涂參數為50ul，4000rpm/20s，在70 °C下退火20分鐘，使PCBM材料層固化后作為蒸鍍襯底備用，參見圖4和圖5;
(3)主體吸收層制備:采單步閃蒸法生長大尺寸晶粒的鈣鈦礦薄膜作為主體吸收層，稱取一定質量比的PbI2和CH3NH3I,按照PbI2和CH3NH3I的物質摩爾比為1:1的比例，配成CH3NH3PbI3鈣鈦礦原料粉末混合物，將CH3NH3PbI3鈣鈦礦原料粉末混合物作為溶質溶解于有機溶劑中，制備成有機無機雜化鈣鈦礦溶液作為單一蒸發源，有機溶劑采用γ -butyrolactone (GBL)，將金屬蒸發舟進行預處理，金屬蒸發舟采用鉬片制成，采用閃蒸法儀器裝置，對CH3NH3PbI3鈣鈦礦溶液在50 0C下加熱攪拌12h，然后將CH3NH3PbI3溶液用移液槍均勻的涂抹于鉬片上形成液膜，然后將涂覆CH3NH3PbI3溶液液膜后的鉬片置入蒸法儀器裝置的蒸發室中；再將蒸發室內的氣壓抽真空至低于5X 10—3Pa,并繼續保持抽速以保持蒸發室的真空度，將在所述步驟(2)中結合電子傳輸層PCBM后的襯底放入閃蒸法儀器裝置的樣品臺上，在襯底溫度為室溫的條件下，加載不低于200A的電流，將鉬片上的鈣鈦礦材料溶液在小于I秒的時間內快速升溫至1000Γ，使鈣鈦礦材料溶液中的鈣鈦礦材料溶質瞬間升華，控制蒸發過程小于5秒，通過閃蒸法，將鈣鈦礦材料溶液中的鈣鈦礦材料溶質蒸鍍到襯底上的PCBM材料層上，即在襯底之上的層電子傳輸層PCBM上生長大尺寸晶粒的i型的鈣鈦礦薄膜材料層，使鈣鈦礦薄膜材料層作為主體吸收層與電子傳輸層結合，參見圖2、圖3、圖4和圖5;參見圖1，在閃蒸法儀器裝置中，標記為I，2，3，4的位置放的是四片玻璃襯底，作為陪片，以此來觀察腔內不同位置薄膜質量，其中陪片I處于鉬片的正下方距離5cm的位置，陪片2處于與I平行距離20cm的位置，陪片3和4都處于與襯底相同高度且距離20cm的位置，陪片3面朝上，陪片4面朝下；
(4 )空穴傳輸層制備:采用Sp iro-OMeTAD作為p型材料，在所述步驟(3 )制備好的鈣鈦礦薄膜上旋涂Spiro-OMeTAD材料層，旋涂參數為25ul，2000rpm/40s，手套箱內放置一晚，Spiro-OMeTAD材料層固化后作為空穴傳輸層，與和在所述步驟(3)中制備的主體吸收層i型的鈣鈦礦薄膜材料層和在步驟(2)中制備的電子傳輸層η型材料層一起構成p-1-n型平面型光電器件，參見圖4和圖5;
(5)采用真空蒸發方法，在所述步驟(4)中制備的空穴傳輸層上利用掩膜板蒸鍍制備具有設定圖案形狀的金電極，從而制備得到平面型太陽能電池器件，參見圖4和圖5。
[0016]本實施例實驗測試分析:
參見圖6，通過實施例一方法所制得的有機無機雜化平面型太陽能電池在1.5AM的光照條件下，該器件短路電流可達15.81mA/cm2，開路電壓為990 mV，填充因子為0.64，該薄膜太陽能電池的能量效率為1.0I %。
[0017]實施例一采用鈣鈦礦材料溶液做單一蒸發源，將電流迅速加至不低于200A，在閃蒸法初始反應狀態為真空條件下，或者閃蒸法整個過程為非氧化還原氣體的氣氛條件下，使鈣鈦礦材料溶液的溫度在小于I秒的瞬間達到政法溫度，使鈣鈦礦材料溶液中的鈣鈦礦材料溶質瞬間升華，利用閃蒸法將鈣鈦礦材料溶液中的鈣鈦礦材料溶質蒸鍍到襯底上，即在襯底上制備出大晶粒尺寸的鈣鈦礦薄膜。
[0018]實施例二:
本實施例與實施例一基本相同，特別之處在于:
在本實施例中，一種利用鈣鈦礦薄膜作為主體吸收層的平面型太陽能電池的制備方法，包括以下步驟:
(1)襯底預處理:襯底米用娃片，先用RCA標準清洗法對娃片清洗后，在900°C下，通入干燥氧氣進行氧化10分鐘，在硅片表面氧化出一層厚度為83 nm的二氧化硅層，即完成硅片預處理；
(2)本步驟與實施例一相同；
(3)本步驟與實施例一相同；
(4)本步驟與實施例一相同；
(5)本步驟與實施例一相同。
[0019]本實施例同樣制備了鈣鈦礦薄膜作為主體吸收層，并完成了平面型太陽能電池的制備。
[0020]上面結合附圖對本發明實施例進行了說明，但本發明不限于上述實施例，還可以根據本發明的發明創造的目的做出多種變化，凡依據本發明技術方案的精神實質和原理下做的改變、修飾、替代、組合或簡化，均應為等效的置換方式，只要符合本發明的發明目的，只要不背離本發明單步閃蒸法生長大尺寸晶粒的鈣鈦礦薄膜及平面型太陽能電池的制備方法的技術原理和發明構思，都屬于本發明的保護范圍。
【主權項】
1.一種單步閃蒸法生長大尺寸晶粒的鈣鈦礦薄膜的制備方法，其特征在于，包括以下步驟: a.鈣鈦礦材料配料:把兩種不同的原料粉末溶解于有機溶劑中制備成ABX3型有機無機雜化鈣鈦礦溶液，或者將兩種不同的原料粉末混合制成ABX3型有機無機雜化鈣鈦礦粉末，其中兩種不同的原料粉末分別為AX粉末和BX2粉末，其中A是指正一價有機小分子基團，B是正二價金屬元素，X是負一價的鹵族元素，在進行鈣鈦礦材料配料時，采用的原料粉末中的AX粉末和BX2粉末的物質摩爾比為(1.0~3.0):1，根據不同的原料來調整配比參數； b.單步閃蒸法生長大尺寸晶粒的鈣鈦礦薄膜:采用在所述步驟a中制備的ABX3型有機無機雜化鈣鈦礦溶液或ABX3型有機無機雜化鈣鈦礦粉末做單一蒸發源，將金屬蒸發舟進行預處理，采用閃蒸法儀器裝置，將鈣鈦礦溶液轉移涂覆到金屬蒸發舟上形成液膜，或者將鈣鈦礦粉末均勻的平鋪于金屬蒸發舟上形成粉末層，然后將裝料后的金屬蒸發舟置入蒸法儀器裝置的蒸發室中；再將蒸發室內的氣壓抽真空至低于5X 10—3Pa,并繼續保持抽速以保持蒸發室的真空度，或關閉真空栗及氣體管路閥門，并通入惰性氣體或氮氣使蒸發室內氣壓至1-1OOPa，當蒸發室內氣氛氣壓條件穩定后，加載不低于200A的電流，將金屬蒸發舟上的鈣鈦礦材料溶液或鈣鈦礦材料粉末在小于I秒的時間內快速升溫至1000-1500 0C，使鈣鈦礦材料溶液中的鈣鈦礦材料溶質或鈣鈦礦材料粉末瞬間升華，控制蒸發過程小于5秒，通過閃蒸法，將鈣鈦礦材料溶液中的鈣鈦礦材料溶質或鈣鈦礦材料粉末蒸鍍到襯底上，即在襯底上制備出大晶粒尺寸的鈣鈦礦薄膜。2.根據權利要求1所述單步閃蒸法生長大尺寸晶粒的鈣鈦礦薄膜的制備方法，其特征在于:在所述步驟a中，在進行鈣鈦礦材料配料時，采用的原料粉末中的AX粉末為CH3NH3X，即A是正一價的CH3NH3—有機小分子基團，采用的原料粉末中的BX2粉末為PbX2，S卩B是Pb金屬元素，X是1、Br或Cl元素，所制備的ABX3型有機無機雜化鈣鈦礦溶液為CH3NH3PbX3鈣鈦礦溶液，或者制備的ABX3型有機無機雜化鈣鈦礦粉末為CH3NH3PbX3鈣鈦礦粉末。3.根據權利要求1或2所述單步閃蒸法生長大尺寸晶粒的鈣鈦礦薄膜的制備方法，其特征在于:在所述步驟a中在進行鈣鈦礦材料配料時，通過調整AX粉末和BX2粉末進行混合時的鈣鈦礦材料原料配比，最終在所述步驟b中制備出成份可控以及大晶粒尺寸的鈣鈦礦薄膜。4.根據權利要求3所述單步閃蒸法生長大尺寸晶粒的鈣鈦礦薄膜的制備方法，其特征在于:在所述步驟a中，在進行鈣鈦礦材料配料時，采用的原料粉末中的AX粉末和BX2粉末的物質摩爾比為2.0:105.根據權利要求1或2所述單步閃蒸法生長大尺寸晶粒的鈣鈦礦薄膜的制備方法，其特征在于:在所述步驟b中，在進行閃蒸法生長大尺寸晶粒的鈣鈦礦薄膜時，金屬蒸發舟采用組片、鑰片或媽片制成。6.根據權利要求1或2所述單步閃蒸法生長大尺寸晶粒的鈣鈦礦薄膜的制備方法，其特征在于:在所述步驟a中，把AX粉末和BX2粉末兩種不同的原料粉末溶解于有機溶劑中制備成ABX3型有機無機雜化鈣鈦礦溶時，采用的有機溶劑為N,N-Dimethylformamide (DMF)和γ -butyrolactone (GBL)中的任意一種或任意幾種的混合物。7.—種利用權利要求1所述單步閃蒸法生長大尺寸晶粒的鈣鈦礦薄膜的制備方法制備的鈣鈦礦薄膜作為主體吸收層的平面型太陽能電池的制備方法，其特征在于，包括以下步驟: (1)襯底預處理和制備電子傳輸層:襯底采用透明導電玻璃襯底或硅片，對襯底進行預處理，采用PCBM作為η型材料，然后在襯底上旋涂一層電子傳輸層PCBM，固化后作為蒸鍍襯底備用，其中對襯底進行的預處理過程具體為: 當采用透明導電玻璃襯底時，先采用曲拉通清洗透明導電玻璃襯底表面，然后用去離子水清洗，之后分別采用丙酮、乙醇超聲清洗15分鐘，最后采用紫外臭氧或微波等離子體處理透明導電玻璃襯底表面，即完成透明導電玻璃襯底預處理；當采用硅片作為襯底時，先用RCA標準清洗法對硅片清洗后，在900°C下，通入干燥氧氣進行氧化1分鐘，在硅片表面氧化出一層厚度為83 nm的二氧化娃層，S卩完成娃片預處理； (2)主體吸收層制備:采用所述步驟b的單步閃蒸法，將在所述步驟(I)中結合電子傳輸層PCBM后的襯底放入閃蒸法儀器裝置的樣品臺上，在襯底之上的層電子傳輸層PCBM上生長大尺寸晶粒的i型的鈣鈦礦薄膜材料層，使鈣鈦礦薄膜材料層作為主體吸收層與電子傳輸層結合； (3)空穴傳輸層制備:采用Spiro-OMeTAD作為P型材料，在所述步驟(2)制備好的鈣鈦礦薄膜上旋涂Spiro-OMeTAD材料層，固化后作為空穴傳輸層，與和在所述步驟(2)中制備的主體吸收層i型的鈣鈦礦薄膜材料層和在步驟(I)中制備的電子傳輸層η型材料層一起構成P-1-n型平面型光電器件； (4)采用真空蒸發方法，在所述步驟(3)中制備的空穴傳輸層上蒸鍍制備具有設定圖案形狀的金電極或銀電極，從而制備得到平面型太陽能電池器件。8.根據權利要求7所述單步閃蒸法生長大尺寸晶粒的鈣鈦礦薄膜的制備方法，其特征在于:在所述步驟(I)中，襯底采用透明導電玻璃襯底時，具體采用FTO或ITO。
【文檔編號】H01L51/48GK106098948SQ201610408763
【公開日】2016年11月9日
【申請日】2016年6月13日
【發明人】徐閏, 吳楊琳, 徐海濤, 王文貞, 蔡江, 季歡歡, 許富宗, 倪超偉, 黃健, 王林軍
【申請人】上海大學