用于等離子體處理的雙區式加熱器的制造方法
【專利摘要】提供了一種用于基座的方法和裝置。在一個實施例中，所述基座包括：包含陶瓷材料并且具有凸緣的主體；嵌入在主體中的一或多個加熱元件；耦接到凸緣的第一軸；以及耦接到第一軸的第二軸；其中第二軸包括在所述第二軸中形成的多個流體通道，所述流體通道在所述第二軸中終止。
【專利說明】
用于等離子體處理的雙區式加熱器
技術領域
[0001] 本文公開的實施例一般地設及半導體處理腔室，并且更具體地設及具有多區溫度 控制的半導體處理腔室的加熱的支撐基座。
【背景技術】
[0002] 半導體處理設及大量不同的化學和物理工藝，所述工藝使得能夠在基板上形成微 小的集成電路。通過化學氣相沉積、物理氣相沉積、外延生長等等形成了構成集成電路的材 料層。使用光刻膠掩模W及濕式或者干式蝕刻技術來圖案化材料層中的一些材料層。用來 形成集成電路的基板可W是娃、神化嫁、憐化銅、玻璃或者其他適當的材料。
[0003] 在集成電路的制造中，等離子體工藝往往用于沉積或者蝕刻各種材料層。等離子 體處理提供了優于熱處理的許多優點。例如，等離子體增強化學氣相沉積(PECVD)允許在比 類似的熱工藝中可實現的更低的溫度W及更高的沉積速率來執行沉積工藝。因此，PECVD對 于具有嚴格的熱預算的集成電路制造(諸如，對于特大規模或者超大規模集成電路(VLSI或 者化SI)器件制造)是有利的。
[0004] 用于運些工藝中的處理腔室通常包括設置在其中的基板支撐件或者基座W在處 理期間支撐基板。在一些工藝中，基座可包括嵌入式加熱器，所述嵌入式加熱器適用于控制 基板的溫度和/或提供可在工藝中使用的升高的溫度。常規意義上而言，基座可由陶瓷材料 制成，陶瓷材料一般提供所需的器件制造結果。
[0005] 然而，陶瓷基座產生了許多挑戰。運些挑戰中的一個挑戰為在處理期間對基座和 基板的多區式加熱和/或準確的溫度控制。
[0006] 因此，所需要的是在多個區域中溫度受控的基座。

【發明內容】

[0007] 提供了一種用于加熱的基座的方法和裝置。在一個實施例中，所述基座包括:包含 陶瓷材料并且具有凸緣的主體;嵌入在主體中的一個或多個加熱元件;禪接到凸緣的第一 軸，W及禪接到第一軸的第二軸，其中，第二軸包括在所述第二軸中形成的多個流體通道， 所述流體通道在第二軸中終止。
[000引在另一實施例中，提供了一種用于半導體處理腔室的基座。所述基座包括:包含陶 瓷材料的主體;被封圍在主體中的多個加熱元件;禪接到主體的第一軸；W及禪接到第一軸 的第二軸；其中第二軸包括在所述第二軸中形成的多個流體通道，所述流體通道的至少部 分在第二軸中終止。
[0009]在又一實施例中，提供了一種用于半導體處理腔室的基座。所述基座包括:包含陶 瓷材料的主體;被封圍在主體中的多個加熱元件;禪接到主體的第一軸；W及禪接到第一軸 的第二軸；其中第二軸包括在所述第二軸中形成的多個流體通道，所述流體通道的至少部 分在第二軸中終止，并且其中，第一軸由第一材料制成，并且第二軸由與第一材料不同的第 二材料制成。
【附圖說明】
[0010] 因此，為了可詳細地理解本公開的上述特征的方式，可參照實施例來進行對上文 簡要概述內容的更特定的描述，所述實施例中的一些圖示在附圖中。然而，應當注意，附圖 僅圖示典型的實施例，并且因此不應被視為限制本發明的范圍，因為本文所公開的實施例 可允許其他等效的實施例。
[0011] 圖1是等離子系統的一個實施例的局部剖視圖。
[0012] 圖2是可用于圖1的等離子系統中的基座的一個實施例的示意性剖視圖。
[0013] 圖3A是可用于圖1的等離子系統中的基座的另一實施例的示意性剖視圖。
[0014] 圖3B到圖3D是圖3A的基座的第一軸的替代實施例的剖視圖。
[0015] 圖4A是可用于圖1的等離子系統中的基座的另一實施例的示意性剖視圖。
[0016] 圖4B是圖4A所示的基座的局部側面剖視圖。
[0017]圖4C是冷卻劑通道的一個實施例的平面圖。
[0018] 圖5是可用于圖1的等離子系統中的基座的另一實施例的示意性剖視圖。
[0019] 圖6是可用于圖1的等離子系統中的基座的另一實施例的示意性剖視圖。
[0020] 圖7是可用于圖1的等離子系統中的基座的部分的一個實施例的示意性剖視圖。
[0021] 圖8A是可用于圖1的等離子系統中的基座的部分的另一實施例的示意性剖視圖。
[0022] 圖8B是可用于圖1的等離子系統中的基座的部分的另一實施例的示意性剖視圖。
[0023] 為了促進理解，在可能的情況下，已使用完全相同元件符號啦指定諸圖所共有的 完全相同的元件。構想了在一個實施例中公開的元件可W有益地用于其他實施例，而無需 提別陳述。
【具體實施方式】
[0024] 在下文參照等離子體腔室來說明性地描述本公開的實施例，但是本文描述的實施 例也可用于其他腔室類型和多種工藝中。在一個實施例中，等離子體腔室用于等離子體增 強化學氣相沉積（PECVD)系統中。可經調適W受益于本公開的PECVD系統的示例包括 P民ODUCER? SE CVD系統、P技oducER? GT? CVD系統或者DXZ霞CVD系統，所有運些 系統都可從加利福尼州亞圣克拉拉市的應用材料公司（Applied Materials , Inc Santa Clara California)商購獲得。Producer"沈CVD系統腔室(例如，200mm或者300mm)具有兩 個分隔的處理區域，運兩個處理區域可用于在基板上沉積薄膜，諸如，導電膜、氧化物膜(諸 如，氧化娃膜、滲雜碳的氧化娃）W及其他材料。雖然示例性實施例包括兩個處理區域，但是 構想了本文公開的實施例用于有利于具有單個的處理區域或者多于兩個的處理區域的系 統。還構想了本文公開的實施例可用于有利于其他等離子體腔室，包括蝕刻腔室、離子注入 腔室、等離子體處理腔室W及抗離腔室，等等。進一步構想了本文公開的實施例可用于有利 于可從其他制造商處購得的等離子體處理腔室。
[0025] 圖1是等離子系統100的局部剖視圖。等離子系統100-般包含處理腔室主體102， 所述處理腔室主體102具有側壁112、底壁116和共享的內側壁101，所述側壁112、底壁116和 共享的內側壁101界定一對處理區域120A和120B。處理區域120A、120B中的每一者類似地經 配置，并且為了簡潔起見，將僅描述處理區域120B中的部件。
[00%] 基座128通過通路122而設置在處理區域120B中，所述通路122在系統100中的底壁 116中形成。基座128提供加熱器，所述加熱器適應于在所述加熱器的上表面上支撐基板(未 示出）。基座128可包括加熱元件(例如，電阻式加熱元件）W加熱基板并將基板溫度控制在 所需的工藝溫度處。或者，可由遠程加熱元件(諸如，燈組件)加熱基座128。
[0027] 基座128通過凸緣133而禪接到忍柱126。忍柱126將基座128禪接到電源插座或者 電力箱103。電力箱103可包括驅動系統，所述驅動系統控制基座128在處理區域120B內的上 升和運動。忍柱126還包含電功率接口 W將功率提供給基座128。電力箱103還包括用于電功 率和溫度指示器的接口，諸如，熱電偶接口。忍柱126還包括一個或多個冷卻劑通道151。忍 柱126還包括底座組件129,所述底座組件129適應于可拆卸地禪接到電力箱103。冷卻劑通 道151可延伸到基座128,在忍柱126內終止，或者為延伸到基座128W及在忍柱126內終止的 組合。圓周環示出為在電力箱103上方。在一個實施例中，圓周環135是改動為機械止動件或 平臺（land)且配置成用于提供底座組件129與電力箱103的上表面之間的機械接口的臺肩。 [00%]桿130設置為穿過在處理區域120B的底壁116中形成的通路124,并且用于定位穿 過基座128而設置的升降桿161。桿130禪接到與升降桿161接觸的升降板131。基板升降桿 161選擇性地將基板與基座隔開W便于用機械手(未示出）來更換基板，所述機械手用于通 過基板輸送端口 160將基板進和輸送處處理區域120B。
[0029] 腔室蓋104禪接到腔室主體102的頂部部分。蓋104容納禪接到所述蓋104的一個或 多個氣體分配系統108。氣體分配系統108包括進氣通路140,所述進氣通路140通過噴淋頭 組件142將反應物和凈化氣體傳遞到處理區域120B中。噴淋頭組件142包括環形底板148,所 述環形底板148具有設置在環形底板148與面板146中間的阻擋板144。射頻(RF)源165禪接 到噴淋頭組件142"RF源165為噴淋頭組件142供能W促進在噴淋頭組件142的面板146與加 熱的基座128之間生成等離子體。在一個實施例中，RF源165可W是高頻射頻化FRF)功率源， 諸如，13.56M化的RF發生器。在另一個實施例中，RF源165可包括HFRF功率源和低頻射頻 (LFRF)功率源，諸如，300曲Z的RF發生器）。或者，RF源可禪接到處理腔室主體102的其他部 分(諸如，基座128) W促進等離子體生成。電介質隔離器158設置在蓋104與噴淋頭組件142 之間W防止使RF功率傳導到蓋104。遮蔽環106可設置在基座128的外周上，所述基座128W 所需的基座128的高度接合基板。
[0030] 任選地，冷卻通道147形成在氣體分配系統108的環形底板148中W在操作期間冷 卻環形底板148。熱傳導流體(諸如，水、乙二醇、氣體等等)可通過冷卻通道147循環，使得底 板148被維持在預定的溫度。
[0031] 腔室襯墊組件127設置在處理區域120B內，并且非常接近腔室主體102的側壁101、 112W防止所述側壁10U112暴露于處理區域120B內的處理環境。襯墊組件127包括禪接到 累送系統164的圓周累送空腔125,所述累送系統164配置成用于從處理區域120B排出氣體 和副產物并且控制處理區域120B內的壓力。多個排出端口 132可形成在腔室襯墊組件127 上。排出端口 132配置成用于W促進系統100內的處理的方式來允許氣體從處理區域120B到 圓周累送空腔125的流動。
[0032] 本公開的實施例提供用于設計溫度受控的區域陶瓷加熱器（即，如本文所描述的 基座128)并且控制其W在RF等離子體環境中實現最終的溫度均勻性和實時的溫度調諧能 力的方法和裝置。在下文更詳細地描述的冷卻劑通道151的配置允許對基座128的溫度控 審IJ。基座128不限于用于CVD/PECVD處理腔室中，并且可用于PVD和蝕刻半導體處理腔室中。
[0033] 具有有限的冷卻能力的常規加熱器無法在高RF功率條件的情況下來控制加熱器 溫度。當將加熱器溫度控制在約260攝氏度和更高的溫度時，來自常規的加熱器的熱損耗不 足W補償由RF等離子體提供的熱量。同時，在常規的雙區式加熱器中，僅一個熱電偶被封圍 在陶瓷加熱器的中屯、。通過測量外區加熱元件來計算外區加熱器的溫度。將所需的特定功 率提供給加熱器W獲得加熱元件電阻，并且隨后實現適當的溫度分辨率。此功率將升高加 熱器的溫度，但是在等離子體處理期間，要求加熱器保持為是冷卻的。此外，在加熱器中充 當接地板或者板電極的RF網格的配置影響對基板的RF禪合。在常規加熱器中，尤其是在所 述網格中升降桿孔所位于的區域中，RF禪合是受限的。
[0034] 圖2是基座200的一個實施例的示意性剖視圖，所述基座200可用作圖1的等離子系 統100中的基座128。基座200包括禪接到忍柱126的加熱器主體205。加熱器主體205包括嵌 入在加熱器主體205內部的加熱元件210。加熱器主體205可包含陶瓷材料，諸如，氮化侶材 料或者其他陶瓷材料。在此實施例中的忍柱126是兩段式組件，并且包括禪接到凸緣133的 第一軸215 W及禪接到所述第一軸215的第二軸220。第一軸215和第二軸220可由用使熱傳 導離開加熱器主體205的不同材料制成。例如，第一軸215可由具有第一熱傳導性質的材料 制成，所述第一熱傳導性質與第二軸220的材料的第二熱傳導性質不同。第一軸215可由氮 化侶制成，而第二軸可由侶制成。第一軸215可擴散接合到加熱器主體205,例如，擴散接合 到凸緣133。
[0035] 在圖1的等離子系統100中執行的一些等離子體工藝中，在等離子體處理期間基座 200的溫度為約260攝氏度。在圖1的處理區域120A和120B中的工藝期間，可通過提供到嵌入 在加熱器主體205內部的加熱元件210的功率W及從等離子體獲取的熱量的組合來加熱基 座200。在許多情況下，加熱器主體205的溫度無法維持，并且可升高到大于約260攝氏度的 溫度。
[0036] 如圖2中所示，使冷卻劑230 (諸如，混有水的乙二醇、狂ALDEN?流體或者氣體)流 過第二軸220W降低加熱器主體205的溫度。替代地或者附加地，可縮短第一軸215的長度W 將第二軸220定位為更靠近加熱器主體205，者可改善冷卻能力。冷卻劑可在第二軸220的中 空部分(諸如，導管235)中流動，所述中空部分可W是在圖1中示出和描述的冷卻劑通道151 中的一個。
[0037] 圖3A是基座300的另一實施例的示意性剖視圖，所述基座300可用作圖1的等離子 系統100中的基座128。基座300可W是圖2中示出的基座200的替代或附加的方面。根據此實 施例，第一軸215的設計可適應于增強熱傳導。例如，與圖2中的第一軸215相比，第一軸215 的壁305的厚度T可從約0.1英寸一直增加到約0.4英寸。增大壁305的厚度T可用于增大從加 熱器主體205到第二軸220的熱通量。替代地或者附加地，第一軸215與第二軸220禪接處的 接口 310可配置成具有增大的表面積（例如，增大的厚度和/或橫截面）W進一步增加忍柱 126的熱傳導。第一軸215與凸緣133禪接處的接口 315也可配置成具有增大的表面積(例如， 增大的厚度和/或橫截面）W使得使熱離開加熱器主體205的傳導最大化。增大的表面積可 包括增大第一軸215和第二軸220兩者的橫截面面積，并且還可簡化軸設計并改善接口 310 和/或315處的機械連接。在第二軸220中還示出冷卻劑通道(諸如，導管235)。導管235可與 熱交換器流體地連通。熱交換器可經冷凍W改善來自流體的熱去除，所述流體在導管235中 流動。
[0038] 圖3B到圖3D是第一軸215的替代實施例的剖視圖，其中可單獨地改變壁305的高度 H，或者可將壁305的高度Η和厚度T 一起改變。第一軸215的高度Η的改變可用于增大從加熱 器主體205到第二軸220的熱通量。附加地或者替代地，可改變接口 315的形狀W增加熱傳導 和/或增大從加熱器主體205到第二軸220的熱通量。
[0039] 圖4Α是基座400的另一實施例的示意性剖視圖，所述基座400可用作圖1的等離子 系統100中的基座128。在此實施例中，基座400包括將液體或者氣體用作冷卻劑230的主動 式冷卻劑進料裝置。在圖4A-4C中描述和示出的基座400的特征為閉環主動式水冷或者氣體 進料裝置，所述閉環主動式水冷或者氣體進料裝置從加熱器主體205和/或基板(未示出）上 去除熱。通過使冷卻劑230直接流入加熱器主體205的下部部分402,可顯著地改善基座400 的冷卻。一個或多個流動通道420可形成在第一軸215和第二軸220的側壁中，并流動到冷卻 劑通道425,所述冷卻劑通道425可W是在圖1中示出并描述的形成在加熱器主體205中的冷 卻劑通道151中的一個。在一些實施例中，加熱器主體205可包括接合在一起的第一板405和 第二板410。冷卻劑通道425可形成在第一板405和第二板410中的一者或兩者中。可通過擴 散接合來結合板405、410。基座400的凸緣133還可包括臺肩415,在所述凸緣133處第一軸 215禪接到加熱器主體205。臺肩415包括尺度430(例如，直徑），所述尺度430大于第一軸215 的尺度435(例如，直徑）。臺肩415可用于增強離開加熱器主體205的熱的傳導，運可減少加 熱器主體205中的冷點。
[0040] 圖4Β是在圖4Α中示出的基座400的局部側面剖視圖，圖4Β示出嵌入在加熱器主體 205中冷卻劑通道的替代位置。根據此實施例的冷卻劑通道425定位在第一板405和第二板 410的接口 440處。
[0041] 圖4C是嵌入加熱器主體205中的冷卻劑通道425的一個實施例的平面圖。冷卻劑通 道425包括基本上圓形的流體路徑，所述流體路徑具有進口 445和出口 450。第一軸215的側 壁455(在圖4Α中示出似虛線示出為接近冷卻劑通道425的中屯、。進口 445和出口 450基本上 與側壁455對準W形成一個或多個流動通道420(示出在圖4Α中）。
[0042] 圖5是基座500的另一實施例的示意性剖視圖，所述基座500可用作圖1的等離子系 統100中的基座128。在此實施例中，基座500包括背側冷卻和夾持能力。基座500包括與冷卻 劑230連通的內氣體通道520和外氣體通道525的一者或兩者。內氣體通道520和外氣體通道 525可包含在圖1中示出并描述的冷卻劑通道151。可W包括其他氣體通道。內氣體通道520 可用于將冷卻氣體提供給加熱器主體205的中央區域W冷卻基板501。外氣體通道525可用 于將冷卻氣體提供給加熱器主體205的邊緣W冷卻基板501的邊緣。包含冷卻劑230的冷卻 氣體可W是氮氣、氣氣或者氮氣、或者它們的組合、W及其他氣體。內氣體通道520和外氣體 通道525可形成在第一軸215和第二軸220的側壁中，并且各自可形成閉環流體管線。內氣體 通道520和外氣體通道525可形成為允許氣體圍繞基板501的邊緣而泄漏到真空腔室(例如， 圖1的處理區域120Α和120Β)中。一個或多個通道505可形成在加熱器主體205的第一板405 和第二板410中的一者或兩者之中或之上。基座500在處理期間提供對基板501的高度靈活 的溫度可調諧性，W便使用單單個或者雙個氣體進料裝置來主動式地控制基板溫度。由內 氣體通道520和外氣體通道525提供的雙區式背側氣體配置提供了用于基板501的中屯、到邊 緣的溫度可調諧性的高效節點。
[0043] 基座500還可包括RF網格510,所述RF網510用作夾持電極。在第一板405中形成的 小孔可用于允許氣體泄漏到加熱器主體205的頂表面515。靜電夾盤還允許氣體在基板501 與頂表面515之間通過并且圍繞基板501的邊緣泄漏。
[0044] 圖6是基座600的另一實施例的示意性剖視圖，所述基座600可用作圖1的等離子系 統100中的基座128。在此實施例中，與常規的升降桿相比，升降桿161(僅示出一個)具有設 有最小直徑D的軸602。升降桿161的軸602的最小化的直徑提供了加熱器主體205中的較小 的(較小直徑的)升降桿導件605。升降桿導件605的最小化化的尺寸提供了在RF網格510中 形成的開口610,所述開口610小于常規基座的RF網格中的開口。最小化的開口610提供增強 的RF禪合，在升降桿的區域內尤其如此。在一個實施例中，直徑D小于約0.01英寸。
[0045] 圖7是基座700的部分的一個實施例的示意性剖視圖，所述基座700可用作圖1的等 離子系統100中的基座128。基座700包括第二軸220中禪接到底座組件129的部分。底座組件 129包括管狀配合構件705，所述管狀配合構件705具有開口 710，所述開口 710容置第二軸 220中配置為插入件715的至少部分。管狀配合構件705可W是至少部分地包裹第二軸220的 套筒。在一些實施例中，管狀配合構件705完全包裹第二軸220的外周表面。管狀配合構件 705可由侶制成。
[0046] 在一個實施例中，插入件715可由侶制成。第二軸220尺寸設定為略小于開口 710W 提供插入件715與管狀配合構件705之間的接觸。根據此實施例，第二軸220的冷卻劑入口與 冷卻基座(例如，底座組件129)的表面接觸。0形環720可用于在底座組件129與第二軸220之 間提供密封。流體進料裝置的連接器725位于底座組件129的側面處，運為其他特征(如端口 和過濾器(未示出））預留了空間。插入件715還可包括流體通道730，流體通道730可W是在 圖1中示出并描述的冷卻劑通道151中的一個。
[0047] 圖8A和8B是可用于圖1的等離子系統中的基座的部分的另一實施例的示意性剖視 圖。第二軸220在所述第二軸220的側壁附近具有與冷卻基座805的表面接觸。另外，基座800 包括插入件715,所述插入件715包括形成在所述插入件715中的流體通道815。在一些實施 例中，與圖7的實施例類似，管狀配合構件705包括形成在所述管狀構件705的側壁中的流體 通道730。流體通道815和流體通道730可W是圖1中示出并描述的冷卻劑通道151。流體通道 730和流體通道815兩者都可W是閉環流體路徑(例如，禪接到分開的冷卻劑源(未示出））。 或者，流體通道730和流體通道815兩者都可禪接到共同的共同的冷卻劑源(未示出）。
[0048] 圖8B是圖8A的基座800的替代實施例。在此實施例中，在插入件715中形成的流體 通道815流體地禪接到在插入件715中形成的、鄰近底座組件129的流體通道820。
[0049] 本文描述的基座的實施例提供多區式加熱器，所述多區式加熱器提供更高效的加 熱控制W及更寬范圍的溫度可調諧性。還可增強低溫維持，運增加了基座對低溫成膜工藝 的適用性。
[0050] 雖然上述內容針對本公開的實施例，但是可設計本公開的其他和進一步的實施例 而不背離本公開的基本范圍，并且本公開的范圍由所附權利要求書來確定。
【主權項】
1. 一種用于半導體處理腔室的基座，所述基座包含： 主體，所述主體包含陶瓷材料并且具有凸緣； 一個或多個加熱元件，所述一個或多個加熱元件嵌入在所述主體中； 第一軸，所述第一軸耦接到所述凸緣；以及 第二軸，所述第二軸耦接到所述第一軸；其中所述第二軸包括在所述第二軸中形成的 多個流體通道，所述多個流體通道在所述第二軸中終止。2. 根據權利要求1所述的基座，其中所述第一軸由第一材料制成，并且所述第二軸由與 所述第一材料不同的第二材料制成。3. 根據權利要求1所述的基座，其中所述流體通道的部分延伸入所述主體以形成閉環 冷卻路徑。4. 根據權利要求1所述的基座，其中所述第二軸包含插入件，所述插入件由與所述基座 的所述主體的材料不同的材料制成。5. 根據權利要求4所述的基座，其中所述插入件包括形成在所述插入件中的流體通道。6. 根據權利要求5所述的基座，其中形成在所述插入件中的所述流體通道包含第一流 體通道，所述第一流體通道與所述插入件外部的第二流體通道流體地連通。7. 根據權利要求6所述的基座，其中所述多個流體通道包含第一組流體通道，并且所述 基座包括形成在所述第一軸和所述第二軸中的第二組流體通道。8. 根據權利要求1所述的基座，其中所述第二組流體通道中的一個或多個流體通道在 所述主體中終止。9. 根據權利要求8所述的基座，其中所述第二組流體通道中的一個或多個流體通道在 所述主體的表面處終止。10. -種用于半導體處理腔室的基座，所述基座包含： 主體，所述主體包含陶瓷材料； 多個加熱元件，所述多個加熱元件被封圍在所述主體內； 第一軸，所述第一軸耦接到所述主體；以及 第二軸，所述第二軸耦接到所述第一軸；其中所述第二軸包括在所述第二軸中形成的 多個流體通道，所述流體通道的至少部分在所述第二軸中終止。11. 根據權利要求10所述的基座，其中所述第二軸至少部分地被套筒包裹。12. 根據權利要求10所述的基座，其中所述多個流體通道包含第一組流體通道，并且所 述基座包括形成在所述第一軸和所述第二軸中的第二組流體通道。13. 根據權利要求12所述的基座，其中所述第二組流體通道中的一個或多個流體通道 在所述主體中終止。14. 根據權利要求10所述的基座，其中插入件設置在所述第二軸內。15. 根據權利要求10所述的基座，其中所述第一軸由第一材料制成，并且所述第二軸由 與所述第一材料不同的第二材料制成。16. -種用于半導體處理腔室的基座，所述基座包含： 主體，所述主體包含陶瓷材料； 多個加熱元件，所述多個加熱元件被封圍在所述主體中； 第一軸，所述第一軸耦接到所述主體；以及 第二軸，所述第二軸耦接到所述第一軸；其中所述第二軸包括在所述第二軸中形成的 多個流體通道，所述流體通道的至少部分在所述第二軸中終止，并且其中，所述第一軸由第 一材料制成，并且所述第二軸由與所述第一材料不同的第二材料制成。17. 根據權利要求16所述的基座，其中所述第二軸至少部分地被套筒包裹。18. 根據權利要求17所述的基座，其中所述套筒耦接到冷卻基座。19. 根據權利要求16所述的基座，其中所述第二軸包含插入件。20. 根據權利要求19所述的基座，其中所述第一軸由陶瓷材料制成，并且所述第二軸和 所述插入件由鋁材制成。
【文檔編號】H01L21/67GK105870039SQ201610083040
【公開日】2016年8月17日
【申請日】2016年2月5日
【發明人】周建華, R·薩卡拉克利施納, J·C·羅查-阿爾瓦雷斯, X·林
【申請人】應用材料公司