透明導電片、及使用透明導電片的觸摸面板的制作方法
【技術領域】
[0001]本發明涉及一種用于透明電極等的透明導電片，特別涉及一種含有透明導電納米線的透明導電片。
【背景技術】
[0002]在透明基材上形成導電化合物薄膜的透明導電膜，利用其導電性的用途，例如在液晶顯示器、EL顯示器等平板顯示器和觸摸面板的透明電極等電氣、電子領域中廣泛使用。作為上述透明導電膜，眾所周知的是將氧化錫(Sn02)、氧化銦錫(ΙΤ0)或氧化鋅(ZnO)等通過真空蒸鍍法、濺射法、離子電鍍法等的干法工藝設置在透明基材的至少一個面上的透明導電膜。
[0003]另外，除上述干法工藝以外，還提出了通過使用導電高分子、CNT、例如金屬納米線等的金屬微粒的網絡構造的濕法工藝而得到的透明導電膜。
[0004]其中，近年來，對作為在可見光領域透明的導電材料的金屬納米線進行了研究。金屬納米線由于其很小，因此在可見光領域下的光透過性高，可期待其代替ΙΤ0作為透明導電膜的應用。作為這樣的金屬納米線，一般已知有金納米線、銀納米線、銅納米線等，例如在專利文獻1中就提出了一種使用銀納米線的透明導電膜。
[0005]但是，銀納米線在實際條件下使用時，存在由于銀的氧化而導致的導電率降低的問題。例如，在專利文獻2中記載了針對導電率的降低，添加抗氧化劑、設置外覆層的內容。但是，即使添加抗氧化劑、設置外覆層，仍然存在若可見光照射在銀納米線上，則銀納米線氧化，透明導電片的電阻值上升的問題。
[0006]現有技術文獻
[0007]專利文獻
[0008]專利文獻1日本特開號
[0009]專利文獻2日本特開號

【發明內容】

[0010]本發明要解決的問題
[0011]因此，本發明的目的在于提供一種即使可見光照射在銀納米線上，銀納米線也難以被氧化的透明導電片。
[0012]解決問題的手段
[0013]為了達成上述目的，本發明按以下構成:
[0014]根據本發明的第一實施方式，提供一種透明導電片，具備:基體片，在上述基體片上層積的銀納米線保持層，在上述銀納米線保持層中添加的犧牲劑，和在上述銀納米線保持層的表面上層積的銀納米線。
[0015]根據本發明的第二實施方式，提供一種透明導電片，具備:基體片，在上述基體片上層積的銀納米線保持層，在上述銀納米線保持層的表面上層積的銀納米線，在上述銀納米線上層積的外覆層，和在上述外覆層中添加的犧牲劑。
[0016]根據本發明的第三實施方式，提供一種透明導電片，具備:基體片，在上述基體片上層積的銀納米線保持層，在上述銀納米線保持層的表面上層積的銀納米線，在上述銀納米線上層積的外覆層，和在上述銀納米線保持層中添加的犧牲劑。
[0017]根據本發明的第四實施方式，提供一種透明導電片，相對于構成銀納米線保持層的樹脂，添加了 0.01 % -10 %的比例的上述犧牲劑。
[0018]根據本發明的第五實施方式，提供一種透明導電片，相對于構成外覆層的樹脂，添加了 0.01 % -10 %的比例的上述犧牲劑。
[0019]根據本發明的第六實施方式，提供一種透明導電片，上述銀納米線的直徑為5nm_500nm，長度為 500nm-50000nm。
[0020]根據本發明的第七實施方式，提供一種透明導電片，上述銀納米線用銀以外的金屬鍍覆。
[0021]根據本發明的第八實施方式，提供一種使用上述透明導電片的觸摸面板。
[0022]發明效果
[0023]本發明的透明導電片，是即使銀納米線被可見光長時間照射，也能夠抑制透明導電片的電阻值上升的透明導電片。
【附圖說明】
[0024]圖1是關于透明導電片的剖面圖。
[0025]圖2是關于透明導電片的剖面圖。
[0026]圖3是觸摸面板的立體圖。
[0027]圖4是沿圖2的A-A’的剖面圖。
[0028]圖5是沿圖3的B-B’的剖面圖。
【具體實施方式】
[0029]以下，基于附圖對涉及本發明的實施方式進一步進行詳細說明。另外，在本發明的實施例中記載的部位或部分的尺寸、材質、形狀、其相對位置等，除非有特別的特定記載，只是說明例而已，并不旨在將本發明的范圍僅限定于此。
[0030]如圖1所示，透明導電片1包括基體片2、銀納米線保持層3、銀納米線4、外覆層5，上述各部分按照該順序而進行層積。另外，在銀納米線保持層3和外覆層5中的至少任意一層中，添加有犧牲劑。
[0031]并且，銀納米線保持層3、銀納米線4、外覆層5的形成，除非有特殊說明，否則就可以通過與以往相同的方法來進行。作為以往方法的例子，有凹版涂布法、輥式涂布法、逗號涂布法等的涂布法，凹版印刷法、絲網印刷法等的印刷法。以下，對上述構成部分進行說明。
[0032][基體片]
[0033]基體片只要是片狀、膜狀的就沒有特別限制。例如，可列舉為石英玻璃、無堿玻璃、結晶化透明玻璃、派熱克斯玻璃(注冊商標)等的玻璃，氧化鋁等的陶瓷，鐵、鋁、銅等的金屬，聚乙烯樹脂、聚酯樹脂、纖維素樹脂、乙烯醇樹脂、氯乙烯樹脂、環烯烴系樹脂、聚碳酸酯樹脂、丙烯酸樹脂、ABS樹脂等的熱塑性樹脂，光固化樹脂、熱固化樹脂等。在重視透明性的情況時，優選其總透光率為80%以上，例如可列舉為玻璃、聚乙烯樹脂、聚酯樹脂、聚碳酸酯樹脂、丙烯酸樹脂、纖維素樹脂等。上述基材的厚度為lOym-lOmm。
[0034][銀納米線保持層]
[0035]銀納米線保持層，只要是能夠將銀納米線保持在基體片上的構成部分就沒有特別限制。作為構成銀納米線保持層的構成部分，可列舉為粘合劑樹脂、感光性樹脂。另外，從能夠使銀納米線保持層的厚度變薄的觀點出發，優選使用感光性樹脂。
[0036]作為粘合劑樹脂，可列舉為丙烯酸類、聚酯、聚氨酯、硝基纖維素、氯化聚乙烯、氯化聚丙烯、聚氯乙烯等的熱塑性樹脂和三聚氰胺丙烯酸酯、聚氨酯丙烯酸酯、環氧樹脂、聚酰亞胺樹脂等的固化性樹脂等。
[0037]作為感光性樹脂，可列舉為丙烯酸類、聚酯、聚氨酯、硝基纖維素、氯化聚乙烯、氯化聚丙烯、聚氯乙烯等的熱塑性樹脂和三聚氰胺丙烯酸酯、聚氨酯丙烯酸酯、環氧樹脂、聚酰亞胺樹脂等的固化性樹脂等。
[0038][銀納米線]
[0039]銀納米線，由銀構成。另外，上述銀納米線，通過使銀納米線彼此纏繞，各個銀納米線相接觸，從而成為整體導通的結構。銀納米線的形狀優選為短軸方向的長度與長軸方向的長度之比(以下，稱為長徑比)為10-10000。若長徑比不足10，則透過率降低，若超過10000，則物理強度與透明導電性會降低。
[0040]另外，銀納米線的短軸方向的長度優選為5nm-500nm，更優選為5nm-100nm。若短軸方向的長度超過500nm，則透明導電片的透過率會降低。而若短軸方向的長度不足5nm，則銀納米線彼此的接觸會變得困難，透明導電片的導電性會降低。
[0041 ] 長軸方向的長度優選為500nm-50000nm，更優選為10000nm-40000nm。若長軸方向的長度不足500nm，則透明導電片的導電性會降低，若超過50000nm，則透過率會降低。
[0042]另外，銀納米線，優選用銀以外的金屬鍍覆。若用銀以外的金屬鍍覆，則銀納米線在被可見光照射時，能夠抑制銀納米線的氧化。
[0043][外覆層]
[0044]外覆層只要是能夠保護銀納米線免受來自外部的物理、化學刺激的構成部分就沒有特別限制。作為構成外覆層的構成部分，可列舉為粘合劑