可變電容器件及天線裝置的制造方法
【技術領域】
[0001]本發明涉及一種可變電容器件及使用該可變電容器件的天線裝置。
【背景技術】
[0002]例如，在手機FeliCa (Felicity Card)用的 NFC (Near Field Communicat1n:近距離無線通訊)模塊中，因天線線圈的差異而引起13.56MHZ的諧振頻率偏移從而導致接收靈敏度劣化之類的現象。因此，將包含電容器的頻率調整電路組裝入模塊中，當出廠時檢查所有的機器，對電容器的電容進行微調整，修正諧振頻率的偏移。
[0003]以往，利用的是在固定的電容元件中串聯地連接FET (Field Effect Transistor,場效應晶體管)開關而成的開關電容器。而且，預先利用出廠檢查將切換設定寫入至控制用IC(Integrated Circuit，集成電路)中，當使用NFC時，將FET切換，對電容器的電容進行微調整。
[0004]另一方面，近年正在研究對于比FET開關便宜且耐壓優異的通用的陶瓷電容器的替換。陶瓷電容器材料具備伴隨DC偏置電壓的施加而電容減少的特性，且有意識地利用該特性。
[0005]但是，因陶瓷電容器的電容在施加偏置電壓時出現經時變化之類的問題等，而研究采用將包含并非由燒結體而是由薄膜形成的電介質層的可變電容元件多個串聯地連接而成的可變電容器件。
[0006]在形成如此的可變電容器件時，期待在同一基板上形成可變電容元件與電阻。其中，在可變電容元件的部分為確保耐濕性，而形成絕緣性耐濕膜及導電性密接膜，但可知因絕緣性耐濕膜與形成在該絕緣性耐濕膜之上的層間絕緣層的關系、及導電性密接膜的性質等，而產生機械可靠性的問題或泄漏電流的問題。
[0007][【背景技術】文獻]
[0008][專利文獻]
[0009][專利文獻1]日本專利特開號公報
[0010][專利文獻2]日本專利特開2008-66682號公報
[0011][專利文獻3]日本專利特開號公報

【發明內容】

[0012][發明要解決的問題]
[0013]因此，本發明的目的是根據一形態，而解決在以薄膜形成串聯地連接而成的可變電容元件時一同地形成的密接膜的相關問題。
[0014][解決問題的技術手段]
[0015]本發明的可變電容器件包含串聯地連接而成的多個可變電容元件。而且，多個可變電容元件各自包含形成在支撐基板上的下部電極層、形成在下部電極層之上的電介質層、及形成在電介質層之上的上部電極層。而且，可變電容器件包含上部電極層形成后所形成的導電性密接膜及絕緣性耐濕膜。進而，導電性密接膜及絕緣性耐濕膜是在為了多個可變電容元件中的1個或多個可變電容元件而分離形成的下部電極層的每一區域中分離。
[0016]若采用具有如此構成的可變電容器件，則可防止在下部電極層的區域間所產生的泄漏電流。
[0017]而且，本發明的可變電容器件也可以更包含形成在絕緣性耐濕膜上的絕緣層。在該情況時，也可以在導電性密接膜及絕緣性耐濕膜中為了在下部電極層的每一區域進行分離而被去除的部分，使絕緣層與支撐基板相接。通過如此方式，絕緣層與支撐基板的密接性增加，機械可靠性提升。
[0018]另外，也可以將如此的可變電容器件用于天線裝置。由此，獲得更佳的天線裝置。
[0019]對于以上所述的構成，利用以下的實施方式具體地進行說明，但并非限定于實施方式。
[0020][發明的效果]
[0021]根據一形態，可解決在以薄膜形成串聯地連接而成的可變電容元件時一同地形成的耐濕膜的相關問題。
【附圖說明】
[0022]圖1是表示本發明的實施方式的可變電容器件的電路構成例的圖。
[0023]圖2是表示本實施方式的可變電容器件的基本構成的透視俯視圖。
[0024]圖3是表示產生漏電流的情況下的等效電路的圖。
[0025]圖4是本實施方式中的可變電容器件的第1剖視圖。
[0026]圖5是本實施方式中的可變電容器件的第2剖視圖。
[0027]圖6是用以說明實施方式的效果的圖。
[0028]圖7是表示天線裝置的構成例的圖。
【具體實施方式】
[0029]圖1中表示本發明的實施方式的可變電容器件中所形成的電路的一例。在圖1所示的可變電容器件中，自高頻信號的輸入端子(Signal (in))到高頻信號的輸出端子(Singal(out))之間，將可變電容元件群Cl至C4串聯地連接。而且，可變電容元件群C1至C4的各自的一端經由電阻R1至R3連接于接地用的端子DC1，且另一端經由電阻R4及R5連接于控制電壓施加用的端子DC2，且相應于施加至這些端子間的電壓，可變電容元件群C1至C4各自的電容進行變化。
[0030]在圖2中表示以薄膜形成如此的可變電容器件時的基本結構的透視俯視圖。
[0031]在支撐基板上，分別形成有用于2個可變電容元件的下部電極層10及11。在下部電極層10之上，形成電介質層及上部電極層21與電介質層及上部電極層22，從而實現可變電容元件C4及C3。同樣地，在下部電極層11之上，形成電介質層及上部電極層23與電介質層及上部電極層24，從而實現可變電容元件C2及C1。另外，相當于圖1中的電阻R1至R5的電阻層15至19形成在以下討論的導電性密接膜(圖4中的3)及絕緣性耐濕膜(圖4中的4)上。
[0032]在上部電極層21之上，形成有相當于配線層的導體層31，且在該導體層31之上，在層間絕緣層(圖4中的72)的開口部形成有相當于配線層的導體層57，且該導體層57連接在相當于高頻信號的輸出端子的端子電極41。在上部電極層22及上部電極層23之上，形成有相當于配線層的導體層32。在上部電極層24之上，形成有相當于配線層的導體層33，且在該導體層33之上，在層間絕緣層(圖4中的72)的開口部形成有相當于配線層的導體層58，且該導體層58連接于相當于高頻信號的輸入端子的端子電極44。
[0033]在電阻層15上，在層間絕緣層(圖4中的5)的開口部形成有相當于配線層的導體層51及52，且電阻層15連接于導體層31與相當于配線層的導體層34。同樣地，在電阻層16上，在層間絕緣層(圖4中的5)的開口部形成有相當于配線層的導體層54及53，且電阻層16連接于導體層32及導體層34。在電阻層17上，在層間絕緣層(圖4中的5)的開口部形成有相當于配線層的導體層56及55，且電阻層17連接于導體層33及34。在導體層34之上，在層間絕緣層(圖4中的72)的開口部形成有相當于配線層的導體層59，且該導體層59連接于相當于與接地連接的端子DC1的端子電極42。
[0034]在下部電極層10上，在層間絕緣層(圖4中的5)的開口部形成有相當于配線層的導體層66，且在該導體層66之上，形成有相當于配線層的導體層36。另一方面，在電阻層18上，在層間絕緣層(圖4中的5)的開口部形成有相當于配線層的導體層60，且在導體層60上形成有導體層36。
[0035]同樣地，在下部電極層11上，在層間絕緣層(圖4中的5)的開口部形成有相當于配線層的導體層65，且在該導體層65之上，形成有相當于配線層的導體層37。另一方面，在電阻層19上，在層間絕緣層(圖4中的5)的開口部形成有相當于配線層的導體層64，且在導體層64上形成有導體層37。
[0036]進而，在電阻層18之上，在層間絕緣層(圖4中的5)的開口部也形成有相當于配線層的導體層61，且在該導體層61之上，形成有相當于配線層的導體層35。而且，在電阻層19之上，在層間絕緣層(圖4中的5)的開口部也形成有相當于配線層的導體層63，且在導體層63上形成有導體層35。在該導體層35上，形成有相當于配線層的導體層62，且該導體層62連接于相當于控制電壓施加用的端子DC2的端子電極43。
[0037]雖然在如此的基本結構中未能直接表現，但為了對于由下部電極層、電介質層及上部電極層形成的可變電容元件提升耐濕性，而將導電性密接膜(圖4中的3)與絕緣性耐濕膜(圖4中的4)在形成上部電極層21至24后形成于一面。此后，在導電性密接膜及絕緣性耐濕膜中，利用等離子刻蝕等將與形成在上部電極層上的導體層連接的部分去除。
[0038]若采用如此的構成，則因成為在導電性密接膜(圖4中的3)及絕緣性耐濕膜(圖4中的4)之后所形成的可變電容元件的保護層的層間絕緣層(圖4中的5)與絕緣性耐濕膜的密接性較差，而產生機械可靠性下降之類的問題。而且，因絕緣性耐濕膜與用以提升可變電容元件及基板的密接強度的導電性密接膜所具有的導電性，而導致在下部電極層10與下部電極層11之間產生漏電流，從而產生Q值下降之類的現象。作為電路，如圖3所示，成為被插入將電容器C2的輸入端子側的端子與電容器C3的輸出端子側的端子連結的電阻Rb的形式。
[0039]因此，在本實施方式中，如圖2中示意性所示，通過將形成在下部電極層10與下部電極層11之間的導電性密接膜(圖4中的3)及絕緣性耐濕膜(圖4中的4)的一部分利用等離子刻蝕等去除，而形成狹縫71。狹縫71是預先將與下部電極層10相接的導電性密接膜的第1區域(左側)及與下部電極層11相接的導電性密接膜的第2區域(右側)分離，同時將導電性密接膜的第1區域上所形成的絕緣性耐濕膜的第1區域(左側)、及導電性密接膜的第2區域上所形成的絕緣性耐濕膜的第2區域(右側)分離。進而，對于電阻層16的部分，也以不產生漏電流的方式，狹縫71延伸，將導電性密接膜的第1區域及絕緣性耐濕膜的第1區域與導電性密接膜的第2區域及絕緣性耐濕膜的第2區域分離。就此狹縫71而言，若能將下部電極層10與下部電極層11電性分離，則可采用任意的狹縫形狀。
[0040]由此，在