陣列基板、顯示器及陣列基板的制備方法
【技術領域】
[0001]本發明涉及顯示領域，尤其涉及一種陣列基板、顯示器及陣列基板的制備方法。
【背景技術】
[0002]金屬氧化物半導體薄膜晶體管以其良好的器件性能，較低的工藝成本，被認為是下一代平板顯示中的關鍵技術。然而，隨著顯示器性能的提高，包括高分辨率，窄邊框技術等，都對陣列基板中的薄膜晶體管的性能，包括穩定性提出更高的要求。相比目前高端顯示器常用的低溫多晶硅技術，較低穩定性限制了金屬氧化物半導體薄膜晶體管應用于驅動電路在玻璃上的集成化等，影響了顯示器的穩定性。

【發明內容】

[0003]本發明提供一種陣列基板，顯示器及陣列基板的制備方法，以提高顯示器的穩定性。
[0004]本發明提供一種陣列基板，所述陣列基板包括呈矩陣分布的多個金屬氧化物半導體薄膜晶體管，所述金屬氧化物半導體薄膜晶體管包括:
[0005]基板；
[0006]柵極，所述柵極設置在所述基板的一個表面上；
[0007]柵極絕緣層，所述柵極絕緣層覆蓋所述柵極上；
[0008]有源層圖形，所述有源層圖形覆蓋在所述柵極絕緣層上；
[0009]源極及漏極，所述源極及漏極設置于所述有源層圖形上，且分別位于所述柵極的兩側；
[0010]第一覆蓋層，所述第一覆蓋層設置于所述有源層圖形上，且與所述有源層圖形電連接，所述第一覆蓋層未與所述源極及漏極接觸；其中，所述第一覆蓋層的金屬材質比所述有源層圖形中的金屬材質活潑；
[0011 ] 鈍化層，所述鈍化層覆蓋在所述第一覆蓋層、源極、漏極及有源層圖形上。
[0012]其中，所述陣列基板還包括第二覆蓋層，所述第二覆蓋層設置于所述第一覆蓋層與所述鈍化層之間，用于保護第一覆蓋層。
[0013]其中，所述第二覆蓋層為金屬材質，所述第一覆蓋層的金屬材質比所述第二覆蓋層的金屬材質活潑。
[0014]其中，所述第二覆蓋層為絕緣材質。
[0015]其中，所述第一覆蓋層的金屬材質為元素周期表中的第IIA及IVA族材料。
[0016]本發明還提供一種顯示器，所述顯示器包括上述的陣列基板。
[0017]本發明還提供一種陣列基板的制備方法，所述陣列基板的制備方法包括:
[0018]提供一基板；
[0019]在所述基板上沉積金屬膜層，以形成柵極，從而得到第一半成基板；
[0020]在所述第一半成基板上沉積柵極絕緣層，從而得到第二半成基板；
[0021]在所述第二半成基板上沉積有源層，以形成有源層圖形，從而得到第三半成基板；
[0022]在所述第三半成基板上沉積覆蓋層，從而得到第四半成基板，其中，所述覆蓋層位于所述有源層圖形上，所述覆蓋層的金屬材質比所述有源層圖形40的金屬材質活潑；
[0023]在所述第四半成基板上沉積金屬膜層，以形成源極及漏極，以得到第五基板，其中，所述源極及漏極設置于所述有源層圖形上，且分別位于所述柵極的兩側，所述覆蓋層未與所述源極及漏極接觸；
[0024]在所述第五基板上沉積鈍化層，以使所述鈍化層覆蓋所述覆蓋層、源極、漏極及有源層圖形，從而得到所述陣列基板。
[0025]其中，所述步驟“在所述第三半成基板上沉積覆蓋層”包括以下步驟:
[0026]在所述第三半成基板上沉積第一子覆蓋層；其中，所述第一覆蓋層為金屬材質；
[0027]在所述第一覆蓋層上沉積第二子覆蓋層，用于保護第一覆蓋層，其中，所述第一覆蓋層與所述第二覆蓋層構成所述覆蓋層。
[0028]其中，所述第二子覆蓋層為金屬材質，所述第一子覆蓋層的金屬材質比所述第二子覆蓋層的金屬材質活潑。
[0029]其中，所述第一子覆蓋層的金屬材質為元素周期表中的第IIA及IVA族材料。
[0030]本發明的陣列基板包括基板、柵極、柵極絕緣層、有源層圖形、源極、漏極、第一覆蓋層及鈍化層，所述柵極設置在所述基板的一個表面上；所述柵極絕緣層覆蓋所述柵極上；所述有源層圖形覆蓋在所述柵極絕緣層上；所述源極及漏極設置于所述有源層圖形上，且分別位于所述柵極的兩側；所述第一覆蓋層設置于所述有源層圖形上，且與所述有源層圖形電連接，所述第一覆蓋層未與所述源極及漏極接觸；其中，所述第一覆蓋層的金屬材質比所述有源層圖形中的金屬材質活潑；所述鈍化層覆蓋在所述第一覆蓋層、源極、漏極及有源層圖形上。因此，由于所述第一覆蓋層中主要采用相對所述有源層圖形中的金屬原子較活潑的材料，一方面能夠俘獲所述有源層圖形中未形成穩定化學鍵的氧原子，一方面氧空位增加提高載流子濃度，另一方面所述有源層圖形中游離的氧原子減少，氧含量變化小，所述陣列基板的穩定性提高，即具有較高的器件性能。
【附圖說明】
[0031]為了更清楚地說明本發明實施例或現有技術中的技術方案，下面將對實施例或現有技術描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發明的一些實施例，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創造性勞動的前提下，還可以根據這些附圖獲得其他的附圖。
[0032]圖1為本發明第一方案第一較佳實施例提供的陣列基板的剖面結構示意圖。
[0033]圖2為本發明第一方案第二較佳實施例提供的陣列基板的剖面結構示意圖。
[0034]圖3為本發明第二方案較佳實施例提供的顯示器的結構示意圖。
[0035]圖4為本發明第三方案較佳實施方式的陣列基板的制備方法的流程圖。
[0036]圖5至圖11為本發明陣列基板的制備方法中各個步驟對應的制程的剖面圖。
【具體實施方式】
[0037]下面將結合本發明實施例中的附圖，對本發明實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發明一部分實施例，而不是全部的實施例。基于本發明中的實施例，本領域普通技術人員在沒有做出創造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本發明保護的范圍。
[0038]請參閱圖1，本發明第一方案較佳實施例提供了一種陣列基板100。所述陣列基板100包括基板10、柵極20、柵極絕緣層30、有源層圖形40、源極50、漏極60、第一覆蓋層70及鈍化層80。
[0039]所述柵極20設置在所述基板10的一個表面上。
[0040]其中，所述基板10可以為玻璃基板。所述柵極20是在玻璃基板上沉積金屬膜層，通過涂布光阻，曝光顯影后形成光刻圖形，再經過蝕刻后剝離光阻形成的。所述金屬膜層可以采用AL，Mo, Cu，Ag等金屬材料。
[0041 ] 所述柵極絕緣層30覆蓋所述柵極20上。
[0042]其中，柵極絕緣層30可以采用SiNx，S1x等材料。
[0043]所述有源層圖形40覆蓋在所述柵極絕緣層30上。
[0044]其中，所述有源層圖形40是在柵極絕緣層30上沉積金屬氧化物半導體有源層，經過涂布光阻，曝光顯影后形成光刻圖形，在經過蝕刻后玻璃光阻形成的。金屬氧化物半導體有源層可以為ZnO基、In203基、Sn02基材料等。
[0045]所述第一覆蓋層70設置于所述有源層圖形40上，且與所述有源層圖形40電連接。所述第一覆蓋層70未與所述源極50及漏極60接觸。其中，所述第一覆蓋層70的金屬材質比所述有源層圖形40中的金屬材質活潑。
[0046]其中，所述第一覆蓋層70主要采用相對所述有源層圖形40中的金屬原子較活潑的材料，如Ba，Si等II A，IV A族材料等。
[0047]所述源極50及漏極60設置于所述有源層圖形40上，且分別位于所述柵極20的兩側。
[0048]其中，所述源極50及漏極60是通過沉積金屬膜層，經過涂布光阻，曝光顯影后形成光刻圖形，再經過蝕刻后剝離光阻形成。所述金屬膜層采用AL，Mo, Cu, Ag等金屬材料。
[0049]所述鈍化層80覆蓋在所述第一覆蓋層70、源極50、漏極60及有源層圖形40上。
[0050]其中，所述鈍化層80采用絕緣材料，防止水分和氧氣影響其下層的穩定性，防止機械損傷，確保電學特性穩定。
[0051]需要說明的是，所述柵極20、所述柵極絕緣層30、所述有源層圖形40、所述源極50、所述漏極60、所述第一覆蓋層70及所述鈍化層80構成了金屬氧化物半導體薄膜晶體管。
[0052]在本實施例中，所述陣列基板100包括基板10、柵極20、柵極絕緣層30、有源層圖形40、源極50、漏極60、第一覆蓋層70及鈍化層80。所述柵極20設置在所述基板10的一個表面上。所述柵極絕緣層30覆蓋所述柵極20上。所述有源層圖形40覆蓋在所述柵極絕緣層30上。所述第一覆蓋層70設置于所述有源層圖形40上，且與所述有源層圖形40電連接。所述第一覆蓋層70未與所述源極50及漏極60接觸。其中，所述第一覆蓋層70的金屬材質比所述有源層圖形40中的金屬材質活潑。所述源極50及漏極60設置于所述有源層圖形40上，且分別位于所述柵極20的兩側。所述鈍化層80覆蓋在所述第一覆蓋層70、源極50、漏極60及有源層圖形40上。因此，由于所述第一覆蓋層70中主要采用相對所述有源層圖形40中的金屬原子較活潑的材料，一方面能夠俘獲所述有源層圖形40中未形成穩定化學鍵的氧原子，一方面氧空位增加提高載流子濃度，另一方面所述有源層圖形40中游離的氧原子減少，氧含量變化小，所述陣列基板100的穩定性提高，即具有較高的器件性會泛。
[0053]請參閱圖2，本發明第一方案第二較佳實施例提供一種陣列基板200。所述第二較佳實施例提供的陣列基板200與第一較佳實施例提供的陣列基板100相似，兩者的區別在于:在第二較佳實施例中，所述陣列基板200還包括第二覆蓋層210。所述第二覆蓋層210設置于所述第一覆蓋層70與所述鈍化層80之間，用于保護第一覆蓋層70。
[0054]在本實施例中，所述第二覆蓋層210為金屬材質。所述第一覆蓋層70的金屬材質比所述第二覆蓋層210的金屬材質活潑。其中，所述第二覆蓋層210用于防止所述第一覆蓋層70在空氣中被氧化。在其他實施例中，所述第二覆蓋層210也可以為絕緣材質。
[0055]請參閱圖3，本發明第二方案較佳實施例提供一種顯示器300。所述顯示器300包括陣列基板、彩色濾光基板320及液晶層330。所述陣列基板與所述彩色濾光基板320相對設置，所述液晶層330設置在所述陣列基板和所述彩色濾光基板320之間。所述陣列基板為上述第一方案中第一較佳實施例的陣列基板100。由于所述陣列基板100在上述第一方案第一較佳實施例中已經進行了詳細的描述，在此不再贅述