一種磁性合金粉末材料的制作方法
【技術領域】
[0001] 本發明屬于功能材料領域，特別是指一種磁性合金粉末材料。
【背景技術】
[0002] 現有技術中，磁性材料特別是磁性材料被用作生產高頻變壓器、磁頭等需要利用 磁性材料特性的產品。磁性材料是指同永磁材料相比具有消磁性能的磁性材料。現主要磁 性材料的生產基本以鐵氧體材料來制備，這類鐵氧體材料的主要特性是電阻率高，高頻渦 流損耗小等優點。但該材料制備的磁性產品的飽和磁感應強度偏低，溫度特性差，僅能使用 于溫度低于100°C的范圍，當溫度超過這一范圍時，其性能急劇下降甚至磁性消失，因此這 類材料不適合于高溫條件下的應用。
[0003] 在金屬冶煉過程中，要經過熔煉，冷卻，再加工等過程，工序復雜，并且在每一工序 中均需要消耗大量的能量也有有害氣體的產生，現已經有技術采用合金粉末壓鑄方式生產 合金產品，這樣可以
【發明內容】
[0004] 本發明的目的是通過對現有技術的改進，在保證磁性材料的溫度特性和儲磁性能 并能夠提高這類磁性材料的消磁性能。
[0005] 本發明是通過以下技術方案實現的：
[0006] -種磁性合金粉末材料，所述磁性合金材料為FeCOMSiBTi基材，各成份組成按原 子百分含量（at% )包括：20-25的鈷，1-3%的鋁，1-3%的碲，3-5的M，8-12的硅，10-15的 硼，1-3的鈦，其余為鐵及少量不可避免的雜質；所述M為銅和鈮、鉬、釩、鋯中一種或多種的 組合。
[0007] 所述銅的原子百分含量（at% )為0· 8-1. 2 ;所述鈮、鉬、釩、鋯中一種或多種的組 合的原子百分含量（at% )為3-5。
[0008] 進一步改進，所述的M為銅和釩的組合。
[0009] 本發明的有益效果是：
[0010] 同現有技術相比，本磁性材料合金具有較好的高溫特性和儲磁性能，是用于制作 磁頭的優選磁材料。
[0011] 進一步改進，所述的M為銅和釩的組合。
【具體實施方式】
[0012] 以下結合具體實施例以對本發明進行詳細說明，在本申請中選用多組實施例并通 過對各實施例的檢測得出各組分的性能。在本申請中共選用了 6組實施例。
[0013] -種磁性合金粉末材料，所述磁性合金材料為FeCOMSiBTi基材，各成份組成按原 子百分含量（at% )包括：20-25的鈷，1-3%的鋁，1-3%的碲，3-5的M，8-12的硅，10-15的 硼，1-3的鈦，其余為鐵及少量不可避免的雜質；所述M銅和鈮、鉬、釩、鋯中一種或多種的組 合。
[0014] 所述銅的原子百分含量（at% )為0. 8-1. 2 ;所述鈮、鉬、釩、鋯中一種或多種的組 合的原子百分含量（at% )為3-5。
[0015] 所述的M為銅和釩的組合。
[0016] 實施例的制備是在真空感應爐中進行熔煉，首先將爐內抽真空至10 3Pa以上，然 后充入1個大氣壓的氬氣，熔煉是在采用氬氣保護并經充分的電磁攪拌后澆鑄成合金坯 體，再將坯體依需要進行加工成半成品，再經500-520°C和保溫30分鐘的晶化退火處理，然 后對產品測試。
[0017] 產品的測試試驗
[0018] 磁導率Bs(T)的測量是在真空度為10 3Pa真空爐中進行，測量方式采用升溫速率 為3. 5°C /分鐘的線性升溫測量。經過測定，本技術方案有很好的溫度特性。
[0019] 實施例1-6的具體組成見表1
[0020] 本發明各實施例的組成成份（表1)單位原子百分比at%
[0023] 通過以上測量結果可以表明，本發明的技術方案同現有技術中大量增加鈷含量的 磁性材料的性能相似，但成本大量降低。
【主權項】
1. 一種磁性合金粉末材料，其特征在于：所述磁性合金材料為FeCOMSiBTi基材，各成 份組成按原子百分含量（at% )包括：20-25的鈷，1-3%的鋁，1-3%的碲，3-5的M，8-12的 硅，10-15的硼，1-3的鈦，其余為鐵及少量不可避免的雜質；所述M銅和鈮、鉬、釩、鋯中一種 或多種的組合。2. 根據權利要求1所述的磁性合金粉末材料，其特征在于：所述銅的原子百分含量 (at% )為0? 8-1. 2 ;所述鈮、鉬、釩、鋯中一種或多種的組合的原子百分含量（at% )為3-5。3. 根據權利要求1所述的磁性合金粉末材料，其特征在于：所述的M為銅和釩的組合。
【專利摘要】本發明涉及一種磁性合金粉末材料，所述磁性合金材料為FeCOMSiBTi基材，各成份組成按原子百分含量(at％)包括：20-25的鈷，3-5的M，8-12的硅，10-15的硼，1-3的鈦，其余為鐵及少量不可避免的雜質；所述M銅和鈮、鉬、釩、鋯中一種或多種的組合。
【IPC分類】C22C30/00, H01F1/147, C22C38/60
【公開號】CN105118603
【申請號】CN201510567058
【發明人】楊雯雯
【申請人】楊雯雯
【公開日】2015年12月2日
【申請日】2015年9月8日