一種 iii 族半導體發光器件的制作方法
【技術領域】
[0001]本申請涉及半導體照明技術領域，具體地說，是涉及一種III族半導體發光器件。【背景技術】
[0002] 氮化鎵基發光二極管的發光效率近些年得到了很大程度上的提高，但外部量子效 率、電流分布均勻性已經成為制約發光二極管性能進一步提高的主要技術瓶頸。現有技術 中藍寶石襯底上氮化鎵基發光二極管會因其P型電極、N型電極均位于襯底同一則，其P型 電極、N型電極一般包括線接合焊盤以及線電極，由于N型電極的線接合焊盤要用來焊接金 球（金球直徑一般為75um)，因此N型電極線接合焊盤尺寸設計的較大，這樣就導致有源層 蝕刻面積過大。
[0003] 為了解決藍寶石襯底上氮化鎵基發光二極管存在有源層蝕刻面積過大問題，目前 解決方法如下：
[0004] 1、由激光剝離技術將襯底與氮化物半導體層相剝離而制造垂直式發光器件，雖然 垂直結構發光二極管技術解決了傳統藍寶石襯底上氮化鎵基發光二極管存在的問題，如散 熱、有源層蝕刻面積過大、電流分布均勻性等問題，但是襯底剝離工藝復雜，成本高昂且良 率過低。
[0005] 2、通過在藍寶石襯底里形成多個藍寶石孔，藍寶石襯底孔壁和底部沉積一種N型 半導體金屬，并且每個孔被填滿另一種金屬以形成一個N型電極觸點進而形成垂直結構發 光二極管。但是此方案存在藍寶石鉆多個孔工藝復雜，成本高昂并且工藝可靠性較低等問 題。

【發明內容】

[0006] 為了解決在上述現有技術中出現的問題，本發明的目的是提供一種III族半導體 發光器件，以解決有源層蝕刻過多的問題，增加有源層從而改善光電特性，并通過提供的新 結構讓電流分布更均勻及增加抗靜電的能力。
[0007]本發明提供了一種III族半導體發光器件，該發光器件包括：自下而上依次設置 的襯底、緩沖層、n型氮化物半導體層、有源層和p型氮化物半導體層，并構成凸臺，其中，
[0008] 所述凸臺的上表面為P型氮化物半導體層的上表面；
[0009] 所述凸臺表面上還設有N型線電極，所述N型線電極下方的有源層為被蝕刻掉或 所述N型線電極下方的有源層為被部分蝕刻掉，所述N型線電極還連接有N型焊盤，該N型 焊盤位于所述有源層上方，所述N型線電極與所述N型焊盤組成N型電極；
[0010] 所述發光器件還包括P型電極，包括：P型焊盤與P型線電極，該P型電極位于所 述凸臺上。
[0011] 優選地，所述發光器件還設有絕緣層和透明導電層，所述透明導電層位于所述P型氮化物半導體層上表面或者位于所述P型氮化物半導體層及n型氮化物半導體層的表 面，所述絕緣層位于所述透明導電層的表面及所述凸臺的表面；
[0012] 所述N型焊盤位于所述絕緣層表面之上；
[0013] 所述N型線電極位于所述n型氮化物半導體層表面上。
[0014] 優選地，所述發光器件還設有絕緣層和透明導電層，所述透明導電層位于所述p 型氮化物半導體層上表面或者位于所述P型氮化物半導體層及n型氮化物半導體層的表 面，所述絕緣層位于所述透明導電層的表面及所述凸臺的表面；
[0015] 所述N型焊盤位于所述絕緣層表面之上；
[0016] 所述N型線電極位于所述透明導電層上。
[0017] 優選地，所述發光器件還設有絕緣層和透明導電層，所述透明導電層位于所述p 型氮化物半導體層上表面或者位于所述P型氮化物半導體層及n型氮化物半導體層的表 面，所述絕緣層位于所述透明導電層的表面及所述凸臺的表面；
[0018] 所述N型焊盤位于所述絕緣層表面之上；
[0019] 所述N型線電極位于所述n型氮化物半導體層及絕緣層之間。
[0020] 優選地，所述發光器件還設有絕緣層和透明導電層，所述透明導電層位于所述p 型氮化物半導體層上表面或者位于所述P型氮化物半導體層及n型氮化物半導體層的表 面，所述絕緣層位于所述透明導電層的表面及所述凸臺的表面；
[0021] 所述N型焊盤位于所述絕緣層表面之上；
[0022] 所述N型線電極位于所述透明導電層及絕緣層之間。
[0023] 優選地，所述發光器件還設有絕緣層和透明導電層，所述透明導電層位于所述p 型氮化物半導體層上表面或者位于所述P型氮化物半導體層及n型氮化物半導體層的表 面，所述絕緣層位于所述透明導電層的表面及所述凸臺的表面；
[0024] 所述N型焊盤位于所述絕緣層表面之上；
[0025] 所述N型線電極位于所述n型氮化物半導體層及透明導電層之間。
[0026] 優選地，所述發光器件還設有絕緣層和透明導電層，所述透明導電層位于所述p 型氮化物半導體層上表面或者位于所述P型氮化物半導體層及n型氮化物半導體層的表 面，所述絕緣層位于所述透明導電層的表面及所述凸臺的表面；
[0027] 所述N型焊盤位于所述絕緣層表面之上；
[0028] 所述N型線電極位于所述n型氮化物半導體層、透明導電層及絕緣層之間。
[0029] 優選地，所述發光器件還設有絕緣層和透明導電層，所述透明導電層位于所述p 型氮化物半導體層上表面或者位于所述P型氮化物半導體層及n型氮化物半導體層的表 面，所述絕緣層位于所述透明導電層的表面及所述凸臺的表面；
[0030] 所述N型焊盤位于所述絕緣層表面之上；
[0031] 所述N型線電極位于所述絕緣層表面之上。
[0032] 優選地，所述P型電極，進一步為，
[0033] 所述P型焊盤位于所述絕緣層表面上、；
[0034] 所述P型線電極位于所述透明導電層表面之上、或位于所述透明導電層及絕緣層 之間、或部分位于所述絕緣層表面之上、或位于所述P型氮化物半導體層表面之上、或位于 所述P型氮化物半導體層及透明導電層之間、或位于所述P型氮化物半導體層及絕緣層之 間、或位于所述P型氮化物半導體層、絕緣層及透明導電層之間。
[0035] 優選地，所述P型電極，進一步為，
[0036] 所述P型焊盤位于所述透明導電層表面之上；
[0037] 所述P型線電極位于所述透明導電層表面之上、或位于所述透明導電層及絕緣層 之間、或部分位于所述絕緣層表面之上、或位于所述P型氮化物半導體層表面之上、或位于 所述P型氮化物半導體層及透明導電層之間、或位于所述P型氮化物半導體層及絕緣層之 間、或位于所述P型氮化物半導體層、絕緣層及透明導電層之間。
[0038] 優選地，所述P型電極，進一步為，
[0039] 所述P型焊盤位于所述p型氮化物半導體層表面上；
[0040] 所述P型線電極位于所述透明導電層表面之上、或位于所述透明導電層及絕緣層 之間、或部分位于所述絕緣層表面之上、或位于所述P型氮化物半導體層表面之上、或位于 所述P型氮化物半導體層及透明導電層之間、或位于所述P型氮化物半導體層及絕緣層之 間、或位于所述P型氮化物半導體層、絕緣層及透明導電層之間。
[0041] 優選地，所述P型電極，進一步為，
[0042] 所述P型焊盤位于所述絕緣層及透明導電層之間；
[0043] 所述P型線電極位于所述透明導電層表面之上、或位于所述透明導電層及絕緣層 之間、或部分位于所述絕緣層表面之上、或位于所述P型氮化物半導體層表面之上、或位于 所述P型氮化物半導體層及透明導電層之間、或位于所述P型氮化物半導體層及絕緣層之 間、或位于所述P型氮化物半導體層、絕緣層及透明導電層之間。
[0044] 優選地，所述P型電極，進一步為，
[0045] 所述P型焊盤位于所述p型氮化物半導體層及透明導電層之間；
[0046] 所述P型線電極位于所述透明導電層表面之上、或位于所述透明導電層及絕緣層 之間、或部分位于所述絕緣層表面之上、或位于所述P型氮化物半導體層表面之上、或位于 所述P型氮化物半導體層及透明導電層之間、或位于所述P型氮化物半導體層及絕緣層之 間、或位于所述P型氮化物半導體層、絕緣層及透明導電層之間。
[0047] 優選地，所述P型電極，進一步為，
[0048] 所述P型焊盤位于所述絕緣層及p型氮化物半導體層之間；
[0049] 所述P型線電極位于所述透明導電層表面之上、或位于所述透明導電層及絕緣層 之間、或部分位于所述絕緣層表面之上、或位于所述P