專利名稱：納米級平面微細結構加工裝置的制作方法
技術領域：
本發明涉及一種用于制作集成電路的納米級半導體平面微細結構加工裝置。
目前，微細結構采用掃描探針顯微技術來加工，在加工過程中，針尖損耗，同時很難控制其損耗過程，換針尖也很難與前針尖保持一致。微細結構的另一加工方法是掃描探針結合反應氣體進行加工，而這種加工方法需在真空環境中進行，加工時須退入一定量反應氣體進行，而在掃描探針的作用下參予反應的氣體非常之少，這便形成了多余氣體，多余氣體不僅造成了浪費，而且，對不需要加工之處造成污染，尤其是針尖損壞后污染等情形則更為嚴重。此外，在諸如搬遷原子、或分子基團的過程，往往通過STM針尖具有一定的極性靜電吸附一定材料，隨后須不時地在另外地方脫附，以恢復原針尖形狀。從加工角度看，這樣做效率很低，同時在移往另外脫附后，針尖有顯著重復定位不準，重復定位難的缺陷。
本發明目的在于提供一種能夠降低污染的納米級半導體平面微細結構加工裝置。
本發明采用如下技術方案來實現其發明目的本發明由三維壓電掃描器、探針及安裝調節器組成，在探針1的外部設有密封室2，在密封室2的下部設有可供探針1進出的小孔3，在密封室2上還設有氣孔。
與現有技術相比，本發明具有如下優點
①由于本發明在探針外部套設密封室，尤其是選擇了錐形密封室，反應氣體從密封室底部小孔噴出，使探針針尖部位反應氣體小范圍包圍，因而，降低了污染，節省了氣體，并可在大氣下使用。
②由于本發明可以通過密封室的氣孔抽氣，使密封室形成負壓，將針尖的原子吸走，這既保證了探針的位置不變，重復定位簡單，又簡化了結構且易于搬遷原子。
③由于本發明中的密封室遠小于現有技術中的大真空環境，故氣體可以在密封室中得充分混合，具有均勻性好的優點。


圖1是本發明的結構示意圖。
下面參照附圖，對本發明的實施方案作一詳細描述本發明由三維壓電掃描器、探針1及安裝調節器組成，在探針1的外部設有密封室2，在密封室2的下部設有可供探針1進出的小孔3，在密封室2上還設有氣孔，該氣孔可以為反應氣體的入孔兼做抽吸氣體的出口，該氣孔也可以設有若干個，其中一些為入氣孔，另一些為出氣孔，即在密封室2上設有的氣孔可以包括入氣孔4和出氣孔5。為提高移動廢異物的能力，減少非加工區域的污染，上述密封室2為錐形密封室。
權利要求
1.一種納米級平面微細結構加工裝置，由三維壓電掃描器、探針(1)及安裝調節器組成，其特征在于在探針(1)的外部設有密封室(2)，在密封室(2)的下部設有可供探針(1)進出的小孔(3)，在密封室(2)上還設有氣孔。
2.根據權利要求1所述的納米級平面微細結構加工裝置，其特征在于密封室(2)錐形密封室。
3.根據權利要求1或2所述的納米級平面微細結構加熱裝置，其特征在于在密封室(2)上設有的氣孔可以包括入氣孔(4)和出氣孔(5)。
全文摘要
本發明公開了一種平面微細結構加工裝置。本發明由三維壓電掃描器、探針及安裝調節器組成，在探針的外部設有密封室，在密封室的下部設有可供探針進出的小孔，在密封室上還設有氣孔，該氣孔可以包括入氣孔和出氣孔，上述密封室可以選擇為錐形密封室。本發明可以在探針的周圍形成小范圍反應氣體，因此，既節省了氣體，又降低了污染，反應氣體在密封室中也可以得到充分混合，另外，本發明可以通過密封室搬遷原子，具有易重復定位，結構簡單的優點。
文檔編號H01L21/70GK1163476SQ9611690
公開日1997年10月29日 申請日期1996年4月22日 優先權日1996年4月22日
發明者顧寧, 陸祖宏, 韋鈺 申請人:東南大學