專利名稱：集成微波電路模件及其連接結構的制作方法
技術領域：
本發明涉及集成微波電路模件，更詳細地說，涉及微波通信裝置使用的微波電路模件，和這種微波電路模件與具有相同結構的模件或外部電路連接的連接結構。
圖1所示的現有微波電路模件中、電路基片10包括形成在氧化鋁陶瓷介電基片上，或類似基片上的薄膜導體，薄膜導體淀積在有源元件11的每個側邊上，用于連接相互間有一小間隔的有源元件。也就是說，現有的微波電路模件有多個電路基片10。而且，模件有許多連接這些電路基片10的連接線，如連接線12。
另一方面，作為電路元件之一的耦合電容器，單片電容器13安裝在電路基片10上，并用連接線連接。而且，像氮化鉭薄膜電阻這樣的電阻元件，或類似的電阻元件只形成在電路基片10的表面上。而且，為了從外部保護有源元件、將金屬帽14用電阻式熔焊法完全接到外殼基體(通常稱為“管座”)15上。金屬帽15起屏蔽作用。防止射頻信號(RF)外漏。
如上所述，現有的微波電路模件要求有許多電路基片10，而且，像單片電容器13這樣的電子元件在簡化結構，減小裝配結構尺寸等方面均存在問題。此外，很多電子元件的連接使接點數增加，這導致射頻(RF)特性的損壞，并需要很多裝配工序，因此難于降低造價。
近來，微波獨石集成電路(以下簡稱為“MMIC”)已進入實用階段。盡管MMIC的應用還受到很多限制。MMIC通常是用以光刻技術為基礎的半導體制技術在硅(Si)或砷化鎵(GaAs)基片上形成的。盡管像晶體管和二極管這樣的集總常數電路元件是小規模有源元件，像矢量耦合器和濾波器這樣的分布常數電路元件是大規模無源元件，而且當它們裝配在MMIC中時還存在問題。大規模單片在其合格率和造價方面均不具優越性。所以通常的MMIC單片中不包括上述的大規模無源電路元件。
由于MMIC不適于無源電路元件的裝配，在現有的微波電路中，有源元件包容在小型密封外殼內，而其結構上保留了連接線和有微帶線的無源電路元件，這些元件用焊接片使其相互連接。為了屏蔽這些元件和與外部電路的連接線，必須要有復雜而價格昂貴的屏蔽外殼，該屏蔽外殼有許多被分割成的小室。
現有的這種微波電路模件所用的連接結構中，只有有源元件被包封，其引出端是伸出的以便焊接。
然而，緻密的集成微波電路組件也需要有無源元件。由于無源元件的尺寸大，因此，這種元件應用在微波電路模件中會使模件的面積或幾何尺寸增大、并使造價增加。
用焊接法將現有的連接結構與集成微波電路模件裝配在一起，這就不可能有效地減少工藝步驟的數量，也不能有效提高射頻連接性能的可靠性。
為了克服現有技術中存在的缺陷，本發明的目的是，提供一種改進的集成微波電路模件。它不僅包含有源元件，也有無源元件，該模件有與其他模件或器件連接用的引出端、但其引出端不伸出，而允許用微波電路連接結構與外部連接，該微波電路連接結構有與模件引出端連接的特殊排列的接點。
根據本發明，現有技術中所述的有源元件和分立的許多基片以布線圖形構成一個多層基片整體，因而避免了由連接造成的性能損壞，并減少了裝配工藝步驟。
此外，可以避免因多個微波電路放置在一個公共外殼中產生的電路之間的耦合而引起的干擾，也避免外殼作為空腔而產生的共振，這是因為采用了屏蔽結構或一個包含有源元件的空腔結構，使外部電路統一地包含在內使之一體化和集成化，從而減少許多必須的安裝層。這就減小了模件的尺寸和造價。
本發明使先進的MMIC技術可以用于迄今還不適合于組合成一體的無源元件，并實現了包括無源元件和連線的微波電路模件的大規模集成。
本發明還涉及包括以下結構的集成微波電路模件一種結構，該結構中包含一個在中間層部分上部的介質層，該中間層由作為元件裝配位置的空腔構成，它用作射頻信號傳輸，半導體元件，如MMIC安裝在空腔內并用導電板(空腔結構)復蓋已被清除的地表面部分。
一種結構，在該結構中用導電板實現了密封，以防止所安裝的半導體單片受到來自外部(密封結構)的污染。
一種結構，該結構中在中間層部分有導線焊接區(元件安裝表面)，并通過許多VIA孔同下面的接地表面連接(以減小射頻阻抗)，VIA孔填充金屬以減少相對于下層的熱電阻，獲得有效熱輻射。一種結構，在該結構中在正下方局部發熱部分，如在半導體單片的晶體管區設置VIA孔，使熱電阻減小(單片安裝結構，熱VIA)。
一種結構，該結構中有許多導電層焊接區，它作為處于中間層部分的元件安裝表面與下面的接地層之間的交替電容器和接地焊接區，用連接在一起的電容器焊接區，通過VIA孔使接地表面與接地焊接區連在一起，構成一迭層電容器，它作為安裝元件(安裝單片)的旁路電容器用，散射熱從側面穿過迭層電容器層焊接區，使熱電阻下降(電的和熱的旁路結構)。
一種結構，該結構中有極薄介質層構成的中間層部分，用該介質層兩邊上的導體圖形連接在一起，電容耦合，因此構成切割直流(DC)元件的傳輸線(RF電容器結構)。
一種結構，該結構中有一介質層，它形成在上接地層上，有形成在上面的導體圖形，該導體圖形用作引線圖形以獲得電源供電線(DC導線結構)。
一種結構，該結構中，與內層連接部分有焊接區，它與在焊接區正下方的接地層一起構成一個作為旁路電容器的電容器，防止RF從內層漏出。
一種結構，該結構中每個內層都具有許多分布的小孔(空腔)，這些小孔是除去介質而構成的，以減小有效的介電常數(有效介電常數降低結構)。
一種結構，該結構中每層上的小孔在其位置上都是不同的，以防止重疊，從而提高了基片的機械強度。
一種結構，該結構中，多層基片的外周邊也用導體形成了金屬化層，以構成一接地表面(在外周邊上的金屬化屏蔽結構)。
一種結構，該結構有一金屬基體用于熱輻射和增強機械強度。
這樣形成的微波電路模件設有用于連接外部電路的尾銷或向外伸出的類似連接結構，而用以下結構替代，即在基板部分的背面帶一個凹槽部分(見圖10)，在凹槽部分中裝有不從背面伸出的連接端。模件使用的微波電路連接結構有與上述連接端接觸的接觸件。
而且，根據本發明的另一種模式，除上述作用之外，還能用于連接集成微波電路模件和其他外部電路，具有接觸件的微波電路連接結構彈性地推到模件的連接端。
下面將結合本發明的最佳實施例并參考附圖詳細說明本發明的上述目的和其他目的，及本發明的優點。
圖1是常規的微波電路組件的透視圖;
圖2是顯示本發明的一個實施例結構的部分部件分解透視圖;
圖3是圖2所示實施例的功能系統方框圖;
圖4是按本發明的一個實施例結構的部分斷面透視圖，用以說明模件的層狀結構和帶有有源元件的空腔結構;
圖5是按本發明的實施例中的發熱點位置與VIA孔之間的關系示意圖;
圖6是按本發明的實施例中的電流與熱同時散射結構的示意圖;
圖7是按本發明的實施例中的具有用除去內層里的介電體而構成的小空腔的結構示意圖;
圖8是按本發明的一個實施例的結構的部分斷面的透視圖，用以說明其連接結構和構形;
圖9是微波電路連接器的一部分的部分斷面的放大圖，用以說明集成微波電路模件和微波電路連接器裝配在一起的情況;
圖10是按本發明的一個實施例的微波電路模件的背面透視圖;
圖11是與圖9所示微波電路連接器類似，但有一個附加的金屬基板的，微波電路連接器的一部分的部分斷面的放大圖;
圖12一個微波電路連接器的一部分的放大剖面圖，它用了一個彈簧圈，說明要該連接器中集成微波電路模件與波導的連接狀態;
圖13是一個與圖12所示類似的微波電路連接器的一部分的部分剖面放大圖，與圖12有所不同的是，它有一個附加的金屬基板;
圖14是一個波導連接器的中心導體的部件分解透視圖;
圖15是作為按本發明一個實施例的微波電路連接器的一種改型結構的放大剖面圖;
圖16是沿圖15中的A-A線的放大剖面圖;
圖17是作為本發明另一實施例的連接結構示意圖，在該結構中的集成微波電路模件與微波電路連接器以相反位置連接;
圖18(a)和18(b)是按本發明的另一實施例的用作頂面連接的結構透視圖，圖18(a)表示出在結構中安裝有電路連接器的情況，圖18(b)表示結構中沒安裝電路連接器的狀態。
現在，參考


本發明的最佳實施例。
圖2所示的本發明的一個實施例的透視圖中，介電基片20焊在金屬基板21上，所說的介電基片包括多層陶瓷或類似物。基片20中包含這樣一些有源電路，如用MMICIC、晶體管、二極管構成的電壓控制振蕩器(VCO)23，放大器(AMP)24，預定標電路(PSC)25，混合器(MIX)26，可變衰減器(ATT)27，功率放大器，和檢波器(DFT)29，也包括這樣一些無源電路，如用帶線，微帶線和共平面線構成的矢量耦合器(DC)30，帶通濾波器(BPF)31，和低通濾波器(LPF)32。這些電路相互電耦合或連接，用導電帽33屏蔽有源電路部件，由此構成集成電路模件。圖2所示的模件中，與現有技術不同的是，沒有用于連接到外部去的向外伸出的尾銷，只有其內有連接器結構的模件的背面構成的一個凹部。如圖10所示。將在后面詳細說明的連接器結構有一個加有彈簧的專用的連接銷，通過這種連接結構實現組件與外部電路的連接。
圖3是圖2所示發明實施例的功能系統方框圖。該方框圖表示了微波發射機的一般結構。現在要說明該部件的工作。在電壓控制振蕩器(VCO)23的輸出耦合到混合器(MIX)26之前用放大器(AMP)24放大。第一矢量耦合器(DC)30將放大器(AMP)24的輸出耦合至預定標電路(PSC)25，在使該輸出輸入到頻率監測端(PSC輸出)之前分頻。來自IF信號輸入端(IFIN)的中間頻率信號耦合至混合器26，用于頻率轉換，以產生一個耦合至帶通濾器(BPF)31的輸出，用以抑制不需要的頻率組分。總信號在耦合到功率放大器(PA)28放大之前耦合到可變衰減器(ATT)27用于電平控制。功率放大器(PA)28的輸出耦合到低通濾波器(LPF)23，用于抑制諧波頻率。總的輸出通過第二矢量耦合器(DC)30，成為從RF信號輸出端(RF輸出)的輸出。部分輸出信號也耦合到檢波器(DET)29，成為從檢波信號輸出端(DET-V)來的電平監測信號的輸出信號。
圖4示出了按本發明形成集成微波電路模件的層狀結構和空腔結構的方法的實例。電源和除射頻外的信號如偏移信號用的層狀結構包括下層接地面40，中間RF信號層41和42。上層接地面43，和布線層44。
除去用于射頻信號傳輸的中間層上的介質，構成空腔部分60，用模片鍵合法將像MMIC這樣的有源功能元件45安裝在空腔內，并用連接線46(或TAB技術)將其連接到信號導條47或電源導條48上。
除去介電層露出的用以形成空腔60的上層接地面，用導電帽33復蓋并電屏蔽。在空腔之外的整個部分設置許多通孔(VIA孔)50，通過這些通孔使各個下層和上層40和43的接地面相互連接。因而能獲得減少模件中電路間耦合和減小與外部電路耦合的屏蔽作用。為降低電源線的阻抗，內層中設置了一個疊層電容器(LC)52作為旁路電容器。
半導體單片安裝在位于中間層上的導體的單片安裝區53上，單片安裝區53通過許多VIA孔55連接到下層接地面40，從而使元件安裝接地面具有的RF阻抗有效地降低。VIA孔用金屬填充，以便提供一種能降低對低層熱輻射的熱阻的熱VIA結構。
而且，如圖5所示，熱VIA結構可以設置在正下方的局部發熱區56中，如半導體單片中的晶體管區內，以便進一步降低熱阻，增加熱輻射。而且，電路元件像半導體單片中的發熱量大，因此必須再次減小熱阻，可以除去最接近下部電路元件的結構部分，允許電路元件直接安裝在基板21上，由此能提高熱輻射。
除了用半導體自身的保護薄膜保護之外，在半導體單片上涂復樹脂或類似物實現像半導體單片45這樣的電路元件的保護。但是，除涂復樹脂之外，或不用樹脂，可以用導體帽33、如上述的，進行密封，以實現對半導體單片的保護。
而且，可以使用圖6所示的結構，結構中設置許多導體層區，作為在單片安裝區53與帶有連接在一起的電容器區61的下層接地層40之間的交替電容器和接地區61和62，并且接地面53與接地區62通過IA孔連接在一起，構成疊層電容器。由于這種疊層電容器像旁路電容器一樣連接到安裝好的半導體單片45上，熱通過疊層電容器區61和63從側面擴散，由此，使熱阻減小，以允許高頻電流和熱同時散射。
現在說明信號耦合用布線結構，射頻信號的耦合主要由中間層部分里的導體圖形完成。如圖4所示，中間部分內的射頻信號層41和42之間設置了極薄的介質層，用薄的介質層兩個側面上的導電圖形構成電容耦合，于是獲得了傳輸線，以閉鎖DC元件，由此，實現了有源電路之間的去耦。盡管在中間層內都可以制成電源用布線和給每個有源器件提供信號用的布線，然而，具有已制成布線的其他介質層是設置在上層接地層43上的，構成導體圖形57作為布線用引線層。
由于導體圖形57的布線層放在多層基片的上表面上，其優點是表面安裝器件可以連接到導體圖形57，以便構成一部分電路。
此外，在制成的連接至內層的連接部分可以設置區58，如圖4所示，由它與接地層正下部的區58一起構成電容器。這樣構成的電容器用作旁路電容器，以阻止射頻信號從內層泄漏。
圖7更詳細地示出了本發明的結構。如圖所示，除去介質構成許多小空腔71，所以這些小空腔分布在每層內層中。該結構能有效地減小介電常數，降低延遲時間和降低電路損耗。
此外，形成小空腔，使它們在每層中的位置不同，從而避免相互重疊，這就有可能提高基片的機械強度，并提高傳輸線的電氣均勻性。
此外，有一種結構，該結構中，多層基片的外圓周表面由用導體形成的金屬化層73構成的接地表面形成，導體完全復蓋RF電路，因而進一步提高屏蔽。而且，在多層基片20的下邊設置一金屬基板21，能有效地改善熱輻射特性并提高機械強度。
如上面所解釋的，按照本發明，可以大大地減少所必須的元件數量和連接所必須的連接線的數量，這兩個因素使模件的成本降低，并使射頻特性改善。
因此，能夠實現令人滿意的屏蔽，減少電路之間的干擾和無益的共振并改善所需的性能。除此之外，還不需要任何特殊的屏蔽外殼，這有助于減少設備的體積。
由于外部電路也包括在一個統一的集成整體中這就有可能減少迄今仍然必需的裝配層的數量。
因此，本發明對于改善MMIC技術的集成技術有顯著作用，它不適于無源元件的組裝，盡管它適于有源電路集成。本發明有許多優點，例如，減少電路尺寸，降低造價，這在工作上非常有益。
現在，詳細說明將上述微波電路模件與外部電路連接所用的微波電路連接結構。
由于上述的集成微波電路模件既沒有突出的接線柱也沒有引線，而僅將變成連接端的電極設置在基片背面。因此，模件與外部電路的連接需用具有與模件連接端能彈性接觸的接觸件的連接結構來實現。集成微波電路模件沒有任何突出的接線柱或引線，它是一種非常容易制造的平板式結構。本發明的集成微波電路模件的特征是微波信號限制在多層陶瓷基片內，除了連接外部電路所用的開孔之外沒有任何電氣開孔。用微波電路連接結構連接與外部屏蔽的基片，微波電路連接結構具有線或圖形結構，它也是與外界屏蔽的，這就有可能不用任何屏蔽外殼，使微波電路的連接和安裝結構具有小尺寸，而且非常簡單。屏蔽外殼的尺寸大，并使裝配變的很復雜。就這點而言，假若不用任何屏蔽外殼能構成微波電路將是非常有用的。
圖8是集成微波電路模件80和微波電路連接結構81的部分剖面的透視圖。圖中標號83是安裝板，全部微波電路安裝在該安裝板上，它可以用金屬或非金屬制造。在此所示的實例中，集成微波電路模件80的微波信號引出端的一個終端連接到波導84。而且，用波導突緣85連接外部電路。標號86是波導連接終端，它通過彈性接觸連接到波導84。
集成微波電路模件可以使用其它具有相同結構或類似結構的模件或者可以與常規的MIC(微波集成電路)，或裝在一密封管座的MMIC模件結合使用。圖8中，標號82是包封在管座中的常規MIC。標號87是DC和低頻信號接線柱。每個接線柱通過插孔連接器連接到印刷電路板口。標號88是同軸連接件。
圖9是微波電路模件80的一部分和微波電路連接器81的一部分的放大圖。圖10是本發明的微波電路模件的背面透視圖。圖11所示的結構與圖9所示結構類似，其差別僅僅是模件80除包括單一的多層陶瓷基片20外，還包括一個粘接上的金屬基板21，用以改善熱輻射性和提高機械強度。標號90是帶線中心導體，它的一端連接或耦合到圖4所示的RF信號層41或42，它的另一端通過填充了導體的通孔92連接到連接端91。
多層陶瓷基片80的底表面除引出端91附近區之外都用接地導體薄膜復蓋，引出端91用于連接外部電路，如說明模件背面圖的圖10所示，微波電路連接器81包括一屏蔽外殼93，屏蔽外殼93中包含有接觸彈簧片(也作為中心導體)94，和支承彈簧94的絕緣支架95和96。用屏蔽蓋97使中心導體94與外部屏蔽，屏蔽蓋97屏蔽了屏蔽外殼93的開孔，并且還用作連接到傳輸線外導體的導線。接觸彈簧片94與基片背面上的引出端91之間插入一活塞式接觸件98，它借助于設置在絕緣支承體95上的導向軸套在軸向滑動，因此在引出端91與接觸彈簧片94之間能達到電氣連續。由于接觸彈簧片94的彎曲位移產生的力，給活塞式接觸件98一個接觸壓力，使活塞式接觸件98與引出端91從而與中心導體90接觸。
圖12和13是集成微波電路模件80的基片20上的微波引出端91與波導84之間的連接結構的放大剖面圖。此，圖12中所示結構與圖13中所示結構也有差別，前者使用的是單一基片20，后者使用的是在基片20上粘接一個金屬基板21。
從圖9和11中已發現，基片20中的帶線中心導體90與基片表面20上的引出端91是經填充了導體的通孔92相互連接的，對與波導4的連接來說使用完全相同的結構。唯一的差別是用了波導連接器100來代替微波電路連接器81。
現在要說明波導連接器100的結構。波導連接器100由介質元件101和中心導體102構成。介質元件101的頂表面鄰接基片20的底表面、中心導體102包括一個外軸套104，一個內軸套106和一個彈簧線圈108。內軸套106是可滑動地插入外軸套104中，彈簧線圈108安裝在兩個軸套中，使兩個軸套104和106軸向強制分開。雖然中心導體102的構成部分允許相互移動或滑動，但它們應是電氣上的整體。因此，外軸套104形成了多個開槽，如圖14所示，因此在兩個軸套之間獲得了令人滿意的電接觸，這種結構使集成微波電路模件80與波導84之間容易相互連接。
上面詳細說明了按本發明的微波電路連接結構的最佳實施例，這些實施例的各種改型或開發型都是可能的。圖15所示的結構所采用的彈簧片中心導體120，它的每一端均有一個整體的接觸件120a。與上述實施例比較，該實施例包括較少的元件，而且傳輸線較少電中斷。圖16是圖15中沿A-A線的剖面圖，用于詳細說明接觸部分。如圖中所示，彈簧片形的中心導體120的端部120b與集成微波電路模件80的微波引出端91彈性接觸。
其它的可能采用微波連接器的改型，在前述的實施例中，微波電路連接器81掩埋在電路安裝板83中。但是，在某些情況下不希望將，例如，波導電路或類似物掩埋在安裝板83中。在這樣的情況下，如圖11所示，基片20中的中心導體90是通過通孔92導引到基片20頂表面上的微波引出端91。
圖18(a)和(18)b是頂表面連接系統的一個實例的透視圖。微波連接器81插入淺的凹槽或洼處150中定位，其每一個設置在帶微波引出端91的基片的頂表面作為中心，并加壓使其固定，凹槽150是定位裝置以獲得正確接觸連接并降低傳輸線的不連續性。
按照本發明，多個集成微波電路模件可以組裝成更大規模的微波電路，由此能得到信號耦合，這種微波電路穩定，并具有令人滿意的射頻特性，(而，不連續性少);而且它是用接觸連接而不是用性能很不穩定的焊接連接獲得的。
而且，除了上述的高性能和穩定耦合之外，按照本發明的微波電路連接結構，由于不用大而笨的屏蔽外殼，也不用任何電纜連接器，因而使電路體積大大地減小，就可能使像電子掃描天線的發射機和接收機模件以及微波和中波通信設備這樣的設備的體積大大減小。
用上述的連接和安裝結構，很容易用新的模件替換有故障的模件。因而這對于在生產線上進行模件替換有極大好處，而且，也對在使用中或在維修中心對模件修理有很大好處。而且由于連接性能的不穩定性小，因此，只需對模件進行機械性替換，而不需調整。
如上所述，盡管按本發明的微波電路連接和安裝結構應用于集成微波電路模件時最有效;但這不能限制它只應用于這里所述的情形。
這里所述的發明實施例不能理解為是對發明的限制，那些在所附加的權利要求書中所要求保護的范圍內所作的改變，從廣義上說均不脫離本發明的實質和精神。
權利要求
1.一種集成微波電路模件(80)包括一個由多層介質薄膜疊層構成的介質基片20，它包括底層、中間層和上層，所述的底層和所述的上層分別包括底層接地面(40)和上層接地面(43)，所述中間層包括射頻信號傳輸用射頻信號電路，它由至少一導電層(41、42)構成，所述射頻信號電路包括有源電路元件和無源電路元件，它們相互連接構成集成結構；許多通孔(50)，它們沿所述射頻信號電路配置，這些通孔填充金屬，使所述上層接地面(43)與所述底層接地面(40)短路，所述射頻電路用所述通孔屏蔽；和元件安裝腔(60)，它設置在所述的中間層上，所述中間層有一部分介質被除去，有源元件安裝在除去介質的中間層部分，所述元件安裝腔用導本板件(33)復蓋。
2.按照權利要求1的集成微波電路模件，其特征在于所述的有源元件包括由微波單片集成電路、集成電路、晶體管或二極管構成的電壓控制振蕩電路(23)，放大器(24)，預定標器(25)，混合器(26)，可變衰減器(27)，功率放大器(28)和檢波器(29)，所述的無源電路元件包括用帶線、微帶線或共平面線構成的定向耦合器(30)，帶通濾波器(31)和低通濾波器(32)。
3.按權利要求1的集成微波電路模件，其特征在于所述元件安裝腔(60)有在所述中間層上的元件安裝導體區(53)，所述元件安裝導體區由許多填充有金屬的熱通孔(55)連接到所述底層接地面(40)，以降低熱阻，提高相對于所述底層的熱輻射。
4.按權利要求3的集成微波電路模件，其特征在于所述的每個熱通孔(55)位于安裝在所述元件安裝區(53)上的所述有源電路元件的正下部的局部發熱區。
5.按照權利要求3的集成微波電路模件，其特征在于它包括多個位于所述元件安裝導體區(53)與所述底層接地區(40)之間的由導電層構成的導電區，所述導電區是將作為電容器區(61)和作為接地區(62)交替配置的，所述電容器區(61)被連接在一起，所述接地區(62)，與所述底層接地面(40)。通過許多填充有金屬的熱通孔(63)分別連接在一起，形成用作旁路電容器的疊層電容器，以使元件安裝在所述元件安裝導體區(53)，并用于橫向熱擴散，降低熱電阻。
6.按權利要求1的集成微微波電路模件，其特征在于包括形成在所述中間層上的薄介質膜，在它的兩個相對邊上所述的薄介質薄膜有導電圖形，構成電容性耦合，由此構成能閉鎖直流元件的傳輸線。
7.按權利要求1的集成微波電路模件，其特征在于還包括在所述上層上的布線層(57)、它們之間有一介質層，位于所說的布線層的導體區(58)，連接到所述中間層中的射頻信號電路;所述導電區(58)和所述上層接地面(43)在所述導體的正下方構成電容器，以中斷從所述中間層泄漏射頻信號。
8.按權利要求1的集成微波電路模件，其特征在于包括焊接在所述介質基片20上的金屬基板(21)，以便提高熱輻射和機械強度。
9.按權利要求1的集成微波電路模件，其特征在于、每層所述底層、中間層和上層除去各層上的介質，在每層上形成分散的小空腔(71)。
10.按權利要求9的集成微波電路模件，其特征在于所述小空腔(71)在每一層上的位置是錯開的，以避免相互重迭。
11.按權利要求1的集成微波電路模件，其特征在于還包括連接端(91)，它與所述射頻信號電路耦合或連接，它淀積在所述介質基片(20)的表面部分，但不從表面上伸出。它使之與外部電連接。
12.按權利要求11的集成微波電路模件，其特征在于還包括微波電路連接結構(81)用于連接所述連接端(91)到其他外部電路的接線端(82、84)，所述微波連接結構有接觸件，它彈性地推向所述連接端。
13.按權利要求12的集成微波電路模件，其特征在于所述接觸件包括活塞式導體柱(98)，用彈簧片導體(94)推向所述連接端(91)。
14.按權利要求12的集成微波電路模件，其特征在于所述接觸件包括外和內導體軸套(104、106)，它們與包容在軸套中的彈簧件(108)套裝在一起。
15.按權利要求14的混合集成電路模件，其特征在于所述外導體軸套(104)在其圓周上有多個開槽部分。
16.按權利要求12的集成微波電路模件，其特征在于所述接觸件由板簧(120)構成，板簧(120)由接觸件(120a、120b)整體地構成，導體彈簧元件將所述接觸件推向連接端(91)。
17.按權利要求13的集成微波電路模件，其特征在于所述彈簧片導體(94)和所述接觸件(98)被包含在屏蔽外殼(93、97)中。
全文摘要
一種集成微波電路模件(80)有介質基片(20)它是由底層、中層和上層構成的。底層和上層分別包括底層接地面(40)和上層接地面(43)，中間層包括由有源電路元件和無源電路元件構成的射頻信號電路。沿著射頻信號電路配置有許多填充了金屬的通孔，用以短路上層接地面(43)和底層接地面(40)，以便屏蔽射頻電路。在中間層被除去介質的部分上設置元件安裝空腔(60)，有源電路元件安裝在元件安裝空腔內。
文檔編號H01L23/552GK1089396SQ93120709
公開日1994年7月13日 申請日期1993年10月29日 優先權日1992年10月29日
發明者小杉勇平, 山本修, 和泉裕昭, 草光秀樹, 大曲新一, 渡邊秀夫, 蓑輪芳夫 申請人:日本電氣株式會社