專利名稱:基板處理裝置以及基板處理方法
技術領域：
本發明涉及一種通過使基板旋轉的同時對該基板供給處理液而對基板實施規定的處理的基板處理裝置以及基板處理方法。此外，基板包括半導體晶片、光掩模用玻璃基板、液晶顯示用玻璃基板、等離子體顯示用玻璃基板、光盤用基板等各種基板。
背景技術：
在半導體裝置、液晶顯示裝置等的制造工序中，有時通過向基板上供給氟酸等的藥液作為處理液來蝕刻除去在基板上不希望形成的薄膜(無用物質)。于是，為了除去這樣的形成在基板上的薄膜，提出有例如專利文獻1所記載的基板處理裝置。
在該基板處理裝置中，通過基板保持部將基板以大致水平的狀態保持。在基板保持部，安裝有在鉛直方向延伸的旋轉軸，通過用馬達對該旋轉軸進行旋轉驅動，從而在使基板中心和旋轉軸大致一致的狀態下，基板保持部在保持基板的狀態下進行旋轉，而使基板進行旋轉。另外，在被基板保持部保持的基板的上方配置有藥液供給噴嘴，向基板中心(基板的上表面的旋轉中心)附近供給藥液。這時，被供給到基板上表面的中心附近的藥液通過伴隨基板的旋轉而產生的離心力的作用，進行擴散，遍布在整個基板上表面，實行對基板的蝕刻處理。
專利文獻1JP特開號公報(圖1)但是，如上所述，在對基板進行蝕刻處理時，要求對基板上表面的面內均勻地進行蝕刻處理。因此，為了提高基板上表面的蝕刻處理的面內均勻性，使藥液快速地遍布到基板上表面的各部分，即，使到分別將藥液供給到基板上表面的各部分為止的時間差減少和使向基板上表面的各部分所供給的藥液量均勻很重要。
但是，在現有裝置中，從藥液供給噴嘴被供給到基板中心附近的藥液通過離心力的作用進行擴散，而將藥液供給到基板的端緣部，因此，到將藥液供給到基板中心附近為止的時間、和到將藥液供給到基板的端緣部為止的時間之間產生時間差。特別是在基板為液晶顯示用玻璃基板這樣的方形基板時，在方形基板的中心附近和方形基板的角部(四角的部分)，到供給藥液的時間產生很大的時間差。另外，為了使從藥液供給噴嘴向基板中心附近供給了的藥液向基板的端緣部擴散，相對被供給到基板中心部的每單位面積的藥液量，被供給到基板端緣部的每單位面積的藥液量變少。這樣的結果，在現有裝置中，阻礙了對整個基板上表面均勻地進行處理。
因此，在現有裝置中，為提高處理的均勻性，考慮如下。即，考慮增加供給到基板上表面的藥液量，使得在基板的端緣部也充分供給有處理所需要的藥液。但是，這樣使藥液消耗量增加，這樣就直接關系到運行成本的增大，同時在從基板被排出的藥液的排液處理所需要的設備也添加相應的負擔，并不理想。另外，也考慮提高基板的旋轉速度，使被供給到基板中心附近的藥液迅速地擴散到基板的端緣部，但是為了應對基板的高速旋轉，裝置結構變得復雜，除此之外，對裝置的構成部件進一步要求耐久性，這是不現實的。特別是若基板尺寸大型化，則從基板中心到基板的端緣的距離變長，對于提高基板的旋轉速度來實現處理的均勻化來說是有限制的。
另一方面，作為不使向基板供給的藥液量以及/或者基板的旋轉速度增加而提高處理的均勻性的方法，考慮到這樣的方法使藥液供給噴嘴與基板上表面相對向，同時相對以水平姿勢旋轉的基板，水平移動藥液供給噴嘴。具體地說，通過從藥液供給噴嘴供給藥液，并使藥液供給噴嘴在與基板中心部對應的位置和與基板端緣部對應的位置之間往復移動，來實現處理的均勻化。但是，這時存在這樣的問題例如在藥液供給噴嘴向基板端緣部供給藥液時，不向基板中心部供給藥液，另外，由于離心力，藥液從基板中心向端緣部流動，因此，基板中心部部分干燥。其結果反而導致處理的均勻性的惡化。

發明內容本發明是鑒于上述問題而提出的，其目的在于提供一種能夠以少量的處理液均勻處理整個基板上表面的基板處理裝置以及基板處理方法。
本發明的基板處理裝置的一個方式是使基板以大致水平姿勢旋轉的同時向該基板供給處理液而對基板實施規定的處理的基板處理裝置，為達成上述目的，其特征在于，具有基板保持裝置，其將基板以大致水平姿勢保持；旋轉驅動裝置，其旋轉驅動基板保持裝置，使基板繞規定的旋轉中心旋轉；第一噴出裝置，其向通過旋轉驅動裝置旋轉的基板的上表面，沿與基板的旋轉半徑方向大致平行的規定的排列方向，呈列狀地噴出處理液；第二噴出裝置，其向基板上表面的旋轉中心噴出處理液，在以經過基板的旋轉中心并在基板的旋轉半徑方向延伸的線為旋轉半徑線時，構成從第一噴出裝置噴出而著落在基板上表面的列狀處理液的各處理液的著落位置，從旋轉半徑線上起在與該旋轉半徑線垂直的偏置方向偏移規定的距離。
另外，本發明的基板處理方法的一個方式是使基板以大致水平姿勢旋轉同時向該基板供給處理液，而對基板實施規定的處理的基板處理方法，為了達成目的，具有使基板以大致水平姿勢繞規定的旋轉中心旋轉的基板旋轉工序；在基板旋轉工序中，從第一噴出裝置向基板的上表面，沿與基板的旋轉半徑方向大致平行的規定的排列方向呈列狀地噴出處理液，同時從第二噴出裝置向基板上表面的旋轉中心噴出處理液的工序；在以經過基板的旋轉中心并在基板的旋轉半徑方向延伸的線為旋轉半徑線時，構成從第一噴出裝置噴出而著落在基板上表面的列狀處理液的各處理液的著落位置，從旋轉半徑線上起，在與該旋轉半徑線垂直的偏置方向偏移規定的距離。
在這樣所構成的發明(基板處理裝置以及方法)中，由于由第一噴出裝置向基板上表面沿與基板的旋轉半徑方向大致平行的方向呈列狀地噴出處理液(列狀處理液)，所以在較廣范圍內，處理液在基部上表面同時著落。因此，能夠將到向基板上表面的各部分供給處理液的時間差限制在最小限度來向基板上表面的各部分供給規定量的處理液。并且，構成列狀處理液的各處理液的著落位置，不在經過基板的旋轉中心并在基板的旋轉半徑方向延伸的旋轉半徑線上，而從該旋轉半徑線上開始，沿與旋轉半徑線垂直的方向(偏置方向)僅偏移規定的距離。通過這樣著落列狀處理液，具有以下優點。即，著落在基板上表面的處理液，按照符合作用于和隨基板的旋轉而出現的基板的旋轉方向相反方向的反作用的力、和作用于旋轉半徑方向的離心力所合成的矢量的方向以及力的大小，在基板上表面流動，向基板外排出。在此，在使構成列狀處理液的各處理液著落在旋轉半徑線上的情況下，作用于構成列狀處理液的各處理液(液滴)的離心力的方向(旋轉半徑方向)全部為同一方向。另一方面，如本發明這樣，通過使構成列狀處理液的各處理液從旋轉半徑線上偏移來著落，從而作用于構成列狀處理液的各處理液的離心力的方向(旋轉半徑方向)，為相互不同的方向。其結果是，著落在了基板上表面之后的處理液(液滴)的軌跡相互不同，促進在基板上表面上的處理液的均勻分散。
進而，根據本發明，除第一噴出裝置之外，還設置第二噴出裝置，由該第二噴出裝置向基板上表面的旋轉中心噴出處理液。由此，即使在由第一噴出裝置噴出而著落在基板上表面的處理液不能向基板的旋轉中心充分供給、或者著落在基板上表面的處理液的軌跡偏離基板的旋轉中心時，也通過由第二噴出裝置噴出的處理液，向基板的旋轉中心供給處理液而確實地處理基板中心部。另外，第一以及第二噴出裝置可以分別單獨構成來各自配置，也可以一體地構成來配置。
這樣，根據本發明，通過由第二噴出裝置噴出的處理液確實對基板中心部進行處理，并通過由第一噴出裝置噴出的列狀處理液，向基板上表面的各部分迅速地供給處理液，能夠對基板上表面均勻地進行處理。因此，不增加供給到基板上表面的處理液的量，而能夠以少量的處理液對整個基板上表面均勻進行處理。
在此，可以將從第一噴出裝置噴出的列狀處理液的著落位置限定在由經過基板的旋轉中心并在偏置方向延伸的線和旋轉半徑線分割基板上表面而被規定的四個象限中的任意一個。即使將列狀處理液的著落位置限定在這樣的范圍內，也能夠通過基板的旋轉均勻地處理整個基板上表面。進而，通過限定列狀處理液的著落位置，能夠有效降低處理液的消耗量。
另外，由第一噴出裝置噴出的處理液的噴出方向是任意的。例如，可以相對基板上表面垂直地噴出處理液，也可以相對基板上表面沿基板的旋轉方向從斜上方呈列狀地噴出處理液。但是，通過像后者那樣噴出處理液能夠得到以下效果。即，通過沿基板的旋轉方向噴出處理液，著落在基板上表面的處理液，受到作用于和隨基板的旋轉而出現的基板的旋轉方向相反方向的反作用力和作用于旋轉半徑方向的離心力，并沿著按照旋轉方向的噴出方向擴散到該噴出方向的前面側。因此，能夠以少量的處理液使處理液均勻分散在更廣范圍，能夠進一步提高供給到基板上表面的各部分的每單位面積的處理液的供給量的均勻性。另外，相對于向基板上表面垂直地噴出處理液的情況，能夠抑制向基板上表面噴出而著落在基板上表面的處理液與已經供給到基板上表面的處理液的干涉。例如，通過著落在基板上表面的處理液、和與基板一起旋轉的同時移動到著落位置的附著在基板上表面的處理液的沖突，基板上表面的處理液的液面凸起，有時使處理的均勻性惡化，能夠防止這種現象的產生。
另外，最好設置沿與基板的旋轉半徑方向上大致平行的排列方向具有多個噴出孔的多孔噴嘴作為第一噴出裝置，從該多個噴出孔分別噴出處理液。根據這樣的結構，能夠沿上述的排列方向對基板呈列狀地供給處理液，根據例如半導體晶片這樣的大致圓形的基板就不用說了，對液晶顯示用玻璃基板這樣的方形基板供給處理液時，也能夠將處理液確實地遍布到基板的端緣部，能夠抑制處理液的浪費并能夠均勻地處理基板。
在此，優選地，在處理長方形的方形基板時，使從第一噴出裝置噴出而著落在方形基板的上表面的列狀處理液在排列方向上的長度為方形基板的短邊的一半長度以下。根據這樣的結構，能使列狀處理液確實地著落在所旋轉的方形基板的上表面，能夠得到以下效果。即，若使列狀處理液在排列方向上的長度比方形基板的短邊的一半長度長，則發生伴隨基板的旋轉，從第一噴出裝置噴出的列狀處理液之中，基板的端緣側的處理液的一部分未供給到基板上表面的狀態(例如，列狀處理液的排列方向和方形基板的短邊方向平行時)。若從該狀態使基板進一步旋轉，則方形基板的角部(4角)橫切從第一噴出裝置噴出的基板的端緣側的處理液，產生處理液的彈回。由此，通過使列狀處理液確實地著落在方形基板的上表面，從而防止處理液的彈回，能夠均勻地處理基板。特別是在基板尺寸較大時，由于角部的線速度也變大，所以如上所述那樣設定列狀處理液在排列方形的長度在防止處理液的彈回方面，非常有效。
本發明的基板處理裝置的其他方式是使基板以水平姿勢旋轉的同時向該基板供給處理液，對基板實施規定的處理的基板處理裝置，為達成上述目的，其特征在于，具有基板保持裝置，其將基板以大致水平姿勢保持；旋轉驅動裝置，其旋轉驅動基板保持裝置，使基板繞規定的旋轉中心旋轉；噴出裝置，其向通過旋轉驅動裝置旋轉的基板的上表面，沿與基板的旋轉半徑方向大致平行的規定的排列方向呈列狀，并且沿基板的旋轉方向對基板的上表面從斜上方噴出處理液，構成從噴出裝置噴出而著落在上述基板上表面的列狀處理液的各處理液的著落位置，在以經過基板的旋轉中心并在基板的旋轉半徑方向延伸的線為旋轉半徑線時，在基板上表面上滿足以下第一以及第二條件。
另外，本發明的基板處理方法的其他方式是使基板以水平姿勢旋轉的同時向該基板供給處理液，對基板實施規定的處理的基板處理方法，為達成上述目的，其特征在于，具有使基板以大致水平姿勢繞規定的旋轉中心旋轉的基板旋轉工序；在基板旋轉工序中，從噴出裝置向基板的上表面，沿與基板的旋轉方向大致平行的規定的排列方向呈列狀、并且沿基板的旋轉方向對基板上表面從斜上方噴出處理液的工序，構成從噴出裝置噴出而著落在基板上表面的列狀處理液的各處理液的著落位置，在以經過基板的旋轉中心并在基板的旋轉半徑方向延伸的線為旋轉半徑線時，在基板上表面上滿足以下第一以及第二條件。
在此，所謂第一條件，是從旋轉半徑線中相對基板的旋轉中心而在一側延伸的線上起，在與旋轉半徑線垂直的偏置方向上沿著與基板的旋轉方向相反方向而偏移規定的距離的結構。另外，所謂第二條件，是著落位置的基板的旋轉中心側的端部，相對經過基板的旋轉中心并在偏置方向延伸的線，在旋轉半徑線中相對基板的旋轉中心而位于另一側的結構。
根據這樣的結構，從噴出裝置沿與基板的旋轉半徑方向大致平行的排列方向呈列狀地噴出處理液(列狀處理液)，因此，能夠在較廣范圍，將到對基板上表面的各部分供給處理液為止的時間差限制在最小限度，供給處理液。
此外，通過滿足第一條件，作用于構成著落在基板上表面的列狀處理液的處理液的各液滴的離心力的方向(旋轉半徑方向)是相互成不同的方向。其結果是，著落在基板上表面的處理液(液滴)的軌跡相互不同，促進在基板上表面上的處理液的均勻分散。進而，通過沿基板的旋轉方向噴出處理液，著落在基板上表面的處理液沿噴出方向被擴散到該噴出方向的前側。因此，能夠以少量的處理液使處理液均勻分散在更廣范圍內。
另外，通過滿足第二條件，著落在基板上表面的列狀處理液之中，位于基板的旋轉中心側的端部的處理液經過基板的旋轉中心同時，向基板的端緣側流動。具體地說，除來自噴出裝置的作用于噴出方向的力之外，還受到作用于和隨著基板的旋轉而出現的基板的旋轉方向相反方向的反作用的力、和作用于旋轉半徑方向的離心力，并將處理液向基板中心部供給，分散并向基板外排出。
因此，通過滿足第一以及第二條件，確實地處理基板中心部，同時能夠因列狀處理液而對基板的上表面的各部分迅速地供給處理液，可以對基板上表面均勻地進行處理。其結果是，不增加供給到基板上表面的處理液的量，而能夠以少量處理液對基板均勻處理。
在此，為了抑制處理液的浪費的同時均勻地處理基板，也可以設置沿與基板的旋轉半徑方向大致平行的排列方向設置了多個噴出孔的多孔噴嘴作為噴出裝置，從該多個噴出孔分別噴出處理液。
另外，在處理長方形的方形基板時，優選從噴出裝置噴出而著落在基板上表面的列狀處理液在排列方向的長度L以滿足以下的條件的方式設定。也就是，優選這樣設定L≤Re·sinθ+(Wn/2)其中，Re是從方形基板的旋轉中心開始到列狀處理液的方形基板的旋轉中心側的端部著落位置為止的距離，θ是連接方形基板的旋轉中心和列狀處理液的方形基板的旋轉中心側的端部著落位置的線段、與經過方形基板的旋轉中心在偏置方向延伸的線所形成的角度，Wn是方形基板的短邊的長度。
根據這樣的結構，能夠使列狀處理液確實地著落在所旋轉的方形基板的上表面上，防止所旋轉的方形基板的角部(4角)橫切從噴出裝置噴出的基板的端緣側的處理液。其結果是，防止處理液的彈回，能夠均勻處理基板。
根據本發明，通過向基板上表面呈列狀地噴出處理液，而在較廣范圍，將到對基板上表面的各部供給處理液為止的時間差限制在最小限度，來供給處理液。并且，使構成著落在基板上表面的列狀處理液的各處理液的著落位置從旋轉半徑線上開始沿與旋轉半徑線垂直的偏置方向僅偏移規定的距離，由此，能夠促進在基板上表面上的處理液的均勻分散。進而，通過向基板中心部供給處理液，從而確實地處理基板中心部。因此，確實地處理基板中心部，同時因列狀處理液而能夠向基板上表面的各部分迅速地供給處理液，能夠以少量的處理液對整個基板上表面均勻進行處理。
圖1是表示本發明的基板處理裝置的第一實施方式的圖。
圖2是表示液體噴出噴嘴部的結構以及從液體噴出噴嘴部噴出的處理液在基板上表面的著落位置的立體圖。
圖3是表示液體噴出噴嘴部的結構以及從液體噴出噴嘴部噴出的處理液在基板上表面的著落位置的俯視圖。
圖4是用于說明從多孔噴嘴噴出的處理液的噴出方向的圖。
圖5是表示作用于從多孔噴嘴噴出并著落在基板上表面的藥液的力的方向的示意圖。
圖6是表示本發明的基板處理裝置的第二實施方式的圖。
圖7是圖6的基板處理裝置的要部放大圖。
圖8是表示本發明的基板處理裝置的第三實施方式的圖。
具體實施方式<第一實施方式>
圖1表示本發明的基板處理裝置的第一實施方式的圖。該基板處理裝置是向長方形的方形基板、即LCD用玻璃基板W(以下僅稱為“基板W”)供給稀氟酸等的藥液作為處理液，來蝕刻除去在該基板W的上表面不希望被形成的薄膜(無用物質)的裝置。如圖1所示，該裝置具備將基板W以大致水平姿勢保持的基板保持部1(基板保持裝置)；旋轉驅動該基板保持部1的旋轉驅動部2；向被保持在基板保持部1的基板W的上表面供給處理液的液體噴出噴嘴部3；使液體噴出噴嘴部3在上下方向以及水平方向移動的噴嘴驅動部4；回收從基板W被甩開的液體的杯部5；收納各自的裝置各部分的殼體6；控制整個裝置的控制部(省略圖示)。
該基板保持部1包括具有與基板W同樣程度的平面尺寸的基板支承板11；被固定在該基板支承板11的上表面來支承基板W的周緣部的周緣支承銷12；被固定在基板支承板11的上表面來支承基板W的下表面中央部的中央支承銷13。另外，考慮到實施蝕刻處理，基板保持部1由耐藥品性樹脂構成。
周緣支承銷12與基板W的四角對應配置。各周緣支承銷12具有從下方支承基板W的外周端緣的支承臺121、和與被支承臺121支承的基板W的外周端面接觸來限制基板W的移動的引導立起面122；在四個地方支承基板W的周緣部。另外，在圖1中，為了避免附圖變復雜，僅表示兩個周緣支承銷12。另外，中央支承銷13與基板W的中央部對應，配置四個在基板支承板11上。此外，中央支承銷13的個數并不限于四個。
在基板支承板11的下表面，安裝著中空的筒軸21的上方端部。并且，該筒軸21的下方端部以經由傳送帶機構22來傳遞馬達23的旋轉驅動力的方式構成。由此，通過驅動馬達23，被保持在基板支承板11上的基板W繞旋轉中心(基板W的中心)A0旋轉。這樣，在該實施方式中，具備馬達23和傳送帶機構22的旋轉驅動部2具有本發明的“旋轉驅動裝置”的功能。
另外，筒軸21以中空筒狀的構件構成，沿其中心配置有液體噴嘴16。并且，在液體噴嘴16貫通有液體供給管161，該液體供給管161的上端面對基板W的下表面中央部，以從被設置在上端部的噴嘴孔162向基板W的下表面的旋轉中心附近能夠供給藥液或清洗液作為處理液的方式構成。此外，在此，利用純水等作為清洗液。
進而，筒軸21沿著基板支承板11的開口延伸，而位于基板支承板11的上側，從而開口有排出口17。另外，筒軸21和液體噴嘴16的間隙以經由流量調整閥86a，將配管86開放到大氣壓環境的方式構成。而且，在排出口17中，從該液體噴嘴16的側面和筒軸21的內周面的間隙噴出來自大氣壓環境下的空氣。另外，在液體噴嘴16的前端部被形成為剖面是T字的形狀，在平坦的上表面的中央部開口有處理液的噴嘴孔162。
液體噴嘴16被連接到配管80。該配管80的基端部被分支為兩個，在第一分支配管80a連接有藥液供給源81，在第二分支配管80b連接有純水供給源82。在各分支配管80a、80b分別設置有開關閥83a、83b。并且，通過按照來自控制部的開關指令打開開關閥83b并關閉開關閥83a，從而清洗液(純水)經由配管80被壓送到液體噴嘴16，從液體噴嘴16的噴嘴孔162向基板W的下表面供給。另外，通過按照來自控制部的開關命令打開開關閥83a并關閉開關閥83b，從而能夠從液體噴嘴16的噴嘴孔162向基板W的下表面供給藥液。
另外，氣體供給路徑163被設置在液體噴嘴16內，同時其下端部經由設置了開關閥84a的配管84與氣體供給源連通并連接在一起，能夠從氣體供給路徑163的上端部的噴出口向基板支承板11和基板W的下表面之間的空間供給清潔的空氣或清潔的惰性氣體(氮氣等)等的清潔氣體。
馬達23和傳送帶機構22等被收容在被設置于作為該基板處理裝置的底板的基底構件61上的圓筒狀的箱62內。該箱62經由軸承63連接到筒軸21的外周面，處于覆蓋筒軸21的狀態。即，處于這樣的狀態將從馬達23開始到與基板支承板11連接之前為止的筒軸21的周圍用箱62覆蓋，伴隨于此，安裝在筒軸21的下方的馬達23也以罩覆蓋。
液體噴出噴嘴3具有噴嘴主體30，噴嘴主體30以沿上下方向以及水平方向移動自由的方式被配置在被基板保持部1保持的基板W的上方。噴嘴主體30被安裝在支承臂7的前端部，該支承臂7的另一端部連接有噴嘴驅動部4。由此，通過驅動噴嘴驅動部4，能使噴嘴主體30在后述的處理位置、和在通過基板搬送裝置(未圖示)搬入搬出基板W時從基板保持部1退避的退避位置之間移動。噴嘴驅動部4具有使噴嘴主體30和支承臂7一體地水平移動的水平移動驅動源41；使噴嘴主體30和支承臂7一體地沿上下方向升降的升降驅動源42。通過這些結構，可以通過水平移動驅動源41的驅動而使噴嘴主體30平行于基板W的上表面進行水平移動的同時，通過升降驅動源42的驅動而使噴嘴主體30進行上下移動。
液體噴出噴嘴部3與液體噴嘴16側同樣，能有選擇地切換藥液和清洗液并向基板W的上表面供給。即，在噴嘴主體30連接有液體供給管31，能夠將從液體供給管31被壓送到噴嘴主體30的處理液從噴嘴主體30向被基板保持部1保持的基板W的上表面供給。該液體供給管31與配管87連接在一起。而且，該配管87的基端部分支為兩個，在第一分支配管87a連接有藥液供給源81，在第二分支配管87b連接有純水供給源82。在各分支配管87a、87b分別設置有開關閥88a、88b。并且，通過按照來自控制部的開關指令打開開關閥88b并關閉開關閥88a，從而將清洗液(純水)從噴嘴主體30向基板W的上表面供給。另外，通過按照來自控制部的開關指令打開開關閥88a并關閉開關閥88b，從而能夠從噴嘴主體308向基板W的上表面供給藥液。
圖2是表示液體噴出噴嘴部的結構以及液體噴出噴嘴部噴出的處理液在基板上表面的著落位置的立體圖。圖3是其俯視圖。具體地說，這些圖2以及圖3表示通過噴嘴驅動部4的驅動來將液體噴出噴嘴部3定位在基板W的正上方的處理位置，并在該處理位置從液體噴出噴嘴部3向基板W的上表面噴出處理液的狀態。
噴嘴主體30構成為在與基板W的旋轉半徑方向大致平行的排列方向X((+X)方向以及(-X)方向)延伸的筒狀，具有多孔噴嘴32和中心處理噴嘴33。多孔噴嘴32和中心處理噴嘴33沿基板W的排列方向X相結合，并一體地構成。也就是，通過從液體供給管31向噴嘴主體30壓送處理液，處理液從多孔噴嘴32和中心處理噴嘴33向基板W的上表面被噴出。
在多孔噴嘴32，沿排列方向X呈一列地等間隔設置有多個噴出管321。為了提高從噴出管321噴出的處理液的直線前進性，這些噴出管321分別構成為沿后述的噴出方向延伸設置的細徑的圓筒形狀。由此，能夠防止從各噴出管321噴出的處理液著落在基板W的上表面的著落位置相互重疊，相互干涉。另外，在噴出口321的前端被開口的噴出孔321a的開口直徑，基于減小處理液的流量(噴出量)的目的，為Φ1～2mm左右。因此，若從液體供給管31向噴嘴主體30壓送處理液，則從多個噴出管321的各自的噴出孔321a同時沿噴出方向噴出處理液，在基板W的上表面沿排列方向X呈一列地供給處理液。這樣，在該實施方式中，多孔噴嘴32具有本發明的“第一噴出裝置”的功能。
另一方面，在中心處理噴嘴33延伸設置有噴出管331，在噴出管331的前端被開口的噴出孔331a朝向基板W的上表面中心(旋轉中心A0)。由此，若從液體供給管31向噴嘴主體30壓送處理液，則從噴出孔331a向基板W的旋轉中心A0噴出處理液，而將處理液供給到基板W的中心部。這樣，在該實施方式中，中心處理噴嘴33具有本發明的“第二噴出裝置”的功能。
圖4是用于說明從多孔噴嘴噴出的處理液的噴出方向的圖。從多孔噴嘴32的各噴出管321噴出的處理液沿基板W的旋轉方向A對基板W的上表面從斜上方入射。這時，基板W的上表面和處理液的噴出方向F所形成的角度α設定為大致30°～50°。這樣，通過使處理液噴出，從而著落于基板W的上表面的處理液受到作用于與伴隨基板W旋轉的基板W旋轉方向A相反方向的反作用的力和作用于旋轉半徑方向的離心力，同時也沿著按照旋轉方向A的噴出方向F被擴散到該噴出方向F的前面側。
然后，返回到圖2以及圖3，對從多孔噴嘴32噴出的處理液在基板W的上表面的著落位置進行說明。在此，通過基板W的旋轉中心A0在基板W的旋轉半徑方向延伸的任意的假想線之中，對將與噴嘴主體30的排列方向(X方向)平行的假想線作為旋轉半徑線RL、以該旋轉半徑線RL為基準而從多孔噴嘴32噴出的處理液的著落位置進行說明。在此，旋轉半徑線RL是為了確定著落在基板W的上表面的處理液的著落位置而方便性引入的，旋轉半徑線RL其自身是按照基板W和多孔噴嘴32(排列方向X)的排列關系而被任意地假設地描繪的，并沒有相對基板W的位置而被特定。
構成從多孔噴嘴32噴出并著落于基板W的上表面的列狀處理液的處理液(液滴)的各著落位置不在旋轉半徑線RL上，而從旋轉半徑線RL上開始，在與旋轉半徑線RL垂直的偏置方向Y((+Y)方向以及(-Y)方向)僅偏移規定的距離S1(以下稱為“偏置距離”)。即，從多孔噴嘴32噴出處理液，使得列狀處理液著落在從旋轉半徑線RL上開始在Y方向僅偏移偏置距離S1的位置。
還有，列狀處理液的著落位置在基板W的上表面上如下被限定。即，由經過基板W的旋轉中心A0并在Y方向延伸的線CL和旋轉半徑線RL劃分基板W的上表面而被規定的四個象限W1～W4之中，列狀處理液的著落位置被限定在象限W2的區域內。這是為了沿上述的基板W的旋轉方向A對基板的上表面噴出處理液這樣的要求、和抑制處理液的消耗量。即使這樣限定列狀處理液的著落位置，也能夠通過旋轉基板W來擴散所著落的處理液，與從中心處理噴嘴33供給的處理液一起對基板W的整個上表面進行處理。此外，只要通過中心處理噴嘴33處理基板W的中心部，從多孔噴嘴32排出的列狀處理液的著落位置也可以限定在象限W1內的區域中。
進而，以著落在基板W的上表面的列狀處理液的X方向的長度L1為基板W的短邊的長度Wn的一半以下的方式，從多孔噴嘴32噴出處理液。這樣，通過規定列狀處理液的長度L1，能對所旋轉的基板W的上表面確實地著落列狀處理液。
然后，對如上所述構成的基板處理裝置的動作進行說明。在此，對如下情況進行說明對被保持在基板保持部1的基板W供給稀氟酸等的藥液作為處理液，蝕刻除去在基板W的上表面不希望被形成的薄膜。
通過基板搬送裝置將未處理的基板W搬入到裝置內，若被保持在基板保持部1，則通過驅動噴嘴驅動部4來將噴嘴主體30從退避位置移動到處理位置。通過驅動馬達23，被保持在基板保持部1的基板W圍繞基板W的旋轉中心A0，以規定的旋轉速度進行旋轉。在這樣的蝕刻處理中，基板W的旋轉速度大致被設定為50～200rpm，優選被設定為50～150rpm。
然后，從噴嘴主體30向基板W的上表面噴出藥液。具體地說，從多孔噴嘴32對基板W的上表面沿基板W的旋轉方向A從斜上方呈列狀地(呈一列地)噴出藥液，同時從中心處理噴嘴33向基板W的上表面的旋轉中心A0噴出藥液。構成從多孔噴嘴32噴出的列狀藥液的各藥液(液滴)在基板W的上表面上，著落在從旋轉半徑線RL開始向(+Y)方向僅偏移偏置距離S1的位置。在此，在基板W為所謂第四代(基板尺寸730mm×920mm)的玻璃基板時，從處理的均勻性的觀點看，偏置距離S1大致設定為40mm～60mm為最佳。當然，偏置距離S1按照成為處理對象的基板尺寸設定為合適、適當的距離。
圖5是表示作用于從多孔噴嘴噴出著落在基板上表面的藥液的力的方向的示意圖。在構成著落在基板W的上表面的列狀藥液的各藥液(液滴)，按照(1)作用于與基板W的旋轉方向A相反方向的反作用的力fr1、fr2、…frn，(2)作用于旋轉半徑方向的離心力fc1、fc2、…fcn，(3)作用于按照旋轉方向A的噴出方向F的力fd1、fd2、…fdn合成的矢量的方向以及力的大小在基板W的上表面流動，而被排出到基板外。在此，假設在使構成列狀藥液的各藥液著落在了旋轉半徑線RL上的情況下，作用于構成列狀藥液的各藥液(液滴)的離心力的方向(旋轉半徑方向)全部為同一方向。另一方面，如圖5所示，通過使構成列狀藥液的各藥液從旋轉半徑線RL上開始在Y方向偏移而著落，從而作用于構成列狀藥液的各藥液的離心力fc1、fc2、…fcn的方向(旋轉半徑方向)為相互不同的方向。其結果是，著落在基板W的上表面之后的藥液(液滴)的軌跡相互不同，促進在基板W的上表面的藥液的均勻分散。
而且，由于沿基板W的旋轉方向A從斜上方噴出藥液，所以著落于基板W的上表面的藥液沿著按照旋轉方向A的噴出方向F被擴散到該噴出方向F的前面側。因此，能夠以少量的藥液使藥液均勻分散在更廣的范圍內，還能夠進一步提高向基板W的上表面的各部分所供給的每單位面積的藥液的供給量的均勻性。進而，相對向基板W的上表面垂直地噴出處理液的情況，具有像下面這樣有利的效果。即，能夠抑制向基板W的上表面噴出并著落在基板W的上表面的藥液與已經被供給到基板W的上表面的藥液干涉。例如，通過著落在基板W的上表面的藥液、和與基板W一起旋轉的同時移動到著落位置的附著在基板W的上表面的藥液的沖突，在基板W的上表面，藥液的液面凸起，使蝕刻處理的均勻性惡化，能夠防止這種現象的產生。
另外，由于著落于基板W的上表面的列狀藥液的排列方向(X方向)的長度L1為作為方形基板的基板W的短邊的長度Wn的一半以下，所以能夠使列狀藥液確實地著落在所旋轉的基板W的上表面。由此，能夠得到以下效果。即，若使列狀藥液的X方向上的長度L1比方形基板的短邊的長度Wn的一半長，則產生伴隨基板W的旋轉，在從多孔噴嘴32噴出的列狀藥液之中，基板W的端緣側的藥液的一部分沒被供給到基板W的上表面的狀態(例如列狀藥液的排列方向X和基板W的短邊方向為平行的情況)。若從該狀態進一步旋轉基板W，基板W的角部(4角)橫切從多孔噴嘴32噴出的基板W的端緣側的藥液，產生藥液的彈回。由此，如上所述，通過使列狀藥液確實地著落在基板W的上表面，而能夠防止藥液的彈回，能夠對基板W均勻地進行蝕刻處理。
如上所述，根據本實施方式，由于從具有多個噴出孔321a的多孔噴嘴32沿排列方向X呈列狀地噴出藥液，所以在比較廣的范圍內使藥液同時著落于基板W的上表面。因此，能夠將到向基板W的上表面的各部分供給藥液為止的時間差限制在最小限度，能夠向基板W的上表面的各部分供給規定量的藥液。
另外，根據本實施方式，使構成列狀藥液的各藥液的著落位置從旋轉半徑線RL開始沿與旋轉半徑線RL垂直的偏置方向Y僅偏移規定的距離(偏置距離)S1。其結果是，與著落在基板W的上表面的藥液(液滴)的軌跡相互不同，促進在基板W的上表面的藥液的均勻分散。進而，由于沿基板W的旋轉方向A噴出藥液，因此，著落在基板W的上表面的藥液沿噴出方向F被擴散到該噴出方向F的前面側，能以少量的藥液在更廣范圍內使藥液均勻分散。
另外，根據本實施方式，從中心處理噴嘴33向基板W的旋轉中心A0噴出藥液。由此，即使在由多孔噴嘴32噴出并著落在基板W的上表面的藥液不能向基板W的旋轉中心A0充分供給、或者著落在基板W的上表面的藥液的軌跡偏離基板W的旋轉中心A0時，利用由中心處理噴嘴33噴出的藥液，能夠對基板W的中心部確實地進行蝕刻處理。
這樣，根據本實施方式，通過由中心處理噴嘴33噴出的藥液，對基板W的中心部確實地進行蝕刻處理的同時，能夠通過從多孔噴嘴32噴出的列狀藥液，將藥液迅速地供給到基板W的上表面的各部分，能夠對基板W的上表面均勻進行蝕刻處理。因此，不會增加向基板W的上表面供給的藥液量，而能以少量的藥液對基板W的整個上表面均勻進行蝕刻處理。
<第二實施方式>
圖6是表示本發明的基板處理裝置的第二實施方式的圖。另外，圖7是圖6的基板處理裝置的要部放大圖。該第二實施方式與第一實施方式較大不同的點是利用僅從多孔噴嘴供給的藥液對基板W的上表面實施蝕刻處理這一點，為了像這樣進行處理，而變更從多孔噴嘴噴出并著落在基板W的上表面的藥液的著落位置。此外，其他的結構基本上與第一實施方式相同，所以與第一實施方式進行對比，在以下對第二實施方式的特征進行詳細說明。
在該第二實施方式的基板處理裝置所采用的噴嘴主體30僅由多孔噴嘴34(相當于本發明的“噴出裝置”)構成，其結構與在第一實施方式所采用的多孔噴嘴32相同。即，在多孔噴嘴34，沿排列方向(X方向)呈一列地等間隔延伸設置多個噴出管341，從各噴出管341的噴出孔341a對基板W的上表面從斜上方噴出藥液。此外，以構成著落在基板W的上表面的列狀藥液的各藥液的著落位置在偏置方向(Y方向)僅偏移規定的距離(偏置距離)的方式，使藥液從多孔噴嘴34噴出。此外，關于偏置距離S2，從使藥液均勻分散同時向基板W的中心部確實地供給藥液的觀點出發，還考慮基板W的旋轉速度等，而適當被設定。
另一方面，在第一實施方式中，在由通過基板W的旋轉中心A0并在Y方向延伸的線CL和旋轉半徑線RL劃分基板W的上表面而被規定的四個象限W1～W4之中，將列狀藥液的著落位置限定在象限W2內的區域里，但是在該第二實施方式中，使列狀藥液的一部分著落在象限W3內的區域。也就是，以構成著落在基板W的上表面的列狀藥液的藥液(液滴)的著落位置滿足以下第一以及第二條件的方式，從多孔噴嘴34噴出藥液(圖7)。
第一條件從旋轉半徑線RL中相對基板W的旋轉中心A0而在一方側(+X方向)延伸的線上，在Y方向上向著與基板W的旋轉方向A相反方向僅偏移規定的距離(偏置距離)S2。即，從旋轉半徑線RL中的相對基板W的旋轉中心A0而在+X方向延伸的線上，向著+Y方向僅偏移偏置距離S2。
第二條件列狀藥液的著落位置的基板W的旋轉中心側的端部Pe，相對通過基板W的旋轉中心A0并在Y方向延伸的線CL，在旋轉半徑線RL中相對基板W的旋轉中心A0而位于另一側(-X方向)。
這樣，通過使列狀藥液著落，從而利用基板W的旋轉，列狀藥液之中位于基板W的旋轉中心側的端部Pe的藥液，經過基板W的旋轉中心A0，并向基板W的端緣側流動。具體地說，在位于基板W的旋轉中心側的端部Pe的藥液，除作用于噴出方向的力之外，還有作用于與基板W的旋轉方向A相反方向的反作用力、作用于旋轉半徑方向的離心力起作用，根據這些的合力，將藥液供給到基板W的中心部，進行分散的同時向基板外排出。
在此，若將從基板W的旋轉中心A0開始到列狀藥液的基板W的旋轉中心側的端部著落位置Pe為止的距離設為Re，將連接基板W的旋轉中心A0和列狀藥液的基板W的旋轉中心側的端部著落位置Pe的線段、和經過基板W的旋轉中心A0并在Y方向延伸的線CL所形成的角度設為θ，則與Re·sinθ相當的長度為列狀藥液的著落位置被從象限W2移向象限W3的量。這樣的移動量(相當于Re·sinθ的長度)是考慮偏置距離S2、基板W的旋轉速度、基板W的上表面的狀態、使用的藥液的表面張力的大小等的各種條件，以著落在象限W3內的藥液通過基板W的旋轉中心A0的方式而被設定的。
另外，以著落在方形基板W的上表面的列狀藥液的排列方向(X方向)的長度L2滿足以下公式、即L2≤Re·sinθ+(Wn/2)其中，Wn…方形基板的短邊的長度的方式使處理液從多孔噴嘴34噴出。這樣，通過規定列狀藥液的長度L2，而能夠使列狀藥液確實地著落在所旋轉的基板W的上表面。由此，能夠防止所旋轉的基板W的角部(4角)橫切從多孔噴嘴34噴出的基板W的端緣側的藥液。其結果是，能夠防止藥液的彈回，并對基板W均勻地進行蝕刻處理。
如上所述，根據該實施方式，與第一實施方式同樣，從多孔噴嘴34沿與基板W的旋轉半徑方向大致平行的排列方向X呈列狀地噴出藥液(列狀藥液)，所以能在較寬范圍內，將到藥液被供給到基板W的上表面的各部分為止的時間差限制在最小限度來供給藥液。
另外，根據該實施方式，通過滿足上述第一條件，能夠得到與第一實施方式同樣的作用效果。即，著落在基板W的上表面的藥液(液滴)的軌跡相互不同，促進在基板W的上表面上的藥液的均勻分散。進而，通過沿基板W的旋轉方向A噴出藥液，從而著落在基板W的上表面的藥液沿噴出方向擴散到該噴出方向的前面側，能夠以少量的藥液使藥液在更廣范圍均勻地分散。
另外，根據該實施方式，通過滿足上述第二條件，就能夠將著落在基板W的列狀藥液之中的位于基板W的旋轉中心側的端部Pe的藥液向基板W的中心部供給，能夠對基板W的中心部進行蝕刻處理。
因此，通過滿足第一以及第二條件，確實地處理基板W的中心部的同時，因列狀藥液而能將藥液迅速地供給到基板W的上表面的各部分，可以對基板W的上表面均勻地進行蝕刻處理。其結果是，不會使向基板W的上表面供給的藥液的量增加，能夠以少量的藥液對基板W均勻地進行處理。并且，不設置中心處理用噴嘴，而從各噴出管341在同樣條件下噴出藥液，因此進一步提高蝕刻處理的均勻性。
<其他>
此外，本發明不僅限于上述的實施方式，只要不脫離其宗旨，除上述的實施方式以外，可以進行各種變更。例如，在上述第一實施方式中，在噴嘴主體30設置有多孔噴嘴32和中心處理噴嘴33，將多孔噴嘴32和中心處理噴嘴33一體地構成，但是不限定于此。例如，如圖8所示，不同于多孔噴嘴32而另設有中心處理噴嘴35，可以分別配置多孔噴嘴32和中心處理噴嘴35(第三實施方式)。通過這種構成，確實地對基板W的中心部進行處理的同時，不管中心處理噴嘴35的配置位置，按照處理內容能夠自由變更從多孔噴嘴32噴出的處理液的噴出方向、列狀處理液的著落位置等的處理參數。
另外，在上述實施方式中，從多孔噴嘴32、34對基板W的上表面從斜上方噴出處理液(列狀處理液)，但是處理液的噴出方向任意。例如，也可以對基板W的上表面垂直噴出處理液。即使這樣構成，只要列狀處理液的著落位置從旋轉半徑線RL上向著偏置方向Y偏移，著落在基板W的處理液(液滴)的軌跡就相互不同，促進處理液的均勻分散。因此，能夠以少量的處理液對整個基板W的上表面均勻處理。這時，基板W的旋轉方向A和噴出方向處于垂直關系，因此不會將列狀處理液的著落位置限定在由經過基板W的旋轉中心A0并在Y方向延伸的線CL和旋轉半徑線RL劃分基板W的上表面而被所限定的四個象限W1～W4之中的任意一個。
另外，在上述實施方式中，在多孔噴嘴32、34，沿X方向(排列方向)呈一列地配置有多個噴出管，使得從多個噴出管分別噴出而著落在基板W的上表面的各處理液的著落位置呈一列地排列，但是處理液的排列形狀不限于此。例如，可以變更多孔噴嘴的結構，例如使得從多個噴出管分別噴出而著落在基板W的上表面的各處理液的著落位置在Y方向(偏置方向)相互不同，并沿排列方向X排列為弓形形狀或者鋸齒形狀。重點是，只要沿排列方向X呈列狀地噴出處理液，使得從多個噴出管各自噴出而著落在基板W的上表面的各處理液的著落位置相互不干涉即可，多孔噴嘴的結構是任意的。
另外，在上述實施方式中，通過由設置在多孔噴嘴32、34的多個噴出管噴出處理液，從而向基板W供給列狀處理液，但是不只限于此。例如，也可以通過將多個噴出噴嘴各自沿排列方向X呈列狀地配置，使處理液從各噴出噴嘴噴出，從而將列狀處理液供給到基板W。
另外，在上述實施方式中，在多孔噴嘴32、34延伸設置有多個噴出管，但是也可以不設置多個噴出管，而在沿排列方向X延伸的管上沿排列方向X穿設多個噴出孔。進而，不只限于多孔噴嘴，也可以利用以沿排列方向X延伸的方式被開口的狹縫噴嘴。
另外，在上述實施方式中，針對由稀氟酸等構成的藥液向基板W供給來對基板W實施蝕刻處理的情況進行了說明，但是基板處理的內容不限定于此。例如，也能夠適用于利用純水等的清洗液作為處理液來對該處理液施加超聲波振動的同時，呈列狀地將清洗液供給到進行旋轉的基板W，而對基板W實施清洗處理的裝置。
本發明能夠適用于一種基板處理裝置以及基板處理方法，其使包括半導體晶片、液晶顯示裝置用玻璃基板、PDP(等離子體顯示器)用基板、或者磁盤用的玻璃基板或陶瓷基板等的各種基板旋轉并向該基板供給處理液，從而對基板實施規定的處理。
權利要求
1.一種基板處理裝置，其使基板以大致水平姿勢旋轉，同時向該基板供給處理液，而對上述基板實施規定的處理，其特征在于，具有基板保持裝置，其將基板以大致水平姿勢保持；旋轉驅動裝置，其旋轉驅動上述基板保持裝置，使上述基板繞規定的旋轉中心旋轉；第一噴出裝置，其向通過上述旋轉驅動裝置而被旋轉的上述基板的上表面，沿與上述基板的旋轉半徑方向大致平行的規定的排列方向，呈列狀地噴出處理液；第二噴出裝置，其向上述基板上表面的旋轉中心噴出處理液，在以經過上述基板的旋轉中心并在上述基板的旋轉半徑方向上延伸的線為旋轉半徑線時，構成從上述第一噴出裝置噴出而著落在上述基板上表面的上述列狀處理液的各處理液的著落位置，從上述旋轉半徑線上起在與該旋轉半徑線垂直的偏置方向上偏移規定的距離。
2.如權利要求
1所記載的基板處理裝置，其特征在于，上述第一噴出裝置具有沿上述排列方向設置了多個噴出孔的多孔噴嘴，上述多孔噴嘴通過從上述多個噴出孔分別噴出處理液，來向上述基板上表面供給上述列狀處理液。
3.如權利要求
1或2所記載的基板處理裝置，其特征在于，上述第一噴出裝置以上述著落位置被限定在由經過上述基板的旋轉中心并在上述偏置方向上延伸的線和上述旋轉半徑線劃分上述基板上表面而被規定的四個象限之中的任意一個中的方式，來噴出處理液。
4.如權利要求
3所記載的基板處理裝置，其特征在于，上述第一噴出裝置沿上述基板的旋轉方向對上述基板上表面從斜上方呈列狀噴出處理液。
5.如權利要求
3所記載的基板處理裝置，其特征在于，上述基板是長方形的方形基板，從上述第一噴出裝置噴出而著落在上述方形基板的上表面的上述列狀處理液在上述排列方向上的長度為上述方形基板的短邊的一半長度以下。
6.一種基板處理裝置，其使基板以大致水平姿勢旋轉的同時，向該基板供給處理液，而對上述基板實施規定的處理，其特征在于，具有基板保持裝置，其將基板以大致水平姿勢保持；旋轉驅動裝置，其旋轉驅動上述基板保持裝置，使上述基板繞規定的旋轉中心旋轉；噴出裝置，其向通過上述旋轉驅動裝置而被旋轉的上述基板的上表面，沿與上述基板的旋轉半徑方向大致平行的規定的排列方向呈列狀、并且沿上述基板的旋轉方向對上述基板的上表面從斜上方噴出處理液，構成從上述噴出裝置噴出而著落在上述基板上表面的上述列狀處理液的各處理液的著落位置，在以經過上述基板的旋轉中心并在上述基板的旋轉半徑方向延伸的線為旋轉半徑線時，在上述基板上表面上滿足以下條件第一條件從上述旋轉半徑線中相對上述基板的旋轉中心而在一側延伸的線上起，在與上述旋轉半徑線垂直的偏移方向上沿著與上述基板的旋轉方向相反方向而偏移規定的距離；第二條件上述著落位置的上述基板的旋轉中心側的端部，相對經過上述基板的旋轉中心并在上述偏置方向延伸的線，在上述旋轉半徑線中相對上述基板的旋轉中心而位于另一側。
7.如權利要求
6所記載的基板處理裝置，其特征在于，上述噴出裝置具有沿上述排列方向設置了多個噴出孔的多孔噴嘴，上述多孔噴嘴通過從上述多個噴出孔分別噴出處理液，來向上述基板上表面供給上述列狀處理液。
8.如權利要求
6或7所記載的基板處理裝置，其特征在于，上述基板為長方形的方形基板，從上述噴出裝置噴出而著落在上述方形基板的上表面上的上述列狀處理液在上述排列方向上的長度L滿足以下的條件L≤Re·sinθ+(Wn/2)，其中，Re是從上述方形基板的旋轉中心開始到上述列狀處理液的上述方形基板的旋轉中心側的端部的著落位置為止的距離；θ是連接上述方形基板的旋轉中心和上述列狀處理液的上述方形基板的旋轉中心側的端部著落位置的線段、與經過上述方形基板的旋轉中心并在上述偏置方向延伸的線所形成的角度；Wn是上述方形基板的短邊的長度。
9.一種基板處理方法，使基板以大致水平姿勢旋轉的同時，向該基板供給處理液，而對上述基板實施規定的處理，其特征在于，具有使基板以大致水平姿勢繞規定的旋轉中心旋轉的基板旋轉工序；在上述基板旋轉工序中，從第一噴出裝置向上述基板的上表面，沿與上述基板的旋轉半徑方向大致平行的規定的排列方向呈列狀地噴出處理液，同時從第二噴出裝置向上述基板上表面的旋轉中心噴出處理液的工序，在以經過上述基板的旋轉中心并在上述基板的旋轉半徑方向延伸的線為旋轉半徑線時，構成從上述第一噴出裝置噴出而著落在上述基板上表面的上述列狀處理液的各處理液的著落位置，從上述旋轉半徑線上起，向著與該旋轉半徑線垂直的偏置方向偏移規定的距離。
10.一種基板處理方法，使基板以大致水平姿勢旋轉的同時，向該基板供給處理液，而對上述基板實施規定的處理，其特征在于，具有使基板以大致水平姿勢繞規定的旋轉中心旋轉的基板旋轉工序；在上述基板旋轉工序中，從噴出裝置向上述基板的上表面，沿與上述基板的旋轉方向大致平行的規定的排列方向呈列狀、并且沿上述基板的旋轉方向對上述基板上表面從斜上方噴出處理液的工序，構成從上述噴出裝置噴出而著落在上述基板上表面的上述列狀處理液的各處理液的著落位置，在以經過上述基板的旋轉中心并在上述基板的旋轉半徑方向延伸的線為旋轉半徑線時，在上述基板上表面上滿足以下條件第一條件從上述旋轉半徑線中相對上述基板的旋轉中心而在一側延伸的線上起，在與上述旋轉半徑線垂直的偏移方向上沿著與上述基板的旋轉方向相反方向而偏移規定的距離；第二條件上述著落位置的上述基板的旋轉中心側的端部，相對經過上述基板的旋轉中心并在上述偏置方向延伸的線，在上述旋轉半徑線中相對上述基板的旋轉中心而位于另一側。
專利摘要
本發明提供一種能夠以少量的處理液均勻地處理整個基板上表面的基板處理裝置以及基板處理方法。從多孔噴嘴(32)沿基板(W)的旋轉方向(A)對基板(W)的上表面從斜上方沿排列方向(X)呈列狀地噴出處理液。并且，在以沿基板(W)的旋轉半徑方向延伸的線為旋轉半徑線時，以構成著落在基板(W)的上表面的列狀處理液的各處理液(液滴)的著落位置從旋轉半徑線(RL)上起向著與旋轉半徑線(RL)垂直的偏置方向(Y)偏移規定的距離(S1)的方式，使處理液從多孔噴嘴(32)噴出。另一方面，使處理液從中心處理噴嘴(33)向基板(W)的旋轉中心(A0)噴出，向基板(W)的中心部供給處理液。
文檔編號G02F1/1333GK1992153SQ200610132006
公開日2007年7月4日 申請日期2006年10月19日
發明者上代和男 申請人:大日本網目版制造株式會社導出引文BiBTeX, EndNote, RefMan