本申請涉及太(tai)陽電池領域，尤(you)其涉及一種太(tai)陽電池及光(guang)伏組件。

背景技術：

1、在當前的(de)產(chan)業化太陽電池工藝中，需(xu)要通過(guo)絲網印刷電極漿料并燒結(jie)制備集流(liu)(liu)柵線，但(dan)是(shi)集流(liu)(liu)柵線對電流(liu)(liu)的(de)收(shou)集能(neng)力依然存(cun)在較大的(de)改進空間。

技術實現思路

1、為了(le)解決上(shang)述技術問題，本申(shen)請公開了(le)一種(zhong)太(tai)陽(yang)電池及光伏(fu)組件，以提高集流(liu)柵(zha)線的電流(liu)收集能力。

2、第一(yi)個(ge)方(fang)(fang)面，本申請提供了一(yi)種太(tai)陽電池，包(bao)括(kuo)(kuo)硅(gui)基(ji)底(di)，所(suo)述(shu)(shu)硅(gui)基(ji)底(di)背面的(de)(de)(de)邊(bian)(bian)(bian)(bian)緣(yuan)區(qu)域(yu)包(bao)括(kuo)(kuo)微(wei)結構單元(yuan)陣列，所(suo)述(shu)(shu)微(wei)結構單元(yuan)陣列為(wei)多個(ge)微(wei)結構單元(yuan)交疊形成的(de)(de)(de)線(xian)條狀結構，所(suo)述(shu)(shu)太(tai)陽電池還包(bao)括(kuo)(kuo)集(ji)流(liu)(liu)柵(zha)線(xian)，其中(zhong)，在所(suo)述(shu)(shu)邊(bian)(bian)(bian)(bian)緣(yuan)區(qu)域(yu)，所(suo)述(shu)(shu)集(ji)流(liu)(liu)柵(zha)線(xian)與所(suo)述(shu)(shu)微(wei)結構單元(yuan)陣列之(zhi)間的(de)(de)(de)夾角(jiao)為(wei)α，8°≤α≤15°；所(suo)述(shu)(shu)邊(bian)(bian)(bian)(bian)緣(yuan)區(qu)域(yu)包(bao)括(kuo)(kuo)：從所(suo)述(shu)(shu)硅(gui)基(ji)底(di)的(de)(de)(de)指定(ding)邊(bian)(bian)(bian)(bian)緣(yuan)向沿(yan)平行于(yu)所(suo)述(shu)(shu)集(ji)流(liu)(liu)柵(zha)線(xian)的(de)(de)(de)方(fang)(fang)向上延伸(shen)指定(ding)邊(bian)(bian)(bian)(bian)長的(de)(de)(de)1/9長度所(suo)對應的(de)(de)(de)區(qu)域(yu)，所(suo)述(shu)(shu)指定(ding)邊(bian)(bian)(bian)(bian)緣(yuan)為(wei)所(suo)述(shu)(shu)硅(gui)基(ji)底(di)中(zhong)與所(suo)述(shu)(shu)集(ji)流(liu)(liu)柵(zha)線(xian)延伸(shen)方(fang)(fang)向相垂直(zhi)的(de)(de)(de)邊(bian)(bian)(bian)(bian)緣(yuan)，所(suo)述(shu)(shu)指定(ding)邊(bian)(bian)(bian)(bian)長為(wei)與所(suo)述(shu)(shu)集(ji)流(liu)(liu)柵(zha)線(xian)的(de)(de)(de)延伸(shen)方(fang)(fang)向相平行的(de)(de)(de)邊(bian)(bian)(bian)(bian)的(de)(de)(de)長度。

3、在本申請的(de)(de)一(yi)些實(shi)施(shi)方案中，所述(shu)邊(bian)(bian)緣(yuan)區域包括(kuo)相對設置的(de)(de)第(di)一(yi)邊(bian)(bian)緣(yuan)子(zi)區域和第(di)二邊(bian)(bian)緣(yuan)子(zi)區域。

4、在(zai)本申請的一(yi)些實施方案中，所(suo)(suo)述微(wei)結(jie)構(gou)單元陣列所(suo)(suo)在(zai)的平(ping)面(mian)(mian)與所(suo)(suo)述硅(gui)基(ji)底背面(mian)(mian)具有高度差(cha)，且所(suo)(suo)述微(wei)結(jie)構(gou)單元陣列所(suo)(suo)在(zai)的平(ping)面(mian)(mian)高度低于(yu)所(suo)(suo)述硅(gui)基(ji)底背面(mian)(mian)所(suo)(suo)在(zai)的平(ping)面(mian)(mian)高度。

5、在(zai)本(ben)申(shen)請的一些實(shi)施方案中，所述微結(jie)構單元陣列之間相互平(ping)行。

6、在(zai)本(ben)申(shen)請(qing)的一些實施方案中(zhong)，所述(shu)邊緣區域包括(kuo)交替(ti)設置的第一摻雜區和(he)第二摻雜區；

7、所述(shu)第(di)(di)(di)一摻雜區形成有第(di)(di)(di)一微(wei)結(jie)構單(dan)元(yuan)(yuan)陣列，所述(shu)第(di)(di)(di)一微(wei)結(jie)構單(dan)元(yuan)(yuan)陣列中(zhong)包括(kuo)第(di)(di)(di)一微(wei)結(jie)構單(dan)元(yuan)(yuan)；

8、所(suo)(suo)述第二摻雜區形成有(you)第二微結構(gou)單(dan)元陣列(lie)(lie)，所(suo)(suo)述第二微結構(gou)單(dan)元陣列(lie)(lie)中包括第二微結構(gou)單(dan)元；

9、所述第一微結構單元(yuan)和所述第二微結構單元(yuan)的(de)尺(chi)寸(cun)不同。

10、在本(ben)申請的一(yi)些實施方案中(zhong)，所(suo)述第一(yi)微結(jie)構單(dan)元(yuan)的尺寸小于所(suo)述第二微結(jie)構單(dan)元(yuan)的尺寸。

11、在本申(shen)請的一些實施方案中，所述第一微(wei)結(jie)構單(dan)元的尺(chi)寸為8μm~15μm，所述第二微(wei)結(jie)構單(dan)元的尺(chi)寸為20μm~35μm。

12、在本申(shen)請的(de)一(yi)些實施方案中(zhong)，所述(shu)太陽電(dian)池的(de)背面還包括鈍(dun)化(hua)接觸結(jie)構，其(qi)中(zhong)，所述(shu)鈍(dun)化(hua)接觸結(jie)構包括界面隧穿鈍(dun)化(hua)膜層和摻雜(za)多晶硅膜層。

13、第(di)二個方面，本申請提(ti)供一種光伏(fu)組(zu)件，所述光伏(fu)組(zu)件包括如第(di)一個方面所述的太陽電池。

14、與(yu)現有技術相比(bi)，本(ben)申(shen)請至少(shao)具有如(ru)下有益效果：

15、本申請提(ti)供的(de)(de)(de)(de)(de)(de)一種太(tai)陽電(dian)(dian)(dian)(dian)池及(ji)光伏組(zu)件，其(qi)中(zhong)，太(tai)陽電(dian)(dian)(dian)(dian)池包(bao)括(kuo)(kuo)硅(gui)(gui)(gui)基底(di)(di)(di)，硅(gui)(gui)(gui)基底(di)(di)(di)背面的(de)(de)(de)(de)(de)(de)邊(bian)緣(yuan)(yuan)區(qu)(qu)域(yu)(yu)(yu)包(bao)括(kuo)(kuo)微(wei)結構(gou)單元(yuan)(yuan)陣列，微(wei)結構(gou)單元(yuan)(yuan)陣列為多(duo)個(ge)微(wei)結構(gou)單元(yuan)(yuan)交疊(die)形成(cheng)(cheng)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)線(xian)(xian)(xian)(xian)(xian)(xian)條狀結構(gou)，太(tai)陽電(dian)(dian)(dian)(dian)池還包(bao)括(kuo)(kuo)集(ji)(ji)(ji)流(liu)(liu)柵(zha)(zha)(zha)線(xian)(xian)(xian)(xian)(xian)(xian)，在(zai)(zai)邊(bian)緣(yuan)(yuan)區(qu)(qu)域(yu)(yu)(yu)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)集(ji)(ji)(ji)流(liu)(liu)柵(zha)(zha)(zha)線(xian)(xian)(xian)(xian)(xian)(xian)與微(wei)結構(gou)單元(yuan)(yuan)陣列之(zhi)(zhi)間(jian)(jian)(jian)(jian)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)夾角為α，其(qi)中(zhong)，8°≤α≤15°。本申請通(tong)過控制邊(bian)緣(yuan)(yuan)區(qu)(qu)域(yu)(yu)(yu)中(zhong)集(ji)(ji)(ji)流(liu)(liu)柵(zha)(zha)(zha)線(xian)(xian)(xian)(xian)(xian)(xian)與微(wei)結構(gou)單元(yuan)(yuan)陣列之(zhi)(zhi)間(jian)(jian)(jian)(jian)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)夾角α在(zai)(zai)本申請范(fan)圍內(nei)，首先，提(ti)高(gao)(gao)了(le)集(ji)(ji)(ji)流(liu)(liu)柵(zha)(zha)(zha)線(xian)(xian)(xian)(xian)(xian)(xian)沿其(qi)延伸方向能夠覆(fu)蓋硅(gui)(gui)(gui)基底(di)(di)(di)中(zhong)邊(bian)緣(yuan)(yuan)區(qu)(qu)域(yu)(yu)(yu)基面的(de)(de)(de)(de)(de)(de)均勻度，提(ti)高(gao)(gao)邊(bian)緣(yuan)(yuan)區(qu)(qu)域(yu)(yu)(yu)中(zhong)集(ji)(ji)(ji)流(liu)(liu)柵(zha)(zha)(zha)線(xian)(xian)(xian)(xian)(xian)(xian)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)橫截(jie)面面積的(de)(de)(de)(de)(de)(de)均勻性(xing)，從(cong)(cong)而(er)提(ti)高(gao)(gao)邊(bian)緣(yuan)(yuan)區(qu)(qu)域(yu)(yu)(yu)流(liu)(liu)過集(ji)(ji)(ji)流(liu)(liu)柵(zha)(zha)(zha)線(xian)(xian)(xian)(xian)(xian)(xian)導電(dian)(dian)(dian)(dian)體截(jie)面的(de)(de)(de)(de)(de)(de)電(dian)(dian)(dian)(dian)流(liu)(liu)密度的(de)(de)(de)(de)(de)(de)分布均勻性(xing)，進而(er)提(ti)高(gao)(gao)集(ji)(ji)(ji)流(liu)(liu)柵(zha)(zha)(zha)線(xian)(xian)(xian)(xian)(xian)(xian)對(dui)(dui)載流(liu)(liu)子的(de)(de)(de)(de)(de)(de)傳(chuan)輸(shu)能力(li)(li)；其(qi)次，用于(yu)形成(cheng)(cheng)集(ji)(ji)(ji)流(liu)(liu)柵(zha)(zha)(zha)線(xian)(xian)(xian)(xian)(xian)(xian)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)電(dian)(dian)(dian)(dian)極(ji)漿料(liao)與硅(gui)(gui)(gui)基底(di)(di)(di)中(zhong)邊(bian)緣(yuan)(yuan)區(qu)(qu)域(yu)(yu)(yu)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)基面之(zhi)(zhi)間(jian)(jian)(jian)(jian)能形成(cheng)(cheng)更(geng)穩定的(de)(de)(de)(de)(de)(de)附(fu)著(zhu)(zhu)力(li)(li)，利(li)于(yu)提(ti)高(gao)(gao)集(ji)(ji)(ji)流(liu)(liu)柵(zha)(zha)(zha)線(xian)(xian)(xian)(xian)(xian)(xian)與硅(gui)(gui)(gui)片邊(bian)緣(yuan)(yuan)區(qu)(qu)域(yu)(yu)(yu)之(zhi)(zhi)間(jian)(jian)(jian)(jian)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)附(fu)著(zhu)(zhu)力(li)(li)；而(er)且，由于(yu)集(ji)(ji)(ji)流(liu)(liu)柵(zha)(zha)(zha)線(xian)(xian)(xian)(xian)(xian)(xian)對(dui)(dui)硅(gui)(gui)(gui)基底(di)(di)(di)邊(bian)緣(yuan)(yuan)區(qu)(qu)域(yu)(yu)(yu)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)覆(fu)蓋均勻性(xing)更(geng)好，避免了(le)因(yin)集(ji)(ji)(ji)流(liu)(liu)柵(zha)(zha)(zha)線(xian)(xian)(xian)(xian)(xian)(xian)對(dui)(dui)該(gai)邊(bian)緣(yuan)(yuan)區(qu)(qu)域(yu)(yu)(yu)覆(fu)蓋不(bu)均勻導致的(de)(de)(de)(de)(de)(de)電(dian)(dian)(dian)(dian)極(ji)漿料(liao)額(e)外消耗，因(yin)此(ci)還有利(li)于(yu)集(ji)(ji)(ji)流(liu)(liu)柵(zha)(zha)(zha)線(xian)(xian)(xian)(xian)(xian)(xian)導電(dian)(dian)(dian)(dian)體在(zai)(zai)傳(chuan)輸(shu)同樣電(dian)(dian)(dian)(dian)流(liu)(liu)密度和保(bao)證集(ji)(ji)(ji)流(liu)(liu)柵(zha)(zha)(zha)線(xian)(xian)(xian)(xian)(xian)(xian)與硅(gui)(gui)(gui)基底(di)(di)(di)邊(bian)緣(yuan)(yuan)區(qu)(qu)域(yu)(yu)(yu)之(zhi)(zhi)間(jian)(jian)(jian)(jian)附(fu)著(zhu)(zhu)力(li)(li)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)情(qing)況(kuang)下降低(di)(di)電(dian)(dian)(dian)(dian)極(ji)漿料(liao)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)印刷量，達到在(zai)(zai)不(bu)犧牲電(dian)(dian)(dian)(dian)流(liu)(liu)傳(chuan)輸(shu)能力(li)(li)和不(bu)影響集(ji)(ji)(ji)流(liu)(liu)柵(zha)(zha)(zha)線(xian)(xian)(xian)(xian)(xian)(xian)與硅(gui)(gui)(gui)基底(di)(di)(di)邊(bian)緣(yuan)(yuan)區(qu)(qu)域(yu)(yu)(yu)之(zhi)(zhi)間(jian)(jian)(jian)(jian)附(fu)著(zhu)(zhu)力(li)(li)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)情(qing)況(kuang)下降低(di)(di)電(dian)(dian)(dian)(dian)極(ji)漿料(liao)耗量的(de)(de)(de)(de)(de)(de)效果，從(cong)(cong)而(er)降低(di)(di)太(tai)陽電(dian)(dian)(dian)(dian)池的(de)(de)(de)(de)(de)(de)商業化成(cheng)(cheng)本。

技術特征：

1.一種太陽(yang)電(dian)(dian)池，其(qi)特征(zheng)在(zai)于，包(bao)括(kuo)硅基(ji)底，所(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)硅基(ji)底背面的(de)(de)(de)邊(bian)(bian)(bian)緣(yuan)區域(yu)(yu)包(bao)括(kuo)微結(jie)構(gou)單(dan)元陣列(lie)，所(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)微結(jie)構(gou)單(dan)元陣列(lie)為(wei)多個微結(jie)構(gou)單(dan)元交(jiao)疊形成的(de)(de)(de)線(xian)(xian)條狀結(jie)構(gou)，所(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)太陽(yang)電(dian)(dian)池還(huan)包(bao)括(kuo)集流(liu)(liu)柵(zha)線(xian)(xian)，其(qi)中(zhong)，在(zai)所(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)邊(bian)(bian)(bian)緣(yuan)區域(yu)(yu)，所(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)集流(liu)(liu)柵(zha)線(xian)(xian)與(yu)(yu)所(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)微結(jie)構(gou)單(dan)元陣列(lie)之間的(de)(de)(de)夾(jia)角為(wei)α，8°≤α≤15°；所(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)邊(bian)(bian)(bian)緣(yuan)區域(yu)(yu)包(bao)括(kuo)：從(cong)所(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)硅基(ji)底的(de)(de)(de)指(zhi)定邊(bian)(bian)(bian)緣(yuan)向沿平行于所(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)集流(liu)(liu)柵(zha)線(xian)(xian)的(de)(de)(de)方向上延伸(shen)指(zhi)定邊(bian)(bian)(bian)長(chang)的(de)(de)(de)1/9長(chang)度所(suo)(suo)(suo)(suo)對(dui)應的(de)(de)(de)區域(yu)(yu)，所(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)指(zhi)定邊(bian)(bian)(bian)緣(yuan)為(wei)所(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)硅基(ji)底中(zhong)與(yu)(yu)所(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)集流(liu)(liu)柵(zha)線(xian)(xian)延伸(shen)方向相(xiang)垂直的(de)(de)(de)邊(bian)(bian)(bian)緣(yuan)，所(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)指(zhi)定邊(bian)(bian)(bian)長(chang)為(wei)與(yu)(yu)所(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)集流(liu)(liu)柵(zha)線(xian)(xian)的(de)(de)(de)延伸(shen)方向相(xiang)平行的(de)(de)(de)邊(bian)(bian)(bian)的(de)(de)(de)長(chang)度。

2.根據權利要(yao)求1所述的(de)太陽電池，其特征在于，所述邊緣區域包括相對設置的(de)第(di)一邊緣子(zi)區域和第(di)二邊緣子(zi)區域。

3.根(gen)據權利(li)要求1所述(shu)的太陽電池，其特(te)征在(zai)于，所述(shu)微(wei)結構單元(yuan)陣(zhen)列(lie)所在(zai)的平(ping)面與所述(shu)硅基底背(bei)面具有高(gao)度(du)(du)(du)差，且所述(shu)微(wei)結構單元(yuan)陣(zhen)列(lie)所在(zai)的平(ping)面高(gao)度(du)(du)(du)低于所述(shu)硅基底背(bei)面所在(zai)的平(ping)面高(gao)度(du)(du)(du)。

4.根據權利要求1所述的太陽電池，其特(te)征在(zai)于，所述微(wei)結構單元(yuan)陣列之間(jian)相(xiang)互平(ping)行。

5.根(gen)據權利(li)要(yao)求1~4任(ren)一(yi)(yi)項所(suo)(suo)述(shu)(shu)的(de)太陽電池，其特征在于，所(suo)(suo)述(shu)(shu)邊緣區(qu)(qu)域包(bao)括交替(ti)設置的(de)第(di)(di)一(yi)(yi)摻雜(za)區(qu)(qu)和第(di)(di)二(er)摻雜(za)區(qu)(qu)；所(suo)(suo)述(shu)(shu)第(di)(di)一(yi)(yi)摻雜(za)區(qu)(qu)形成(cheng)有(you)第(di)(di)一(yi)(yi)微(wei)結(jie)構(gou)單(dan)(dan)元(yuan)(yuan)陣(zhen)列(lie)(lie)，所(suo)(suo)述(shu)(shu)第(di)(di)一(yi)(yi)微(wei)結(jie)構(gou)單(dan)(dan)元(yuan)(yuan)陣(zhen)列(lie)(lie)中(zhong)包(bao)括第(di)(di)一(yi)(yi)微(wei)結(jie)構(gou)單(dan)(dan)元(yuan)(yuan)；所(suo)(suo)述(shu)(shu)第(di)(di)二(er)摻雜(za)區(qu)(qu)形成(cheng)有(you)第(di)(di)二(er)微(wei)結(jie)構(gou)單(dan)(dan)元(yuan)(yuan)陣(zhen)列(lie)(lie)，所(suo)(suo)述(shu)(shu)第(di)(di)二(er)微(wei)結(jie)構(gou)單(dan)(dan)元(yuan)(yuan)陣(zhen)列(lie)(lie)中(zhong)包(bao)括第(di)(di)二(er)微(wei)結(jie)構(gou)單(dan)(dan)元(yuan)(yuan)；所(suo)(suo)述(shu)(shu)第(di)(di)一(yi)(yi)微(wei)結(jie)構(gou)單(dan)(dan)元(yuan)(yuan)和所(suo)(suo)述(shu)(shu)第(di)(di)二(er)微(wei)結(jie)構(gou)單(dan)(dan)元(yuan)(yuan)的(de)尺寸不同。

6.根(gen)據權利(li)要求5所述的(de)太陽電池，其特征在于，所述第一微結(jie)構(gou)單元的(de)尺(chi)寸小于所述第二微結(jie)構(gou)單元的(de)尺(chi)寸。

7.根據權利要(yao)求6所述(shu)的(de)太陽電池，其特(te)征在于，所述(shu)第(di)一微結構單(dan)元的(de)尺寸為(wei)8μm~15μm，所述(shu)第(di)二微結構單(dan)元的(de)尺寸為(wei)20μm~35μm。

8.根(gen)據(ju)權利要求1~4任一項所(suo)述(shu)的(de)太陽電池，其(qi)特征在于，所(suo)述(shu)太陽電池的(de)背(bei)面(mian)還包括鈍(dun)化接(jie)觸(chu)(chu)結(jie)構(gou)，其(qi)中，所(suo)述(shu)鈍(dun)化接(jie)觸(chu)(chu)結(jie)構(gou)包括界面(mian)隧穿鈍(dun)化膜(mo)層(ceng)(ceng)和摻雜多晶硅膜(mo)層(ceng)(ceng)。

9.根據權利要求(qiu)1~4任一項所(suo)述(shu)的(de)太(tai)陽(yang)電池(chi)，其特征(zheng)在于，所(suo)述(shu)太(tai)陽(yang)電池(chi)還包(bao)括(kuo)背面鈍(dun)化膜層結(jie)構，其中，所(suo)述(shu)背面鈍(dun)化膜層結(jie)構的(de)材料包(bao)括(kuo)氧化鋁(lv)。

10.一(yi)種光伏組(zu)件，其特(te)征在于，所述光伏組(zu)件包括(kuo)權利要求(qiu)1~9任一(yi)項所述的太陽電池。

技術總結
本申請提供了一種太陽電池及光伏組件，其中太陽電池包括硅基底，硅基底背面的邊緣區域包括微結構單元陣列，微結構單元陣列為多個微結構單元交疊形成的線條狀結構，太陽電池還包括集流柵線，在邊緣區域，集流柵線與微結構單元陣列之間的夾角為α，8°≤α≤15°。本申請能夠提高集流柵線對載流子的傳輸能力，還能夠降低太陽電池的商業化成本。

技術研發人員：楊藝,甘芹,孟夏杰
受保護的技術使用者：通威太陽能（成都）有限公司
技術研發日：
技術公布日：2024/9/19