本領域(yu)涉及直接(jie)結(jie)合的框架晶片(pian)。
背景技術:
1、許(xu)多(duo)電(dian)(dian)子器(qi)件包(bao)括(kuo)填(tian)(tian)充(chong)流體(ti)或(huo)填(tian)(tian)充(chong)空(kong)氣(qi)(qi)的(de)腔(qiang)體(ti)。例如,在(zai)一(yi)些(xie)應(ying)(ying)用中(zhong),與包(bao)覆模制(zhi)管芯相反,在(zai)填(tian)(tian)充(chong)空(kong)氣(qi)(qi)的(de)腔(qiang)體(ti)內提供集成器(qi)件管芯以(yi)便避免(mian)熱誘(you)發應(ying)(ying)力或(huo)出于其(qi)(qi)他考(kao)慮(lv)可能是有益的(de)。作為(wei)另一(yi)示例,一(yi)些(xie)微(wei)機電(dian)(dian)系統(microelectromechanical?system,mems)器(qi)件包(bao)括(kuo)用于諸(zhu)如麥克風、氣(qi)(qi)體(ti)傳感器(qi)等應(ying)(ying)用的(de)腔(qiang)體(ti)。許(xu)多(duo)其(qi)(qi)他類型(xing)的(de)器(qi)件也利用填(tian)(tian)充(chong)空(kong)氣(qi)(qi)的(de)腔(qiang)體(ti)。相應(ying)(ying)地,對于具有腔(qiang)體(ti)的(de)電(dian)(dian)子器(qi)件仍有持續的(de)需求。
技術實現思路
1.一種方法(fa),包括:
2.根據權(quan)利要求1所述(shu)的方法,其(qi)中(zhong)形成(cheng)所述(shu)開口包括(kuo):
3.根據權利要求2所述的方(fang)(fang)法,其中形成所述開(kai)口(kou)包(bao)括在所述第(di)一方(fang)(fang)向上完全地蝕刻穿過(guo)所述主(zhu)體(ti)部分。
4.根據權利要求2或3所(suo)述(shu)的方法,其中(zhong)形成所(suo)述(shu)開口包括在所(suo)述(shu)第(di)一(yi)方向上蝕刻穿(chuan)過所(suo)述(shu)第(di)二結合層。
5.根(gen)據權利要(yao)求2所(suo)(suo)述(shu)(shu)的(de)方法,其(qi)中形成所(suo)(suo)述(shu)(shu)開口還包(bao)括:在(zai)從所(suo)(suo)述(shu)(shu)框架元件的(de)所(suo)(suo)述(shu)(shu)第二(er)側(ce)朝向所(suo)(suo)述(shu)(shu)框架元件的(de)所(suo)(suo)述(shu)(shu)第一側(ce)的(de)第二(er)方向上部(bu)分地蝕刻穿過所(suo)(suo)述(shu)(shu)主體(ti)部(bu)分。
6.根據權利(li)要求2、3或(huo)5所(suo)(suo)述(shu)的方(fang)法,其(qi)中形成所(suo)(suo)述(shu)開口還包括:在從所(suo)(suo)述(shu)框(kuang)架(jia)元(yuan)件的所(suo)(suo)述(shu)第(di)(di)二側(ce)朝向所(suo)(suo)述(shu)框(kuang)架(jia)元(yuan)件的所(suo)(suo)述(shu)第(di)(di)一側(ce)的第(di)(di)二方(fang)向上蝕刻穿過(guo)所(suo)(suo)述(shu)第(di)(di)二結合層。
7.根據(ju)權利要求1至6中任一(yi)項(xiang)所(suo)述的方法,還(huan)包括:在形成(cheng)所(suo)述開口之前,將所(suo)述框架元(yuan)件安裝到支(zhi)撐(cheng)件。
8.根據權利要求7所(suo)述(shu)(shu)的方法,其(qi)中將所(suo)述(shu)(shu)框架(jia)安裝(zhuang)到支撐件(jian)包括:將所(suo)述(shu)(shu)框架(jia)元件(jian)安裝(zhuang)到具有(you)有(you)機粘合劑的剛性襯底。
9.根據(ju)權(quan)利要求7所述的方法,其中(zhong)將(jiang)所述框(kuang)架安(an)裝(zhuang)到支撐件包括:將(jiang)所述框(kuang)架元件安(an)裝(zhuang)到膠帶。
10.根(gen)據權利要求7所(suo)述的(de)方法,其(qi)中將所(suo)述框架(jia)安裝到支(zhi)撐件包括:在沒有粘合劑(ji)的(de)情況(kuang)下將所(suo)述框架(jia)元(yuan)件直接(jie)結合到剛(gang)性襯底。
11.根據權利要求10所(suo)述(shu)的方法,其(qi)中所(suo)述(shu)襯底包括無機結(jie)(jie)合層(ceng),所(suo)述(shu)無機結(jie)(jie)合層(ceng)包括氮化硅。
12.根據權利要求11所(suo)述的(de)方(fang)法,其中所(suo)述無機結合層具有在100μj/m2至1000μj/m2的(de)范圍內的(de)結合能量(liang)。
13.根據(ju)權利要求(qiu)11所述(shu)的方法,其(qi)中所述(shu)無機(ji)結合層(ceng)包括揮發性成分,所述(shu)揮發性成分在被加(jia)熱(re)時減弱(ruo)結合強(qiang)度(du)。
14.根據權利要求(qiu)7至11中(zhong)任一項所述(shu)(shu)的方(fang)法,其中(zhong)將所述(shu)(shu)第一元(yuan)件直接結合(he)到所述(shu)(shu)框架(jia)元(yuan)件的所述(shu)(shu)第一結合(he)層是在(zai)將所述(shu)(shu)框架(jia)元(yuan)件安裝到支撐(cheng)件之(zhi)后執行(xing)的。
15.根據權利要求14所(suo)(suo)述的方法(fa),還(huan)包括(kuo):在(zai)將所(suo)(suo)述第一元件直接結合到所(suo)(suo)述框(kuang)架(jia)元件的所(suo)(suo)述第一結合層之后,將所(suo)(suo)述支撐件從所(suo)(suo)述框(kuang)架(jia)元件移除。
16.根據權利要求15所(suo)(suo)(suo)述的方(fang)法,其(qi)中將(jiang)所(suo)(suo)(suo)述第(di)二元(yuan)件(jian)直(zhi)接結合到所(suo)(suo)(suo)述框架元(yuan)件(jian)的所(suo)(suo)(suo)述第(di)二結合層是在(zai)將(jiang)所(suo)(suo)(suo)述支撐件(jian)從所(suo)(suo)(suo)述框架元(yuan)件(jian)移(yi)除(chu)之后執(zhi)行的。
17.根據權利要求(qiu)1至16中任(ren)一項所述的(de)方法,還包括(kuo):形成穿過所述框(kuang)架(jia)元件(jian)的(de)至少一部(bu)分(fen)到達所述腔體的(de)通氣孔。
18.根據權(quan)利要求(qiu)17所(suo)(suo)述(shu)的方法,還包括(kuo):在將所(suo)(suo)述(shu)第一元(yuan)件直接結合到所(suo)(suo)述(shu)框架元(yuan)件的所(suo)(suo)述(shu)第一結合層之(zhi)后,形成所(suo)(suo)述(shu)通(tong)氣孔。
19.根據權利(li)要求1至18中(zhong)任一(yi)項(xiang)所(suo)述(shu)的(de)方法(fa),其中(zhong)將所(suo)述(shu)第一(yi)元件(jian)(jian)直接(jie)(jie)結(jie)合到所(suo)述(shu)框(kuang)架(jia)元件(jian)(jian)的(de)所(suo)述(shu)第一(yi)結(jie)合層包(bao)括:在沒有(you)粘合劑的(de)情況下,將所(suo)述(shu)第一(yi)元件(jian)(jian)的(de)導(dao)(dao)電接(jie)(jie)觸特(te)征(zheng)直接(jie)(jie)結(jie)合到所(suo)述(shu)框(kuang)架(jia)元件(jian)(jian)的(de)對(dui)應(ying)導(dao)(dao)電接(jie)(jie)觸特(te)征(zheng)。
20.根據權利(li)要求19所(suo)(suo)述(shu)的(de)方法(fa),其(qi)中將(jiang)所(suo)(suo)述(shu)第(di)二(er)元(yuan)件(jian)(jian)直(zhi)接結合(he)(he)到所(suo)(suo)述(shu)框架(jia)元(yuan)件(jian)(jian)的(de)所(suo)(suo)述(shu)第(di)二(er)結合(he)(he)層包(bao)括:在沒(mei)有粘合(he)(he)劑(ji)的(de)情況(kuang)下,將(jiang)所(suo)(suo)述(shu)第(di)二(er)元(yuan)件(jian)(jian)的(de)導電(dian)接觸(chu)特(te)征直(zhi)接結合(he)(he)到所(suo)(suo)述(shu)框架(jia)元(yuan)件(jian)(jian)的(de)對應(ying)導電(dian)接觸(chu)特(te)征。
21.根據(ju)權(quan)利要求19或(huo)20所(suo)述(shu)的(de)方(fang)法,其中將(jiang)所(suo)述(shu)第(di)一(yi)元(yuan)件(jian)直(zhi)接結(jie)(jie)(jie)合(he)到(dao)(dao)所(suo)述(shu)框架元(yuan)件(jian)的(de)所(suo)述(shu)第(di)一(yi)結(jie)(jie)(jie)合(he)層包括:將(jiang)所(suo)述(shu)第(di)一(yi)元(yuan)件(jian)的(de)非(fei)導電結(jie)(jie)(jie)合(he)層直(zhi)接結(jie)(jie)(jie)合(he)到(dao)(dao)所(suo)述(shu)框架元(yuan)件(jian)的(de)非(fei)導電結(jie)(jie)(jie)合(he)層。
22.根據(ju)權利(li)要求(qiu)19和20所(suo)述(shu)的(de)方法,還包(bao)括(kuo):提供穿過所(suo)述(shu)框架元件的(de)導電(dian)襯底通孔(tsv),其中所(suo)述(shu)tsv包(bao)括(kuo)銅、鎳、鎢(wu)、鋁(lv)或多晶硅中的(de)至(zhi)少一種。
23.根(gen)據權(quan)利要求(qiu)22所(suo)(suo)述(shu)的方法,其中所(suo)(suo)述(shu)導電(dian)接觸特征包括(kuo)與所(suo)(suo)述(shu)tsv相(xiang)同的材料。
24.根據權利要求22所述的(de)方法,其中所述導電(dian)接(jie)觸特征包(bao)括與所述tsv不同的(de)材料。
25.根據權利要求22所述的方法(fa),其中(zhong)所述tsv的寬度大于所述導電接觸特征的寬度。
26.根據權利要(yao)求22所(suo)述(shu)的(de)方(fang)法(fa),其(qi)中所(suo)述(shu)tsv的(de)寬(kuan)(kuan)度小于所(suo)述(shu)導電(dian)接觸(chu)特征的(de)寬(kuan)(kuan)度。
27.根據權利要求22所(suo)述的方法,其(qi)中多于一個導電接觸特征在所(suo)述第一側連接到(dao)所(suo)述框架元件中的所(suo)述tsv。
28.根據權利要(yao)求22所述的方法,其中(zhong)多于一個導電接(jie)觸特征在所述第(di)一側和所述第(di)二側連接(jie)到所述框架(jia)元(yuan)件中(zhong)的所述tsv。
29.根據權(quan)利要求22所(suo)述(shu)的方(fang)法,其中(zhong)再分布層(rdl)導電跡線被(bei)設置在所(suo)述(shu)導電接觸特(te)征與所(suo)述(shu)tsv之間。
30.一(yi)種(zhong)框架(jia)元件,包括:
31.根據權利要求30所述(shu)的框架元件(jian),其中所述(shu)第(di)二結(jie)合層(ceng)包(bao)括所述(shu)開口的第(di)三(san)(san)側(ce)壁,所述(shu)第(di)三(san)(san)側(ce)壁包(bao)括第(di)三(san)(san)蝕刻(ke)標志(zhi)(zhi),所述(shu)第(di)三(san)(san)蝕刻(ke)標志(zhi)(zhi)指示(shi)在所述(shu)第(di)一方向上的第(di)三(san)(san)蝕刻(ke)過(guo)程。
32.根據(ju)權利要求31所述的(de)框架元件,其中所述第二側壁(bi)和(he)所述第三側壁(bi)在(zai)相同(tong)取向上被錐形化。
33.根據權利(li)要求32所(suo)述(shu)(shu)(shu)的框架元件(jian),其中(zhong)所(suo)述(shu)(shu)(shu)第二(er)側(ce)壁和(he)所(suo)述(shu)(shu)(shu)第三側(ce)壁沿著所(suo)述(shu)(shu)(shu)第一(yi)方(fang)向向內錐形化。
34.根據權利要求32所(suo)(suo)(suo)述(shu)的框(kuang)架元件,其中所(suo)(suo)(suo)述(shu)第二側(ce)壁和(he)所(suo)(suo)(suo)述(shu)第三(san)側(ce)壁沿著所(suo)(suo)(suo)述(shu)第一(yi)方向向外(wai)錐形(xing)化(hua)。
35.根據(ju)權利要求(qiu)30所(suo)(suo)述(shu)(shu)的框(kuang)架(jia)(jia)元件,其中所(suo)(suo)述(shu)(shu)第(di)(di)(di)二結合(he)層包括(kuo)所(suo)(suo)述(shu)(shu)開口的第(di)(di)(di)三側壁,所(suo)(suo)述(shu)(shu)第(di)(di)(di)三側壁包括(kuo)第(di)(di)(di)三蝕(shi)刻(ke)標志,所(suo)(suo)述(shu)(shu)第(di)(di)(di)三蝕(shi)刻(ke)標志指(zhi)示在(zai)從(cong)所(suo)(suo)述(shu)(shu)框(kuang)架(jia)(jia)元件的所(suo)(suo)述(shu)(shu)第(di)(di)(di)二側朝向所(suo)(suo)述(shu)(shu)框(kuang)架(jia)(jia)的所(suo)(suo)述(shu)(shu)第(di)(di)(di)一側的第(di)(di)(di)二方向上的第(di)(di)(di)三蝕(shi)刻(ke)過程。
36.根據權利要(yao)求35所(suo)述(shu)(shu)的(de)框架元件,其中所(suo)述(shu)(shu)主體部分包括所(suo)述(shu)(shu)開口(kou)的(de)第四(si)側壁,所(suo)述(shu)(shu)第四(si)側壁包括第四(si)蝕(shi)(shi)刻標志,所(suo)述(shu)(shu)第四(si)蝕(shi)(shi)刻標志指示在所(suo)述(shu)(shu)第二方向上的(de)第四(si)蝕(shi)(shi)刻過程。
37.根(gen)據權(quan)利(li)要求(qiu)36所(suo)述的框(kuang)架元件,其中所(suo)述第(di)一側(ce)壁和所(suo)述第(di)四側(ce)壁在(zai)接合部處(chu)交(jiao)匯。
38.根據權利要求37所述(shu)(shu)的(de)框架元件,其中所述(shu)(shu)接合部相對于所述(shu)(shu)第一側(ce)(ce)壁和所述(shu)(shu)第四側(ce)(ce)壁的(de)相應表面而徑向向內突出。
39.根據權利要求35至38中(zhong)任一項(xiang)所(suo)述(shu)(shu)的(de)框架元件,其中(zhong)所(suo)述(shu)(shu)第(di)二側壁和所(suo)述(shu)(shu)第(di)三側壁在相對取向上(shang)被錐形化。
40.根據權利要求30和(he)35至39中任一(yi)項所述(shu)(shu)的框架(jia)元件(jian),其中所述(shu)(shu)第(di)(di)(di)二側(ce)壁和(he)所述(shu)(shu)第(di)(di)(di)三側(ce)壁在第(di)(di)(di)三方向(xiang)上被橫向(xiang)地(di)錯位,所述(shu)(shu)第(di)(di)(di)三方向(xiang)橫向(xiang)于所述(shu)(shu)第(di)(di)(di)一(yi)方向(xiang)。
41.根據(ju)權利要求(qiu)30至40中任一(yi)(yi)項所述(shu)的(de)(de)框(kuang)架元(yuan)件,其中所述(shu)第(di)一(yi)(yi)蝕刻標(biao)(biao)(biao)志、所述(shu)第(di)二(er)蝕刻標(biao)(biao)(biao)志、所述(shu)第(di)三蝕刻標(biao)(biao)(biao)志和(he)所述(shu)第(di)四蝕刻標(biao)(biao)(biao)志中的(de)(de)任何一(yi)(yi)個蝕刻標(biao)(biao)(biao)志包括對(dui)應的(de)(de)所述(shu)第(di)一(yi)(yi)側(ce)(ce)(ce)壁、所述(shu)第(di)二(er)側(ce)(ce)(ce)壁、所述(shu)第(di)三側(ce)(ce)(ce)壁和(he)所述(shu)第(di)四側(ce)(ce)(ce)壁中的(de)(de)相應條紋。
42.根據(ju)權利(li)要(yao)求30至41中(zhong)任(ren)一(yi)(yi)項所(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)的框架元件,其(qi)中(zhong)所(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)第(di)(di)(di)一(yi)(yi)蝕刻標(biao)(biao)志(zhi)(zhi)、所(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)第(di)(di)(di)二蝕刻標(biao)(biao)志(zhi)(zhi)、所(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)第(di)(di)(di)三(san)蝕刻標(biao)(biao)志(zhi)(zhi)和所(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)第(di)(di)(di)四(si)蝕刻標(biao)(biao)志(zhi)(zhi)中(zhong)的任(ren)何一(yi)(yi)個蝕刻標(biao)(biao)志(zhi)(zhi)包括對(dui)應(ying)的所(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)第(di)(di)(di)一(yi)(yi)側(ce)(ce)壁、所(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)第(di)(di)(di)二側(ce)(ce)壁、所(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)第(di)(di)(di)三(san)側(ce)(ce)壁和所(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)第(di)(di)(di)四(si)側(ce)(ce)壁中(zhong)的相應(ying)錐度角。
43.根(gen)據權利要求30至42中任(ren)一項(xiang)所述的框架(jia)元件(jian),其中所述主體部分包(bao)括半導體材料。
44.根(gen)據權利要求43所述的框(kuang)架元件,其中所述半(ban)導體(ti)部分(fen)包(bao)括硅。
45.根據權利要(yao)求30至(zhi)(zhi)44中(zhong)(zhong)任一項所(suo)述的框架(jia)元件,其中(zhong)(zhong)所(suo)述第(di)一結(jie)(jie)合層包括(kuo)第(di)一非導電結(jie)(jie)合層,其中(zhong)(zhong)第(di)一導電接(jie)觸(chu)特征至(zhi)(zhi)少部分地(di)嵌入在所(suo)述第(di)一非導電結(jie)(jie)合層中(zhong)(zhong)。
46.根據權(quan)利要求45所(suo)述的框架元件,其中所(suo)述第(di)(di)二結(jie)合層(ceng)(ceng)包括(kuo)第(di)(di)二非導電(dian)結(jie)合層(ceng)(ceng),其中第(di)(di)二導電(dian)接觸特(te)征至少部(bu)分地嵌(qian)入在所(suo)述第(di)(di)二非導電(dian)結(jie)合層(ceng)(ceng)中。
47.根據權利要(yao)求(qiu)45或(huo)46所(suo)述的(de)框架(jia)元件,還包括:延伸穿過所(suo)述框架(jia)元件的(de)導電(dian)襯底通孔(tsv),所(suo)述tsv包括或(huo)連接(jie)(jie)(jie)到所(suo)述第一(yi)導電(dian)接(jie)(jie)(jie)觸特征(zheng)和所(suo)述第二(er)導電(dian)接(jie)(jie)(jie)觸特征(zheng)。
48.根(gen)據權利要求47所述的(de)框架(jia)元件,其中(zhong)所述tsv包括銅、鎳、鎢(wu)、鋁或多晶硅中(zhong)的(de)至(zhi)少一種(zhong)。
49.根據權利要求47或48所述(shu)的(de)方法(fa),其中所述(shu)導電接(jie)觸特征包(bao)括與(yu)所述(shu)tsv相同的(de)材料。
50.根據權(quan)利要求47或(huo)48所(suo)述(shu)的(de)方法,其(qi)中所(suo)述(shu)導電接觸(chu)特征包括與(yu)所(suo)述(shu)tsv不同的(de)材料(liao)。
51.根據(ju)權利(li)要求47所(suo)述的方法(fa),其中所(suo)述tsv的寬(kuan)度大于(yu)所(suo)述導電接(jie)觸特征的寬(kuan)度。
52.根據權(quan)利要(yao)求(qiu)47所(suo)述的方法,其(qi)中(zhong)所(suo)述tsv的寬(kuan)度小于所(suo)述導電(dian)接觸特征的寬(kuan)度。
53.根據權利(li)要求47所述的(de)方法(fa),其中多于一(yi)個導電接觸特征在所述第一(yi)側連接到所述框架元件中的(de)所述tsv。
54.根據權利要求47所述的(de)方法,其中多于一個導(dao)電(dian)接觸特征在所述第一側和所述第二側連接到所述框架元件中的(de)所述tsv。
55.根據權利要求(qiu)47所(suo)述(shu)的方法,其(qi)中再(zai)分布層(rdl)導電跡線被設置在(zai)所(suo)述(shu)導電接觸特(te)征(zheng)與所(suo)述(shu)tsv之間。
56.根據權利要求30至47中(zhong)任(ren)一(yi)項(xiang)所述的框架元件,其中(zhong)所述第一(yi)非導電(dian)結(jie)合層(ceng)和所述第二非導電(dian)結(jie)合層(ceng)中(zhong)的至少(shao)一(yi)者包括氧(yang)化(hua)硅。
57.根據權利要求30至(zhi)56中(zhong)(zhong)任一(yi)項所述(shu)的框架元(yuan)件,其中(zhong)(zhong)所述(shu)第一(yi)結(jie)合層(ceng)(ceng)和(he)所述(shu)第二結(jie)合層(ceng)(ceng)被拋光。
58.一(yi)(yi)(yi)種結(jie)合(he)(he)結(jie)構,包括(kuo)根據(ju)權利(li)要求30至(zhi)57中任一(yi)(yi)(yi)項(xiang)所(suo)(suo)述(shu)(shu)的(de)框架元件(jian)(jian)(jian),所(suo)(suo)述(shu)(shu)結(jie)合(he)(he)結(jie)構包括(kuo)第(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)元件(jian)(jian)(jian)和第(di)(di)(di)(di)二(er)元件(jian)(jian)(jian),所(suo)(suo)述(shu)(shu)第(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)元件(jian)(jian)(jian)在(zai)(zai)沒有介入粘合(he)(he)劑(ji)的(de)情(qing)況(kuang)下被直接(jie)(jie)結(jie)合(he)(he)到所(suo)(suo)述(shu)(shu)框架元件(jian)(jian)(jian)的(de)所(suo)(suo)述(shu)(shu)第(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)側(ce),所(suo)(suo)述(shu)(shu)第(di)(di)(di)(di)二(er)元件(jian)(jian)(jian)在(zai)(zai)沒有介入粘合(he)(he)劑(ji)的(de)情(qing)況(kuang)下被直接(jie)(jie)結(jie)合(he)(he)到所(suo)(suo)述(shu)(shu)框架元件(jian)(jian)(jian)的(de)所(suo)(suo)述(shu)(shu)第(di)(di)(di)(di)二(er)側(ce),所(suo)(suo)述(shu)(shu)結(jie)合(he)(he)結(jie)構包括(kuo)至(zhi)少部分地由所(suo)(suo)述(shu)(shu)開口定(ding)義的(de)腔體。
59.根據權利要求(qiu)58所(suo)述(shu)的結(jie)合結(jie)構,其中所(suo)述(shu)第(di)一元(yuan)件(jian)的第(di)三(san)導電接觸特(te)征在沒有粘合劑的情況下(xia)被直(zhi)接結(jie)合到所(suo)述(shu)框架(jia)元(yuan)件(jian)的所(suo)述(shu)第(di)一導電接觸特(te)征。
60.根(gen)據權利要求59所(suo)述的(de)結(jie)(jie)合結(jie)(jie)構,其中(zhong)所(suo)述第二元件的(de)第四導電(dian)接(jie)觸(chu)(chu)特征(zheng)被直(zhi)接(jie)結(jie)(jie)合到所(suo)述框架元件的(de)所(suo)述第二導電(dian)接(jie)觸(chu)(chu)特征(zheng)。
61.根據權利要(yao)求58至(zhi)60中(zhong)任一(yi)(yi)項所(suo)(suo)述的(de)結(jie)(jie)合(he)結(jie)(jie)構,其中(zhong)所(suo)(suo)述框架(jia)元件(jian)的(de)所(suo)(suo)述第一(yi)(yi)非導電結(jie)(jie)合(he)層被(bei)直接結(jie)(jie)合(he)到所(suo)(suo)述第一(yi)(yi)元件(jian)的(de)第三非導電結(jie)(jie)合(he)層。
62.根據權利要求61所(suo)述(shu)的(de)結(jie)合(he)(he)結(jie)構,其中所(suo)述(shu)框架元件的(de)所(suo)述(shu)第(di)二非(fei)導電結(jie)合(he)(he)層(ceng)被直接結(jie)合(he)(he)到所(suo)述(shu)第(di)二元件的(de)第(di)四非(fei)導電結(jie)合(he)(he)層(ceng)。
63.根據權利要求58至(zhi)62中(zhong)任一(yi)項所述(shu)(shu)(shu)的(de)結(jie)合結(jie)構,還包(bao)括一(yi)個(ge)(ge)(ge)或(huo)多(duo)個(ge)(ge)(ge)器件(jian)(jian)(jian)(jian)(jian),所述(shu)(shu)(shu)一(yi)個(ge)(ge)(ge)或(huo)多(duo)個(ge)(ge)(ge)器件(jian)(jian)(jian)(jian)(jian)被安裝到(dao)(dao)所述(shu)(shu)(shu)第(di)一(yi)元(yuan)件(jian)(jian)(jian)(jian)(jian)和(he)所述(shu)(shu)(shu)第(di)二元(yuan)件(jian)(jian)(jian)(jian)(jian)中(zhong)的(de)至(zhi)少一(yi)個(ge)(ge)(ge)元(yuan)件(jian)(jian)(jian)(jian)(jian),或(huo)者由(you)所述(shu)(shu)(shu)第(di)一(yi)元(yuan)件(jian)(jian)(jian)(jian)(jian)和(he)所述(shu)(shu)(shu)第(di)二元(yuan)件(jian)(jian)(jian)(jian)(jian)中(zhong)的(de)至(zhi)少一(yi)個(ge)(ge)(ge)元(yuan)件(jian)(jian)(jian)(jian)(jian)形成,所述(shu)(shu)(shu)一(yi)個(ge)(ge)(ge)或(huo)多(duo)個(ge)(ge)(ge)器件(jian)(jian)(jian)(jian)(jian)延伸到(dao)(dao)所述(shu)(shu)(shu)腔體(ti)中(zhong)或(huo)暴露于(yu)所述(shu)(shu)(shu)腔體(ti)。
64.根據權(quan)利要(yao)求63所(suo)述(shu)的結合(he)結構,其中(zhong)所(suo)述(shu)一個或多個器件(jian)(jian)包(bao)括(kuo)集成器件(jian)(jian)管芯。
65.根據(ju)權利要求58至64中任一項所述(shu)的(de)結合(he)結構,還包括從(cong)所述(shu)腔體延伸(shen)到外部環境的(de)通氣孔。
66.根據權利要求30至65中任一項所述(shu)的(de)框架(jia)元件(jian),其(qi)中所述(shu)開口的(de)寬度在0.5mm至30mm的(de)范圍內。