背景技術：

1、隨(sui)著半導(dao)體組件幾何尺寸不(bu)斷的(de)減(jian)小，超清(qing)(qing)潔(jie)處理(li)的(de)重(zhong)要性(xing)增(zeng)加，因為即使是少量的(de)污染(ran)物(wu)/殘(can)(can)留物(wu)也會顯(xian)著地影響組件性(xing)能。與其它處理(li)步(bu)(bu)驟相(xiang)比(bi)，化(hua)學機(ji)(ji)械拋(pao)光/平面(mian)化(hua)(chemical?mechanical?polishing/planarization，cmp)是一種高污染(ran)制程，因為基材(cai)(cai)與拋(pao)光組合物(wu)接觸，拋(pao)光組合物(wu)包(bao)括作用(yong)于基材(cai)(cai)表面(mian)上(shang)的(de)磨料(無(wu)機(ji)(ji)顆(ke)粒(li))及(ji)化(hua)學組分(fen)，兩者(zhe)都(dou)可(ke)(ke)能留下(xia)(xia)殘(can)(can)留/污染(ran)。可(ke)(ke)采(cai)用(yong)后(hou)化(hua)學機(ji)(ji)械拋(pao)光(post-chemical?mechanicalpolishing，pcmp)及(ji)/或在(zai)液(ye)(或浴(yu)(yu))槽(cao)內的(de)水(shui)性(xing)清(qing)(qing)洗(xi)(xi)，接著沖洗(xi)(xi)浴(yu)(yu)(如，在(zai)單獨的(de)槽(cao)內，或通(tong)過更換清(qing)(qing)洗(xi)(xi)槽(cao)液(ye))來嘗試去除拋(pao)光步(bu)(bu)驟后(hou)的(de)缺陷。從沖洗(xi)(xi)浴(yu)(yu)中(zhong)取出(chu)后(hou)，在(zai)不(bu)使用(yong)干燥(zao)設備(bei)的(de)情況下(xia)(xia)，浴(yu)(yu)液(ye)可(ke)(ke)能會從基材(cai)(cai)表面(mian)蒸發并在(zai)基材(cai)(cai)表面(mian)上(shang)產生條紋(wen)、斑點(dian)及(ji)/或留下(xia)(xia)浴(yu)(yu)液(ye)殘(can)(can)留物(wu)。這種條紋(wen)、斑點(dian)及(ji)殘(can)(can)留物(wu)可(ke)(ke)能導(dao)致后(hou)續(xu)的(de)組件失效。因此，很多(duo)注(zhu)意力都(dou)集中(zhong)在(zai)改善從水(shui)浴(yu)(yu)中(zhong)取出(chu)基材(cai)(cai)后(hou)將其干燥(zao)的(de)方(fang)法上(shang)。此外，在(zai)沖洗(xi)(xi)浴(yu)(yu)之前采(cai)取的(de)水(shui)性(xing)清(qing)(qing)潔(jie)步(bu)(bu)驟(如，pcmp清(qing)(qing)潔(jie)及(ji)/或使用(yong)水(shui)性(xing)清(qing)(qing)潔(jie)槽(cao))可(ke)(ke)能無(wu)法充分(fen)地清(qing)(qing)潔(jie)在(zai)晶圓(yuan)上(shang)執行的(de)cmp制程后(hou)留下(xia)(xia)的(de)有(you)機(ji)(ji)或無(wu)機(ji)(ji)殘(can)(can)留物(wu)。

2、一種稱為(wei)marangoni干燥(zao)(也稱為(wei)表(biao)(biao)面張力(li)梯(ti)(ti)度(du)干燥(zao)或ipa蒸氣干燥(zao))的方法會產生表(biao)(biao)面張力(li)梯(ti)(ti)度(du)，以誘導浴(yu)液以使得(de)基材(cai)上幾乎沒有(you)浴(yu)液殘留的方式從(cong)基材(cai)排出，因此可(ke)避免條紋、斑點及殘留痕跡。

3、實現基(ji)材(cai)的均勻(yun)marangoni干(gan)燥可(ke)能(neng)很困難(nan)，且在某些情(qing)況下(xia)，除了在后(hou)拋光(guang)清潔步(bu)驟之(zhi)后(hou)可(ke)能(neng)殘留的任(ren)何污染之(zhi)外(wai)，來自浴液的顆粒也可(ke)能(neng)會重新附著并因此污染基(ji)材(cai)。因此，在基(ji)材(cai)沖洗及/或干(gan)燥過程中(zhong)減少缺陷的方(fang)法可(ke)能(neng)對半導體工業有用。

技術實現思路

1、此概要是提供(gong)來介紹將(jiang)在(zai)以下詳細說明中進一(yi)步描述的(de)概念的(de)選擇。此概要不(bu)旨在(zai)識別請(qing)求保護目標的(de)關鍵或基本特征(zheng)，也不(bu)旨在(zai)用作限(xian)制請(qing)求保護目標范疇的(de)輔助。

2、一方(fang)面，本申請(qing)的特征在(zai)于一種方(fang)法(fa)，其(qi)包括(1)將拋(pao)光(guang)組合物施加至基(ji)(ji)材的表(biao)(biao)面；(2)使墊與該(gai)基(ji)(ji)材的該(gai)表(biao)(biao)面接觸并相(xiang)對(dui)于該(gai)基(ji)(ji)材移動(dong)該(gai)墊，以產生經(jing)(jing)拋(pao)光(guang)基(ji)(ji)材；(3)以沖洗溶劑(ji)(ji)處理該(gai)經(jing)(jing)拋(pao)光(guang)基(ji)(ji)材；及(ji)(4)使蒸(zheng)氣流過彎(wan)月(yue)面，該(gai)彎(wan)月(yue)面形成(cheng)在(zai)該(gai)經(jing)(jing)拋(pao)光(guang)基(ji)(ji)材上的空氣與該(gai)沖洗溶劑(ji)(ji)之間的界面處。該(gai)蒸(zheng)氣可(ke)包括第一組分(fen)，其(qi)含(han)有(you)(you)水溶混性(xing)有(you)(you)機溶劑(ji)(ji)；第二(er)組分(fen)，其(qi)含(han)有(you)(you)清潔劑(ji)(ji)；及(ji)第三組分(fen)，其(qi)含(han)有(you)(you)惰性(xing)氣體。

3、根據以下(xia)描述及所附權(quan)利(li)要求，請(qing)求保護主(zhu)題的其(qi)他方面及優點(dian)將顯而易見(jian)。

1.一種方法，其(qi)包括(kuo)：

2.如權利要求1所(suo)述的方法，其中，所(suo)述第一組分具(ju)有在20℃下約1kpa至約250kpa的蒸氣壓。

3.如(ru)權利要求1所(suo)(suo)述的方(fang)法(fa)，其中，所(suo)(suo)述第一組(zu)分是選自于由下(xia)列(lie)所(suo)(suo)組(zu)成的群組(zu)：乙(yi)醇(chun)、異(yi)丙(bing)醇(chun)、丙(bing)二醇(chun)正丙(bing)醚、n-甲基吡咯烷酮、丙(bing)酮、四氫呋喃、乙(yi)酸(suan)異(yi)戊酯(zhi)及其混合物(wu)。

4.如(ru)權利要求1所述(shu)的方法(fa)，其中(zhong)，所述(shu)第(di)二組分是(shi)包括氮(dan)的有機(ji)堿(jian)。

5.如權利要求(qiu)4所述的(de)方法，其中，所述有機堿具有最多(duo)約150g/mol的(de)分子量(liang)。

6.如權(quan)利要求(qiu)4所(suo)述(shu)的方法(fa)，其(qi)中，所(suo)述(shu)有(you)機堿在(zai)1atm的壓力下具有(you)約(yue)30℃至約(yue)170℃的沸(fei)點(dian)。

7.如權(quan)利要求1所述(shu)(shu)的方法，其中(zhong)，所述(shu)(shu)第(di)二組分(fen)是選自于由(you)下列(lie)所組成的群(qun)組：氫氧(yang)化四(si)烷(wan)銨、1-甲基(ji)(ji)哌啶、4-甲基(ji)(ji)哌啶、1,1,3,3-四(si)甲基(ji)(ji)胍、嗎啉(lin)、哌啶、3-甲氧(yang)基(ji)(ji)丙(bing)胺、二丙(bing)胺、異丙(bing)胺及其混合物。

8.如權(quan)利要求7所(suo)述的方法，其中，所(suo)述氫氧(yang)化四(si)(si)烷銨是選(xuan)自于由下列所(suo)組(zu)成的群組(zu)：氫氧(yang)化四(si)(si)甲(jia)銨、氫氧(yang)化四(si)(si)乙銨、氫氧(yang)化四(si)(si)丁銨、氫氧(yang)化乙三甲(jia)銨、氫氧(yang)化二(er)乙二(er)甲(jia)銨及其混合(he)物。

9.如權利要求1所述(shu)的方法，其中，所述(shu)方法進一步包括：

10.如(ru)權利要(yao)求9所述(shu)的方(fang)法(fa)，其中(zhong)，所述(shu)第二組分占所述(shu)濃(nong)縮物(wu)的約(yue)0.001重量％至約(yue)5重量％。

11.如權利要求(qiu)9所(suo)述(shu)的方法(fa)，其(qi)中，所(suo)述(shu)濃縮物(wu)占(zhan)所(suo)述(shu)蒸(zheng)氣的約(yue)0.001重量％至約(yue)90重量％。

12.如權利要(yao)求(qiu)1所(suo)述(shu)的方法，其(qi)中，所(suo)述(shu)惰(duo)性氣(qi)體(ti)是選自于由下列所(suo)組(zu)成的群(qun)組(zu)：氮氣(qi)、氦氣(qi)、氬氣(qi)及其(qi)混合物。

13.如權利(li)要求1所述(shu)的方法(fa)，其中，所述(shu)沖(chong)洗溶劑包括(kuo)水。

14.如權(quan)利要求1所述(shu)的方法(fa)，其中所述(shu)蒸氣具有約0.01至約50標準(zhun)升/分的流速(su)。

15.如權利要求1所(suo)(suo)述的方法，其中(zhong)，以所(suo)(suo)述沖洗溶劑處理所(suo)(suo)述經拋光基材(cai)包括將所(suo)(suo)述經拋光基材(cai)置入沖洗浴液中(zhong)，所(suo)(suo)述沖洗浴液包括所(suo)(suo)述沖洗溶劑。

16.如權利要(yao)求15所(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)的方法(fa)(fa)，其(qi)中(zhong)，所(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)方法(fa)(fa)進一步包括將(jiang)所(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)經拋光基(ji)材從所(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)沖洗(xi)浴(yu)液(ye)中(zhong)取出，同(tong)時(shi)使所(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)蒸氣流過。

17.如權(quan)利要求16所(suo)(suo)(suo)述的方法，其中，使(shi)所(suo)(suo)(suo)述蒸(zheng)氣(qi)流(liu)過空氣(qi)與所(suo)(suo)(suo)述沖(chong)洗溶(rong)劑(ji)之間的界面處(chu)所(suo)(suo)(suo)形成的彎月面，同時將(jiang)所(suo)(suo)(suo)述經(jing)拋(pao)光基材從(cong)所(suo)(suo)(suo)述沖(chong)洗浴液中取出(chu)，且(qie)使(shi)所(suo)(suo)(suo)述蒸(zheng)氣(qi)以所(suo)(suo)(suo)述沖(chong)洗溶(rong)劑(ji)從(cong)所(suo)(suo)(suo)述經(jing)拋(pao)光基材上去除的方向(xiang)流(liu)動。

18.如權利要求1所(suo)述的方(fang)法，其中(zhong)，使所(suo)述蒸(zheng)氣(qi)流過是通過將所(suo)述蒸(zheng)氣(qi)噴(pen)灑至該彎月面上而進行。

19.如權利要(yao)求1所述(shu)(shu)的方(fang)法，其中，所述(shu)(shu)方(fang)法進一步包括從(cong)所述(shu)(shu)基材(cai)形成半導體器(qi)件。