各種實施例涉及發(fa)光元件和(he)制造發(fa)光元件的(de)方法(fa)。

背景技術：

1、近(jin)來，隨著對信息顯(xian)示的(de)興趣的(de)增加，對顯(xian)示裝置的(de)研究和開發已經不斷(duan)進行。

技術實現思路

1、技術問題

2、各種實施例(li)涉(she)及具有(you)改善的效率和可(ke)靠(kao)性的發光元件(jian)以及制造該發光元件(jian)的方法(fa)。

3、公開的(de)目的(de)不限于上述目的(de)，并且本領域(yu)技術人員將根據說明書和所附(fu)權利要求清楚地理解其(qi)他目的(de)。

4、技術方案

5、根據實施例的發光元件可(ke)以(yi)包括：第(di)(di)(di)一(yi)半導體層(ceng)；第(di)(di)(di)一(yi)絕緣(yuan)(yuan)(yuan)膜(mo)，設置在第(di)(di)(di)一(yi)半導體層(ceng)上，第(di)(di)(di)一(yi)絕緣(yuan)(yuan)(yuan)膜(mo)包括納(na)米(mi)圖案(an)(an)；活性層(ceng)，設置在第(di)(di)(di)一(yi)絕緣(yuan)(yuan)(yuan)膜(mo)的納(na)米(mi)圖案(an)(an)中；以(yi)及第(di)(di)(di)二半導體層(ceng)，在第(di)(di)(di)一(yi)絕緣(yuan)(yuan)(yuan)膜(mo)的納(na)米(mi)圖案(an)(an)中設置在活性層(ceng)上。

6、第(di)一(yi)絕(jue)緣(yuan)膜的(de)納米(mi)圖案的(de)直徑(jing)可以小于第(di)一(yi)半導體層的(de)直徑(jing)。

7、第一(yi)絕緣膜的納米圖案可以暴露(lu)第一(yi)半導體層。

8、第一絕緣(yuan)膜也可以覆蓋活性層和第二半(ban)導體層。

9、活(huo)性層(ceng)可以設置在第(di)(di)一半導(dao)體層(ceng)與第(di)(di)二半導(dao)體層(ceng)之(zhi)間(jian)。

10、發光元(yuan)件還可以(yi)包括設置在第(di)(di)一(yi)絕緣(yuan)膜上的(de)第(di)(di)二絕緣(yuan)膜。

11、第(di)二絕緣膜可以覆蓋由第(di)一絕緣膜暴露的(de)第(di)一半(ban)導體層(ceng)。

12、活(huo)性層(ceng)可以發射紅光。

13、發(fa)光元件還(huan)可以包括：電極層(ceng)，設置在第二半導體層(ceng)上。

14、發光元(yuan)件還可以(yi)包括：超晶格層(ceng)，設置在第一絕緣(yuan)膜的納米(mi)圖案中。

15、根據實施例的制造發(fa)光(guang)元件的方法可以(yi)(yi)包括：在堆疊基底(di)上形(xing)成(cheng)(cheng)(cheng)(cheng)第一半(ban)導體(ti)(ti)層(ceng)(ceng)；在第一半(ban)導體(ti)(ti)層(ceng)(ceng)上形(xing)成(cheng)(cheng)(cheng)(cheng)第一絕(jue)緣(yuan)膜；通過對第一絕(jue)緣(yuan)膜進(jin)(jin)行蝕刻來(lai)形(xing)成(cheng)(cheng)(cheng)(cheng)納(na)米(mi)(mi)圖(tu)案；在第一絕(jue)緣(yuan)膜的納(na)米(mi)(mi)圖(tu)案中形(xing)成(cheng)(cheng)(cheng)(cheng)活性層(ceng)(ceng)和(he)第二半(ban)導體(ti)(ti)層(ceng)(ceng)；以(yi)(yi)及對第一絕(jue)緣(yuan)膜和(he)第一半(ban)導體(ti)(ti)層(ceng)(ceng)進(jin)(jin)行部分蝕刻，并且形(xing)成(cheng)(cheng)(cheng)(cheng)發(fa)光(guang)圖(tu)案。

16、在對(dui)第(di)一(yi)絕緣膜(mo)和(he)第(di)一(yi)半導體(ti)層(ceng)進行部分蝕(shi)刻的(de)步驟中，可以(yi)通過第(di)一(yi)絕緣膜(mo)保護活性層(ceng)和(he)第(di)二(er)半導體(ti)層(ceng)。

17、第一絕(jue)(jue)緣膜的(de)納米圖案可(ke)以穿過(guo)第一絕(jue)(jue)緣膜并(bing)且暴(bao)露第一半導體層的(de)頂表(biao)面。

18、該方法還(huan)可以包括：在(zai)第(di)二半(ban)導(dao)體層(ceng)(ceng)上形成電(dian)極層(ceng)(ceng)。

19、該方法還可(ke)以包(bao)括：在電極層上形成掩模。

20、在(zai)平面圖(tu)中，掩模可以與第一絕緣膜的納米(mi)圖(tu)案疊置(zhi)。

21、形成(cheng)發光圖案(an)的步驟可以包括(kuo)：對于由掩模暴露的電極層、第一絕緣膜和第一半導體層進行蝕刻。

22、該(gai)方法還可(ke)以(yi)包(bao)括(kuo)：在發光圖(tu)案上形成(cheng)第二絕緣(yuan)膜(mo)。

23、第二絕緣膜可(ke)以(yi)覆蓋第一絕緣膜和第一半導體層。

24、該方(fang)法還可以包括(kuo)：將發光圖案與(yu)堆(dui)疊基底分(fen)離。

25、各種(zhong)實(shi)施例(li)的細(xi)節包括在詳(xiang)細(xi)描述和附圖中。

26、有益效果

27、在公開的實施例(li)中(zhong)，活性層(ceng)和/或(huo)第二半導體(ti)層(ceng)可以(yi)(yi)(yi)形成在絕緣膜(mo)的納米(mi)圖案中(zhong)，使(shi)得可以(yi)(yi)(yi)減(jian)輕(qing)由于銦(in)與鎵(jia)(ga)之間的晶(jing)格常數的差異引起的應(ying)變。因此(ci)，可以(yi)(yi)(yi)制造高效率的發光(guang)元件。

28、此外，在制造(zao)發(fa)光元件(jian)的工藝期間，可以(yi)在活性層被(bei)絕緣膜保護的同時執行蝕刻操作(zuo)，使得可以(yi)防止活性層的側(ce)壁被(bei)損壞，由此可以(yi)提(ti)高(gao)發(fa)光元件(jian)的效率和可靠性。

29、公(gong)開的效(xiao)果不受(shou)前述內容(rong)的限(xian)制(zhi)，并且(qie)在(zai)這里預期其他各種效(xiao)果。

技術特征：

1.一(yi)種發光元(yuan)件，所述發光元(yuan)件包括：

2.根(gen)據(ju)權利要求1所述(shu)的(de)(de)發光元件，其中，所述(shu)第一絕緣膜的(de)(de)所述(shu)納米(mi)圖案(an)的(de)(de)直徑小(xiao)于所述(shu)第一半導體層的(de)(de)直徑。

3.根(gen)據權利要(yao)求1所述(shu)的發(fa)光元件，其中，所述(shu)第(di)一絕緣膜(mo)的所述(shu)納米圖案(an)暴露所述(shu)第(di)一半導體層。

4.根(gen)據權利要求1所(suo)述(shu)的發光元件，其中，所(suo)述(shu)第一絕緣膜覆蓋所(suo)述(shu)活性層(ceng)和所(suo)述(shu)第二(er)半(ban)導體層(ceng)。

5.根(gen)據權(quan)利要求1所述(shu)的(de)發光(guang)元(yuan)件，其中，所述(shu)活性層(ceng)設置在所述(shu)第(di)一半導(dao)體(ti)層(ceng)與(yu)所述(shu)第(di)二半導(dao)體(ti)層(ceng)之間。

6.根據權利要求1所(suo)述的發光元件(jian)，所(suo)述發光元件(jian)還包括：

7.根據權利要(yao)求6所(suo)述的發光元件(jian)，其(qi)中，所(suo)述第二絕緣(yuan)膜覆蓋由所(suo)述第一(yi)絕緣(yuan)膜暴露的所(suo)述第一(yi)半導(dao)體層。

8.根據權利要求1所述(shu)的發光(guang)元(yuan)件，其(qi)中(zhong)，所述(shu)活性層(ceng)發射紅光(guang)。

9.根(gen)據權利要(yao)求1所(suo)述的發(fa)(fa)光(guang)(guang)元件，所(suo)述發(fa)(fa)光(guang)(guang)元件還包括(kuo)：

10.根(gen)據權利要(yao)求1所(suo)述的發光元件(jian)，所(suo)述發光元件(jian)還(huan)包(bao)括(kuo)：

11.一種制造發光元(yuan)件的方(fang)法(fa)，所述(shu)方(fang)法(fa)包括：

12.根據權(quan)利要(yao)求11所(suo)述(shu)的方法(fa)，其(qi)中(zhong)(zhong)，在對所(suo)述(shu)第(di)(di)一絕(jue)緣(yuan)膜和所(suo)述(shu)第(di)(di)一半(ban)導體層(ceng)進行(xing)部分蝕刻(ke)的步(bu)驟中(zhong)(zhong)，通(tong)過所(suo)述(shu)第(di)(di)一絕(jue)緣(yuan)膜保護所(suo)述(shu)活性層(ceng)和所(suo)述(shu)第(di)(di)二半(ban)導體層(ceng)。

13.根(gen)據(ju)權利(li)要求11所(suo)(suo)述(shu)的方(fang)法，其中，所(suo)(suo)述(shu)第(di)(di)一(yi)(yi)絕緣膜的所(suo)(suo)述(shu)納米圖(tu)案(an)穿過所(suo)(suo)述(shu)第(di)(di)一(yi)(yi)絕緣膜并(bing)且暴露所(suo)(suo)述(shu)第(di)(di)一(yi)(yi)半導體層的頂表面。

14.根據權利要求11所述的方法(fa)，所述方法(fa)還包括：

15.根據權(quan)利要求(qiu)14所述的(de)方法，所述方法還包括：

16.根(gen)據權利(li)要求(qiu)15所述(shu)的方法，其中(zhong)，在平面(mian)圖中(zhong)，所述(shu)掩模(mo)與(yu)所述(shu)第一絕緣膜的所述(shu)納米圖案疊(die)置(zhi)。

17.根據權利要(yao)求16所(suo)述(shu)的(de)方法，其中，形(xing)成所(suo)述(shu)發光圖(tu)案的(de)步驟包(bao)括：對由所(suo)述(shu)掩模暴露(lu)的(de)所(suo)述(shu)電極層、所(suo)述(shu)第(di)(di)一絕緣膜(mo)和(he)所(suo)述(shu)第(di)(di)一半導(dao)體層進行蝕刻。

18.根據權利(li)要求(qiu)11所(suo)(suo)述的方(fang)(fang)法(fa)，所(suo)(suo)述方(fang)(fang)法(fa)還包括：

19.根據權利(li)要求(qiu)18所(suo)述的方法，其中，所(suo)述第二(er)絕(jue)緣(yuan)膜覆蓋所(suo)述第一絕(jue)緣(yuan)膜和(he)所(suo)述第一半導體層(ceng)。

20.根據權利要求11所述的方(fang)(fang)法，所述方(fang)(fang)法還包括：

技術總結
提供了一種發光元件和制造該發光元件的方法。所述發光元件包括：第一半導體層；第一絕緣膜，設置在第一半導體層上并且包括納米圖案；活性層，設置在第一絕緣膜的納米圖案內；以及第二半導體層，在第一絕緣膜的納米圖案內設置在活性層上。

技術研發人員：樸后根,金鎭完,李承根
受保護的技術使用者：三星顯示有限公司
技術研發日：
技術公布日：2024/8/1