本(ben)申請要求于2016年3月2日提交到韓(han)國(guo)知識產權(quan)(quan)局的(de)(de)第10-號韓(han)國(guo)專(zhuan)利(li)申請的(de)(de)優先權(quan)(quan)和權(quan)(quan)益，該韓(han)國(guo)專(zhuan)利(li)申請的(de)(de)全部(bu)內容通過引(yin)用包含于此(ci)。

本(ben)公開的(de)示例實(shi)施例的(de)一個或(huo)更多個方(fang)面(mian)涉及制造顯示裝置的(de)方(fang)法(fa)。

背景技術：

隨(sui)著(zhu)信(xin)息技術的(de)發展(zhan)，作(zuo)為用戶和信(xin)息之間的(de)連接媒介(jie)的(de)顯示(shi)(shi)裝置的(de)市(shi)場(chang)已經增長。因此，已經增加了諸如液晶顯示(shi)(shi)器(lcd)、有(you)機發光(guang)二極管(oled)顯示(shi)(shi)器和等離(li)子體(ti)顯示(shi)(shi)面板(ban)(pdp)的(de)平板(ban)顯示(shi)(shi)器(fpd)的(de)使用。

為(wei)了(le)用戶方便(bian)，需(xu)要(yao)提高顯(xian)示(shi)裝置圖像質(zhi)量，為(wei)了(le)減少成本(ben)，需(xu)要(yao)簡化工(gong)藝(例如，顯(xian)示(shi)器制造工(gong)藝)。

保護(hu)顯(xian)示(shi)裝(zhuang)(zhuang)置(zhi)免(mian)受外(wai)部的(de)(de)濕(shi)氣(qi)和/或氧(yang)可(ke)以提高顯(xian)示(shi)裝(zhuang)(zhuang)置(zhi)的(de)(de)可(ke)靠性。然(ran)而，在形成(cheng)用于密(mi)封(feng)顯(xian)示(shi)裝(zhuang)(zhuang)置(zhi)的(de)(de)包封(feng)部分(fen)之前和/或當形成(cheng)用于密(mi)封(feng)顯(xian)示(shi)裝(zhuang)(zhuang)置(zhi)的(de)(de)包封(feng)部分(fen)時，外(wai)部的(de)(de)濕(shi)氣(qi)和/或氧(yang)會通(tong)過(guo)顯(xian)示(shi)裝(zhuang)(zhuang)置(zhi)的(de)(de)側表面侵入(ru)。

技術實現要素：

本(ben)公(gong)開的(de)示例實施例的(de)一個(ge)或更(geng)多個(ge)方面(mian)針對制造(zao)顯示裝(zhuang)置(zhi)的(de)方法，其(qi)中，改(gai)善了(le)(le)顯示裝(zhuang)置(zhi)的(de)密封功能并(bing)且減少了(le)(le)工藝數。

額外的(de)(de)方面將(jiang)被部分地(di)闡述(shu)于后面的(de)(de)描述(shu)中，并部分地(di)通過該描述(shu)將(jiang)是明顯(xian)的(de)(de)，或(huo)者可(ke)以通過給出的(de)(de)實施例的(de)(de)實踐而獲悉(xi)。

本公開的一(yi)(yi)個或更多個示例實(shi)施例提供了制造顯(xian)示裝置(zhi)的方法，包(bao)(bao)括以(yi)下步(bu)驟：在基底上(shang)(shang)形成顯(xian)示部(bu)分(fen)(fen)，以(yi)及形成用(yong)于(yu)密封顯(xian)示部(bu)分(fen)(fen)的包(bao)(bao)封部(bu)分(fen)(fen)，其(qi)中(zhong)，形成包(bao)(bao)封部(bu)分(fen)(fen)的步(bu)驟包(bao)(bao)括形成覆(fu)蓋顯(xian)示部(bu)分(fen)(fen)的第(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)層(ceng)(ceng)、在第(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)層(ceng)(ceng)上(shang)(shang)形成第(di)(di)(di)(di)二層(ceng)(ceng)以(yi)及在第(di)(di)(di)(di)二層(ceng)(ceng)上(shang)(shang)形成第(di)(di)(di)(di)三層(ceng)(ceng)，其(qi)中(zhong)，通(tong)過在顯(xian)示部(bu)分(fen)(fen)的上(shang)(shang)表(biao)面和(he)掩模(mo)(mo)之(zhi)間(jian)(jian)維(wei)(wei)持第(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)間(jian)(jian)隔(ge)的距(ju)離來形成第(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)層(ceng)(ceng)，通(tong)過在第(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)層(ceng)(ceng)的上(shang)(shang)表(biao)面和(he)掩模(mo)(mo)之(zhi)間(jian)(jian)維(wei)(wei)持不同(tong)于(yu)第(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)間(jian)(jian)隔(ge)的第(di)(di)(di)(di)二間(jian)(jian)隔(ge)的距(ju)離來形成第(di)(di)(di)(di)二層(ceng)(ceng)，通(tong)過在第(di)(di)(di)(di)二層(ceng)(ceng)的上(shang)(shang)表(biao)面和(he)掩模(mo)(mo)之(zhi)間(jian)(jian)維(wei)(wei)持不同(tong)于(yu)第(di)(di)(di)(di)二間(jian)(jian)隔(ge)的第(di)(di)(di)(di)三間(jian)(jian)隔(ge)的距(ju)離來形成第(di)(di)(di)(di)三層(ceng)(ceng)。

第一層(ceng)(ceng)和第三層(ceng)(ceng)可(ke)以均包(bao)括無(wu)(wu)機(ji)材(cai)(cai)料(liao)，第二層(ceng)(ceng)可(ke)以包(bao)括不同(tong)于第一層(ceng)(ceng)和第三層(ceng)(ceng)中(zhong)每個的材(cai)(cai)料(liao)的有機(ji)和/或(huo)無(wu)(wu)機(ji)復合材(cai)(cai)料(liao)。

第二(er)層(ceng)可以包括(kuo)從六甲基(ji)(ji)(ji)二(er)硅(gui)(gui)氧(yang)烷(wan)(hmdso)、六甲基(ji)(ji)(ji)二(er)硅(gui)(gui)氮烷(wan)(hmdsn)、四甲基(ji)(ji)(ji)二(er)硅(gui)(gui)氧(yang)烷(wan)(tmdso)、正硅(gui)(gui)酸乙酯(teos)、八甲基(ji)(ji)(ji)環四硅(gui)(gui)氧(yang)烷(wan)(omcts)和四氧(yang)甲基(ji)(ji)(ji)環四硅(gui)(gui)氧(yang)烷(wan)(tomcts)中選擇的至少一(yi)種。

無機材料(liao)可(ke)以是從(cong)sinx、siox、sion、sicn、tiox、wox、sioxcy和sioxcyhz中選擇的至少一種。

第(di)一(yi)層(ceng)、第(di)二層(ceng)和(he)第(di)三層(ceng)可(ke)以均形成在同一(yi)室中(zhong)。

第一間隔和第三間隔中的每個可以是大約1μm至(zhi)300μm。

第三間隔(ge)可(ke)以大于第二間隔(ge)。

第(di)(di)三間(jian)隔(ge)(ge)可以(yi)大于第(di)(di)一間(jian)隔(ge)(ge)，第(di)(di)一間(jian)隔(ge)(ge)可以(yi)大于第(di)(di)二(er)間(jian)隔(ge)(ge)。

可以形成(cheng)第(di)三層(ceng)和第(di)一層(ceng)使(shi)得第(di)三層(ceng)的邊(bian)緣(yuan)和第(di)一層(ceng)的邊(bian)緣(yuan)彼此接觸(chu)，第(di)三層(ceng)和第(di)一層(ceng)可以包(bao)圍(例如，包(bao)封或圍繞(rao))第(di)二層(ceng)。

第三(san)層(ceng)的(de)寬(kuan)度(du)(du)可以(yi)大(da)于第一層(ceng)的(de)寬(kuan)度(du)(du)，第三(san)層(ceng)可以(yi)在第一層(ceng)的(de)邊緣處(chu)接觸(chu)基底。

可以在掩模接(jie)觸第一層的(de)上(shang)表面時形(xing)成第二層。

第三間(jian)隔可(ke)以與第一間(jian)隔相同。

可以形成第(di)(di)(di)(di)三(san)層(ceng)和(he)(he)第(di)(di)(di)(di)一層(ceng)使得第(di)(di)(di)(di)三(san)層(ceng)的邊緣和(he)(he)第(di)(di)(di)(di)一層(ceng)的邊緣彼此(ci)接(jie)觸，第(di)(di)(di)(di)三(san)層(ceng)和(he)(he)第(di)(di)(di)(di)一層(ceng)可以包圍(例如，包封或圍繞(rao))第(di)(di)(di)(di)二層(ceng)。

可以在(zai)掩模接(jie)觸第(di)一層的上(shang)表面時形成第(di)二層。

第二間隔可以(yi)大于第一間隔。

第(di)(di)一層(ceng)(ceng)、第(di)(di)二層(ceng)(ceng)和第(di)(di)三層(ceng)(ceng)中的(de)每個可以具有(you)接觸基底的(de)外(wai)部區域的(de)邊緣。

基底、第一層和第三層可以(yi)包圍(例(li)如(ru)，包封(feng)或圍繞)第二層。

第(di)二間(jian)(jian)隔和第(di)一間(jian)(jian)隔之(zhi)間(jian)(jian)的(de)差(cha)(cha)以及第(di)三間(jian)(jian)隔和第(di)二間(jian)(jian)隔之(zhi)間(jian)(jian)的(de)差(cha)(cha)可(ke)以均(jun)小于(yu)或(huo)等于(yu)1mm。

顯示部分可以(yi)(yi)包(bao)括薄膜晶(jing)(jing)體管(guan)和電(dian)(dian)連接(jie)到(dao)薄膜晶(jing)(jing)體管(guan)的顯示元件(jian)，顯示元件(jian)可以(yi)(yi)包(bao)括有機發光裝置，有機發光裝置包(bao)括電(dian)(dian)連接(jie)到(dao)薄膜晶(jing)(jing)體管(guan)的第(di)(di)一(yi)電(dian)(dian)極、面(mian)對第(di)(di)一(yi)電(dian)(dian)極的第(di)(di)二電(dian)(dian)極以(yi)(yi)及在第(di)(di)一(yi)電(dian)(dian)極和第(di)(di)二電(dian)(dian)極之間的中間層(ceng)。

顯示部分(fen)還可以(yi)包括在(zai)第(di)二電(dian)極上(shang)的保(bao)護(hu)層，保(bao)護(hu)層可以(yi)包括覆蓋(gai)層和阻擋層。

可以通過在阻擋層的上表面(mian)和掩模之間(jian)維持第(di)一間(jian)隔來(lai)形(xing)成第(di)一層。

本(ben)公開的(de)(de)(de)一(yi)個或(huo)更多(duo)個實(shi)施例(li)提供了制造顯(xian)(xian)示(shi)裝置的(de)(de)(de)方法，包括以(yi)下(xia)步驟：在基底上(shang)(shang)形(xing)成(cheng)(cheng)(cheng)顯(xian)(xian)示(shi)部(bu)分以(yi)及(ji)形(xing)成(cheng)(cheng)(cheng)用于密封(feng)顯(xian)(xian)示(shi)部(bu)分的(de)(de)(de)包封(feng)部(bu)分，其中(zhong)，形(xing)成(cheng)(cheng)(cheng)包封(feng)部(bu)分的(de)(de)(de)步驟包括形(xing)成(cheng)(cheng)(cheng)覆蓋顯(xian)(xian)示(shi)部(bu)分的(de)(de)(de)第(di)一(yi)層(ceng)、在第(di)一(yi)層(ceng)上(shang)(shang)形(xing)成(cheng)(cheng)(cheng)第(di)二(er)(er)(er)層(ceng)以(yi)及(ji)在第(di)二(er)(er)(er)層(ceng)上(shang)(shang)形(xing)成(cheng)(cheng)(cheng)第(di)三層(ceng)，其中(zhong)，通過在顯(xian)(xian)示(shi)部(bu)分的(de)(de)(de)上(shang)(shang)表(biao)面(mian)和掩(yan)(yan)模之間(jian)維(wei)持第(di)一(yi)間(jian)隔的(de)(de)(de)距(ju)離來形(xing)成(cheng)(cheng)(cheng)第(di)一(yi)層(ceng)，當掩(yan)(yan)模接觸第(di)一(yi)層(ceng)的(de)(de)(de)上(shang)(shang)表(biao)面(mian)時形(xing)成(cheng)(cheng)(cheng)第(di)二(er)(er)(er)層(ceng)，通過在第(di)二(er)(er)(er)層(ceng)的(de)(de)(de)上(shang)(shang)表(biao)面(mian)和掩(yan)(yan)模之間(jian)維(wei)持第(di)三間(jian)隔的(de)(de)(de)距(ju)離來形(xing)成(cheng)(cheng)(cheng)第(di)三層(ceng)。

第(di)(di)(di)一層(ceng)和第(di)(di)(di)三層(ceng)可以(yi)均(jun)包(bao)括(kuo)無(wu)機(ji)材(cai)料，第(di)(di)(di)二層(ceng)可以(yi)包(bao)括(kuo)與(yu)第(di)(di)(di)一層(ceng)和第(di)(di)(di)三層(ceng)的材(cai)料不同的有機(ji)和/或無(wu)機(ji)復合材(cai)料。

第二層可以包(bao)括從六(liu)甲(jia)基(ji)(ji)二硅(gui)(gui)氧(yang)烷(wan)(hmdso)、六(liu)甲(jia)基(ji)(ji)二硅(gui)(gui)氮烷(wan)(hmdsn)、四(si)甲(jia)基(ji)(ji)二硅(gui)(gui)氧(yang)烷(wan)(tmdso)、正硅(gui)(gui)酸乙酯(zhi)(teos)、八(ba)甲(jia)基(ji)(ji)環(huan)四(si)硅(gui)(gui)氧(yang)烷(wan)(omcts)和(he)四(si)氧(yang)甲(jia)基(ji)(ji)環(huan)四(si)硅(gui)(gui)氧(yang)烷(wan)(tomcts)中選(xuan)擇的(de)至少(shao)一種。

可以形成第(di)三(san)層和(he)第(di)一層使得第(di)三(san)層的邊(bian)(bian)緣和(he)第(di)一層的邊(bian)(bian)緣彼此接(jie)觸，第(di)三(san)層和(he)第(di)一層包圍(wei)(例如(ru)，包封或圍(wei)繞(rao))第(di)二層。

附圖說明

通過下面(mian)結合附(fu)圖(tu)對示例實施例的描述，這些和/或其它方面(mian)將變得明(ming)顯且更容易理解，在(zai)附(fu)圖(tu)中：

圖1是(shi)通過根據本公開的(de)實施例的(de)方法制造的(de)顯示裝置的(de)平面圖；

圖2a至圖2f是順序地示出根(gen)據本(ben)公開的(de)實施例的(de)制造顯示裝置的(de)方法的(de)剖視(shi)圖；

圖3是示意性地示出包括(kuo)在通(tong)過根據本公開的(de)(de)實施例的(de)(de)方(fang)法制(zhi)造的(de)(de)顯(xian)示裝(zhuang)置中(zhong)的(de)(de)顯(xian)示部(bu)分的(de)(de)剖視圖；

圖4a至圖4c是順序地示(shi)(shi)出根據本公開(kai)的另一個實(shi)施例的制造顯(xian)示(shi)(shi)裝置(zhi)的方法的剖(pou)視圖。

具體實施方式

現在(zai)將更(geng)詳細地參照(zhao)在(zai)附圖(tu)中(zhong)示(shi)出(chu)其(qi)(qi)示(shi)例的(de)(de)(de)(de)(de)示(shi)例實(shi)施例，其(qi)(qi)中(zhong)，同(tong)樣的(de)(de)(de)(de)(de)附圖(tu)標記始終表示(shi)同(tong)樣的(de)(de)(de)(de)(de)元(yuan)件，并不會提供其(qi)(qi)重復描述。就這(zhe)一(yi)點而言，本實(shi)施例可以(yi)具(ju)有不同(tong)的(de)(de)(de)(de)(de)形式并且(qie)不應(ying)解(jie)釋為局限于在(zai)此(ci)所(suo)(suo)闡述的(de)(de)(de)(de)(de)描述。因(yin)此(ci)，下面通(tong)過參照(zhao)附圖(tu)僅對(dui)示(shi)例實(shi)施例進行描述，以(yi)解(jie)釋本描述的(de)(de)(de)(de)(de)方面。如在(zai)此(ci)使用的(de)(de)(de)(de)(de)，術語(yu)“和/或(huo)”包括一(yi)個(ge)(ge)或(huo)多個(ge)(ge)相關(guan)所(suo)(suo)列(lie)項目的(de)(de)(de)(de)(de)任(ren)意(yi)組合和所(suo)(suo)有組合。當諸如“……中(zhong)的(de)(de)(de)(de)(de)至(zhi)少(shao)一(yi)個(ge)(ge)(種(zhong))”、“……中(zhong)的(de)(de)(de)(de)(de)一(yi)個(ge)(ge)(種(zhong))”和“從(cong)……中(zhong)選擇(ze)的(de)(de)(de)(de)(de)”的(de)(de)(de)(de)(de)表述在(zai)一(yi)列(lie)元(yuan)件/元(yuan)素之(zhi)后時，修(xiu)飾整(zheng)列(lie)元(yuan)件/元(yuan)素而不是修(xiu)飾該列(lie)的(de)(de)(de)(de)(de)個(ge)(ge)別元(yuan)件/元(yuan)素。

提供示例實(shi)施(shi)例以(yi)向本(ben)公(gong)開(kai)所(suo)屬領域的(de)(de)(de)(de)(de)普通(tong)技術人員進一(yi)步(bu)解(jie)釋本(ben)公(gong)開(kai)。然(ran)而(er)，本(ben)公(gong)開(kai)的(de)(de)(de)(de)(de)實(shi)施(shi)例不限于此，將理解(jie)的(de)(de)(de)(de)(de)是(shi)，在不脫離(li)權利要求的(de)(de)(de)(de)(de)精神和范圍的(de)(de)(de)(de)(de)情況下，可以(yi)對其做出形式上(shang)和細節上(shang)的(de)(de)(de)(de)(de)各種改變。例如，可以(yi)僅僅呈現具體結(jie)構(gou)或功能的(de)(de)(de)(de)(de)描述以(yi)解(jie)釋本(ben)公(gong)開(kai)的(de)(de)(de)(de)(de)示例實(shi)施(shi)例。

將理解的(de)是(shi)，雖然在此可以(yi)使(shi)用(yong)術語“第一(yi)”、“第二”等來(lai)描述各種組(zu)件，但是(shi)這些組(zu)件不應限于這些術語。這些術語僅(jin)用(yong)來(lai)將一(yi)個(ge)組(zu)件與另一(yi)個(ge)組(zu)件區(qu)分開。

如在此(ci)使用的，除非上下文另外明確地(di)指出(chu)，否則單(dan)數(shu)形式“一個(ge)”、“一種(zhong)”和“該(所述)”也旨在包括復數(shu)形式。

另外，諸如(ru)“包(bao)括”或“包(bao)含(han)”的(de)術語可(ke)以被解釋為(wei)表示存在或添(tian)(tian)加(jia)具(ju)體的(de)特性(xing)、數字、工(gong)藝、操(cao)(cao)作(zuo)、構成(cheng)元件(jian)或它(ta)(ta)們的(de)結(jie)合，但是不可(ke)以解釋為(wei)排除存在或可(ke)能添(tian)(tian)加(jia)一(yi)個或更多(duo)個其它(ta)(ta)特性(xing)、數字、工(gong)藝、操(cao)(cao)作(zuo)、構成(cheng)元件(jian)或它(ta)(ta)們的(de)組合。

在以(yi)下描述中，當一個(ge)層(ceng)被描述為存在于另一個(ge)層(ceng)“上”或(huo)“上方”時，該層(ceng)可以(yi)直接存在于所述另一層(ceng)上，或(huo)者可以(yi)在它們(men)之間插入諸如(ru)膜、區(qu)域或(huo)構成元件(jian)的第三層(ceng)。

另外(wai)，在附(fu)圖(tu)中(zhong)，為(wei)了清楚和便于(yu)(yu)解(jie)釋(shi)，可以夸(kua)大(da)在圖(tu)中(zhong)示出的每(mei)層(ceng)的厚度或(huo)尺寸。換句話說，由于(yu)(yu)在附(fu)圖(tu)中(zhong)的組件的尺寸和厚度為(wei)了解(jie)釋(shi)的方便而任(ren)意地示出，所以以下(xia)實施例(li)不限于(yu)(yu)此(ci)。

當(dang)可以(yi)不同地(di)實(shi)施(shi)實(shi)施(shi)例時，可以(yi)以(yi)不同于當(dang)前所(suo)描述(shu)的(de)順(shun)(shun)序來執(zhi)行(xing)工藝順(shun)(shun)序。例如(ru)，可以(yi)基本上同時執(zhi)行(xing)或可以(yi)以(yi)相(xiang)反的(de)順(shun)(shun)序執(zhi)行(xing)兩個相(xiang)繼描述(shu)的(de)工藝。

圖1是通過根據(ju)本公(gong)開的(de)實(shi)施例的(de)方法制造的(de)顯示裝置1000的(de)平面(mian)圖。

在一個實施例(li)中(zhong)，基底100可以由一種或更(geng)多(duo)種合適(shi)的柔性材(cai)料(例(li)如，具有優(you)越的耐熱性和/或耐久性的塑料材(cai)料)來形成。

基底100可(ke)以包括為用(yong)戶產生圖像的顯示區da和(he)在顯示區da外側的非顯示區nda。

顯(xian)(xian)示(shi)區(qu)(qu)(qu)da可以(yi)(yi)包括用來產生光的一個或更(geng)多個裝置(諸如有機發光裝置和/或液晶顯(xian)(xian)示(shi)裝置)。用來給顯(xian)(xian)示(shi)區(qu)(qu)(qu)da提供電(dian)力的電(dian)壓線(xian)可以(yi)(yi)在非顯(xian)(xian)示(shi)區(qu)(qu)(qu)nda中。

非顯示區(qu)nda可以(yi)包括(kuo)用來將電信(xin)號(hao)(hao)從(cong)供(gong)電單元或(huo)信(xin)號(hao)(hao)產(chan)生單元傳送到顯示區(qu)da的焊盤部pad。

焊盤部pad可(ke)以(yi)包括驅動ic、用來將驅動ic連(lian)接(jie)到(dao)像素電路的焊盤和(he)/或扇出布(bu)線。

圖2a至(zhi)圖2f是順序地示(shi)出根據(ju)本(ben)公(gong)(gong)開的(de)(de)實(shi)施例的(de)(de)制造顯(xian)示(shi)裝置(zhi)的(de)(de)方法(fa)的(de)(de)剖(pou)視圖。圖3是示(shi)意性地示(shi)出通(tong)過根據(ju)本(ben)公(gong)(gong)開的(de)(de)實(shi)施例的(de)(de)方法(fa)制造的(de)(de)顯(xian)示(shi)裝置(zhi)中的(de)(de)顯(xian)示(shi)部分的(de)(de)剖(pou)視圖。

參照(zhao)圖(tu)2a，緩(huan)(huan)沖層(ceng)110可(ke)(ke)以在(zai)(zai)基底100上(shang)，顯示(shi)部分(fen)(fen)200可(ke)(ke)以在(zai)(zai)緩(huan)(huan)沖層(ceng)110上(shang)。雖然(ran)圖(tu)2a示(shi)出顯示(shi)部分(fen)(fen)200在(zai)(zai)緩(huan)(huan)沖層(ceng)110上(shang)的實施(shi)例(li)，但是(shi)本公開的實施(shi)例(li)不(bu)限于此，顯示(shi)部分(fen)(fen)200可(ke)(ke)以直接在(zai)(zai)基底100上(shang)。

基底100可(ke)(ke)以(yi)(yi)包括一種或更多種合適的(de)(de)材料(liao)(liao)。在一個實施(shi)例中(zhong)(zhong)，基底100可(ke)(ke)以(yi)(yi)由包括(例如，包含(han))sio2作為(wei)主要成分(fen)的(de)(de)透(tou)明(ming)玻璃材料(liao)(liao)形成。然(ran)而，基底100的(de)(de)實施(shi)例不(bu)必(bi)限制于此，基底可(ke)(ke)以(yi)(yi)由透(tou)明(ming)塑料(liao)(liao)材料(liao)(liao)形成。塑料(liao)(liao)材料(liao)(liao)可(ke)(ke)以(yi)(yi)是從均作為(wei)絕緣有機材料(liao)(liao)的(de)(de)聚(ju)(ju)(ju)醚砜(pes)、聚(ju)(ju)(ju)芳酯(zhi)(par)、聚(ju)(ju)(ju)醚酰亞胺(an)(pei)、聚(ju)(ju)(ju)萘二(er)(er)甲酸(suan)(suan)乙(yi)二(er)(er)醇(chun)酯(zhi)(pen)、聚(ju)(ju)(ju)對苯二(er)(er)甲酸(suan)(suan)乙(yi)二(er)(er)醇(chun)酯(zhi)(pet)、聚(ju)(ju)(ju)苯硫醚(pps)、聚(ju)(ju)(ju)丙烯酸(suan)(suan)酯(zhi)、聚(ju)(ju)(ju)酰亞胺(an)、聚(ju)(ju)(ju)碳酸(suan)(suan)酯(zhi)(pc)、三(san)乙(yi)酸(suan)(suan)纖(xian)維素(su)(tac)和醋酸(suan)(suan)丙酸(suan)(suan)纖(xian)維素(su)(cap)中(zhong)(zhong)選擇的(de)(de)至少一種有機材料(liao)(liao)。

另外，由于基(ji)底(di)100由柔性材(cai)(cai)料(liao)形(xing)成(cheng)，因此基(ji)底(di)100可(ke)以(yi)(yi)二維延(yan)伸。在一個實(shi)施(shi)例中(zhong)，基(ji)底(di)100可(ke)以(yi)(yi)由具(ju)有大約0.4或更(geng)大的泊松比的材(cai)(cai)料(liao)形(xing)成(cheng)。泊松比表示(shi)在拉力方向(xiang)(xiang)(xiang)(xiang)上橫向(xiang)(xiang)(xiang)(xiang)收縮應(ying)變與(yu)縱向(xiang)(xiang)(xiang)(xiang)延(yan)伸應(ying)變的比(例如，橫向(xiang)(xiang)(xiang)(xiang)壓縮與(yu)軸向(xiang)(xiang)(xiang)(xiang)擴展的比)。

當形(xing)成基(ji)底100的材料具有大約(yue)0.4或更大的泊松比時，基(ji)底100可以(yi)具有合(he)適(shi)的拉(la)伸特性(xing)，可以(yi)改(gai)善基(ji)底100的柔性(xing)，并且可以(yi)容易地改(gai)變顯示裝置(zhi)1000的形(xing)狀。

緩(huan)(huan)沖層110可(ke)(ke)(ke)以防止(zhi)或(huo)(huo)減少(shao)雜質離子擴散到(dao)顯(xian)示部(bu)分200中和(he)/或(huo)(huo)防止(zhi)或(huo)(huo)減少(shao)外部(bu)的(de)濕氣和(he)/或(huo)(huo)空氣(例(li)如(ru)，氧(yang))侵入到(dao)顯(xian)示部(bu)分200中，并可(ke)(ke)(ke)以用作用來使基底100平(ping)坦化(hua)(hua)的(de)屏(ping)蔽層和(he)/或(huo)(huo)阻擋層。緩(huan)(huan)沖層110可(ke)(ke)(ke)以包(bao)括(kuo)(kuo)例(li)如(ru)無(wu)機(ji)材(cai)料(liao)(諸如(ru)氧(yang)化(hua)(hua)硅(gui)、氮化(hua)(hua)硅(gui)、氮氧(yang)化(hua)(hua)硅(gui)、氧(yang)化(hua)(hua)鋁(lv)、氮化(hua)(hua)鋁(lv)、氧(yang)化(hua)(hua)鈦和(he)/或(huo)(huo)氮化(hua)(hua)鈦)或(huo)(huo)有機(ji)材(cai)料(liao)(諸如(ru)聚(ju)酰亞胺、聚(ju)酯和(he)/或(huo)(huo)丙烯酸)，并且可(ke)(ke)(ke)以具有包(bao)括(kuo)(kuo)多種以上材(cai)料(liao)的(de)多層結(jie)構。

將參照圖3更(geng)詳細(xi)地描述在基底(di)100上方的顯示部分(fen)200。

顯(xian)(xian)示(shi)部分200可以包括例(li)(li)如(ru)薄膜晶體(ti)管(tft)和(he)顯(xian)(xian)示(shi)元件(jian)(諸如(ru)有機發光裝置(zhi)(zhi)(zhi)(oled))。然而(er)(er)，本公(gong)開的(de)實(shi)(shi)施(shi)例(li)(li)不限(xian)于(yu)此(ci)，顯(xian)(xian)示(shi)部分200可以包括一種(zhong)(zhong)或更多種(zhong)(zhong)合適的(de)類型或種(zhong)(zhong)類的(de)顯(xian)(xian)示(shi)裝置(zhi)(zhi)(zhi)(諸如(ru)液晶顯(xian)(xian)示(shi)裝置(zhi)(zhi)(zhi))。然而(er)(er)，為了解釋的(de)方便，在(zai)以下描述中(zhong)，根據本實(shi)(shi)施(shi)例(li)(li)的(de)顯(xian)(xian)示(shi)部分200包括oled。

tft可(ke)(ke)(ke)以在基底(di)100上(shang)。tft可(ke)(ke)(ke)以包(bao)括(kuo)半導體層a、柵(zha)(zha)(zha)電極g、源電極s和漏(lou)電極d。圖3示出順序地包(bao)括(kuo)半導體層a、柵(zha)(zha)(zha)電極g、源電極s和漏(lou)電極d的(de)頂柵(zha)(zha)(zha)型(xing)tft(例(li)如，頂柵(zha)(zha)(zha)tft)。然而，本(ben)公開的(de)實施例(li)不(bu)限于此，可(ke)(ke)(ke)以使用一(yi)種或(huo)更多種合適類型(xing)或(huo)種類的(de)tft(諸(zhu)如底(di)柵(zha)(zha)(zha)型(xing)tft或(huo)底(di)柵(zha)(zha)(zha)tft)。

半(ban)(ban)導(dao)(dao)體(ti)層(ceng)a可以(yi)(yi)(yi)(yi)由無(wu)機半(ban)(ban)導(dao)(dao)體(ti)材料(liao)(諸如(ru)硅(gui)(gui))或(huo)有(you)機半(ban)(ban)導(dao)(dao)體(ti)材料(liao)形(xing)(xing)成(cheng)。半(ban)(ban)導(dao)(dao)體(ti)層(ceng)a可以(yi)(yi)(yi)(yi)具有(you)源(yuan)區(qu)(qu)(qu)、漏(lou)區(qu)(qu)(qu)以(yi)(yi)(yi)(yi)及在(zai)源(yuan)區(qu)(qu)(qu)和漏(lou)區(qu)(qu)(qu)之間(jian)(jian)的溝(gou)道區(qu)(qu)(qu)。例(li)如(ru)，當使(shi)(shi)用非(fei)晶(jing)硅(gui)(gui)形(xing)(xing)成(cheng)半(ban)(ban)導(dao)(dao)體(ti)層(ceng)a時，非(fei)晶(jing)硅(gui)(gui)層(ceng)可以(yi)(yi)(yi)(yi)在(zai)基(ji)底(di)100的整個表面上，然后(hou)可以(yi)(yi)(yi)(yi)使(shi)(shi)非(fei)晶(jing)硅(gui)(gui)層(ceng)結晶(jing)化以(yi)(yi)(yi)(yi)形(xing)(xing)成(cheng)多晶(jing)硅(gui)(gui)層(ceng)。將(jiang)多晶(jing)硅(gui)(gui)層(ceng)圖(tu)案化之后(hou)，可以(yi)(yi)(yi)(yi)使(shi)(shi)用雜質(zhi)摻(chan)雜多晶(jing)硅(gui)(gui)層(ceng)的邊緣處的源(yuan)區(qu)(qu)(qu)和漏(lou)區(qu)(qu)(qu)，從而形(xing)(xing)成(cheng)包(bao)括(kuo)源(yuan)區(qu)(qu)(qu)、漏(lou)區(qu)(qu)(qu)以(yi)(yi)(yi)(yi)及在(zai)源(yuan)區(qu)(qu)(qu)和漏(lou)區(qu)(qu)(qu)之間(jian)(jian)的溝(gou)道區(qu)(qu)(qu)的半(ban)(ban)導(dao)(dao)體(ti)層(ceng)a。

形成半導(dao)體(ti)層(ceng)(ceng)a之后，柵極(ji)絕緣(yuan)膜210可以位于半導(dao)體(ti)層(ceng)(ceng)a上并位于基底(di)100的整個(ge)表面上和上方。可以由無機材(cai)料(諸如(ru)氧化硅和/或氮化硅)以單(dan)層(ceng)(ceng)或多層(ceng)(ceng)結構形成柵極(ji)絕緣(yuan)膜210。柵極(ji)絕緣(yuan)膜210使半導(dao)體(ti)層(ceng)(ceng)a與(yu)在半導(dao)體(ti)層(ceng)(ceng)a上方的柵電(dian)極(ji)g絕緣(yuan)。

柵電(dian)極(ji)g可以(yi)在柵極(ji)絕緣膜210上方(fang)的特定(ding)區域中。為了將導(dao)通/截止信號(hao)施(shi)加到tft，可以(yi)將柵電(dian)極(ji)g連(lian)接到柵極(ji)線。柵電(dian)極(ji)g可以(yi)包括從鉬(mo)、鋁(al)、鉑(pt)、鈀(pd)、銀(yin)(ag)、鎂(mg)、金(jin)(au)、鎳(nie)(ni)、釹(nd)、銥(ir)、鉻(cr)、鋰(li)、鈣(ca)、鈦(tai)(ti)、鎢(w)和銅(cu)中選擇的至(zhi)少一種金(jin)屬。然而，本公開的實施(shi)例不限于此，根據設計條(tiao)件(jian)，柵電(dian)極(ji)g可以(yi)由(you)一種或(huo)更多種合適的材料(liao)來形成。

形成柵電(dian)極g之后，用來將柵電(dian)極g與源電(dian)極s和(he)漏電(dian)極d絕緣的層(ceng)間絕緣膜230可以在基底100的整個表(biao)面上方。

層(ceng)間絕(jue)緣(yuan)膜(mo)(mo)230可(ke)以(yi)由(you)無(wu)機材料(liao)形成。例如，層(ceng)間絕(jue)緣(yuan)膜(mo)(mo)230可(ke)以(yi)包括(kuo)金屬氧化(hua)(hua)(hua)物和(he)/或(huo)(huo)金屬氮化(hua)(hua)(hua)物。更詳細地，無(wu)機材料(liao)可(ke)以(yi)包括(kuo)氧化(hua)(hua)(hua)硅(gui)(sio2)、氮化(hua)(hua)(hua)硅(gui)(sinx)、氮氧化(hua)(hua)(hua)硅(gui)(sion)、氧化(hua)(hua)(hua)鋁(al2o3)、氧化(hua)(hua)(hua)鈦(tai)(tio2)、氧化(hua)(hua)(hua)鉭(ta2o5)、氧化(hua)(hua)(hua)鉿(hfo2)和(he)/或(huo)(huo)氧化(hua)(hua)(hua)鋯(zro2)。

可(ke)以(yi)(yi)由(you)無機(ji)材(cai)料(諸如氧化(hua)(hua)硅(siox)和/或(huo)氮化(hua)(hua)硅(sinx))以(yi)(yi)多層(ceng)或(huo)單層(ceng)結(jie)構來形成層(ceng)間(jian)絕(jue)緣膜230。在(zai)一些實(shi)施例(li)中，層(ceng)間(jian)絕(jue)緣膜230可(ke)以(yi)(yi)具有siox/siny或(huo)sinx/sioy的二元(yuan)結(jie)構。

源電(dian)極s和漏電(dian)極d可以在層(ceng)(ceng)間(jian)(jian)絕(jue)緣(yuan)膜230上。更詳(xiang)細地，層(ceng)(ceng)間(jian)(jian)絕(jue)緣(yuan)膜230和柵極絕(jue)緣(yuan)膜210暴露半導(dao)體(ti)層(ceng)(ceng)a的(de)(de)(de)源區(qu)和漏區(qu)(例如，層(ceng)(ceng)間(jian)(jian)絕(jue)緣(yuan)膜230和柵極絕(jue)緣(yuan)膜210包括與(yu)半導(dao)體(ti)層(ceng)(ceng)a的(de)(de)(de)源區(qu)和漏區(qu)對應的(de)(de)(de)開(kai)口)。源電(dian)極s接觸半導(dao)體(ti)層(ceng)(ceng)a的(de)(de)(de)暴露的(de)(de)(de)源區(qu)，漏電(dian)極d接觸半導(dao)體(ti)層(ceng)(ceng)a的(de)(de)(de)暴露的(de)(de)(de)漏區(qu)。

可以由從al、pt、pd、ag、mg、au、ni、nd、ir、cr、li、ca、mo、ti、w和cu中選擇(ze)的至少一種元素以單層或多層結構來形成(cheng)源電極(ji)s和漏(lou)電極(ji)d。

tft可(ke)以電連接到(dao)oled并且可(ke)以將信號施加(jia)到(dao)oled以驅動oled。可(ke)以通過覆蓋有平坦化膜250來保護tft。

平(ping)坦化膜(mo)250可(ke)以包括無(wu)(wu)機絕(jue)緣(yuan)(yuan)膜(mo)和/或有機絕(jue)緣(yuan)(yuan)膜(mo)。無(wu)(wu)機絕(jue)緣(yuan)(yuan)膜(mo)可(ke)以包括sio2、sinx、sion、al2o3、tio2、ta2o5、hfo2、zro2、bst或pzt。有機絕(jue)緣(yuan)(yuan)膜(mo)可(ke)以包括通用聚合(he)(he)(he)物(wu)(wu)(例如(ru)，聚甲(jia)基(ji)丙(bing)烯(xi)(xi)酸(suan)甲(jia)酯(pmma)或聚苯乙烯(xi)(xi)(ps))、具有苯酚類(lei)(lei)基(ji)團的(de)聚合(he)(he)(he)物(wu)(wu)衍生(sheng)物(wu)(wu)、丙(bing)烯(xi)(xi)酸(suan)聚合(he)(he)(he)物(wu)(wu)、酰(xian)亞胺(an)類(lei)(lei)聚合(he)(he)(he)物(wu)(wu)、芳基(ji)醚類(lei)(lei)聚合(he)(he)(he)物(wu)(wu)、酰(xian)胺(an)類(lei)(lei)聚合(he)(he)(he)物(wu)(wu)、氟類(lei)(lei)聚合(he)(he)(he)物(wu)(wu)、對二甲(jia)苯類(lei)(lei)聚合(he)(he)(he)物(wu)(wu)、乙烯(xi)(xi)醇類(lei)(lei)聚合(he)(he)(he)物(wu)(wu)或它們的(de)混合(he)(he)(he)物(wu)(wu)。平(ping)坦化膜(mo)250可(ke)以包括無(wu)(wu)機絕(jue)緣(yuan)(yuan)膜(mo)和有機絕(jue)緣(yuan)(yuan)膜(mo)的(de)復合(he)(he)(he)層壓件。

oled可以在平坦化膜250上方。

oled可(ke)以包括第一電(dian)極(ji)281、包含有機(ji)發光層的(de)(de)(de)中(zhong)間層283以及第二電(dian)極(ji)285。從oled的(de)(de)(de)第一電(dian)極(ji)281注(zhu)入的(de)(de)(de)空穴和從oled的(de)(de)(de)第二電(dian)極(ji)285注(zhu)入的(de)(de)(de)電(dian)子可(ke)以在中(zhong)間層283的(de)(de)(de)有機(ji)發光層中(zhong)結合以產生(sheng)光。

第(di)一(yi)電(dian)(dian)(dian)(dian)極(ji)281可(ke)以(yi)在平坦化膜250上，并(bing)且可(ke)以(yi)經由平坦化膜250中的接觸孔電(dian)(dian)(dian)(dian)連(lian)接到漏(lou)電(dian)(dian)(dian)(dian)極(ji)d。然而，第(di)一(yi)電(dian)(dian)(dian)(dian)極(ji)281不限于電(dian)(dian)(dian)(dian)連(lian)接到漏(lou)電(dian)(dian)(dian)(dian)極(ji)d。第(di)一(yi)電(dian)(dian)(dian)(dian)極(ji)281可(ke)以(yi)電(dian)(dian)(dian)(dian)連(lian)接到源電(dian)(dian)(dian)(dian)極(ji)s并(bing)且可(ke)以(yi)接收信號以(yi)驅動(dong)oled。

第一(yi)電(dian)極(ji)281可(ke)以(yi)(yi)是反(fan)射電(dian)極(ji)，并且可(ke)以(yi)(yi)包括由ag、mg、al、pt、pd、au、ni、nd、ir、cr和(he)/或(huo)它(ta)們的(de)化(hua)合物形成的(de)反(fan)射膜和(he)/或(huo)在反(fan)射膜上的(de)透明(ming)電(dian)極(ji)層(ceng)或(huo)透反(fan)射電(dian)極(ji)層(ceng)。透明(ming)電(dian)極(ji)層(ceng)或(huo)透反(fan)射電(dian)極(ji)層(ceng)可(ke)以(yi)(yi)包括從氧(yang)化(hua)銦錫(ito)、氧(yang)化(hua)銦鋅(izo)、氧(yang)化(hua)鋅(zno)、氧(yang)化(hua)銦(in2o3)、氧(yang)化(hua)銦鎵(igo)和(he)氧(yang)化(hua)鋁鋅(azo)中選(xuan)擇的(de)至少一(yi)種。

中(zhong)間(jian)(jian)層(ceng)(ceng)283可以(yi)(yi)包括有(you)機(ji)發(fa)光層(ceng)(ceng)。在一(yi)(yi)個實施(shi)例(li)中(zhong)，中(zhong)間(jian)(jian)層(ceng)(ceng)283可以(yi)(yi)包括有(you)機(ji)發(fa)光層(ceng)(ceng)(發(fa)射層(ceng)(ceng))并且還可以(yi)(yi)包括從空穴(xue)注入(ru)層(ceng)(ceng)(hil)、空穴(xue)傳輸層(ceng)(ceng)、電子傳輸層(ceng)(ceng)和電子注入(ru)層(ceng)(ceng)中(zhong)選擇(ze)的(de)至(zhi)少一(yi)(yi)個。然而，本公(gong)開(kai)的(de)實施(shi)例(li)不限(xian)于(yu)此，中(zhong)間(jian)(jian)層(ceng)(ceng)283可以(yi)(yi)包括有(you)機(ji)發(fa)光層(ceng)(ceng)和一(yi)(yi)個或更(geng)多個其它功能層(ceng)(ceng)。

第(di)二(er)電(dian)(dian)極(ji)285可(ke)(ke)以在中(zhong)間層(ceng)283上。第(di)二(er)電(dian)(dian)極(ji)285可(ke)(ke)以與第(di)一電(dian)(dian)極(ji)281形(xing)成電(dian)(dian)場(chang)，使得中(zhong)間層(ceng)283可(ke)(ke)以發射(she)光。第(di)一電(dian)(dian)極(ji)281可(ke)(ke)以針對(dui)每個像素進行圖案化，第(di)二(er)電(dian)(dian)極(ji)285可(ke)(ke)以形(xing)成為(wei)使得電(dian)(dian)壓被施加到(dao)每一個像素。

面對第一電極281的(de)第二(er)電極285可(ke)以是透明(ming)電極或(huo)透反射電極，并可(ke)以包括(kuo)具有低(di)逸出(chu)功的(de)金(jin)(jin)屬(shu)薄膜(諸(zhu)(zhu)如li、ca、lif/ca、lif/al、al、ag、mg和/或(huo)它(ta)們的(de)化合物)。額外的(de)輔助電極層或(huo)總線電極可(ke)以在透明(ming)電極的(de)金(jin)(jin)屬(shu)薄膜上并且可(ke)以由諸(zhu)(zhu)如ito、izo、zno和/或(huo)in2o3的(de)材料形成。

因此，第二(er)電(dian)極(ji)285可(ke)以(yi)透射(she)從中(zhong)間層283中(zhong)的有(you)機(ji)發(fa)(fa)光(guang)(guang)層發(fa)(fa)射(she)的光(guang)(guang)。換句話說，從有(you)機(ji)發(fa)(fa)光(guang)(guang)層發(fa)(fa)射(she)的光(guang)(guang)可(ke)以(yi)直接朝第二(er)電(dian)極(ji)285發(fa)(fa)射(she)，或者可(ke)以(yi)由第一電(dian)極(ji)281(可(ke)以(yi)是反射(she)電(dian)極(ji))反射(she)以(yi)朝第二(er)電(dian)極(ji)285行進。

然而，根據(ju)本(ben)實(shi)施(shi)例(li)(li)(li)的(de)顯(xian)示部分200不限于頂(ding)發(fa)(fa)(fa)(fa)射(she)(she)型(xing)(例(li)(li)(li)如(ru)(ru)，頂(ding)發(fa)(fa)(fa)(fa)射(she)(she)顯(xian)示器)，并(bing)可以(yi)是從有機發(fa)(fa)(fa)(fa)光(guang)(guang)層(ceng)發(fa)(fa)(fa)(fa)射(she)(she)的(de)光(guang)(guang)朝基底100行進的(de)底發(fa)(fa)(fa)(fa)射(she)(she)型(xing)(例(li)(li)(li)如(ru)(ru)，底發(fa)(fa)(fa)(fa)射(she)(she)顯(xian)示器)。在這種情況(kuang)下，第一電極281可以(yi)是透明電極或透反射(she)(she)電極，第二電極285可以(yi)是反射(she)(she)電極。在一些(xie)實(shi)施(shi)例(li)(li)(li)中(zhong)，顯(xian)示部分200可以(yi)是從顯(xian)示裝置的(de)頂(ding)部和底部兩處(例(li)(li)(li)如(ru)(ru)，同時地)發(fa)(fa)(fa)(fa)射(she)(she)光(guang)(guang)的(de)雙(shuang)(shuang)發(fa)(fa)(fa)(fa)射(she)(she)型(xing)(例(li)(li)(li)如(ru)(ru)，雙(shuang)(shuang)發(fa)(fa)(fa)(fa)射(she)(she)顯(xian)示器)。

在一(yi)(yi)個(ge)實施(shi)例(li)中，例(li)如(ru)，可以(yi)(yi)圖案化第一(yi)(yi)電(dian)極(ji)(ji)281以(yi)(yi)對應于每個(ge)像(xiang)(xiang)素。顯示部(bu)分200還(huan)可以(yi)(yi)包括(kuo)在第一(yi)(yi)電(dian)極(ji)(ji)281上的(de)像(xiang)(xiang)素限定膜270。像(xiang)(xiang)素限定膜270可以(yi)(yi)包括(kuo)暴露第一(yi)(yi)電(dian)極(ji)(ji)281的(de)開口270a。中間層283在開口270a內(nei)并(bing)(bing)且可以(yi)(yi)電(dian)連(lian)接到第一(yi)(yi)電(dian)極(ji)(ji)281。像(xiang)(xiang)素限定膜270可以(yi)(yi)使用諸(zhu)如(ru)旋涂的(de)方(fang)法由從(cong)聚酰(xian)亞(ya)胺、聚酰(xian)胺、丙烯酸(suan)樹(shu)脂、苯并(bing)(bing)環丁烯和(he)酚醛樹(shu)脂中選擇(ze)的(de)一(yi)(yi)種或更多種有機(ji)絕緣材(cai)料形成。

如圖2a中(zhong)所示，保護(hu)層300可(ke)(ke)以在顯示部分(fen)200上(shang)方。在一個實施例(li)中(zhong)，保護(hu)層300可(ke)(ke)以包括(kuo)覆蓋(gai)第二(er)電極285的覆蓋(gai)層310和在覆蓋(gai)層310上(shang)的阻擋層330。

在根據(ju)本實施例的制造顯示裝置的方法(fa)中，首先可以形成第(di)(di)二(er)(er)電極(ji)(ji)285，然(ran)后(hou)覆蓋(gai)層310可以覆蓋(gai)第(di)(di)二(er)(er)電極(ji)(ji)285。

覆蓋層(ceng)310可以保(bao)護oled并且促進來(lai)自oled的有效光(guang)發(fa)射。

在(zai)一(yi)個實施例中(zhong)，可以由有機(ji)材料(諸(zhu)如α-npd、npb、tpd、m-mtdata、alq3和(he)/或cupc)形成覆蓋層(ceng)310。

然后，阻擋層330可以在覆蓋層310上。

在(zai)(zai)一(yi)個實施(shi)例(li)中(zhong)，可(ke)以(yi)由無機材料(liao)(諸如lif、mgf2和/或caf2)形(xing)成(cheng)阻擋層(ceng)(ceng)330。阻擋層(ceng)(ceng)330可(ke)以(yi)阻擋在(zai)(zai)形(xing)成(cheng)第(di)一(yi)層(ceng)(ceng)410(稍后描(miao)述)的(de)工(gong)藝中(zhong)使用的(de)等離子體被引入到oled中(zhong)，從而(er)防止或減少對中(zhong)間層(ceng)(ceng)283和第(di)二電極285的(de)損害。

在一(yi)個實施例(li)中，可以由具(ju)有銷孔結構的氟(fu)化鋰(li)(lif)形成(cheng)阻(zu)擋層330。

然(ran)而，本(ben)公(gong)開的實(shi)施例不(bu)限(xian)于該(gai)示例。雖然(ran)圖2a示出在顯示部(bu)分200上方形成(cheng)包括覆蓋(gai)(gai)層(ceng)310和阻擋(dang)層(ceng)330的保護層(ceng)300的實(shi)施例，但是(shi)本(ben)公(gong)開的實(shi)施例不(bu)限(xian)于此(ci)，可以(yi)(yi)僅形成(cheng)覆蓋(gai)(gai)層(ceng)310和阻擋(dang)層(ceng)330中(zhong)的一(yi)個，或者覆蓋(gai)(gai)層(ceng)310和阻擋(dang)層(ceng)330中(zhong)沒有一(yi)個可以(yi)(yi)形成(cheng)。

然后，為了保護(hu)顯示(shi)(shi)部(bu)分200免受外部(bu)的(de)氧(yang)和/或濕氣影響，可(ke)以形成完全密封(feng)顯示(shi)(shi)部(bu)分200的(de)包封(feng)部(bu)分400(見(jian)圖(tu)2f)。

在(zai)一個實施(shi)例中，包封部分400可以(yi)在(zai)顯示(shi)部分200上方，包封部分400的(de)相對的(de)端(duan)部可以(yi)緊密(mi)地接觸基底100，從而完全地或(huo)基本上密(mi)封顯示(shi)部分200。

在一(yi)個(ge)實施例中(zhong)，包封部(bu)分(fen)400可以具有(you)堆疊(die)的(de)多個(ge)薄膜(mo)(mo)(mo)層的(de)結構(gou)(gou)，在所(suo)述堆疊(die)的(de)多個(ge)薄膜(mo)(mo)(mo)層的(de)結構(gou)(gou)中(zhong)，交替地堆疊(die)有(you)至少一(yi)個(ge)無機膜(mo)(mo)(mo)和至少一(yi)個(ge)有(you)機膜(mo)(mo)(mo)。

包封部分400的無(wu)(wu)機膜(mo)可以防止或(huo)減少氧和/或(huo)濕氣的侵(qin)入，然而包封部分400的有(you)機膜(mo)可以吸收來自無(wu)(wu)機膜(mo)的應力(li)并且(qie)提供柔性。

首先，如圖2a和(he)圖2b中所示，可(ke)以形成第一層410(步驟一)。

當掩模m和將沉積第(di)(di)一(yi)層(ceng)410的(de)表(biao)面以第(di)(di)一(yi)間隔h1彼此分隔開時，可以形成第(di)(di)一(yi)層(ceng)410。

在(zai)根據(ju)本(ben)實施例的(de)制(zhi)造顯(xian)示裝(zhuang)置的(de)方法(fa)中，由(you)于(yu)覆(fu)蓋層(ceng)(ceng)310和阻(zu)擋層(ceng)(ceng)330順序(xu)地沉積(ji)在(zai)顯(xian)示部(bu)分(fen)(fen)200上，所以(yi)(yi)第一(yi)間(jian)隔h1可(ke)以(yi)(yi)在(zai)阻(zu)擋層(ceng)(ceng)330的(de)上表(biao)面和掩(yan)(yan)模m之(zhi)間(jian)。然而，這(zhe)僅僅是示例，當不形成保護層(ceng)(ceng)300時，第一(yi)間(jian)隔h1可(ke)以(yi)(yi)在(zai)顯(xian)示部(bu)分(fen)(fen)200的(de)上表(biao)面到掩(yan)(yan)模m之(zhi)間(jian)。

在(zai)(zai)根據本實(shi)施例的(de)制造顯(xian)示(shi)裝置(zhi)的(de)方(fang)法中(zhong)，在(zai)(zai)形成第(di)一層(ceng)410的(de)步驟(zou)中(zhong)，掩模m以第(di)一間隔(ge)h1與待形成第(di)一層(ceng)410的(de)表面分隔(ge)開(kai)(kai)。因此，第(di)一層(ceng)410可以不局限于與掩模m的(de)開(kai)(kai)口o對(dui)應的(de)位置(zhi)，而可以是在(zai)(zai)掩模m下方(fang)的(de)大的(de)或寬(kuan)的(de)區域中(zhong)。

換句話說，第(di)一層(ceng)410可(ke)以(yi)具有比(bi)掩(yan)模m的(de)開口o的(de)寬度(du)大的(de)寬度(du)。

在一(yi)個實施例(li)中(zhong)，第一(yi)層(ceng)410可以具有(you)寬的區(qu)域(yu)使得(de)第一(yi)層(ceng)410的邊緣可以緊密(mi)地(di)接觸基(ji)底100。換句話說，第一(yi)層(ceng)410的相(xiang)對的端部可以接觸基(ji)底100，從(cong)而完全地(di)密(mi)封顯示(shi)部分(fen)200。

第一層410可以是包括氧化物和/或(huo)金屬(shu)氮化物的(de)單層或(huo)多層結構。

在一(yi)(yi)個實施例(li)中(zhong)，可(ke)以(yi)由無機(ji)材(cai)料形成(cheng)第一(yi)(yi)層(ceng)410。例(li)如，第一(yi)(yi)層(ceng)410可(ke)以(yi)由從(cong)sinx、al2o3、siox、sion、sicn、tiox、wox、sioxcy和sioxcyhz中(zhong)選擇的至(zhi)少一(yi)(yi)種(zhong)形成(cheng)。

在(zai)(zai)一(yi)個實(shi)施(shi)例中(zhong)，在(zai)(zai)掩模(mo)m和(he)待沉積(ji)第一(yi)層410的(de)表(biao)面之間(jian)的(de)第一(yi)間(jian)隔h1可以是大約(yue)1μm至300μm。當在(zai)(zai)顯(xian)(xian)示(shi)部(bu)分200上(shang)(shang)順序地沉積(ji)覆蓋層310和(he)阻擋層330時，從(cong)阻擋層330的(de)上(shang)(shang)表(biao)面到掩模(mo)m的(de)距離可以是大約(yue)1μm至300μm。當保護層300不在(zai)(zai)顯(xian)(xian)示(shi)部(bu)分200上(shang)(shang)時，從(cong)顯(xian)(xian)示(shi)部(bu)分200的(de)上(shang)(shang)表(biao)面到掩模(mo)m的(de)距離可以是大約(yue)1μm至300μm。

在一(yi)個實施例中，可以通過化學(xue)氣(qi)相(xiang)沉積(cvd)法(fa)將(jiang)第(di)一(yi)層410沉積為具有固(gu)定(ding)的或確定(ding)的厚度。

然后，參照圖2c和圖2d，第二(er)層(ceng)430可以在第一層(ceng)410上(步驟二(er))。

可以使用用于形成第(di)(di)一層(ceng)410的(de)同一掩(yan)模m來形成第(di)(di)二層(ceng)430。換句話說，第(di)(di)一層(ceng)410和(he)(he)第(di)(di)二層(ceng)430均可以通(tong)過調節在掩(yan)模m和(he)(he)受到沉積(ji)的(de)表面之間(jian)(jian)的(de)間(jian)(jian)隔(例如(ru)，為第(di)(di)一層(ceng)410和(he)(he)第(di)(di)二層(ceng)430中的(de)每個選擇(ze)合(he)適的(de)間(jian)(jian)隔)來形成。

可以通(tong)過維持掩模m和第(di)一層410的上表面(mian)之間的不同于第(di)一間隔(ge)h1的第(di)二(er)間隔(ge)的距離來形(xing)成第(di)二(er)層430。

在根據(ju)本實施例(li)的(de)(de)制造顯示(shi)(shi)裝置的(de)(de)方法中(zhong)，第二(er)間(jian)隔可以是大約0μm。換(huan)句話說，如圖(tu)2c和圖(tu)2d中(zhong)所示(shi)(shi)，可以在掩(yan)模m接觸第一(yi)層(ceng)410的(de)(de)上表面(mian)時形成第二(er)層(ceng)430。

當在掩(yan)模(mo)m接觸第(di)一層(ceng)410的(de)上(shang)表面的(de)同時(shi)形(xing)成第(di)二(er)層(ceng)430時(shi)，第(di)二(er)層(ceng)430可以(yi)具有與掩(yan)模(mo)m的(de)開口o的(de)寬度基本(ben)上(shang)相同或(huo)小于(yu)掩(yan)模(mo)m的(de)開口o的(de)寬度的(de)寬度。

在一個實施例中(zhong)，第二(er)層430的中(zhong)心部分的厚(hou)(hou)度(du)可以大于第二(er)層430的邊緣部分的厚(hou)(hou)度(du)。

可以由與第一層410的材料不同的材料形成第二層430。

可(ke)以(yi)由有機和(he)/或(huo)無機復合材料形(xing)成(cheng)第(di)二層(ceng)430。當由有機和(he)/或(huo)無機復合材料形(xing)成(cheng)第(di)二層(ceng)430時(shi)，可(ke)以(yi)防(fang)止或(huo)減少氧和(he)/或(huo)濕氣(qi)的侵入，并且可(ke)以(yi)提供柔性。

在一個實(shi)施例中(zhong)(zhong)，可以由從六(liu)甲(jia)(jia)基(ji)(ji)二硅(gui)氧(yang)烷(wan)(hmdso)、六(liu)甲(jia)(jia)基(ji)(ji)二硅(gui)氮烷(wan)(hmdsn)、四甲(jia)(jia)基(ji)(ji)二硅(gui)氧(yang)烷(wan)(tmdso)、正硅(gui)酸乙(yi)酯(teos)、八甲(jia)(jia)基(ji)(ji)環四硅(gui)氧(yang)烷(wan)(omcts)和四氧(yang)甲(jia)(jia)基(ji)(ji)環四硅(gui)氧(yang)烷(wan)(tomcts)中(zhong)(zhong)選擇的(de)至少(shao)一種材料來形(xing)成第二層430。

然而，形(xing)成(cheng)第(di)二層430的材料(liao)(liao)不限于(yu)上述(shu)材料(liao)(liao)，只要材料(liao)(liao)是柔(rou)性的并且(qie)可以(yi)(yi)使用掩模m形(xing)成(cheng)，就(jiu)可以(yi)(yi)使用任(ren)何材料(liao)(liao)。

在(zai)一(yi)個實施例(li)中，第二層430可(ke)以(yi)通過(guo)cvd方(fang)法來形成(cheng)以(yi)具有固(gu)定的或確定的厚(hou)度(du)。

然后(hou)，參(can)照圖2e和(he)圖2f，第三層(ceng)450可以在第二層(ceng)430上(步驟(zou)三)。

可(ke)以(yi)使用(yong)用(yong)于形成第(di)二層(ceng)430的同一掩(yan)模m來(lai)形成第(di)三層(ceng)450。換句話說，可(ke)以(yi)使用(yong)同一掩(yan)模m來(lai)形成第(di)一層(ceng)410、第(di)二層(ceng)430和第(di)三層(ceng)450。

可以使(shi)用用于形(xing)成第二層430的(de)同一掩模(mo)m并且通過(guo)調(diao)節在掩模(mo)m和受到沉積(ji)的(de)表面(mian)之間的(de)間隔(ge)(例如，選(xuan)擇合適的(de)間隔(ge))來形(xing)成第三層450。

可以通過維(wei)持掩(yan)模(mo)m和第(di)(di)二(er)層(ceng)(ceng)430的上表(biao)面(mian)之間的不同于(yu)第(di)(di)二(er)間隔的第(di)(di)三間隔h3的距(ju)離(li)來(lai)形(xing)成第(di)(di)三層(ceng)(ceng)450。

在根據本實施例的(de)(de)(de)(de)制造顯示裝置(zhi)的(de)(de)(de)(de)方(fang)法中，當(dang)形成第(di)(di)三層(ceng)450時，掩(yan)模(mo)m以(yi)第(di)(di)三間隔h3與第(di)(di)二層(ceng)430的(de)(de)(de)(de)上表面(mian)分隔開。因此，第(di)(di)三層(ceng)450可(ke)以(yi)不局限于(yu)與掩(yan)模(mo)m的(de)(de)(de)(de)開口(kou)o對應的(de)(de)(de)(de)位置(zhi)，而(er)是(shi)可(ke)以(yi)在掩(yan)模(mo)m下方(fang)的(de)(de)(de)(de)大的(de)(de)(de)(de)或寬的(de)(de)(de)(de)區域中。

換句話說(shuo)，第三層450可以具有比掩模m的開口(kou)o的寬度大(da)的寬度。

在一個實施例中，第(di)三間隔h3可(ke)以是大(da)約1μm至(zhi)300μm。換句話說，當將第(di)二層430的上(shang)表面和掩模(mo)m之(zhi)間的距離維持為大(da)約1μm至(zhi)300μm時可(ke)以形成(cheng)第(di)三層450。

在一個實施例中，第三間隔h3可以與第一間隔h1相(xiang)同。

在一個(ge)實施例中(zhong)，第三間隔h3可以大于(yu)第一間隔h1。

如圖2e和(he)圖2f中所示，第三(san)層450的(de)寬度(du)可以大于第一層410的(de)寬度(du)。

第三層450可(ke)以(yi)具有大的或寬(kuan)的區域使(shi)得第三層450的邊(bian)緣可(ke)以(yi)緊密(mi)地接觸基(ji)底100。換句話說，第三層450的相(xiang)對的端(duan)部(bu)可(ke)以(yi)接觸基(ji)底100，從而完全地密(mi)封顯示部(bu)分200。

在一(yi)個實施(shi)例(li)(li)中，第(di)三層450可以形(xing)成為在第(di)一(yi)層410的(de)邊(bian)緣處(chu)接觸(chu)第(di)一(yi)層410。換句(ju)話說，如圖2f中所示(shi)，第(di)一(yi)層410和第(di)三層450可以包圍(wei)(例(li)(li)如，包封或圍(wei)繞)第(di)二層430。

第(di)三(san)層450可以是包括氧化物和/或金屬(shu)氮化物的單層或多層結構。

在一(yi)個實施例(li)中，可以(yi)由無(wu)機材料(liao)形(xing)成(cheng)第三層450。例(li)如，可以(yi)由從(cong)sinx、al2o3、siox、sion、sicn、tiox、wox、sioxcy和sioxcyhz中選擇的至(zhi)少一(yi)種形(xing)成(cheng)第三層450。

在此(ci)狀(zhuang)態下，可(ke)以(yi)由與第(di)一層(ceng)(ceng)410的(de)材料(liao)相同的(de)材料(liao)形成第(di)三層(ceng)(ceng)450。然而，本公(gong)開的(de)實施例不限于此(ci)，可(ke)以(yi)由與第(di)一層(ceng)(ceng)410的(de)材料(liao)不同的(de)材料(liao)形成第(di)三層(ceng)(ceng)450。

在一個實(shi)施例中(zhong)，第(di)三(san)層450可以使用cvd方(fang)法來形成以具有固定的(de)或確定的(de)厚度(du)。

在通(tong)過根(gen)據本(ben)實施例的(de)(de)方法制造的(de)(de)顯示(shi)裝置中，如圖2f中所示(shi)，雖(sui)然包(bao)封(feng)部分(fen)(fen)400包(bao)括第一(yi)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)410、第二層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)430和第三(san)(san)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)450，但是形成(cheng)包(bao)封(feng)部分(fen)(fen)400的(de)(de)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)數不(bu)限于此，包(bao)封(feng)部分(fen)(fen)400可以(yi)額(e)(e)外(wai)地包(bao)括多個層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)。然而(er)，可以(yi)使(shi)用同一(yi)掩(yan)模m并通(tong)過調節掩(yan)模m和目(mu)標(biao)表面之間(jian)的(de)(de)間(jian)隔(ge)(ge)來(lai)形成(cheng)額(e)(e)外(wai)的(de)(de)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)。另外(wai)，可以(yi)形成(cheng)在第三(san)(san)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)450的(de)(de)頂部上形成(cheng)的(de)(de)額(e)(e)外(wai)的(de)(de)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)，使(shi)得通(tong)過維(wei)持掩(yan)模m和待形成(cheng)的(de)(de)目(mu)標(biao)表面之間(jian)的(de)(de)寬的(de)(de)間(jian)隔(ge)(ge)來(lai)使(shi)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)的(de)(de)邊緣可以(yi)緊密地接觸基底(di)100。

在根據本實施(shi)例(li)的(de)制造顯示(shi)裝置的(de)方(fang)法中，如(ru)圖2a至圖2f中所示(shi)，當可(ke)以使用(yong)單一的(de)掩(yan)模m形成(cheng)由無機材料(liao)或有機和/或無機復合材料(liao)形成(cheng)的(de)多(duo)個(ge)層(ceng)(例(li)如(ru)，第(di)一層(ceng)410、第(di)二層(ceng)430和第(di)三層(ceng)450)時，可(ke)以減(jian)少(shao)掩(yan)模的(de)個(ge)數并(bing)且因此可(ke)以簡化制造工藝。

另(ling)外，由于可(ke)(ke)以(yi)通過(guo)簡單地(di)調節掩模m的(de)(de)(de)位置(zhi)(例如，掩模m和(he)目標(biao)表面之間的(de)(de)(de)間隔)來形成具有優越(yue)的(de)(de)(de)密封功能和(he)優越(yue)的(de)(de)(de)柔性的(de)(de)(de)包封部(bu)分400，所以(yi)可(ke)(ke)以(yi)形成具有改善的(de)(de)(de)可(ke)(ke)靠性的(de)(de)(de)顯(xian)示裝置(zhi)。

換句(ju)話說(shuo)，在通過(guo)根據本實施例(li)的(de)方法制造(zao)的(de)顯(xian)示(shi)裝置中，包封部分400包括第一層(ceng)(ceng)410、第二層(ceng)(ceng)430和第三(san)層(ceng)(ceng)450，其中，第一層(ceng)(ceng)410和第三(san)層(ceng)(ceng)450的(de)邊緣接觸基底100，第三(san)層(ceng)(ceng)450完全(quan)包圍(例(li)如(ru)，圍封或(huo)圍繞)第二層(ceng)(ceng)430。因此，可(ke)(ke)以(yi)防(fang)止或(huo)減(jian)少(shao)外部濕氣和/或(huo)氧穿過(guo)由有機和/或(huo)無機復合材料形成的(de)第二層(ceng)(ceng)430的(de)側表面(mian)的(de)侵入，并且(qie)可(ke)(ke)以(yi)改善(shan)顯(xian)示(shi)裝置的(de)可(ke)(ke)靠(kao)性。

在根據本實施(shi)例(li)的(de)(de)(de)制(zhi)造顯(xian)示(shi)裝置的(de)(de)(de)方(fang)法(fa)中(zhong)，由于(yu)通(tong)過cvd方(fang)法(fa)形成第(di)(di)一層410、第(di)(di)二層430和第(di)(di)三層450的(de)(de)(de)全部，所以可(ke)(ke)以在同一室中(zhong)形成第(di)(di)一層410、第(di)(di)二層430和第(di)(di)三層450。因此(ci)，顯(xian)著地(di)減小(xiao)了在制(zhi)造工(gong)藝期間基底100移動的(de)(de)(de)距離，并且(qie)可(ke)(ke)以簡化制(zhi)造工(gong)藝。

圖(tu)(tu)(tu)(tu)4a至圖(tu)(tu)(tu)(tu)4c是順序地示(shi)(shi)出通過根據另一(yi)個(ge)實施例的方法制造的顯示(shi)(shi)裝置的剖視圖(tu)(tu)(tu)(tu)。在圖(tu)(tu)(tu)(tu)4a至圖(tu)(tu)(tu)(tu)4c中，與圖(tu)(tu)(tu)(tu)1至圖(tu)(tu)(tu)(tu)3中的附(fu)圖(tu)(tu)(tu)(tu)標記相同的附(fu)圖(tu)(tu)(tu)(tu)標記表示(shi)(shi)相同的元件，不(bu)會提供對相同附(fu)圖(tu)(tu)(tu)(tu)標記的重(zhong)復描述。

首先(xian)，參(can)照圖(tu)4a，顯(xian)示部(bu)分(fen)200可(ke)以(yi)(yi)在基底(di)100上(shang)方，保(bao)護層300可(ke)以(yi)(yi)在顯(xian)示部(bu)分(fen)200上(shang)。

然后，第一層410可以在保護層300上(shang)。

可以通(tong)過維持(chi)掩模m和待形成(cheng)(cheng)第(di)(di)一層410的表(biao)面之間(jian)(jian)的第(di)(di)一間(jian)(jian)隔h1的距離來(lai)形成(cheng)(cheng)第(di)(di)一層410(步驟一)。

在根據本(ben)實施(shi)例的(de)制(zhi)造(zao)顯(xian)示裝(zhuang)置的(de)方(fang)法中，由于當(dang)掩(yan)(yan)模(mo)m以(yi)第(di)一(yi)(yi)間(jian)隔h1與受到(dao)沉積的(de)表(biao)面分隔開(kai)時形成第(di)一(yi)(yi)層410，所以(yi)第(di)一(yi)(yi)層410可以(yi)不局限于與掩(yan)(yan)模(mo)m的(de)開(kai)口o對應的(de)位置，而可以(yi)是在掩(yan)(yan)模(mo)m下方(fang)的(de)大的(de)或寬的(de)區域中。

換句話說，第一層410可以具有比(bi)掩模m的開口o的寬度大(da)的寬度。

在一(yi)個實施例(li)中，第(di)一(yi)層(ceng)(ceng)410可(ke)以(yi)具有大(da)的(de)或寬的(de)區域使得(de)第(di)一(yi)層(ceng)(ceng)410的(de)邊緣可(ke)以(yi)緊密地接觸基(ji)底100。換句(ju)話(hua)說，第(di)一(yi)層(ceng)(ceng)410的(de)相對的(de)端部可(ke)以(yi)接觸基(ji)底100，因(yin)此第(di)一(yi)層(ceng)(ceng)410可(ke)以(yi)在基(ji)底100上(shang)以(yi)完全地密封顯(xian)示(shi)部分200。

第(di)一層410可以是包(bao)括氧化(hua)物(wu)(wu)和/或(huo)金屬氮(dan)化(hua)物(wu)(wu)的單層或(huo)多層結構。

在一(yi)(yi)(yi)個實(shi)施例(li)中，可以由(you)無(wu)機材料形成(cheng)第一(yi)(yi)(yi)層410。例(li)如，可以由(you)從sinx、al2o3、siox、sion、sicn、tiox、wox、sioxcy和sioxcyhz中選擇的至少一(yi)(yi)(yi)種形成(cheng)第一(yi)(yi)(yi)層410。

在(zai)一個實施例中，第一間(jian)隔h1可以是大(da)約(yue)1μm至300μm。換句話(hua)說，當覆(fu)蓋(gai)層(ceng)310和阻擋(dang)層(ceng)330順序地堆(dui)疊在(zai)顯示部分200上或上方時，從阻擋(dang)層(ceng)330的(de)上表面(mian)到(dao)掩(yan)模m的(de)距(ju)離可以是大(da)約(yue)1μm至300μm。當保護(hu)層(ceng)300不在(zai)顯示部分200上時，從顯示部分200的(de)上表面(mian)到(dao)掩(yan)模m的(de)距(ju)離可以是大(da)約(yue)1μm至300μm。

在一個實(shi)施例中(zhong)，第一層410可以通(tong)過cvd方法來(lai)形成以具(ju)有固定的或確定的厚度(du)。

然后(hou)，參照圖4b，第二層(ceng)430可以(yi)在第一層(ceng)410上。

可(ke)以(yi)使用(yong)用(yong)于形(xing)成(cheng)第一(yi)層(ceng)410的(de)同(tong)一(yi)掩模m來形(xing)成(cheng)第二層(ceng)430。換句話說，第一(yi)層(ceng)410和第二層(ceng)430均可(ke)以(yi)使用(yong)同(tong)一(yi)掩模m并且通過調節(jie)在(zai)掩模m和受到沉(chen)積的(de)表(biao)面(mian)之間(jian)的(de)間(jian)隔來形(xing)成(cheng)(步驟(zou)二)。

可以通(tong)過(guo)維持(chi)掩模m和(he)第(di)一層(ceng)410的上(shang)表(biao)面之間的不同于(yu)第(di)一間隔(ge)h1的第(di)二間隔(ge)h2的距(ju)離(li)來形(xing)成第(di)二層(ceng)430。

在一(yi)個實(shi)施例中，第(di)二(er)間隔h2可(ke)以大于(yu)第(di)一(yi)間隔h1。換句話說，可(ke)以使用掩模m以距離(li)第(di)一(yi)層(ceng)410的上表面的大于(yu)第(di)一(yi)間隔h1的第(di)二(er)間隔h2來形成(cheng)第(di)二(er)層(ceng)430。

因此，如圖(tu)4b中所示，第二層430的寬(kuan)度(du)可以大(da)于第一(yi)層410的寬(kuan)度(du)。

在一個實(shi)施例中，第(di)二間隔h2和(he)第(di)一間隔h1之間的差可(ke)以(yi)大于0mm并且(qie)小于或等(deng)于1mm。

在(zai)(zai)根據本實(shi)施例的制造顯示裝置(zhi)的方法中(zhong)，由于當(dang)掩(yan)模m以(yi)第(di)二間(jian)隔h2與第(di)一層410的上表面分隔開時形(xing)成第(di)二層430，所(suo)以(yi)第(di)二層430可以(yi)不局限(xian)于與掩(yan)模m的開口(kou)o對(dui)應的區域(yu)，而是還可以(yi)在(zai)(zai)掩(yan)模m下方的寬的區域(yu)中(zhong)。

換句話說(shuo)，第二層(ceng)430可(ke)以(yi)具有(you)比掩模(mo)m的(de)開(kai)口o的(de)寬(kuan)度大的(de)寬(kuan)度。

在一個(ge)實施例中，第二層(ceng)430可(ke)以(yi)形成為具有大的(de)或寬的(de)區域(yu)使(shi)得(de)第二層(ceng)430的(de)邊緣可(ke)以(yi)緊(jin)密地接(jie)觸基底100。換(huan)句(ju)話說(shuo)，第二層(ceng)430可(ke)以(yi)在基底100上使(shi)得(de)第二層(ceng)430的(de)相對的(de)端部(bu)可(ke)以(yi)接(jie)觸基底100。

可以由與(yu)第一層410的(de)材(cai)料不同的(de)材(cai)料形成第二(er)層430。

可(ke)以由有(you)機和/或無機復合材料形成第二層430。

在一個實施(shi)例中(zhong)，可(ke)以由從六(liu)甲(jia)基(ji)二硅(gui)(gui)氧烷(wan)(hmdso)、六(liu)甲(jia)基(ji)二硅(gui)(gui)氮烷(wan)(hmdsn)、四(si)甲(jia)基(ji)二硅(gui)(gui)氧烷(wan)(tmdso)、正(zheng)硅(gui)(gui)酸乙酯(teos)、八甲(jia)基(ji)環(huan)四(si)硅(gui)(gui)氧烷(wan)(omcts)和四(si)氧甲(jia)基(ji)環(huan)四(si)硅(gui)(gui)氧烷(wan)(tomcts)中(zhong)選擇的至少一種材料來形成(cheng)第二層430。

然而(er)，形成第(di)二(er)層430的材(cai)料(liao)不限于以上材(cai)料(liao)，可以采用可使用掩模m形成的任(ren)何柔性材(cai)料(liao)。

在一個實施例中，第二層(ceng)430可以(yi)通過cvd方法來形成(cheng)以(yi)具有固定的(de)或確(que)定的(de)厚(hou)度。

然后，參照圖4c，第(di)三(san)層(ceng)(ceng)450可以在(zai)第(di)二層(ceng)(ceng)430上。

可(ke)以(yi)使(shi)用(yong)用(yong)于形(xing)(xing)成第(di)二(er)層430的同一(yi)掩模m來形(xing)(xing)成第(di)三(san)層450。換句話說，可(ke)以(yi)使(shi)用(yong)同一(yi)掩模m并且調節掩模m和受到沉積(ji)的表面之間的間隔來形(xing)(xing)成第(di)二(er)層430和第(di)三(san)層450。

可以通過維持(chi)掩(yan)模m和第(di)二層(ceng)430的(de)上表面(mian)之間(jian)(jian)的(de)不同于第(di)二間(jian)(jian)隔(ge)(ge)h2的(de)第(di)三(san)間(jian)(jian)隔(ge)(ge)h3的(de)距離形(xing)成第(di)三(san)層(ceng)450(步驟三(san))。

在一個(ge)實施例中，第(di)(di)三間(jian)(jian)隔(ge)h3可(ke)以大于第(di)(di)二間(jian)(jian)隔(ge)h2。換句(ju)話說，可(ke)以使(shi)用(yong)掩模(mo)m和(he)第(di)(di)二層430的(de)上表面之(zhi)間(jian)(jian)的(de)大于第(di)(di)二間(jian)(jian)隔(ge)h2的(de)第(di)(di)三間(jian)(jian)隔(ge)h3的(de)距(ju)離來(lai)形成第(di)(di)三層450。

因此，如圖4c中所示(shi)，第三層450的寬(kuan)度可以大于第二層430的寬(kuan)度。

第(di)三間隔(ge)h3可以大于(yu)第(di)二(er)(er)間隔(ge)h2，第(di)二(er)(er)間隔(ge)h2可以大于(yu)第(di)一間隔(ge)h1。因此，如圖(tu)4c中(zhong)所示(shi)，第(di)三層450的寬(kuan)度(du)(du)可以大于(yu)第(di)二(er)(er)層430的寬(kuan)度(du)(du)和第(di)一層410的寬(kuan)度(du)(du)。

在(zai)一個實施例中，第三間(jian)(jian)隔(ge)h3和第二間(jian)(jian)隔(ge)h2之(zhi)間(jian)(jian)的差可以大于0mm并且小于或(huo)等于1mm。

第三層(ceng)450可(ke)以是包括氧化物和(he)/或金屬氮化物的單層(ceng)或多層(ceng)結構。

在一(yi)(yi)個實施例中(zhong)，可以(yi)由無機材(cai)料形成(cheng)第三(san)層(ceng)450。例如，可以(yi)由從(cong)sinx、al2o3、siox、sion、sicn、tiox、wox、sioxcy和(he)sioxcyhz中(zhong)選擇的(de)至少一(yi)(yi)種形成(cheng)第三(san)層(ceng)450。

在此狀態下，可以由(you)(you)與(yu)第(di)(di)一(yi)層410的(de)(de)材(cai)(cai)料(liao)相同(tong)的(de)(de)材(cai)(cai)料(liao)形成(cheng)第(di)(di)三(san)層450。然而(er)，本公開的(de)(de)實施例不(bu)限于(yu)此，可以由(you)(you)與(yu)第(di)(di)一(yi)層410的(de)(de)材(cai)(cai)料(liao)不(bu)同(tong)的(de)(de)材(cai)(cai)料(liao)形成(cheng)第(di)(di)三(san)層450。

在根據本實(shi)施例的(de)(de)制(zhi)造顯示裝置的(de)(de)方法中(zhong)，由于(yu)當掩模(mo)(mo)m與第二層(ceng)(ceng)430的(de)(de)上表面分隔(ge)開(kai)第三間(jian)隔(ge)h3時(shi)形成第三層(ceng)(ceng)450，所以(yi)第三層(ceng)(ceng)450可(ke)以(yi)不局限于(yu)與掩模(mo)(mo)m的(de)(de)開(kai)口o對應的(de)(de)區(qu)(qu)域(yu)，而是還可(ke)以(yi)在掩模(mo)(mo)m下方的(de)(de)寬的(de)(de)區(qu)(qu)域(yu)中(zhong)。

換句(ju)話說(shuo)，第(di)三層450可以形(xing)成為具有比掩模(mo)m的(de)開口o的(de)寬度(du)大的(de)寬度(du)。

在(zai)一個(ge)實施(shi)例中(zhong)，第三層450可以形成為(wei)具有(you)大(da)的(de)或寬的(de)區域使得第三層450的(de)邊緣緊密(mi)地(di)接觸(chu)基底(di)(di)100。換句話說，第三層450的(de)相對的(de)端部可以在(zai)基底(di)(di)100上(shang)以接觸(chu)基底(di)(di)100。

在通過根(gen)據本(ben)實施(shi)例(li)的(de)(de)方法制造的(de)(de)顯示裝置中，第(di)一層(ceng)410、第(di)二層(ceng)430和第(di)三(san)層(ceng)450中每(mei)個的(de)(de)相對(dui)的(de)(de)端部可以形成(cheng)為(wei)緊(jin)密地(di)接觸基底100。

另外(wai)，第(di)一層(ceng)410的(de)邊(bian)(bian)緣接(jie)(jie)觸第(di)二層(ceng)430的(de)邊(bian)(bian)緣，第(di)二層(ceng)430的(de)邊(bian)(bian)緣接(jie)(jie)觸第(di)三層(ceng)450的(de)邊(bian)(bian)緣。

換句(ju)話說，由于(yu)第(di)(di)三(san)層(ceng)450形成為圍繞(rao)(例如，包封)基(ji)底100、第(di)(di)一層(ceng)410和第(di)(di)二層(ceng)430，所以(yi)可(ke)以(yi)防止(zhi)或(huo)減少濕氣和/或(huo)氧穿過第(di)(di)二層(ceng)430的(de)側表(biao)面的(de)侵入，因(yin)此(ci)可(ke)以(yi)改善顯示裝置(zhi)的(de)可(ke)靠性。

在(zai)一個實施例中，第三(san)層450可以通過cvd方法來(lai)形(xing)成以具有固定(ding)的或(huo)確定(ding)的厚度。

在通過(guo)根據本(ben)實施例的(de)方法制造(zao)的(de)顯示(shi)(shi)裝置中，如圖(tu)4c中所示(shi)(shi)，雖(sui)然包(bao)(bao)封部分400包(bao)(bao)括(kuo)第(di)一層(ceng)(ceng)410、第(di)二層(ceng)(ceng)430和第(di)三層(ceng)(ceng)450，但是形成包(bao)(bao)封部分400的(de)層(ceng)(ceng)數不限于此，包(bao)(bao)封部分400可(ke)以額(e)外(wai)地(di)包(bao)(bao)括(kuo)多個層(ceng)(ceng)。可(ke)以使(shi)用(yong)同(tong)一掩模(mo)m并通過(guo)調節掩模(mo)m和目(mu)標表面之(zhi)間的(de)間隔(ge)來形成額(e)外(wai)的(de)層(ceng)(ceng)。另外(wai)，可(ke)以形成在第(di)三層(ceng)(ceng)450的(de)頂部上形成的(de)額(e)外(wai)的(de)單(dan)層(ceng)(ceng)或多層(ceng)(ceng)，使(shi)得所述額(e)外(wai)的(de)單(dan)層(ceng)(ceng)或多層(ceng)(ceng)的(de)邊(bian)緣緊密地(di)接觸基底100(例如，通過(guo)維持掩模(mo)m和待形成的(de)目(mu)標表面之(zhi)間的(de)寬的(de)或非(fei)零(ling)間隔(ge))。

在根(gen)據本(ben)實施例的制(zhi)造(zao)顯示裝置的方法(fa)中(zhong)(zhong)，如圖(tu)4a至圖(tu)4c中(zhong)(zhong)所(suo)示，由于可以僅使用一個掩模m來形成由無機(ji)材(cai)料或有(you)機(ji)和(he)/或無機(ji)復(fu)合材(cai)料形成的多個層(ceng)(ceng)(例如，第一層(ceng)(ceng)410、第二層(ceng)(ceng)430和(he)第三層(ceng)(ceng)450)，所(suo)以可以減少掩模的個數并且因此可以簡化制(zhi)造(zao)工(gong)藝。

另(ling)外，可(ke)(ke)以僅使用(yong)一個(ge)掩模(mo)m并通過調(diao)節(jie)掩模(mo)m的(de)位置(zhi)來形成具(ju)有(you)優越的(de)密封(feng)功能和優越的(de)柔性的(de)包封(feng)部(bu)分400。因此，可(ke)(ke)以形成具(ju)有(you)改善(shan)的(de)可(ke)(ke)靠性的(de)顯(xian)示裝(zhuang)置(zhi)。

換句話說，在通過(guo)根(gen)據本(ben)實施例的(de)(de)(de)方法(fa)制造(zao)的(de)(de)(de)顯(xian)示裝(zhuang)置中(zhong)(zhong)，由(you)于第(di)(di)(di)一層(ceng)(ceng)410、第(di)(di)(di)二層(ceng)(ceng)430和第(di)(di)(di)三(san)層(ceng)(ceng)450(包括在包封部(bu)分(fen)400中(zhong)(zhong))中(zhong)(zhong)的(de)(de)(de)每個的(de)(de)(de)邊緣接觸基(ji)底100，并且基(ji)底100、第(di)(di)(di)一層(ceng)(ceng)410和第(di)(di)(di)三(san)層(ceng)(ceng)450完全地圍(wei)繞(例如，圍(wei)封)第(di)(di)(di)二層(ceng)(ceng)430，所以(yi)可(ke)以(yi)防止或(huo)減(jian)少外(wai)部(bu)濕氣和/或(huo)氧穿過(guo)由(you)有(you)機和/或(huo)無機復合(he)材料形成的(de)(de)(de)第(di)(di)(di)二層(ceng)(ceng)430的(de)(de)(de)側表(biao)面的(de)(de)(de)侵入，并且可(ke)以(yi)改善顯(xian)示裝(zhuang)置的(de)(de)(de)可(ke)靠性。

在(zai)(zai)制造顯(xian)示(shi)裝置的(de)方法中(zhong)，根據本實(shi)施例，由于可(ke)以通過cvd方法在(zai)(zai)同一室中(zhong)形(xing)成第一層410、第二(er)層430和第三層450中(zhong)的(de)全部，所以可(ke)以顯(xian)著地減小在(zai)(zai)制造工(gong)藝期(qi)間基(ji)底(di)100移(yi)動(dong)的(de)距離，因此(ci)可(ke)以簡化(hua)制造工(gong)藝。

根據(ju)本(ben)公開，有(you)益的是，可以(yi)減(jian)少(shao)在薄膜包封部分的形成期間的掩模的個數。

另外，有益的是，可以形成具有優越(yue)的密封(feng)性和柔性的薄(bo)膜包封(feng)部分。

應當理(li)解的(de)(de)(de)(de)是，這(zhe)里所描述的(de)(de)(de)(de)實(shi)施例(li)應當僅以(yi)描述的(de)(de)(de)(de)意義來考慮而(er)不出于限制的(de)(de)(de)(de)目的(de)(de)(de)(de)。每個實(shi)施例(li)中的(de)(de)(de)(de)特征或方面的(de)(de)(de)(de)描述通常應當被考慮為可用于其(qi)(qi)它實(shi)施例(li)中的(de)(de)(de)(de)其(qi)(qi)它相似(si)的(de)(de)(de)(de)特征或方面。

此外，當(dang)描述本公開的實施(shi)例(li)時，“可以”的使用表示(shi)“本公開的一個或(huo)更多個實施(shi)例(li)”。

另外，如在此使(shi)(shi)用的，術語(yu)“使(shi)(shi)用”可以被(bei)認為與(yu)術語(yu)“利用”同義。

如在(zai)此使用的，術(shu)(shu)(shu)語(yu)(yu)“基本上”、“大約”和相似(si)的術(shu)(shu)(shu)語(yu)(yu)被用作近似(si)的術(shu)(shu)(shu)語(yu)(yu)而不是用作程度的術(shu)(shu)(shu)語(yu)(yu)，并且旨(zhi)在(zai)解(jie)釋(shi)將被本領域普通(tong)技(ji)術(shu)(shu)(shu)人(ren)員(yuan)理解(jie)的測量或計算(suan)值中的固有偏差。

另外，在(zai)(zai)(zai)(zai)此敘(xu)述(shu)的(de)(de)(de)任何(he)數值(zhi)(zhi)范(fan)(fan)圍旨在(zai)(zai)(zai)(zai)包(bao)(bao)括所(suo)敘(xu)述(shu)范(fan)(fan)圍內所(suo)包(bao)(bao)含(han)(han)的(de)(de)(de)相(xiang)同數值(zhi)(zhi)精度的(de)(de)(de)所(suo)有子范(fan)(fan)圍。例如(ru)，范(fan)(fan)圍“1.0至(zhi)10.0”旨在(zai)(zai)(zai)(zai)包(bao)(bao)括在(zai)(zai)(zai)(zai)敘(xu)述(shu)的(de)(de)(de)最(zui)小(xiao)(xiao)值(zhi)(zhi)1.0和敘(xu)述(shu)的(de)(de)(de)最(zui)大(da)值(zhi)(zhi)10.0之間(并且包(bao)(bao)括敘(xu)述(shu)的(de)(de)(de)最(zui)小(xiao)(xiao)值(zhi)(zhi)1.0和敘(xu)述(shu)的(de)(de)(de)最(zui)大(da)值(zhi)(zhi)10.0)的(de)(de)(de)所(suo)有子范(fan)(fan)圍，即，具有等于或(huo)大(da)于1.0的(de)(de)(de)最(zui)小(xiao)(xiao)值(zhi)(zhi)且等于或(huo)小(xiao)(xiao)于10.0的(de)(de)(de)最(zui)大(da)值(zhi)(zhi)，諸如(ru)，以2.4至(zhi)7.6為(wei)例。在(zai)(zai)(zai)(zai)此所(suo)敘(xu)述(shu)的(de)(de)(de)任何(he)最(zui)大(da)數值(zhi)(zhi)限(xian)度旨在(zai)(zai)(zai)(zai)包(bao)(bao)括其中(zhong)包(bao)(bao)含(han)(han)的(de)(de)(de)所(suo)有較(jiao)(jiao)低(di)數值(zhi)(zhi)限(xian)度，在(zai)(zai)(zai)(zai)該說明書(shu)中(zhong)所(suo)敘(xu)述(shu)的(de)(de)(de)任何(he)最(zui)小(xiao)(xiao)數值(zhi)(zhi)限(xian)度旨在(zai)(zai)(zai)(zai)包(bao)(bao)括其中(zhong)包(bao)(bao)含(han)(han)的(de)(de)(de)所(suo)有較(jiao)(jiao)高數值(zhi)(zhi)限(xian)度。因(yin)此，申請人(ren)保(bao)留修改(gai)該說明書(shu)(包(bao)(bao)括權(quan)(quan)利要求(qiu))以明確地敘(xu)述(shu)包(bao)(bao)含(han)(han)于在(zai)(zai)(zai)(zai)此明確地敘(xu)述(shu)的(de)(de)(de)范(fan)(fan)圍中(zhong)的(de)(de)(de)任何(he)子范(fan)(fan)圍的(de)(de)(de)權(quan)(quan)利。

雖然(ran)已經參照(zhao)附圖描述了一個或(huo)更(geng)多個實施例，但是將被本領域(yu)普通技術人員理解的(de)是，在不(bu)脫離(li)如由權(quan)利要求及其(qi)等同物所限定的(de)精(jing)神和范圍的(de)情況下，可以做出形式上(shang)和細節上(shang)的(de)各種改變。