相關申請的交叉引用

本申(shen)(shen)請(qing)要求于2016年3月(yue)29日提交的(de)美國臨時申(shen)(shen)請(qing)no.62/314,659的(de)權益(yi)。上述申(shen)(shen)請(qing)的(de)全部公開內(nei)容(rong)通過引用并入本文。

本公開涉及用于測量襯底處理系統中的(de)邊緣環的(de)系統和方法。

背景技術：

這里提供的(de)背(bei)(bei)景描(miao)述是為了一般地(di)呈(cheng)現(xian)本(ben)公開(kai)的(de)背(bei)(bei)景的(de)目的(de)。在該背(bei)(bei)景技(ji)(ji)術(shu)部分以(yi)及(ji)在提交時不(bu)會以(yi)其他方式認為是現(xian)有(you)技(ji)(ji)術(shu)的(de)描(miao)述的(de)方面(mian)中描(miao)述的(de)程度上，目前(qian)署名(ming)的(de)發明(ming)人的(de)工作(zuo)既不(bu)明(ming)確地(di)也不(bu)隱含(han)地(di)被承認為針(zhen)對本(ben)公開(kai)的(de)現(xian)有(you)技(ji)(ji)術(shu)。

襯底處(chu)理(li)(li)系統(tong)可(ke)(ke)用于蝕(shi)刻襯底(例如半導體(ti)晶片(pian))上的膜。襯底處(chu)理(li)(li)系統(tong)通常包括處(chu)理(li)(li)室(shi)、氣體(ti)分配裝(zhuang)置和(he)襯底支撐(cheng)件。在(zai)處(chu)理(li)(li)期間，襯底被布(bu)置在(zai)襯底支撐(cheng)件上。可(ke)(ke)以將不同的氣體(ti)混合物引入到處(chu)理(li)(li)室(shi)中(zhong)，并(bing)且射頻(rf)等離子(zi)體(ti)可(ke)(ke)以用于激活(huo)化學(xue)反應(ying)。

襯(chen)底支撐(cheng)件(jian)(jian)可(ke)以(yi)包括圍繞襯(chen)底支撐(cheng)件(jian)(jian)的(de)(de)外部部分(例如，在周(zhou)邊的(de)(de)外部和(he)/或與周(zhou)邊相(xiang)鄰)布置的(de)(de)邊緣(yuan)環(huan)。可(ke)以(yi)提供邊緣(yuan)環(huan)以(yi)將等離(li)(li)子體限制(zhi)到襯(chen)底上(shang)方的(de)(de)體積，保護襯(chen)底支撐(cheng)件(jian)(jian)免受(shou)等離(li)(li)子體等引起的(de)(de)侵蝕(shi)。

技術實現要素：

在(zai)襯(chen)(chen)(chen)底(di)(di)(di)處(chu)理系統中的(de)(de)襯(chen)(chen)(chen)底(di)(di)(di)支(zhi)撐(cheng)件(jian)包括(kuo)：布置成支(zhi)撐(cheng)襯(chen)(chen)(chen)底(di)(di)(di)的(de)(de)內部部分(fen)、圍繞所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)內部部分(fen)的(de)(de)邊緣(yuan)環、以(yi)及控制器(qi)。所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)控制器(qi)執行以(yi)下操作中的(de)(de)至少一(yi)(yi)個：升高所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)邊緣(yuan)環以(yi)選(xuan)擇性地使(shi)所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)邊緣(yuan)環接(jie)合(he)所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)襯(chen)(chen)(chen)底(di)(di)(di)，以(yi)及降低所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)內部部分(fen)以(yi)選(xuan)擇性地使(shi)所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)邊緣(yuan)環接(jie)合(he)所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)襯(chen)(chen)(chen)底(di)(di)(di)。所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)控制器(qi)確定所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)邊緣(yuan)環何時(shi)接(jie)合(he)所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)襯(chen)(chen)(chen)底(di)(di)(di)，并且基于對所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)邊緣(yuan)環何時(shi)接(jie)合(he)所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)襯(chen)(chen)(chen)底(di)(di)(di)的(de)(de)所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)確定來計算所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)襯(chen)(chen)(chen)底(di)(di)(di)處(chu)理系統的(de)(de)至少一(yi)(yi)個特(te)性。

一種確(que)定襯(chen)(chen)底(di)處理系(xi)統的特(te)性的方(fang)法包括將測試襯(chen)(chen)底(di)布置在(zai)襯(chen)(chen)底(di)支(zhi)撐件(jian)的內(nei)(nei)部(bu)部(bu)分上(shang)。所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)測試襯(chen)(chen)底(di)包括從(cong)所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)測試襯(chen)(chen)底(di)的邊(bian)(bian)緣(yuan)向外延(yan)伸(shen)的接(jie)觸(chu)(chu)指(zhi)。所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)方(fang)法還包括：升高(gao)圍繞(rao)所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)內(nei)(nei)部(bu)部(bu)分的邊(bian)(bian)緣(yuan)環以使(shi)所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)邊(bian)(bian)緣(yuan)環的內(nei)(nei)徑(jing)(jing)接(jie)合(he)所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)接(jie)觸(chu)(chu)指(zhi)和降低(di)所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)內(nei)(nei)部(bu)部(bu)分以使(shi)所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)邊(bian)(bian)緣(yuan)環的所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)內(nei)(nei)徑(jing)(jing)接(jie)合(he)所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)接(jie)觸(chu)(chu)指(zhi)中的至少(shao)一項，確(que)定所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)邊(bian)(bian)緣(yuan)環的所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)內(nei)(nei)徑(jing)(jing)何時(shi)接(jie)合(he)所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)接(jie)觸(chu)(chu)指(zhi)，以及基于(yu)對所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)邊(bian)(bian)緣(yuan)環的所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)內(nei)(nei)徑(jing)(jing)何時(shi)接(jie)合(he)所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)接(jie)觸(chu)(chu)指(zhi)的所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)確(que)定來確(que)定所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)襯(chen)(chen)底(di)處理系(xi)統的至少(shao)一個(ge)特(te)性。

具(ju)體而言(yan)，本發明(ming)的一些方面(mian)可以闡述(shu)如下：

1.一種(zhong)襯底處理(li)系統中的襯底支撐(cheng)件，所述襯底支撐(cheng)件包括：

內部部分，其布置(zhi)成(cheng)支撐(cheng)襯底；

圍繞(rao)所(suo)述內部部分的邊緣(yuan)環；以及

控制器，其

執行(xing)操作(i)和(ii)中(zhong)的(de)至少一個：(i)升高所(suo)述(shu)(shu)邊緣(yuan)環(huan)以(yi)選擇性地使所(suo)述(shu)(shu)邊緣(yuan)環(huan)接合(he)所(suo)述(shu)(shu)襯(chen)底，(ii)降(jiang)低所(suo)述(shu)(shu)內(nei)部部分(fen)以(yi)選擇性地使所(suo)述(shu)(shu)邊緣(yuan)環(huan)接合(he)所(suo)述(shu)(shu)襯(chen)底，

確定所述邊(bian)緣環(huan)何(he)時接合所述襯底(di)，以及

基于對所述邊緣環何時接合所述襯底的所述確定來計算(suan)所述襯底處理系(xi)統的至(zhi)少一個特性。

2.根據條款1所述(shu)的(de)(de)襯底(di)(di)支撐件，其中確(que)定所述(shu)邊(bian)緣(yuan)環何(he)時接(jie)合(he)所述(shu)襯底(di)(di)包括確(que)定使所述(shu)邊(bian)緣(yuan)環接(jie)合(he)所述(shu)襯底(di)(di)的(de)(de)所述(shu)邊(bian)緣(yuan)環被升高的(de)(de)量和所述(shu)內部(bu)部(bu)分(fen)被降(jiang)低的(de)(de)量中的(de)(de)至少一(yi)個。

3.根據條款1所述(shu)的襯底支(zhi)撐(cheng)件，其中所述(shu)至少一個(ge)特性是所述(shu)邊緣(yuan)環(huan)的尺(chi)寸。

4.根據(ju)條款1所(suo)述(shu)的(de)襯(chen)底(di)支撐件，其中所(suo)述(shu)襯(chen)底(di)包括從所(suo)述(shu)襯(chen)底(di)的(de)邊緣向外(wai)延伸(shen)的(de)至少一個接觸(chu)指，并且其中所(suo)述(shu)至少一個接觸(chu)指被設置(zhi)成接合所(suo)述(shu)邊緣環(huan)。

5.根(gen)據條款4所述的襯底支撐件(jian)，其(qi)中所述接觸指被(bei)布置(zhi)成接合所述邊緣(yuan)環(huan)的內徑。

6.根據條款1所(suo)(suo)述(shu)的(de)襯底支(zhi)撐件，其中，為了確定所(suo)(suo)述(shu)邊緣環何時接(jie)合(he)所(suo)(suo)述(shu)襯底，所(suo)(suo)述(shu)控制(zhi)器監測從所(suo)(suo)述(shu)襯底的(de)表面反射的(de)信號。

7.根據條款1所(suo)述(shu)的(de)(de)(de)襯(chen)底支撐件，其中(zhong)，為了計算所(suo)述(shu)襯(chen)底處理(li)系(xi)統的(de)(de)(de)所(suo)述(shu)至少一(yi)個特性，所(suo)述(shu)控制器確定使所(suo)述(shu)邊緣(yuan)環(huan)接合所(suo)述(shu)襯(chen)底的(de)(de)(de)所(suo)述(shu)邊緣(yuan)環(huan)被(bei)升高的(de)(de)(de)量和所(suo)述(shu)內部(bu)部(bu)分被(bei)降低的(de)(de)(de)量中(zhong)的(de)(de)(de)至少一(yi)個。

8.根(gen)據條(tiao)款1所述的襯底支撐件，其還包括：

多個銷，其定位成支撐(cheng)所(suo)述邊(bian)緣環；以及

多個致動器，其響應(ying)于所述控制器并被布置成選(xuan)擇性地(di)升高和降低所述多個銷(xiao)中的相應(ying)銷(xiao)。

9.根據條款1所述的(de)襯(chen)底支(zhi)撐(cheng)件，其還包括：

至少一個致動器(qi)，其響應(ying)于所述控制(zhi)器(qi)并且布置(zhi)成選擇(ze)性地升(sheng)高和降低所述內部部分。

10.一種確定襯底處(chu)理系(xi)統的(de)特性的(de)方法(fa)，所述方法(fa)包括：

將測(ce)試襯底布置在襯底支撐件的內(nei)部部分(fen)上(shang)，其中所述測(ce)試襯底包(bao)括(kuo)從(cong)所述測(ce)試襯底的邊緣向外延伸的接觸(chu)指；

執行(xing)操作(i)和(ii)中的(de)至少一個：(i)升高圍繞所述(shu)(shu)內(nei)(nei)(nei)部(bu)(bu)部(bu)(bu)分的(de)邊緣環(huan)以使所述(shu)(shu)邊緣環(huan)的(de)內(nei)(nei)(nei)徑接(jie)合(he)所述(shu)(shu)接(jie)觸(chu)指，(ii)降低所述(shu)(shu)內(nei)(nei)(nei)部(bu)(bu)部(bu)(bu)分以使所述(shu)(shu)邊緣環(huan)的(de)所述(shu)(shu)內(nei)(nei)(nei)徑接(jie)合(he)所述(shu)(shu)接(jie)觸(chu)指；

確定所述(shu)邊緣環的所述(shu)內徑何時接(jie)(jie)合所述(shu)接(jie)(jie)觸指；以及

基于對(dui)所(suo)(suo)述(shu)(shu)邊緣環的(de)所(suo)(suo)述(shu)(shu)內徑何時接(jie)合所(suo)(suo)述(shu)(shu)接(jie)觸指的(de)確定來確定所(suo)(suo)述(shu)(shu)襯底處理(li)系(xi)統的(de)至少一個特性。

11.根據條款10所述(shu)的(de)(de)方法(fa)，其中(zhong)(zhong)確定所述(shu)邊(bian)緣環(huan)的(de)(de)所述(shu)內(nei)徑(jing)何時(shi)接(jie)合所述(shu)襯底包(bao)括(kuo)確定使所述(shu)邊(bian)緣環(huan)的(de)(de)所述(shu)內(nei)徑(jing)接(jie)合所述(shu)襯底的(de)(de)所述(shu)邊(bian)緣環(huan)被升高的(de)(de)量和(he)所述(shu)內(nei)部(bu)部(bu)分被降低的(de)(de)量中(zhong)(zhong)的(de)(de)至少一個。

12.根據條款10所述(shu)的(de)方法(fa)，其中所述(shu)至少一個特性(xing)是所述(shu)邊緣(yuan)環的(de)尺寸。

13.根據條款10所(suo)(suo)述的方法(fa)，其(qi)中(zhong)所(suo)(suo)述襯底包括(kuo)從(cong)所(suo)(suo)述襯底的邊緣向外延(yan)伸的至少(shao)(shao)一個接觸(chu)指，并且(qie)其(qi)中(zhong)所(suo)(suo)述至少(shao)(shao)一個接觸(chu)指被布置成接合所(suo)(suo)述邊緣環(huan)。

14.根據條款13所(suo)述的方法，其中(zhong)所(suo)述接觸指被布(bu)置(zhi)成接合所(suo)述邊緣環(huan)的內徑。

15.根據條(tiao)款10所述的方法，其(qi)中確定所述邊緣環何(he)時(shi)接合所述襯(chen)底包括監測從所述襯(chen)底的表面(mian)反(fan)射的信號。

16.根據條款10所(suo)(suo)(suo)(suo)述的方(fang)法，其中計算所(suo)(suo)(suo)(suo)述襯底處理系統的所(suo)(suo)(suo)(suo)述至少一個(ge)特性包(bao)括確定(ding)使所(suo)(suo)(suo)(suo)述邊緣(yuan)環接合所(suo)(suo)(suo)(suo)述襯底的所(suo)(suo)(suo)(suo)述邊緣(yuan)環被升高的量(liang)和(he)所(suo)(suo)(suo)(suo)述內部(bu)部(bu)分(fen)被降(jiang)低的量(liang)中的至少一個(ge)。

17.根據條款(kuan)10所(suo)述(shu)(shu)的方法，其中升高(gao)所(suo)述(shu)(shu)邊緣(yuan)環(huan)包括使(shi)用被(bei)定位成支撐所(suo)述(shu)(shu)邊緣(yuan)環(huan)的多(duo)(duo)個(ge)銷(xiao)以(yi)及被(bei)布置成選擇性地(di)升高(gao)和(he)降低(di)所(suo)述(shu)(shu)多(duo)(duo)個(ge)銷(xiao)中的相應(ying)銷(xiao)的多(duo)(duo)個(ge)致動器來升高(gao)所(suo)述(shu)(shu)邊緣(yuan)環(huan)。

18.根(gen)據條款(kuan)10所述(shu)(shu)(shu)的方(fang)法，其中降(jiang)(jiang)低(di)所述(shu)(shu)(shu)內(nei)部部分(fen)包括使用被(bei)布置(zhi)成選(xuan)擇性地升高和降(jiang)(jiang)低(di)所述(shu)(shu)(shu)內(nei)部部分(fen)的至少(shao)一個致動器來降(jiang)(jiang)低(di)所述(shu)(shu)(shu)內(nei)部部分(fen)。

從(cong)詳細(xi)描(miao)述、權利要(yao)求和附(fu)圖(tu)，本公開的其他適用領域(yu)將變得顯而易見。詳細(xi)描(miao)述和具體示例僅意(yi)圖(tu)用于說明的目的，并(bing)且不(bu)旨在限制本公開的范圍。

附圖說明

從詳細描述和附圖將更充分地(di)理解本公開，其中：

圖(tu)1是根據本(ben)公開的(de)示(shi)例(li)性處理室的(de)功能框圖(tu)；

圖2a示出了根據本公開的處于降(jiang)低位置的示例性邊緣環；

圖2b示(shi)出(chu)了根據(ju)本公開的處于升高位置的示(shi)例性邊緣環；

圖2c示出(chu)了根據本公開的處于(yu)傾斜(xie)位置的示例性邊(bian)緣環；

圖(tu)3a示出(chu)了根據本公開的處于升高位置的示例性襯底(di)支撐件(jian)；

圖3b示出了根據本公開的布置在處于降低位置的襯底支撐件上(shang)的示例性測試晶片；

圖(tu)3c示(shi)出了根(gen)據本公開的(de)布(bu)置(zhi)在處于(yu)降(jiang)低位置(zhi)的(de)襯底支撐件(jian)上的(de)另一示(shi)例性(xing)測(ce)試晶片；

圖4a和(he)4b是根據本(ben)公開(kai)的示例性測試晶片(pian)的平面圖；

圖5a和5b示(shi)出了根據本公開的具有(you)第(di)一幾(ji)何(he)形狀的接觸指；

圖6a和6b示出了根據(ju)本公開的具(ju)有第二(er)幾何形狀的接觸(chu)指；

圖(tu)7a和7b示出了(le)根據(ju)本公開(kai)的具有(you)第三幾何形狀的接觸指(zhi)；以及

圖8示(shi)出了根據(ju)本(ben)公開的(de)用于測(ce)量邊緣環的(de)尺(chi)寸的(de)示(shi)例性方(fang)法的(de)步驟。

在(zai)附圖(tu)中，附圖(tu)標記(ji)可以重復(fu)使用以標識(shi)類(lei)似和/或相(xiang)同的元件。

具體實施方式

襯(chen)(chen)(chen)底處理(li)室中的(de)襯(chen)(chen)(chen)底支(zhi)撐(cheng)件可(ke)以(yi)包括邊緣環(huan)(huan)(huan)，邊緣環(huan)(huan)(huan)用于(yu)將等離(li)子(zi)體(ti)(ti)限(xian)制在襯(chen)(chen)(chen)底上方的(de)體(ti)(ti)積(ji)，保護襯(chen)(chen)(chen)底支(zhi)撐(cheng)件免受由等離(li)子(zi)體(ti)(ti)等引起的(de)侵蝕。例(li)如，邊緣環(huan)(huan)(huan)可(ke)以(yi)被布置成控制襯(chen)(chen)(chen)底和(he)邊緣環(huan)(huan)(huan)附近及圍繞襯(chen)(chen)(chen)底和(he)邊緣環(huan)(huan)(huan)的(de)等離(li)子(zi)體(ti)(ti)鞘的(de)特性，以(yi)實現期望(wang)的(de)臨界尺(chi)寸均勻性(cdu)。邊緣環(huan)(huan)(huan)的(de)各(ge)種(zhong)表(biao)面(mian)由于(yu)暴(bao)露于(yu)室內的(de)等離(li)子(zi)體(ti)(ti)而(er)隨著(zhu)時間的(de)推移經歷磨損，導致邊緣環(huan)(huan)(huan)的(de)尺(chi)寸變化。因此，在室內處理(li)的(de)襯(chen)(chen)(chen)底的(de)cdu可(ke)能(neng)受到影(ying)響(xiang)。

因此，期望優選在(zai)不打開襯(chen)底(di)處(chu)理室的(de)情況下，周期性地測量受磨損影響的(de)邊(bian)緣(yuan)環的(de)尺寸(cun)，以確定(ding)是否更換或調整(zheng)邊(bian)緣(yuan)環。用(yong)(yong)于測量邊(bian)緣(yuan)環的(de)尺寸(cun)的(de)示例性方(fang)法包括(kuo)使用(yong)(yong)激光(guang)器和(he)光(guang)電二極管，利用(yong)(yong)激光(guang)位移傳感器等來測量布置(zhi)在(zai)襯(chen)底(di)支撐件(jian)上(shang)的(de)襯(chen)底(di)的(de)傾斜。

根據本(ben)公開的(de)原理的(de)邊(bian)(bian)緣(yuan)環測(ce)(ce)量系(xi)統和方法實施(shi)可(ke)移動/可(ke)調(diao)節的(de)邊(bian)(bian)緣(yuan)環(和/或可(ke)調(diao)節的(de)襯底(di)支(zhi)撐件、卡盤、基座等(deng))和測(ce)(ce)試(shi)(shi)晶(jing)(jing)(jing)片(pian)或仿真(dummy)晶(jing)(jing)(jing)片(pian)以(yi)測(ce)(ce)量邊(bian)(bian)緣(yuan)環的(de)尺(chi)寸。可(ke)以(yi)使(shi)用例(li)(li)如用于(yu)獨立地升高和降低邊(bian)(bian)緣(yuan)環的(de)相(xiang)應(ying)部(bu)分的(de)一個(ge)或多個(ge)銷以(yi)及(ji)相(xiang)關聯的(de)致動器(例(li)(li)如，三個(ge)自(zi)由度或3dof的(de)平行機械手)來使(shi)邊(bian)(bian)緣(yuan)環可(ke)移動。測(ce)(ce)試(shi)(shi)晶(jing)(jing)(jing)片(pian)包括布置(zhi)在測(ce)(ce)試(shi)(shi)晶(jing)(jing)(jing)片(pian)的(de)邊(bian)(bian)緣(yuan)周圍并從(cong)測(ce)(ce)試(shi)(shi)晶(jing)(jing)(jing)片(pian)的(de)邊(bian)(bian)緣(yuan)向外延(yan)伸的(de)一個(ge)或多個(ge)接觸指。

測(ce)試(shi)(shi)晶(jing)片(pian)(pian)(pian)的(de)有效直徑(例(li)(li)如(ru)，由接(jie)(jie)(jie)(jie)觸(chu)指(zhi)(zhi)的(de)外(wai)端限定(ding)(ding))大于邊(bian)緣(yuan)(yuan)環(huan)(huan)(huan)的(de)內(nei)徑。因此，接(jie)(jie)(jie)(jie)觸(chu)指(zhi)(zhi)接(jie)(jie)(jie)(jie)觸(chu)邊(bian)緣(yuan)(yuan)環(huan)(huan)(huan)的(de)上(shang)表面(mian)。以(yi)(yi)(yi)這種方(fang)式，升高(gao)(gao)和降(jiang)低(di)邊(bian)緣(yuan)(yuan)環(huan)(huan)(huan)相應(ying)地(di)升高(gao)(gao)和降(jiang)低(di)測(ce)試(shi)(shi)晶(jing)片(pian)(pian)(pian)，并且可(ke)(ke)以(yi)(yi)(yi)獨(du)立(li)地(di)控制(zhi)銷以(yi)(yi)(yi)實現邊(bian)緣(yuan)(yuan)環(huan)(huan)(huan)相對于測(ce)試(shi)(shi)晶(jing)片(pian)(pian)(pian)的(de)期望定(ding)(ding)位(例(li)(li)如(ru)，高(gao)(gao)度、傾(qing)斜等)。在(zai)包括(kuo)可(ke)(ke)調節(jie)的(de)襯(chen)(chen)底支(zhi)撐件的(de)示例(li)(li)中(zhong)，襯(chen)(chen)底支(zhi)撐件可(ke)(ke)以(yi)(yi)(yi)被降(jiang)低(di)以(yi)(yi)(yi)使(shi)接(jie)(jie)(jie)(jie)觸(chu)指(zhi)(zhi)以(yi)(yi)(yi)類似的(de)方(fang)式接(jie)(jie)(jie)(jie)觸(chu)邊(bian)緣(yuan)(yuan)環(huan)(huan)(huan)。在(zai)測(ce)試(shi)(shi)晶(jing)片(pian)(pian)(pian)僅包括(kuo)一(yi)個接(jie)(jie)(jie)(jie)觸(chu)指(zhi)(zhi)的(de)示例(li)(li)中(zhong)，測(ce)試(shi)(shi)晶(jing)片(pian)(pian)(pian)可(ke)(ke)以(yi)(yi)(yi)被(例(li)(li)如(ru)，旋(xuan)轉地(di))定(ding)(ding)位，使(shi)得接(jie)(jie)(jie)(jie)觸(chu)指(zhi)(zhi)與邊(bian)緣(yuan)(yuan)環(huan)(huan)(huan)的(de)期望部分對準。因此，升高(gao)(gao)邊(bian)緣(yuan)(yuan)環(huan)(huan)(huan)以(yi)(yi)(yi)接(jie)(jie)(jie)(jie)合接(jie)(jie)(jie)(jie)觸(chu)指(zhi)(zhi)將基于邊(bian)緣(yuan)(yuan)環(huan)(huan)(huan)在(zai)該位置處的(de)特性來使(shi)晶(jing)片(pian)(pian)(pian)有區別地(di)地(di)傾(qing)斜。

襯(chen)底處理室(shi)可(ke)以(yi)(yi)包括被定位(wei)成(cheng)測(ce)量(liang)布置(zhi)在襯(chen)底支(zhi)撐(cheng)(cheng)件(jian)(jian)上的(de)晶(jing)片的(de)各(ge)種(zhong)特性的(de)測(ce)量(liang)裝(zhuang)置(zhi)(例(li)如，光測(ce)量(liang)裝(zhuang)置(zhi)(例(li)如光譜反(fan)射(she)(she)(she)計(ji)或(huo)(huo)sr、激光光譜反(fan)射(she)(she)(she)計(ji)或(huo)(huo)lsr等))。例(li)如，sr可(ke)以(yi)(yi)直接位(wei)于襯(chen)底支(zhi)撐(cheng)(cheng)件(jian)(jian)上方以(yi)(yi)在晶(jing)片處向下引導sr信(xin)(xin)(xin)號(hao)(hao)。光電二極(ji)管、電荷耦合器件(jian)(jian)(ccd)或(huo)(huo)其它(ta)感測(ce)裝(zhuang)置(zhi)被布置(zhi)成(cheng)感測(ce)從晶(jing)片的(de)表(biao)面(mian)反(fan)射(she)(she)(she)的(de)sr信(xin)(xin)(xin)號(hao)(hao)。反(fan)射(she)(she)(she)sr信(xin)(xin)(xin)號(hao)(hao)的(de)特性指示晶(jing)片的(de)各(ge)種(zhong)特性。例(li)如，反(fan)射(she)(she)(she)sr信(xin)(xin)(xin)號(hao)(hao)可(ke)以(yi)(yi)指示晶(jing)片相對于襯(chen)底支(zhi)撐(cheng)(cheng)件(jian)(jian)是否(fou)基本上平(ping)坦(即，平(ping)行于襯(chen)底支(zhi)撐(cheng)(cheng)件(jian)(jian)的(de)上表(biao)面(mian))、是否(fou)傾斜等。因此，如果邊緣環(huan)被升高，則一(yi)旦邊緣環(huan)接合一(yi)個(ge)或(huo)(huo)多個(ge)接觸指，反(fan)射(she)(she)(she)sr信(xin)(xin)(xin)號(hao)(hao)的(de)角度將(jiang)改(gai)變(bian)。

相反(fan)，如果(guo)使用邊緣(yuan)環將晶片從襯底支(zhi)撐件(jian)升高，則邊緣(yuan)環中(zhong)的(de)不(bu)均勻磨損將導致反(fan)射sr信號(hao)的(de)角度與預期角度(即，對應于晶片在襯底支(zhi)撐件(jian)上基本上平(ping)坦的(de)角度)不(bu)同(tong)。類似地，如果(guo)使用邊緣(yuan)環(例如，通過僅致動一個銷來(lai)傾斜邊緣(yuan)環)來(lai)有意地傾斜晶片，則反(fan)射sr信號(hao)將仍然指示(shi)晶片的(de)傾斜是(shi)否對應于晶片的(de)預期傾斜。

以這(zhe)種(zhong)方(fang)式(shi)，本(ben)(ben)文所述的(de)(de)(de)(de)(de)系統和方(fang)法(fa)被配置(zhi)為確(que)定邊緣(yuan)環何(he)(he)時(shi)接(jie)(jie)合(he)接(jie)(jie)觸(chu)(chu)(chu)(chu)(chu)指(zhi)，并且進(jin)一步(bu)確(que)定邊緣(yuan)環的(de)(de)(de)(de)(de)各個部分上的(de)(de)(de)(de)(de)磨(mo)損。例如，接(jie)(jie)觸(chu)(chu)(chu)(chu)(chu)指(zhi)的(de)(de)(de)(de)(de)相(xiang)(xiang)應幾(ji)何(he)(he)形狀(例如，接(jie)(jie)觸(chu)(chu)(chu)(chu)(chu)表(biao)面輪廓(kuo))可以確(que)定邊緣(yuan)環的(de)(de)(de)(de)(de)哪個部分被測量(liang)。如果接(jie)(jie)觸(chu)(chu)(chu)(chu)(chu)指(zhi)被布(bu)置(zhi)成(cheng)接(jie)(jie)觸(chu)(chu)(chu)(chu)(chu)邊緣(yuan)環的(de)(de)(de)(de)(de)內(nei)徑(jing)(jing)，則(ze)接(jie)(jie)觸(chu)(chu)(chu)(chu)(chu)指(zhi)和邊緣(yuan)環之間(jian)的(de)(de)(de)(de)(de)接(jie)(jie)觸(chu)(chu)(chu)(chu)(chu)可以指(zhi)示(shi)邊緣(yuan)環的(de)(de)(de)(de)(de)內(nei)徑(jing)(jing)上的(de)(de)(de)(de)(de)磨(mo)損。相(xiang)(xiang)反，如果接(jie)(jie)觸(chu)(chu)(chu)(chu)(chu)指(zhi)被布(bu)置(zhi)成(cheng)接(jie)(jie)觸(chu)(chu)(chu)(chu)(chu)邊緣(yuan)環的(de)(de)(de)(de)(de)中間(jian)直徑(jing)(jing)或(huo)外(wai)徑(jing)(jing)，則(ze)接(jie)(jie)觸(chu)(chu)(chu)(chu)(chu)指(zhi)和邊緣(yuan)環之間(jian)的(de)(de)(de)(de)(de)接(jie)(jie)觸(chu)(chu)(chu)(chu)(chu)可以指(zhi)示(shi)邊緣(yuan)環的(de)(de)(de)(de)(de)中間(jian)直徑(jing)(jing)或(huo)外(wai)徑(jing)(jing)上的(de)(de)(de)(de)(de)磨(mo)損。雖然本(ben)(ben)文中描(miao)述為sr裝置(zhi)，但是本(ben)(ben)公開(kai)的(de)(de)(de)(de)(de)原(yuan)理可以使(shi)用被配置(zhi)為感測邊緣(yuan)環何(he)(he)時(shi)接(jie)(jie)合(he)測試晶片(pian)以及使(shi)測試晶片(pian)移動、傾斜等(deng)的(de)(de)(de)(de)(de)任何(he)(he)測量(liang)裝置(zhi)來實現。

現在參考圖(tu)1，示(shi)出(chu)了(le)根據本公開的(de)(de)(de)(de)(de)用于蝕刻襯底的(de)(de)(de)(de)(de)層(ceng)(例如，僅鎢或w層(ceng))的(de)(de)(de)(de)(de)襯底處(chu)理室(shi)100的(de)(de)(de)(de)(de)示(shi)例。盡管示(shi)出(chu)和描述了(le)特定的(de)(de)(de)(de)(de)襯底處(chu)理室(shi)，但(dan)是本文描述的(de)(de)(de)(de)(de)方法可(ke)以在其他類型的(de)(de)(de)(de)(de)襯底處(chu)理系統上實(shi)現。

襯底(di)處理室100包(bao)括下(xia)室區(qu)(qu)域102和上室區(qu)(qu)域104。下(xia)室區(qu)(qu)域102由室側壁表面108、室底(di)表面110和氣體分配(pei)裝置114的下(xia)表面限(xian)定。

上(shang)室區域104由氣(qi)體(ti)分配裝置(zhi)(zhi)114的(de)(de)(de)(de)(de)上(shang)表(biao)面(mian)和(he)圓頂118的(de)(de)(de)(de)(de)內(nei)表(biao)面(mian)限定(ding)。在(zai)一(yi)些示(shi)例中，圓頂118擱(ge)置(zhi)(zhi)在(zai)第(di)一(yi)環(huan)形(xing)支(zhi)(zhi)撐件121上(shang)。在(zai)一(yi)些示(shi)例中，第(di)一(yi)環(huan)形(xing)支(zhi)(zhi)撐件121包(bao)括用(yong)于將工(gong)(gong)藝氣(qi)體(ti)輸(shu)送到上(shang)室區域104的(de)(de)(de)(de)(de)一(yi)個(ge)(ge)或多(duo)個(ge)(ge)間(jian)隔(ge)開的(de)(de)(de)(de)(de)孔(kong)123，如下面(mian)將進一(yi)步描(miao)述的(de)(de)(de)(de)(de)。在(zai)一(yi)些示(shi)例中，工(gong)(gong)藝氣(qi)體(ti)通過(guo)一(yi)個(ge)(ge)或多(duo)個(ge)(ge)間(jian)隔(ge)開的(de)(de)(de)(de)(de)孔(kong)123以相對(dui)于包(bao)括氣(qi)體(ti)分配裝置(zhi)(zhi)114的(de)(de)(de)(de)(de)平面(mian)成(cheng)銳(rui)角的(de)(de)(de)(de)(de)向(xiang)(xiang)上(shang)方向(xiang)(xiang)輸(shu)送，但也可以使用(yong)其它角度/方向(xiang)(xiang)。在(zai)一(yi)些示(shi)例中，第(di)一(yi)環(huan)形(xing)支(zhi)(zhi)撐件121中的(de)(de)(de)(de)(de)氣(qi)體(ti)流動通道134向(xiang)(xiang)一(yi)個(ge)(ge)或多(duo)個(ge)(ge)間(jian)隔(ge)開的(de)(de)(de)(de)(de)孔(kong)123供應氣(qi)體(ti)。

第(di)一環形支(zhi)撐(cheng)件121可以(yi)擱置(zhi)(zhi)在第(di)二環形支(zhi)撐(cheng)件125上(shang)，第(di)二環形支(zhi)撐(cheng)件125限定用于將(jiang)工藝(yi)氣(qi)(qi)體(ti)從氣(qi)(qi)體(ti)流動通(tong)道(dao)129輸送(song)到下室(shi)區域102的(de)(de)(de)一個(ge)或(huo)多個(ge)間(jian)隔開(kai)的(de)(de)(de)孔(kong)(kong)127。在一些示例中，氣(qi)(qi)體(ti)分配裝置(zhi)(zhi)114中的(de)(de)(de)孔(kong)(kong)131與(yu)孔(kong)(kong)127對(dui)準。在其他示例中，氣(qi)(qi)體(ti)分配裝置(zhi)(zhi)114具有較小的(de)(de)(de)直(zhi)徑，并且不需要(yao)孔(kong)(kong)131。在一些示例中，工藝(yi)氣(qi)(qi)體(ti)通(tong)過一個(ge)或(huo)多個(ge)間(jian)隔開(kai)的(de)(de)(de)孔(kong)(kong)127以(yi)相對(dui)于包(bao)括氣(qi)(qi)體(ti)分配裝置(zhi)(zhi)114的(de)(de)(de)平面(mian)成銳角(jiao)的(de)(de)(de)朝向(xiang)襯底的(de)(de)(de)向(xiang)下方(fang)向(xiang)輸送(song)，但(dan)也可以(yi)使用其它角(jiao)度(du)/方(fang)向(xiang)。

在(zai)(zai)其他示(shi)例中，上室(shi)(shi)區(qu)域104是具有平(ping)坦頂表面的圓筒形，并且可以使用一(yi)個(ge)或多個(ge)平(ping)坦的感應線圈。在(zai)(zai)其他示(shi)例中，單個(ge)室(shi)(shi)可以與位于(yu)噴(pen)頭和襯底(di)支撐件(jian)之間的間隔件(jian)(spacer)一(yi)起使用。

襯底支撐(cheng)件122布置(zhi)在(zai)(zai)下室區域104中。在(zai)(zai)一些示例(li)中，襯底支撐(cheng)件122包括靜電(dian)卡盤(esc)，但(dan)(dan)是(shi)(shi)可(ke)以(yi)使用其他類型(xing)的(de)襯底支撐(cheng)件。在(zai)(zai)蝕刻(ke)期間(jian)，襯底126布置(zhi)在(zai)(zai)襯底支撐(cheng)件122的(de)上表面上。在(zai)(zai)一些示例(li)中，襯底126的(de)溫度可(ke)以(yi)由加熱板132、具有流體通道的(de)可(ke)選冷卻板以(yi)及一個或多個傳(chuan)感(gan)器(未示出(chu))來控制(zhi)，但(dan)(dan)是(shi)(shi)可(ke)以(yi)使用任(ren)何其他合適的(de)襯底支撐(cheng)件溫度控制(zhi)系統。

在(zai)(zai)一些示例(li)(li)中(zhong)，氣體分配裝置114包括噴頭(tou)(例(li)(li)如(ru)，具(ju)有多個(ge)間隔開的(de)(de)(de)孔129的(de)(de)(de)板128)。多個(ge)間隔開的(de)(de)(de)孔129從板128的(de)(de)(de)上(shang)表(biao)面延(yan)伸到(dao)板128的(de)(de)(de)下表(biao)面。在(zai)(zai)一些示例(li)(li)中(zhong)，間隔開的(de)(de)(de)孔129具(ju)有在(zai)(zai)0.4”至0.75”范圍內的(de)(de)(de)直徑，并且噴頭(tou)由導電材(cai)料(諸如(ru)鋁)或具(ju)有由導電材(cai)料制(zhi)成的(de)(de)(de)嵌(qian)入電極的(de)(de)(de)非導電材(cai)料(諸如(ru)陶瓷(ci))制(zhi)造。

一(yi)(yi)(yi)個或多(duo)個感(gan)應(ying)(ying)線圈(quan)(quan)(quan)140圍繞(rao)圓頂118的外部(bu)部(bu)分(fen)布置。當通電(dian)時，一(yi)(yi)(yi)個或多(duo)個感(gan)應(ying)(ying)線圈(quan)(quan)(quan)140在圓頂118內部(bu)產生電(dian)磁場。在一(yi)(yi)(yi)些示例中，使用上線圈(quan)(quan)(quan)和(he)下線圈(quan)(quan)(quan)。氣體(ti)注射器142從氣體(ti)輸送(song)系統150-1注射一(yi)(yi)(yi)種或多(duo)種氣體(ti)混合物。

在(zai)一(yi)(yi)些(xie)示(shi)例中，氣(qi)(qi)體(ti)(ti)輸(shu)送系統150-1包(bao)括一(yi)(yi)個或(huo)(huo)多個氣(qi)(qi)體(ti)(ti)源152、一(yi)(yi)個或(huo)(huo)多個閥154、一(yi)(yi)個或(huo)(huo)多個質量流(liu)量控制器(mfc)156、和混(hun)合(he)歧管158，但是可(ke)以使用(yong)其它類型的氣(qi)(qi)體(ti)(ti)輸(shu)送系統。氣(qi)(qi)體(ti)(ti)分流(liu)器(未示(shi)出)可(ke)以用(yong)于(yu)改變(bian)氣(qi)(qi)體(ti)(ti)混(hun)合(he)物的流(liu)速(su)。(除(chu)了來(lai)自氣(qi)(qi)體(ti)(ti)注射器142的蝕(shi)刻氣(qi)(qi)體(ti)(ti)或(huo)(huo)者代替來(lai)自氣(qi)(qi)體(ti)(ti)注射器142的蝕(shi)刻氣(qi)(qi)體(ti)(ti))可(ke)以使用(yong)另一(yi)(yi)氣(qi)(qi)體(ti)(ti)輸(shu)送系統150-2來(lai)向氣(qi)(qi)體(ti)(ti)流(liu)動通道129和/或(huo)(huo)134供應蝕(shi)刻氣(qi)(qi)體(ti)(ti)或(huo)(huo)蝕(shi)刻氣(qi)(qi)體(ti)(ti)混(hun)合(he)物。

在于2015年(nian)12月(yue)4日(ri)提交的(de)(de)名稱為“gasdeliverysystem”的(de)(de)共(gong)同轉(zhuan)讓(rang)的(de)(de)美國(guo)專利(li)申請(qing)序列(lie)no.14/945,680中示出并(bing)(bing)描述(shu)了合(he)適的(de)(de)氣(qi)(qi)體(ti)輸送系(xi)統，其(qi)(qi)全(quan)部內容通(tong)過引(yin)用(yong)并(bing)(bing)入本文。在于2016年(nian)1月(yue)7日(ri)提交的(de)(de)名稱為“substrateprocessingsystemwithmultipleinjectionpointsanddualinjector”的(de)(de)共(gong)同轉(zhuan)讓(rang)的(de)(de)美國(guo)臨時專利(li)申請(qing)序列(lie)no.62/275,837中示出和(he)描述(shu)了合(he)適的(de)(de)單氣(qi)(qi)體(ti)注(zhu)射(she)器(qi)或雙氣(qi)(qi)體(ti)注(zhu)射(she)器(qi)和(he)其(qi)(qi)它氣(qi)(qi)體(ti)注(zhu)射(she)位置，其(qi)(qi)全(quan)部內容通(tong)過引(yin)用(yong)并(bing)(bing)入本文。

在(zai)(zai)一(yi)(yi)(yi)些(xie)示(shi)(shi)例(li)(li)中(zhong)，氣(qi)體(ti)注(zhu)射器(qi)142包括沿(yan)向下方向引導氣(qi)體(ti)的(de)中(zhong)心(xin)(xin)注(zhu)射位(wei)(wei)置(zhi)和以(yi)相對于向下方向成角(jiao)度注(zhu)射氣(qi)體(ti)的(de)一(yi)(yi)(yi)個(ge)或多個(ge)側注(zhu)射位(wei)(wei)置(zhi)。在(zai)(zai)一(yi)(yi)(yi)些(xie)示(shi)(shi)例(li)(li)中(zhong)，氣(qi)體(ti)輸(shu)送(song)(song)(song)系(xi)統(tong)150-1將(jiang)(jiang)氣(qi)體(ti)混合物(wu)(wu)的(de)第(di)一(yi)(yi)(yi)部分以(yi)第(di)一(yi)(yi)(yi)流(liu)速輸(shu)送(song)(song)(song)到(dao)中(zhong)心(xin)(xin)注(zhu)射位(wei)(wei)置(zhi)，以(yi)及將(jiang)(jiang)氣(qi)體(ti)混合物(wu)(wu)的(de)第(di)二部分以(yi)第(di)二流(liu)速輸(shu)送(song)(song)(song)到(dao)氣(qi)體(ti)注(zhu)射器(qi)142的(de)側注(zhu)射位(wei)(wei)置(zhi)。在(zai)(zai)其(qi)他示(shi)(shi)例(li)(li)中(zhong)，由(you)氣(qi)體(ti)注(zhu)射器(qi)142輸(shu)送(song)(song)(song)不(bu)同的(de)氣(qi)體(ti)混合物(wu)(wu)。在(zai)(zai)一(yi)(yi)(yi)些(xie)示(shi)(shi)例(li)(li)中(zhong)，氣(qi)體(ti)輸(shu)送(song)(song)(song)系(xi)統(tong)150-1將(jiang)(jiang)調諧氣(qi)體(ti)輸(shu)送(song)(song)(song)到(dao)氣(qi)體(ti)流(liu)動通道129和134和/或輸(shu)送(song)(song)(song)到(dao)處(chu)理室(shi)中(zhong)的(de)其(qi)它位(wei)(wei)置(zhi)，如在(zai)(zai)下面將(jiang)(jiang)描述的(de)。

等離(li)子體(ti)發(fa)生(sheng)(sheng)器(qi)170可(ke)以(yi)(yi)用(yong)于產(chan)生(sheng)(sheng)輸(shu)出到(dao)一(yi)個或多個感應(ying)線圈(quan)140的(de)rf功率。等離(li)子體(ti)190在上(shang)室(shi)區域104中(zhong)(zhong)產(chan)生(sheng)(sheng)。在一(yi)些示例中(zhong)(zhong)，等離(li)子體(ti)發(fa)生(sheng)(sheng)器(qi)170包括rf發(fa)生(sheng)(sheng)器(qi)172和匹配(pei)網絡(luo)174。匹配(pei)網絡(luo)174將rf發(fa)生(sheng)(sheng)器(qi)172的(de)阻抗與一(yi)個或多個感應(ying)線圈(quan)140的(de)阻抗匹配(pei)。在一(yi)些示例中(zhong)(zhong)，氣(qi)體(ti)分(fen)配(pei)裝置114連接到(dao)諸如地(di)的(de)參考電(dian)位。閥(fa)178和泵180可(ke)以(yi)(yi)用(yong)于控(kong)制下室(shi)區域102和上(shang)室(shi)區域104內部的(de)壓力(li)并且用(yong)于抽空反應(ying)物。

控制器(qi)(qi)176與氣(qi)(qi)體(ti)輸送系統150-1和(he)150-2、閥(fa)178、泵180和(he)/或(huo)等(deng)離(li)子(zi)體(ti)發生(sheng)器(qi)(qi)170連通(tong)(tong)，以控制工(gong)藝氣(qi)(qi)體(ti)的流動(dong)、吹掃氣(qi)(qi)體(ti)、rf等(deng)離(li)子(zi)體(ti)和(he)室壓力。在一(yi)些(xie)示例中(zhong)，通(tong)(tong)過一(yi)個或(huo)多個感應線(xian)圈140在圓頂118內維(wei)持等(deng)離(li)子(zi)體(ti)。使用(yong)氣(qi)(qi)體(ti)注射(she)器(qi)(qi)142(和(he)/或(huo)孔123)從室的頂部引入一(yi)種或(huo)多種氣(qi)(qi)體(ti)混合物，并且使用(yong)氣(qi)(qi)體(ti)分配(pei)裝置114將等(deng)離(li)子(zi)體(ti)限制在圓頂118內。

將等(deng)(deng)離(li)子(zi)(zi)體(ti)(ti)(ti)(ti)(ti)限制在(zai)圓頂118內(nei)允(yun)許等(deng)(deng)離(li)子(zi)(zi)體(ti)(ti)(ti)(ti)(ti)物(wu)質和通(tong)過氣(qi)體(ti)(ti)(ti)(ti)(ti)分(fen)配(pei)裝置(zhi)114流出的(de)所需(xu)蝕刻劑(ji)物(wu)質的(de)體(ti)(ti)(ti)(ti)(ti)積(ji)復(fu)合(he)。在(zai)一(yi)些示例中，沒有rf偏置(zhi)施加到襯(chen)(chen)底126。結果，在(zai)襯(chen)(chen)底126上不存(cun)在(zai)活性鞘，并且離(li)子(zi)(zi)不以任何有限的(de)能量(liang)撞擊襯(chen)(chen)底。某些數(shu)量(liang)的(de)離(li)子(zi)(zi)將通(tong)過氣(qi)體(ti)(ti)(ti)(ti)(ti)分(fen)配(pei)裝置(zhi)114擴(kuo)散出等(deng)(deng)離(li)子(zi)(zi)體(ti)(ti)(ti)(ti)(ti)區域(yu)。然(ran)而，擴(kuo)散的(de)等(deng)(deng)離(li)子(zi)(zi)體(ti)(ti)(ti)(ti)(ti)的(de)量(liang)的(de)數(shu)量(liang)級比位于圓頂118內(nei)部的(de)等(deng)(deng)離(li)子(zi)(zi)體(ti)(ti)(ti)(ti)(ti)低。等(deng)(deng)離(li)子(zi)(zi)體(ti)(ti)(ti)(ti)(ti)中的(de)大多數(shu)離(li)子(zi)(zi)在(zai)高(gao)壓下通(tong)過體(ti)(ti)(ti)(ti)(ti)積(ji)復(fu)合(he)而損(sun)失。氣(qi)體(ti)(ti)(ti)(ti)(ti)分(fen)配(pei)裝置(zhi)114的(de)上表(biao)面處的(de)表(biao)面復(fu)合(he)損(sun)失也降(jiang)低氣(qi)體(ti)(ti)(ti)(ti)(ti)分(fen)配(pei)裝置(zhi)114下方(fang)的(de)離(li)子(zi)(zi)密度。

在其他示(shi)例(li)中，提供(gong)rf偏置(zhi)發生(sheng)器184，并且rf偏置(zhi)發生(sheng)器184包(bao)括rf發生(sheng)器186和(he)匹(pi)配(pei)(pei)網絡188。rf偏置(zhi)可以(yi)用于(yu)在氣體分(fen)配(pei)(pei)裝(zhuang)置(zhi)114和(he)襯(chen)底支(zhi)撐件之間產生(sheng)等離子體，或者在襯(chen)底126上產生(sheng)自(zi)偏置(zhi)以(yi)吸引離子。控制器176可以(yi)用于(yu)控制rf偏置(zhi)。

襯(chen)(chen)底支(zhi)撐(cheng)件122包(bao)括邊(bian)(bian)緣環192。根據本公開(kai)的(de)原理的(de)邊(bian)(bian)緣環192可相對于襯(chen)(chen)底126移動(例如(ru)，在垂直方向上可向上和(he)(he)向下(xia)移動)，和(he)(he)/或(huo)(huo)(huo)襯(chen)(chen)底支(zhi)撐(cheng)件122可向上和(he)(he)向下(xia)移動。例如(ru)，邊(bian)(bian)緣環192和(he)(he)/或(huo)(huo)(huo)襯(chen)(chen)底支(zhi)撐(cheng)件122可以(yi)經(jing)由響應(ying)于控(kong)制(zhi)器176的(de)一(yi)個(ge)或(huo)(huo)(huo)多個(ge)致動器來控(kong)制(zhi)，如(ru)在下(xia)面(mian)更詳(xiang)細地描述(shu)的(de)。

襯(chen)底(di)126包括定位成(cheng)接(jie)合邊(bian)緣環(huan)192的一(yi)個(ge)或多個(ge)接(jie)觸(chu)(chu)指194。例(li)如(ru)，升高和降低邊(bian)緣環(huan)192和/或襯(chen)底(di)支(zhi)撐件122選擇性地(di)使邊(bian)緣環(huan)192接(jie)合接(jie)觸(chu)(chu)指194，如(ru)下(xia)面更詳細地(di)描述的。sr裝置(zhi)(zhi)196布置(zhi)(zhi)成(cheng)在襯(chen)底(di)126的表面處引導sr信號(hao)(hao)。sr信號(hao)(hao)由傳感器(例(li)如(ru)，光電(dian)二極管)198反(fan)射和接(jie)收(shou)。在邊(bian)緣環(huan)192與接(jie)觸(chu)(chu)指194接(jie)觸(chu)(chu)(例(li)如(ru)，如(ru)由反(fan)射sr信號(hao)(hao)所指示的)時，可以使用邊(bian)緣環(huan)192(和/或襯(chen)底(di)支(zhi)撐件122)的高度來計算(例(li)如(ru)，如(ru)受磨損影響的)邊(bian)緣環(huan)192的尺寸。

現(xian)在(zai)參考圖2a、2b和(he)(he)2c，示(shi)出(chu)了根據本公開(kai)的(de)(de)(de)(de)(de)原理的(de)(de)(de)(de)(de)其(qi)(qi)上布(bu)置有相應(ying)(ying)的(de)(de)(de)(de)(de)測試(shi)襯底(di)或晶片204的(de)(de)(de)(de)(de)示(shi)例(li)(li)(li)性(xing)(xing)襯底(di)支撐(cheng)件200。襯底(di)支撐(cheng)件200可(ke)以(yi)各自包括具(ju)有內部(bu)部(bu)分(fen)(例(li)(li)(li)如，對應(ying)(ying)于(yu)esc)208和(he)(he)外(wai)部(bu)部(bu)分(fen)212的(de)(de)(de)(de)(de)基座或底(di)座。在(zai)示(shi)例(li)(li)(li)中(zhong)，內部(bu)部(bu)分(fen)208可(ke)以(yi)獨(du)立于(yu)外(wai)部(bu)部(bu)分(fen)212并且可(ke)相對于(yu)外(wai)部(bu)部(bu)分(fen)212移動(即，在(zai)內部(bu)部(bu)分(fen)208被構造(zao)成(cheng)被升(sheng)高和(he)(he)/或降(jiang)(jiang)(jiang)低(di)(di)的(de)(de)(de)(de)(de)示(shi)例(li)(li)(li)中(zhong))。控(kong)制器216與一個(ge)(ge)或多個(ge)(ge)致(zhi)動器220連通，以(yi)選擇性(xing)(xing)地(di)升(sheng)高和(he)(he)降(jiang)(jiang)(jiang)低(di)(di)邊緣(yuan)環224。僅作為示(shi)例(li)(li)(li)，邊緣(yuan)環224示(shi)出(chu)為處于(yu)圖2a中(zhong)的(de)(de)(de)(de)(de)完全(quan)降(jiang)(jiang)(jiang)低(di)(di)的(de)(de)(de)(de)(de)位(wei)置以(yi)及處于(yu)圖2b和(he)(he)2c中(zhong)的(de)(de)(de)(de)(de)示(shi)例(li)(li)(li)性(xing)(xing)升(sheng)高的(de)(de)(de)(de)(de)位(wei)置。如示(shi)例(li)(li)(li)中(zhong)所示(shi)，致(zhi)動器220對應(ying)(ying)于(yu)被構造(zao)成(cheng)在(zai)垂直方向上選擇性(xing)(xing)地(di)延伸(shen)和(he)(he)縮回銷228的(de)(de)(de)(de)(de)銷致(zhi)動器。在(zai)其(qi)(qi)他(ta)示(shi)例(li)(li)(li)中(zhong)可(ke)以(yi)使用其(qi)(qi)他(ta)合適類型(xing)的(de)(de)(de)(de)(de)致(zhi)動器。例(li)(li)(li)如，致(zhi)動器220可(ke)以(yi)對應(ying)(ying)于(yu)被構造(zao)成(cheng)接合相應(ying)(ying)銷228的(de)(de)(de)(de)(de)螺紋(wen)的(de)(de)(de)(de)(de)馬(ma)達，從而以(yi)逐(zhu)步方式(shi)升(sheng)高和(he)(he)降(jiang)(jiang)(jiang)低(di)(di)銷228。僅作為示(shi)例(li)(li)(li)，邊緣(yuan)環224對應(ying)(ying)于(yu)陶瓷或石(shi)英邊緣(yuan)環。

測(ce)試晶片204包括一(yi)(yi)(yi)個或(huo)多(duo)個接觸(chu)指(zhi)232。盡(jin)管示(shi)出(chu)了兩個接觸(chu)指(zhi)232，但(dan)是在(zai)示(shi)例中(zhong)(zhong)(zhong)(zhong)，測(ce)試晶片204可以(yi)(yi)包括一(yi)(yi)(yi)個、兩個、三個或(huo)三個以(yi)(yi)上(shang)接觸(chu)指(zhi)232。在(zai)圖2b中(zhong)(zhong)(zhong)(zhong)，控(kong)制器(qi)216被(bei)示(shi)出(chu)與致動器(qi)220連通以(yi)(yi)升高整(zheng)個邊緣環224。例如，控(kong)制器(qi)216、致動器(qi)220和銷(xiao)228可以(yi)(yi)被(bei)配置為使(shi)得(de)僅整(zheng)個邊緣環224被(bei)升高和降低，或(huo)者控(kong)制器(qi)216可以(yi)(yi)被(bei)配置為單獨地控(kong)制銷(xiao)228。因此，測(ce)試晶片204相對于(yu)襯底支(zhi)(zhi)撐件(jian)200是基(ji)本(ben)上(shang)平坦的(de)(即，平行于(yu)襯底支(zhi)(zhi)撐件(jian)200)。相反(fan)，在(zai)圖2c中(zhong)(zhong)(zhong)(zhong)，控(kong)制器(qi)216被(bei)示(shi)出(chu)僅與致動器(qi)220中(zhong)(zhong)(zhong)(zhong)的(de)一(yi)(yi)(yi)個連通以(yi)(yi)升高銷(xiao)228中(zhong)(zhong)(zhong)(zhong)的(de)相應一(yi)(yi)(yi)個并(bing)且僅升高邊緣環224的(de)一(yi)(yi)(yi)部分。因此，測(ce)試晶片204相對于(yu)襯底支(zhi)(zhi)撐件(jian)200傾(qing)斜(xie)。

在(zai)襯底(di)支撐件200僅(jin)包(bao)括(kuo)致動器(qi)220中的(de)一個和相應的(de)銷228的(de)示(shi)例中，測試晶片204可以(yi)(yi)(yi)旋轉并布置在(zai)不同(tong)(tong)位置，以(yi)(yi)(yi)使(shi)接觸指232與(yu)邊(bian)(bian)緣環(huan)(huan)224的(de)不同(tong)(tong)部分對準。以(yi)(yi)(yi)這種方式，當(dang)邊(bian)(bian)緣環(huan)(huan)224接合(he)接觸指232時(shi)，邊(bian)(bian)緣環(huan)(huan)224的(de)高度指示(shi)邊(bian)(bian)緣環(huan)(huan)224的(de)與(yu)接觸指232對準的(de)部分的(de)尺寸(例如，磨損)。

在如(ru)圖(tu)3a、3b和3c所(suo)示(shi)(shi)的(de)(de)(de)(de)另(ling)一個(ge)示(shi)(shi)例(li)(li)中(zhong)(zhong)，邊(bian)(bian)緣環224(和/或邊(bian)(bian)緣環224安(an)裝(zhuang)在其上的(de)(de)(de)(de)外部(bu)部(bu)分(fen)212)的(de)(de)(de)(de)絕對(dui)(dui)高度(du)相(xiang)(xiang)對(dui)(dui)于(yu)(yu)室底(di)表面(mian)可以(yi)(yi)是固定的(de)(de)(de)(de)。相(xiang)(xiang)反，內部(bu)部(bu)分(fen)208(例(li)(li)如(ru)，esc)可相(xiang)(xiang)對(dui)(dui)于(yu)(yu)邊(bian)(bian)緣環224移動。因(yin)此，控制器216可與致(zhi)動器220連(lian)通以(yi)(yi)相(xiang)(xiang)對(dui)(dui)于(yu)(yu)邊(bian)(bian)緣環224升高和降(jiang)低(di)(di)內部(bu)部(bu)分(fen)208，以(yi)(yi)調節邊(bian)(bian)緣環224相(xiang)(xiang)對(dui)(dui)于(yu)(yu)襯(chen)底(di)支(zhi)撐(cheng)件(jian)200的(de)(de)(de)(de)高度(du)。內部(bu)部(bu)分(fen)208被示(shi)(shi)出為處(chu)于(yu)(yu)圖(tu)3a中(zhong)(zhong)的(de)(de)(de)(de)升高位置，以(yi)(yi)及處(chu)于(yu)(yu)圖(tu)3b和3c中(zhong)(zhong)的(de)(de)(de)(de)示(shi)(shi)例(li)(li)性降(jiang)低(di)(di)位置。因(yin)此，在測(ce)(ce)(ce)試晶片(pian)204包括多個(ge)接觸(chu)指232(例(li)(li)如(ru)，如(ru)圖(tu)3b所(suo)示(shi)(shi))的(de)(de)(de)(de)示(shi)(shi)例(li)(li)中(zhong)(zhong)，整個(ge)測(ce)(ce)(ce)試晶片(pian)204由邊(bian)(bian)緣環224支(zhi)撐(cheng)，并且相(xiang)(xiang)對(dui)(dui)于(yu)(yu)襯(chen)底(di)支(zhi)撐(cheng)件(jian)200基本上是平(ping)坦的(de)(de)(de)(de)(即，平(ping)行于(yu)(yu)襯(chen)底(di)支(zhi)撐(cheng)件(jian)200)。相(xiang)(xiang)反，在測(ce)(ce)(ce)試晶片(pian)204僅包括接觸(chu)指232中(zhong)(zhong)的(de)(de)(de)(de)一個(ge)(例(li)(li)如(ru)，如(ru)圖(tu)3c所(suo)示(shi)(shi))的(de)(de)(de)(de)示(shi)(shi)例(li)(li)中(zhong)(zhong)，邊(bian)(bian)緣環224支(zhi)撐(cheng)對(dui)(dui)應于(yu)(yu)接觸(chu)指232的(de)(de)(de)(de)測(ce)(ce)(ce)試晶片(pian)204的(de)(de)(de)(de)一部(bu)分(fen)，并且測(ce)(ce)(ce)試晶片(pian)204相(xiang)(xiang)對(dui)(dui)于(yu)(yu)襯(chen)底(di)支(zhi)撐(cheng)件(jian)200傾斜(xie)。測(ce)(ce)(ce)試晶片(pian)204可以(yi)(yi)旋轉并布置在不(bu)同位置，以(yi)(yi)使接觸(chu)指232與邊(bian)(bian)緣環224的(de)(de)(de)(de)不(bu)同部(bu)分(fen)對(dui)(dui)準。

在上述示例中，邊(bian)緣(yuan)(yuan)環224和(he)內部(bu)部(bu)分(fen)208的(de)相應升高和(he)降低的(de)高度(以及測試晶片(pian)204相對于襯底支撐件200的(de)相應取向(xiang)或傾斜)僅(jin)(jin)出于說明的(de)目的(de)而示出。在操作中，可(ke)以僅(jin)(jin)升高邊(bian)緣(yuan)(yuan)環224，直到(dao)(dao)邊(bian)緣(yuan)(yuan)環224接合接觸(chu)指232中的(de)一個(ge)(ge)或多(duo)個(ge)(ge)，從(cong)而改變(bian)反射(she)sr信號(hao)(hao)的(de)特(te)性。類似地，可(ke)以僅(jin)(jin)降低內部(bu)部(bu)分(fen)208，直到(dao)(dao)接觸(chu)指232中的(de)一個(ge)(ge)或多(duo)個(ge)(ge)接合邊(bian)緣(yuan)(yuan)環224，從(cong)而改變(bian)反射(she)sr信號(hao)(hao)的(de)特(te)性。

以(yi)這種方式，控制(zhi)器(qi)216被配(pei)置成：監(jian)測(ce)反射sr信號的(de)(de)(de)特(te)性(xing)以(yi)檢(jian)測(ce)邊(bian)(bian)(bian)緣環(huan)(huan)(huan)(huan)224何時(shi)(shi)接合(he)接觸(chu)(chu)指232(反之亦然)，確定邊(bian)(bian)(bian)緣環(huan)(huan)(huan)(huan)224與接觸(chu)(chu)指232接合(he)處(chu)的(de)(de)(de)邊(bian)(bian)(bian)緣環(huan)(huan)(huan)(huan)224(和(he)/或(huo)內(nei)部(bu)部(bu)分208)的(de)(de)(de)第一高度，確定第一高度和(he)對(dui)應于新的(de)(de)(de)(即未磨(mo)損的(de)(de)(de)、最理想的(de)(de)(de)等(deng))邊(bian)(bian)(bian)緣環(huan)(huan)(huan)(huan)的(de)(de)(de)高度之間(jian)的(de)(de)(de)差(cha)值，以(yi)及基于該差(cha)值來計算(suan)(suan)邊(bian)(bian)(bian)緣環(huan)(huan)(huan)(huan)224的(de)(de)(de)尺寸(cun)。因此，當邊(bian)(bian)(bian)緣環(huan)(huan)(huan)(huan)224隨(sui)著時(shi)(shi)間(jian)推移而磨(mo)損時(shi)(shi)，可(ke)(ke)以(yi)計算(suan)(suan)邊(bian)(bian)(bian)緣環(huan)(huan)(huan)(huan)224的(de)(de)(de)上表面中(zhong)的(de)(de)(de)變化，并且(qie)(qie)可(ke)(ke)以(yi)定位邊(bian)(bian)(bian)緣環(huan)(huan)(huan)(huan)224(和(he)/或(huo)內(nei)部(bu)部(bu)分208)以(yi)補償磨(mo)損。例如(ru)，如(ru)果控制(zhi)器(qi)216計算(suan)(suan)出(chu)邊(bian)(bian)(bian)緣環(huan)(huan)(huan)(huan)224的(de)(de)(de)內(nei)徑的(de)(de)(de)厚度減小(xiao)了0.x毫(hao)(hao)米(mi)(例如(ru)，平(ping)均圍繞邊(bian)(bian)(bian)緣環(huan)(huan)(huan)(huan)224的(de)(de)(de)圓(yuan)周)，則在襯(chen)底的(de)(de)(de)處(chu)理期間(jian)，控制(zhi)器(qi)216可(ke)(ke)以(yi)將邊(bian)(bian)(bian)緣環(huan)(huan)(huan)(huan)224升高0.x毫(hao)(hao)米(mi)。此外，控制(zhi)器(qi)216可(ke)(ke)以(yi)確定(并且(qie)(qie)經由(you)led、圖形界面等(deng)向(xiang)用(yong)戶指示)邊(bian)(bian)(bian)緣環(huan)(huan)(huan)(huan)224何時(shi)(shi)需要(yao)維護(hu)、更(geng)換等(deng)。當用(yong)戶等(deng)提示時(shi)(shi)，控制(zhi)器(qi)216可(ke)(ke)以(yi)周期性(xing)地通過上述方法(fa)執(zhi)行邊(bian)(bian)(bian)緣環(huan)(huan)(huan)(huan)224尺寸(cun)的(de)(de)(de)測(ce)量(liang)。

圖4a和(he)4b示出了(le)示例測(ce)試(shi)(shi)晶(jing)(jing)片260和(he)264的(de)平(ping)面(mian)圖。在圖4a中，測(ce)試(shi)(shi)晶(jing)(jing)片260包(bao)括多個(ge)(ge)(例如三個(ge)(ge))接觸指268。在圖4b中，測(ce)試(shi)(shi)晶(jing)(jing)片264僅包(bao)括接觸指268中的(de)一個(ge)(ge)。接觸指268中的(de)一個(ge)(ge)或多個(ge)(ge)可以(yi)包(bao)括凹(ao)口(kou)272。凹(ao)口(kou)272可以(yi)用于相(xiang)對(dui)于襯底支撐(cheng)件以(yi)期望的(de)對(dui)準(zhun)來定(ding)位(wei)測(ce)試(shi)(shi)晶(jing)(jing)片260和(he)264。例如，可以(yi)通過檢測(ce)凹(ao)口(kou)272(例如，使(shi)用照(zhao)相(xiang)機或其它圖像感測(ce)裝(zhuang)置)以(yi)及相(xiang)應(ying)地計算測(ce)試(shi)(shi)晶(jing)(jing)片260和(he)264的(de)對(dui)準(zhun)來確定(ding)測(ce)試(shi)(shi)晶(jing)(jing)片260和(he)264的(de)位(wei)置。

圖(tu)(tu)5a和(he)(he)(he)5b、6a和(he)(he)(he)6b以(yi)及(ji)7a和(he)(he)(he)7b示(shi)出(chu)(chu)了(le)(le)示(shi)例(li)性(xing)邊(bian)(bian)(bian)(bian)緣(yuan)(yuan)(yuan)環(huan)(huan)(huan)(huan)300和(he)(he)(he)測(ce)試(shi)晶片304。圖(tu)(tu)5a、6a和(he)(he)(he)7a示(shi)出(chu)(chu)了(le)(le)在(zai)邊(bian)(bian)(bian)(bian)緣(yuan)(yuan)(yuan)環(huan)(huan)(huan)(huan)300經(jing)歷(li)磨(mo)(mo)損(sun)之(zhi)前的(de)(de)(de)邊(bian)(bian)(bian)(bian)緣(yuan)(yuan)(yuan)環(huan)(huan)(huan)(huan)300的(de)(de)(de)高(gao)度h。圖(tu)(tu)5b、6b和(he)(he)(he)7b示(shi)出(chu)(chu)了(le)(le)高(gao)度h加上偏移量(liang)d以(yi)補償邊(bian)(bian)(bian)(bian)緣(yuan)(yuan)(yuan)環(huan)(huan)(huan)(huan)300的(de)(de)(de)相應磨(mo)(mo)損(sun)。例(li)如(ru)，h+d對應于(yu)當(例(li)如(ru)，使(shi)用(yong)控制(zhi)器(qi)216和(he)(he)(he)反射sr信號)確(que)定邊(bian)(bian)(bian)(bian)緣(yuan)(yuan)(yuan)環(huan)(huan)(huan)(huan)300接(jie)(jie)合(he)(he)接(jie)(jie)觸指(zhi)308、312和(he)(he)(he)316時邊(bian)(bian)(bian)(bian)緣(yuan)(yuan)(yuan)環(huan)(huan)(huan)(huan)300的(de)(de)(de)相應高(gao)度。接(jie)(jie)觸指(zhi)308、312和(he)(he)(he)316具有用(yong)于(yu)測(ce)量(liang)邊(bian)(bian)(bian)(bian)緣(yuan)(yuan)(yuan)環(huan)(huan)(huan)(huan)300的(de)(de)(de)尺寸的(de)(de)(de)不同幾(ji)何形狀(即，接(jie)(jie)觸表面輪廓(kuo))。在(zai)圖(tu)(tu)5a和(he)(he)(he)5b中，接(jie)(jie)觸指(zhi)308被(bei)配(pei)置(zhi)為(wei)接(jie)(jie)合(he)(he)邊(bian)(bian)(bian)(bian)緣(yuan)(yuan)(yuan)環(huan)(huan)(huan)(huan)300的(de)(de)(de)內徑。如(ru)圖(tu)(tu)5b所示(shi)，隨著(zhu)邊(bian)(bian)(bian)(bian)緣(yuan)(yuan)(yuan)環(huan)(huan)(huan)(huan)300的(de)(de)(de)內徑隨時間(jian)推移而磨(mo)(mo)損(sun)，邊(bian)(bian)(bian)(bian)緣(yuan)(yuan)(yuan)環(huan)(huan)(huan)(huan)300在(zai)不同的(de)(de)(de)高(gao)度接(jie)(jie)合(he)(he)接(jie)(jie)觸指(zhi)308。因此，邊(bian)(bian)(bian)(bian)緣(yuan)(yuan)(yuan)環(huan)(huan)(huan)(huan)300可(ke)以(yi)被(bei)升高(gao)以(yi)確(que)定對邊(bian)(bian)(bian)(bian)緣(yuan)(yuan)(yuan)環(huan)(huan)(huan)(huan)300的(de)(de)(de)內徑的(de)(de)(de)磨(mo)(mo)損(sun)量(liang)(以(yi)及(ji)尺寸的(de)(de)(de)相應變化)，以(yi)及(ji)實現邊(bian)(bian)(bian)(bian)緣(yuan)(yuan)(yuan)環(huan)(huan)(huan)(huan)的(de)(de)(de)上表面和(he)(he)(he)正(zheng)被(bei)處理的(de)(de)(de)晶片之(zhi)間(jian)的(de)(de)(de)期(qi)望關系。相反，接(jie)(jie)觸指(zhi)312被(bei)配(pei)置(zhi)為(wei)接(jie)(jie)合(he)(he)邊(bian)(bian)(bian)(bian)緣(yuan)(yuan)(yuan)環(huan)(huan)(huan)(huan)300的(de)(de)(de)外徑，以(yi)及(ji)接(jie)(jie)觸指(zhi)316被(bei)配(pei)置(zhi)為(wei)接(jie)(jie)合(he)(he)邊(bian)(bian)(bian)(bian)緣(yuan)(yuan)(yuan)環(huan)(huan)(huan)(huan)300的(de)(de)(de)中間(jian)直徑。以(yi)這種方式，可(ke)以(yi)測(ce)量(liang)邊(bian)(bian)(bian)(bian)緣(yuan)(yuan)(yuan)環(huan)(huan)(huan)(huan)300的(de)(de)(de)不同部分的(de)(de)(de)尺寸。

現在(zai)(zai)參(can)考圖8，根據本公開的(de)(de)(de)用于測(ce)量邊(bian)(bian)(bian)緣環的(de)(de)(de)尺寸的(de)(de)(de)示(shi)例(li)性方(fang)法400在(zai)(zai)404開始。在(zai)(zai)408，將測(ce)試(shi)襯(chen)(chen)底(di)(di)布置在(zai)(zai)襯(chen)(chen)底(di)(di)支(zhi)撐件上(shang)(shang)。例(li)如(ru)，測(ce)試(shi)襯(chen)(chen)底(di)(di)包括如(ru)上(shang)(shang)相(xiang)對于圖1-7所述的(de)(de)(de)接(jie)觸指(zhi)，并且接(jie)觸指(zhi)在(zai)(zai)襯(chen)(chen)底(di)(di)支(zhi)撐件的(de)(de)(de)邊(bian)(bian)(bian)緣環上(shang)(shang)方(fang)延伸。在(zai)(zai)412，邊(bian)(bian)(bian)緣環被升高(或者(zhe)，在(zai)(zai)一些示(shi)例(li)中，襯(chen)(chen)底(di)(di)支(zhi)撐件的(de)(de)(de)內(nei)部部分被降(jiang)低)。在(zai)(zai)416，方(fang)法400(例(li)如(ru)，控制器216)確定邊(bian)(bian)(bian)緣環(例(li)如(ru)，邊(bian)(bian)(bian)緣環的(de)(de)(de)內(nei)徑)是(shi)否(fou)(fou)接(jie)合接(jie)觸指(zhi)。例(li)如(ru)，控制器216基于從測(ce)試(shi)襯(chen)(chen)底(di)(di)的(de)(de)(de)表面反射的(de)(de)(de)信號來(lai)確定邊(bian)(bian)(bian)緣環是(shi)否(fou)(fou)接(jie)合接(jie)觸指(zhi)。如(ru)果(guo)為真，則方(fang)法400繼續到420。如(ru)果(guo)為假，則方(fang)法400繼續到412。

在420，方法400(例(li)如，控制器216)基于邊緣環(huan)何時(shi)接合(he)接觸指來(lai)確定襯(chen)底處理系統的(de)至少一(yi)個特性。例(li)如，控制器216基于在邊緣環(huan)接合(he)接觸指時(shi)邊緣環(huan)(或在內(nei)部部分被降低的(de)示(shi)例(li)中(zhong)的(de)襯(chen)底支撐件的(de)內(nei)部部分)的(de)位(wei)置/高度、邊緣環(huan)被升(sheng)高的(de)總量等來(lai)計(ji)算邊緣環(huan)的(de)磨損(sun)。方法400在424結束。

前(qian)面的(de)(de)(de)描(miao)述(shu)(shu)本(ben)(ben)(ben)質(zhi)上(shang)僅僅是說(shuo)明性的(de)(de)(de)，并(bing)且絕(jue)不(bu)旨(zhi)在(zai)(zai)(zai)限制(zhi)本(ben)(ben)(ben)公(gong)開(kai)(kai)、其應(ying)用或(huo)用途(tu)。本(ben)(ben)(ben)公(gong)開(kai)(kai)的(de)(de)(de)廣泛教導(dao)可(ke)以(yi)(yi)(yi)以(yi)(yi)(yi)各種形(xing)式(shi)實(shi)(shi)(shi)(shi)現。因此，雖然(ran)本(ben)(ben)(ben)公(gong)開(kai)(kai)包括特定示例，但是本(ben)(ben)(ben)公(gong)開(kai)(kai)的(de)(de)(de)真實(shi)(shi)(shi)(shi)范(fan)(fan)圍不(bu)應(ying)當被如此限制(zhi)，因為(wei)在(zai)(zai)(zai)研(yan)究附(fu)圖、說(shuo)明書(shu)和所附(fu)權利(li)要求時，其他修改(gai)將變(bian)得顯而易見。應(ying)當理解，在(zai)(zai)(zai)不(bu)改(gai)變(bian)本(ben)(ben)(ben)公(gong)開(kai)(kai)的(de)(de)(de)原理的(de)(de)(de)情況下，方(fang)(fang)(fang)法中(zhong)的(de)(de)(de)一(yi)個(ge)(ge)或(huo)多(duo)個(ge)(ge)步驟可(ke)以(yi)(yi)(yi)以(yi)(yi)(yi)不(bu)同(tong)的(de)(de)(de)順序(xu)(或(huo)同(tong)時地)執(zhi)行。此外，雖然(ran)每個(ge)(ge)實(shi)(shi)(shi)(shi)施方(fang)(fang)(fang)式(shi)在(zai)(zai)(zai)上(shang)面被描(miao)述(shu)(shu)為(wei)具有某些(xie)特征，但是相對于本(ben)(ben)(ben)公(gong)開(kai)(kai)的(de)(de)(de)任(ren)何(he)(he)實(shi)(shi)(shi)(shi)施方(fang)(fang)(fang)式(shi)描(miao)述(shu)(shu)的(de)(de)(de)那些(xie)特征中(zhong)的(de)(de)(de)任(ren)何(he)(he)一(yi)個(ge)(ge)或(huo)多(duo)個(ge)(ge)，可(ke)以(yi)(yi)(yi)在(zai)(zai)(zai)任(ren)何(he)(he)其它實(shi)(shi)(shi)(shi)施方(fang)(fang)(fang)式(shi)的(de)(de)(de)特征中(zhong)實(shi)(shi)(shi)(shi)現和/或(huo)與(yu)任(ren)何(he)(he)其它實(shi)(shi)(shi)(shi)施方(fang)(fang)(fang)式(shi)的(de)(de)(de)特征組合(he)，即使該組合(he)沒(mei)有明確描(miao)述(shu)(shu)。換(huan)句話說(shuo)，所描(miao)述(shu)(shu)的(de)(de)(de)實(shi)(shi)(shi)(shi)施方(fang)(fang)(fang)式(shi)不(bu)是相互排斥的(de)(de)(de)，并(bing)且一(yi)個(ge)(ge)或(huo)多(duo)個(ge)(ge)實(shi)(shi)(shi)(shi)施方(fang)(fang)(fang)式(shi)彼(bi)此的(de)(de)(de)置換(huan)保持在(zai)(zai)(zai)本(ben)(ben)(ben)公(gong)開(kai)(kai)的(de)(de)(de)范(fan)(fan)圍內。

使(shi)用(yong)各種(zhong)(zhong)術語來描(miao)述(shu)元(yuan)(yuan)(yuan)件之間(jian)(jian)(jian)(例如，模塊(kuai)之間(jian)(jian)(jian)、電路元(yuan)(yuan)(yuan)件之間(jian)(jian)(jian)、半導體層之間(jian)(jian)(jian)等)的(de)(de)(de)空間(jian)(jian)(jian)和(he)功能(neng)關(guan)系，各種(zhong)(zhong)術語包括(kuo)“連接(jie)”、“接(jie)合(he)”、“耦合(he)”、“相鄰(lin)”、“緊挨”、“在(zai)...頂(ding)部”、“在(zai)...上(shang)(shang)(shang)面”、“在(zai)...下面”和(he)“設置”。除(chu)非將第(di)(di)(di)一(yi)(yi)和(he)第(di)(di)(di)二元(yuan)(yuan)(yuan)件之間(jian)(jian)(jian)的(de)(de)(de)關(guan)系明確地描(miao)述(shu)為“直(zhi)接(jie)”，否則在(zai)上(shang)(shang)(shang)述(shu)公(gong)開中(zhong)描(miao)述(shu)這種(zhong)(zhong)關(guan)系時，該(gai)關(guan)系可以是直(zhi)接(jie)關(guan)系，其(qi)中(zhong)在(zai)第(di)(di)(di)一(yi)(yi)和(he)第(di)(di)(di)二元(yuan)(yuan)(yuan)件之間(jian)(jian)(jian)不存(cun)在(zai)其(qi)它中(zhong)間(jian)(jian)(jian)元(yuan)(yuan)(yuan)件，但(dan)是也可以是間(jian)(jian)(jian)接(jie)關(guan)系，其(qi)中(zhong)在(zai)第(di)(di)(di)一(yi)(yi)和(he)第(di)(di)(di)二元(yuan)(yuan)(yuan)件之間(jian)(jian)(jian)(在(zai)空間(jian)(jian)(jian)上(shang)(shang)(shang)或(huo)(huo)功能(neng)上(shang)(shang)(shang))存(cun)在(zai)一(yi)(yi)個或(huo)(huo)多個中(zhong)間(jian)(jian)(jian)元(yuan)(yuan)(yuan)件。如本文所(suo)使(shi)用(yong)的(de)(de)(de)，短語“a、b和(he)c中(zhong)的(de)(de)(de)至(zhi)少(shao)(shao)一(yi)(yi)個”應(ying)(ying)當(dang)被解釋(shi)為意味著使(shi)用(yong)非排他性邏輯或(huo)(huo)(or)的(de)(de)(de)邏輯(a或(huo)(huo)b或(huo)(huo)c)，并(bing)且不應(ying)(ying)被解釋(shi)為表(biao)示“a中(zhong)的(de)(de)(de)至(zhi)少(shao)(shao)一(yi)(yi)個、b中(zhong)的(de)(de)(de)至(zhi)少(shao)(shao)一(yi)(yi)個和(he)c中(zhong)的(de)(de)(de)至(zhi)少(shao)(shao)一(yi)(yi)個”。

在一(yi)(yi)些實現方式(shi)中，控(kong)(kong)制(zhi)(zhi)器是系(xi)(xi)統(tong)的(de)一(yi)(yi)部分，該系(xi)(xi)統(tong)可(ke)(ke)以(yi)是上述示例的(de)一(yi)(yi)部分。這(zhe)樣(yang)的(de)系(xi)(xi)統(tong)可(ke)(ke)以(yi)包括(kuo)半(ban)導體(ti)(ti)(ti)處(chu)(chu)理(li)(li)設(she)(she)(she)(she)備，半(ban)導體(ti)(ti)(ti)處(chu)(chu)理(li)(li)設(she)(she)(she)(she)備包括(kuo)一(yi)(yi)個(ge)(ge)或(huo)多(duo)個(ge)(ge)處(chu)(chu)理(li)(li)工(gong)具、一(yi)(yi)個(ge)(ge)或(huo)多(duo)個(ge)(ge)室、用(yong)于處(chu)(chu)理(li)(li)的(de)一(yi)(yi)個(ge)(ge)或(huo)多(duo)個(ge)(ge)平(ping)臺、和(he)/或(huo)特(te)定(ding)處(chu)(chu)理(li)(li)部件(jian)(晶片(pian)基(ji)座、氣(qi)體(ti)(ti)(ti)流(liu)系(xi)(xi)統(tong)等)。這(zhe)些系(xi)(xi)統(tong)可(ke)(ke)以(yi)與用(yong)于在半(ban)導體(ti)(ti)(ti)晶片(pian)或(huo)襯(chen)底的(de)處(chu)(chu)理(li)(li)之前、期間(jian)和(he)之后控(kong)(kong)制(zhi)(zhi)它們(men)的(de)操(cao)作的(de)電(dian)子器件(jian)集(ji)成。電(dian)子器件(jian)可(ke)(ke)以(yi)被稱為“控(kong)(kong)制(zhi)(zhi)器”，其(qi)可(ke)(ke)以(yi)控(kong)(kong)制(zhi)(zhi)一(yi)(yi)個(ge)(ge)或(huo)多(duo)個(ge)(ge)系(xi)(xi)統(tong)的(de)各種部件(jian)或(huo)子部件(jian)。根據處(chu)(chu)理(li)(li)要求和(he)/或(huo)系(xi)(xi)統(tong)類型，控(kong)(kong)制(zhi)(zhi)器可(ke)(ke)以(yi)被編程以(yi)控(kong)(kong)制(zhi)(zhi)本(ben)文公開(kai)的(de)任何(he)工(gong)藝，包括(kuo)處(chu)(chu)理(li)(li)氣(qi)體(ti)(ti)(ti)的(de)輸送(song)、溫度(du)設(she)(she)(she)(she)置(zhi)(zhi)(zhi)(zhi)(例如加熱(re)和(he)/或(huo)冷卻)、壓力設(she)(she)(she)(she)置(zhi)(zhi)(zhi)(zhi)、真(zhen)空設(she)(she)(she)(she)置(zhi)(zhi)(zhi)(zhi)、功(gong)率設(she)(she)(she)(she)置(zhi)(zhi)(zhi)(zhi)、射頻(rf)發生器設(she)(she)(she)(she)置(zhi)(zhi)(zhi)(zhi)、rf匹配電(dian)路設(she)(she)(she)(she)置(zhi)(zhi)(zhi)(zhi)、頻率設(she)(she)(she)(she)置(zhi)(zhi)(zhi)(zhi)、流(liu)率設(she)(she)(she)(she)置(zhi)(zhi)(zhi)(zhi)、流(liu)體(ti)(ti)(ti)輸送(song)設(she)(she)(she)(she)置(zhi)(zhi)(zhi)(zhi)、位置(zhi)(zhi)(zhi)(zhi)和(he)操(cao)作設(she)(she)(she)(she)置(zhi)(zhi)(zhi)(zhi)、進出工(gong)具和(he)其(qi)他輸送(song)工(gong)具和(he)/或(huo)連(lian)接(jie)到(dao)特(te)定(ding)系(xi)(xi)統(tong)或(huo)與特(te)定(ding)系(xi)(xi)統(tong)接(jie)口的(de)裝載(zai)鎖的(de)晶片(pian)輸送(song)。

概(gai)括(kuo)(kuo)地說(shuo)，控(kong)制(zhi)(zhi)器(qi)可以定(ding)義(yi)為電(dian)子(zi)器(qi)件(jian)(jian)，電(dian)子(zi)器(qi)件(jian)(jian)具有(you)接收指(zhi)(zhi)令(ling)、發出指(zhi)(zhi)令(ling)、控(kong)制(zhi)(zhi)操作、啟(qi)用清潔操作、啟(qi)用終點測量(liang)等的(de)(de)(de)(de)(de)(de)各種集(ji)(ji)成(cheng)(cheng)電(dian)路、邏輯、存儲(chu)器(qi)和(he)/或軟件(jian)(jian)。集(ji)(ji)成(cheng)(cheng)電(dian)路可以包括(kuo)(kuo)存儲(chu)程序(xu)指(zhi)(zhi)令(ling)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)固件(jian)(jian)形式(shi)(shi)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)芯(xin)(xin)片(pian)、數(shu)字信號處理器(qi)(dsp)、定(ding)義(yi)為專用集(ji)(ji)成(cheng)(cheng)電(dian)路(asic)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)芯(xin)(xin)片(pian)、和(he)/或一個(ge)或多個(ge)微處理器(qi)、或執行程序(xu)指(zhi)(zhi)令(ling)(例如，軟件(jian)(jian))的(de)(de)(de)(de)(de)(de)微控(kong)制(zhi)(zhi)器(qi)。程序(xu)指(zhi)(zhi)令(ling)可以是以各種單獨設(she)置(或程序(xu)文件(jian)(jian))的(de)(de)(de)(de)(de)(de)形式(shi)(shi)輸送(song)到控(kong)制(zhi)(zhi)器(qi)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)指(zhi)(zhi)令(ling)，單獨設(she)置(或程序(xu)文件(jian)(jian))定(ding)義(yi)用于(yu)在半導體晶片(pian)上或針對半導體晶片(pian)或系統執行特(te)定(ding)工藝的(de)(de)(de)(de)(de)(de)操作參(can)數(shu)。在一些(xie)實施方式(shi)(shi)中，操作參(can)數(shu)可以是由工藝工程師定(ding)義(yi)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)配(pei)方的(de)(de)(de)(de)(de)(de)一部分，以在一或多個(ge)(種)層、材料、金屬、氧化(hua)物、硅、二氧化(hua)硅、表面、電(dian)路和(he)/或晶片(pian)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)管芯(xin)(xin)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)制(zhi)(zhi)造期間完成(cheng)(cheng)一個(ge)或多個(ge)處理步驟。

在(zai)一(yi)(yi)些(xie)實現方式(shi)(shi)(shi)中(zhong)，控(kong)制(zhi)(zhi)(zhi)(zhi)(zhi)器(qi)可(ke)以(yi)(yi)是(shi)與系(xi)統(tong)(tong)(tong)集(ji)成(cheng)、耦合(he)到(dao)(dao)系(xi)統(tong)(tong)(tong)、以(yi)(yi)其(qi)(qi)它(ta)方式(shi)(shi)(shi)聯網(wang)(wang)到(dao)(dao)系(xi)統(tong)(tong)(tong)或(huo)(huo)(huo)其(qi)(qi)組(zu)(zu)合(he)的(de)(de)(de)(de)(de)計算(suan)機(ji)的(de)(de)(de)(de)(de)一(yi)(yi)部分(fen)或(huo)(huo)(huo)耦合(he)到(dao)(dao)該計算(suan)機(ji)。例(li)(li)如(ru)，控(kong)制(zhi)(zhi)(zhi)(zhi)(zhi)器(qi)可(ke)以(yi)(yi)在(zai)“云”中(zhong)或(huo)(huo)(huo)在(zai)晶片廠(fab)主機(ji)系(xi)統(tong)(tong)(tong)的(de)(de)(de)(de)(de)全部或(huo)(huo)(huo)一(yi)(yi)部分(fen)中(zhong)，其(qi)(qi)可(ke)以(yi)(yi)允許(xu)對(dui)(dui)晶片處(chu)(chu)(chu)理的(de)(de)(de)(de)(de)遠(yuan)程(cheng)(cheng)(cheng)訪(fang)問。計算(suan)機(ji)可(ke)以(yi)(yi)實現對(dui)(dui)系(xi)統(tong)(tong)(tong)的(de)(de)(de)(de)(de)遠(yuan)程(cheng)(cheng)(cheng)訪(fang)問以(yi)(yi)監視制(zhi)(zhi)(zhi)(zhi)(zhi)造(zao)操(cao)(cao)(cao)作(zuo)(zuo)的(de)(de)(de)(de)(de)當(dang)前進展(zhan)、檢查過去制(zhi)(zhi)(zhi)(zhi)(zhi)造(zao)操(cao)(cao)(cao)作(zuo)(zuo)的(de)(de)(de)(de)(de)歷史、從多(duo)個(ge)(ge)(ge)制(zhi)(zhi)(zhi)(zhi)(zhi)造(zao)操(cao)(cao)(cao)作(zuo)(zuo)研究(jiu)趨(qu)勢或(huo)(huo)(huo)性能度量，以(yi)(yi)改變當(dang)前處(chu)(chu)(chu)理的(de)(de)(de)(de)(de)參數(shu)(shu)、設(she)置要(yao)跟(gen)隨當(dang)前處(chu)(chu)(chu)理的(de)(de)(de)(de)(de)處(chu)(chu)(chu)理步(bu)驟、或(huo)(huo)(huo)者開始新的(de)(de)(de)(de)(de)處(chu)(chu)(chu)理。在(zai)一(yi)(yi)些(xie)示(shi)例(li)(li)中(zhong)，遠(yuan)程(cheng)(cheng)(cheng)計算(suan)機(ji)(例(li)(li)如(ru)服務(wu)器(qi))可(ke)以(yi)(yi)通過網(wang)(wang)絡(其(qi)(qi)可(ke)以(yi)(yi)包括本地網(wang)(wang)絡或(huo)(huo)(huo)因(yin)特(te)(te)網(wang)(wang))向系(xi)統(tong)(tong)(tong)提供工(gong)藝(yi)配方。遠(yuan)程(cheng)(cheng)(cheng)計算(suan)機(ji)可(ke)以(yi)(yi)包括使得(de)能夠輸入或(huo)(huo)(huo)編程(cheng)(cheng)(cheng)參數(shu)(shu)和(he)/或(huo)(huo)(huo)設(she)置的(de)(de)(de)(de)(de)用戶接口(kou)(kou)，然后將該參數(shu)(shu)和(he)/或(huo)(huo)(huo)設(she)置從遠(yuan)程(cheng)(cheng)(cheng)計算(suan)機(ji)輸送到(dao)(dao)系(xi)統(tong)(tong)(tong)。在(zai)一(yi)(yi)些(xie)示(shi)例(li)(li)中(zhong)，控(kong)制(zhi)(zhi)(zhi)(zhi)(zhi)器(qi)接收數(shu)(shu)據形(xing)式(shi)(shi)(shi)的(de)(de)(de)(de)(de)指令，其(qi)(qi)指定(ding)在(zai)一(yi)(yi)個(ge)(ge)(ge)或(huo)(huo)(huo)多(duo)個(ge)(ge)(ge)操(cao)(cao)(cao)作(zuo)(zuo)期間要(yao)執(zhi)行的(de)(de)(de)(de)(de)每個(ge)(ge)(ge)處(chu)(chu)(chu)理步(bu)驟的(de)(de)(de)(de)(de)參數(shu)(shu)。應當(dang)理解，參數(shu)(shu)可(ke)以(yi)(yi)特(te)(te)定(ding)于要(yao)執(zhi)行的(de)(de)(de)(de)(de)工(gong)藝(yi)的(de)(de)(de)(de)(de)類型和(he)工(gong)具(ju)的(de)(de)(de)(de)(de)類型，控(kong)制(zhi)(zhi)(zhi)(zhi)(zhi)器(qi)被配置為與該工(gong)具(ju)接口(kou)(kou)或(huo)(huo)(huo)控(kong)制(zhi)(zhi)(zhi)(zhi)(zhi)該工(gong)具(ju)。因(yin)此(ci)，如(ru)上所述，控(kong)制(zhi)(zhi)(zhi)(zhi)(zhi)器(qi)可(ke)以(yi)(yi)是(shi)例(li)(li)如(ru)通過包括聯網(wang)(wang)在(zai)一(yi)(yi)起(qi)并朝著共(gong)同目(mu)(mu)的(de)(de)(de)(de)(de)(例(li)(li)如(ru)本文(wen)所述的(de)(de)(de)(de)(de)工(gong)藝(yi)和(he)控(kong)制(zhi)(zhi)(zhi)(zhi)(zhi))工(gong)作(zuo)(zuo)的(de)(de)(de)(de)(de)一(yi)(yi)個(ge)(ge)(ge)或(huo)(huo)(huo)多(duo)個(ge)(ge)(ge)離散(san)控(kong)制(zhi)(zhi)(zhi)(zhi)(zhi)器(qi)而(er)呈分(fen)布式(shi)(shi)(shi)。用于這種目(mu)(mu)的(de)(de)(de)(de)(de)的(de)(de)(de)(de)(de)分(fen)布式(shi)(shi)(shi)控(kong)制(zhi)(zhi)(zhi)(zhi)(zhi)器(qi)的(de)(de)(de)(de)(de)示(shi)例(li)(li)是(shi)在(zai)與遠(yuan)程(cheng)(cheng)(cheng)(例(li)(li)如(ru)在(zai)平臺級或(huo)(huo)(huo)作(zuo)(zuo)為遠(yuan)程(cheng)(cheng)(cheng)計算(suan)機(ji)的(de)(de)(de)(de)(de)一(yi)(yi)部分(fen))定(ding)位(wei)的(de)(de)(de)(de)(de)一(yi)(yi)個(ge)(ge)(ge)或(huo)(huo)(huo)多(duo)個(ge)(ge)(ge)集(ji)成(cheng)電路通信(xin)的(de)(de)(de)(de)(de)室(shi)上的(de)(de)(de)(de)(de)一(yi)(yi)個(ge)(ge)(ge)或(huo)(huo)(huo)多(duo)個(ge)(ge)(ge)集(ji)成(cheng)電路，其(qi)(qi)組(zu)(zu)合(he)以(yi)(yi)控(kong)制(zhi)(zhi)(zhi)(zhi)(zhi)在(zai)室(shi)上的(de)(de)(de)(de)(de)工(gong)藝(yi)。

示(shi)例系統可(ke)以包括(kuo)但不限于等離子(zi)體(ti)蝕刻室或(huo)(huo)(huo)(huo)(huo)模(mo)(mo)塊(kuai)(kuai)(kuai)(kuai)、沉(chen)積室或(huo)(huo)(huo)(huo)(huo)模(mo)(mo)塊(kuai)(kuai)(kuai)(kuai)、旋轉漂洗室或(huo)(huo)(huo)(huo)(huo)模(mo)(mo)塊(kuai)(kuai)(kuai)(kuai)、金屬電鍍室或(huo)(huo)(huo)(huo)(huo)模(mo)(mo)塊(kuai)(kuai)(kuai)(kuai)、清(qing)潔室或(huo)(huo)(huo)(huo)(huo)模(mo)(mo)塊(kuai)(kuai)(kuai)(kuai)、倒角邊緣蝕刻室或(huo)(huo)(huo)(huo)(huo)模(mo)(mo)塊(kuai)(kuai)(kuai)(kuai)、物理(li)氣相沉(chen)積(pvd)室或(huo)(huo)(huo)(huo)(huo)模(mo)(mo)塊(kuai)(kuai)(kuai)(kuai)、化(hua)學(xue)氣相沉(chen)積(cvd)室或(huo)(huo)(huo)(huo)(huo)模(mo)(mo)塊(kuai)(kuai)(kuai)(kuai)、原(yuan)子(zi)層(ceng)沉(chen)積(ald)室或(huo)(huo)(huo)(huo)(huo)模(mo)(mo)塊(kuai)(kuai)(kuai)(kuai)、原(yuan)子(zi)層(ceng)蝕刻(ale)室或(huo)(huo)(huo)(huo)(huo)模(mo)(mo)塊(kuai)(kuai)(kuai)(kuai)、離子(zi)注入室或(huo)(huo)(huo)(huo)(huo)模(mo)(mo)塊(kuai)(kuai)(kuai)(kuai)、軌道室或(huo)(huo)(huo)(huo)(huo)模(mo)(mo)塊(kuai)(kuai)(kuai)(kuai)、以及可(ke)以與(yu)半導(dao)體(ti)晶片的(de)(de)制(zhi)造和(he)/或(huo)(huo)(huo)(huo)(huo)制(zhi)備相關聯或(huo)(huo)(huo)(huo)(huo)用(yong)于半導(dao)體(ti)晶片的(de)(de)制(zhi)造和(he)/或(huo)(huo)(huo)(huo)(huo)制(zhi)備的(de)(de)任(ren)何其它半導(dao)體(ti)處理(li)系統。

如上(shang)所述(shu)，根據將由工(gong)具執行的一個或多(duo)個處理步驟，控制器可以與一個或多(duo)個其他工(gong)具電路(lu)或模塊、其它工(gong)具部(bu)件(jian)、群集(ji)工(gong)具、其他工(gong)具接(jie)口、相鄰工(gong)具、鄰近工(gong)具、位于整個工(gong)廠(chang)中(zhong)的工(gong)具、主計算(suan)機、另一控制器、或在將晶片容器往(wang)返半導體制造工(gong)廠(chang)中(zhong)的工(gong)具位置和/或裝載口運(yun)輸的材料(liao)運(yun)輸中(zhong)使(shi)用的工(gong)具通信(xin)。