本實用新型涉(she)及陶瓷(ci)元器(qi)件(jian)植入(ru)(ru)/導(dao)入(ru)(ru)裝置領域，尤(you)其涉(she)及一(yi)種(zhong)陶瓷(ci)芯片植入(ru)(ru)裝置。

背景技術：

MLCC（Multi-layer Ceramic Chip Capacitors，片(pian)式多層陶(tao)瓷電容器(qi)）等陶(tao)瓷元器(qi)件(jian)(jian)在(zai)經過(guo)沾銀或涂覆(fu)導(dao)電外(wai)漿之(zhi)前，必須對(dui)陶(tao)瓷元器(qi)件(jian)(jian)半成(cheng)品進行(xing)植入(ru)（或導(dao)入(ru)），并對(dui)整個器(qi)件(jian)(jian)端面進行(xing)整平，才可完(wan)成(cheng)陶(tao)瓷芯片(pian)的端頭外(wai)電極漿料的涂覆(fu)。

相對傳統MLCC制(zhi)造工(gong)藝(yi)而言，陶(tao)瓷芯片的(de)工(gong)裝(zhuang)承載或夾持(chi)方式往往決(jue)定著MLCC整個(ge)封(feng)(feng)端(duan)制(zhi)程(cheng)的(de)工(gong)藝(yi)性(xing)能(neng)(neng)。然(ran)而由于0201/0105型(xing)陶(tao)瓷芯片的(de)超(chao)微型(xing)化、振動(dong)過(guo)程(cheng)極易(yi)產生(sheng)靜電的(de)特性(xing)，且硅膠板(ban)超(chao)厚(hou)、JIG板(ban)以及薄膠板(ban)等傳統工(gong)裝(zhuang)易(yi)變形的(de)缺陷，已(yi)不(bu)能(neng)(neng)適用(yong)于0201/0105型(xing)（超(chao)微型(xing)）陶(tao)瓷芯片的(de)端(duan)頭外電極封(feng)(feng)端(duan)制(zhi)作，因此不(bu)銹(xiu)鋼SUS板(ban)封(feng)(feng)端(duan)工(gong)藝(yi)應運而生(sheng)。

尤其(qi)指出的是，不(bu)銹鋼SUS板(ban)封端工(gong)藝關鍵技術要點在于如何將超微(wei)型陶瓷芯(xin)片(pian)有(you)效植(zhi)入(ru)。對(dui)于0201/0105型陶瓷芯(xin)片(pian)整個植(zhi)入(ru)（或導(dao)入(ru)）制程而言，植(zhi)入(ru)部結構設計、工(gong)裝表面處理方式及植(zhi)入(ru)部安裝方式，都對(dui)陶瓷元器件的植(zhi)入(ru)效率(lv)有(you)著(zhu)不(bu)可忽(hu)視的作用。

然而，植(zhi)入(ru)部(bu)原始(shi)結構設計的缺陷、傳統粗糙的工(gong)裝(zhuang)(zhuang)表面(mian)加工(gong)方式以及植(zhi)入(ru)部(bu)的安(an)裝(zhuang)(zhuang)調(diao)整方式的不(bu)規(gui)范，都導致(zhi)了連續生(sheng)產過程(cheng)中芯片植(zhi)入(ru)效(xiao)率降低(di)，且芯片極(ji)(ji)易(yi)在振動過程(cheng)中被壓碎，對陶瓷元器(qi)件產品質(zhi)量造成不(bu)良影響。與此同時，原始(shi)設計的結構布局極(ji)(ji)易(yi)發生(sheng)漏(lou)料(liao)(liao)，不(bu)能有效(xiao)避免(mian)且極(ji)(ji)難對其漏(lou)料(liao)(liao)進行回收處理，漏(lou)料(liao)(liao)導致(zhi)植(zhi)入(ru)部(bu)關鍵(jian)工(gong)裝(zhuang)(zhuang)部(bu)位(wei)產生(sheng)變形，導致(zhi)植(zhi)入(ru)效(xiao)率不(bu)高，最終形成“漏(lou)料(liao)(liao)——變形——植(zhi)入(ru)率不(bu)高”的惡性循環(huan)。

因此，現有(you)技術還有(you)待于改進和發展(zhan)。

技術實現要素：

鑒于上述現有技術的(de)(de)不足(zu)，本實用新型的(de)(de)目的(de)(de)在(zai)于提供一種陶瓷芯片植入(ru)裝置，旨在(zai)解決(jue)現有的(de)(de)植入(ru)方式植入(ru)效率低、容易造成產品不良等問題。

本實(shi)用新型的技術(shu)方案如下：

一種陶(tao)瓷芯片植(zhi)入裝置(zhi)(zhi)(zhi)，其中，包括真空(kong)(kong)植(zhi)晶(jing)臺(tai)(tai)、設(she)置(zhi)(zhi)(zhi)于(yu)所(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)真空(kong)(kong)植(zhi)晶(jing)臺(tai)(tai)底部的(de)(de)電磁振動機、設(she)置(zhi)(zhi)(zhi)于(yu)所(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)真空(kong)(kong)植(zhi)晶(jing)臺(tai)(tai)頂部的(de)(de)不銹鋼(gang)板(ban)及設(she)置(zhi)(zhi)(zhi)于(yu)真空(kong)(kong)植(zhi)晶(jing)臺(tai)(tai)上方并(bing)用(yong)于(yu)放置(zhi)(zhi)(zhi)陶(tao)瓷芯片的(de)(de)引(yin)導(dao)(dao)板(ban)，所(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)不銹鋼(gang)板(ban)上設(she)置(zhi)(zhi)(zhi)有多個孔(kong)位，在所(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)引(yin)導(dao)(dao)板(ban)上設(she)置(zhi)(zhi)(zhi)有與所(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)孔(kong)位匹配(pei)的(de)(de)通孔(kong)，所(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)真空(kong)(kong)植(zhi)晶(jing)臺(tai)(tai)連接有用(yong)于(yu)驅(qu)動所(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)真空(kong)(kong)植(zhi)晶(jing)臺(tai)(tai)前后擺動的(de)(de)馬達；所(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)引(yin)導(dao)(dao)板(ban)的(de)(de)底部設(she)置(zhi)(zhi)(zhi)有殘料(liao)清除(chu)裝置(zhi)(zhi)(zhi)；所(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)引(yin)導(dao)(dao)板(ban)的(de)(de)表面具有用(yong)于(yu)消除(chu)靜電的(de)(de)粗(cu)糙結構。

所述的(de)陶瓷(ci)芯(xin)片植(zhi)入裝置，其中，所述真空(kong)植(zhi)晶(jing)臺內(nei)部中空(kong)設置，且所述真空(kong)植(zhi)晶(jing)臺的(de)側邊外接用于(yu)吸真空(kong)的(de)真空(kong)氣管。

所述的(de)陶瓷芯片植入裝(zhuang)置，其中，所述真空植晶臺的(de)側邊(bian)安裝(zhuang)有(you)定位感應(ying)器。

所(suo)述(shu)的陶(tao)瓷芯片植入裝置，其中，所(suo)述(shu)引(yin)導(dao)(dao)板由引(yin)導(dao)(dao)片及設置于所(suo)述(shu)引(yin)導(dao)(dao)片兩側的引(yin)導(dao)(dao)框組成。

所(suo)述(shu)的(de)陶瓷芯片植(zhi)入裝置(zhi)，其中，所(suo)述(shu)引導框材質為(wei)鋁，所(suo)述(shu)引導片材質為(wei)304不銹鋼(gang)。

所(suo)述的陶瓷芯(xin)片植入裝(zhuang)置，其中，所(suo)述粗糙結構由多個半球(qiu)形凹(ao)坑構成。

所(suo)述(shu)的陶瓷(ci)芯片植(zhi)入裝(zhuang)置，其中(zhong)，所(suo)述(shu)引(yin)導片與引(yin)導框通(tong)過膠水粘接。

所(suo)述(shu)的陶瓷(ci)芯片植入裝置(zhi)，其(qi)中，所(suo)述(shu)引導(dao)框的前(qian)端和末端內部均設置(zhi)有20°~30°斜(xie)面。

所(suo)述(shu)的陶瓷芯片植入(ru)裝置(zhi)，其中，所(suo)述(shu)引導(dao)板上方設置(zhi)有下壓氣缸，所(suo)述(shu)下壓氣缸的下端設置(zhi)有用于調(diao)整引導(dao)板高(gao)度(du)的壓緊螺柱(zhu)。

所述(shu)的陶瓷芯(xin)片植入裝(zhuang)置，其中，所述(shu)真空植晶臺側邊設置有(you)限位感應器。

有益效(xiao)果：本實用新型(xing)增加振動行程及表(biao)面消靜電(dian)處理，提高了陶瓷(ci)芯片(pian)的植(zhi)入率；同時加裝殘料清除裝置(zhi)清除板上(shang)殘余芯片(pian)，確保引導板與(yu)SUS板的準(zhun)確對位，提高了連續作業的植(zhi)入效(xiao)率。

附圖說明

圖1為本實(shi)用(yong)新型一種陶瓷芯片(pian)植入裝置較(jiao)佳實(shi)施例的結構(gou)示意(yi)圖。

具體實施方式

本實(shi)用(yong)(yong)(yong)新(xin)型提供(gong)一種陶瓷芯片植(zhi)入裝置，為使本實(shi)用(yong)(yong)(yong)新(xin)型的(de)目的(de)、技術方案及效果(guo)更加清楚(chu)、明(ming)確(que)，以下對本實(shi)用(yong)(yong)(yong)新(xin)型進一步詳細說明(ming)。應當理解，此處所描述的(de)具體實(shi)施例僅(jin)僅(jin)用(yong)(yong)(yong)以解釋本實(shi)用(yong)(yong)(yong)新(xin)型，并(bing)不用(yong)(yong)(yong)于限定本實(shi)用(yong)(yong)(yong)新(xin)型。

請(qing)參閱圖(tu)(tu)(tu)1，圖(tu)(tu)(tu)1為本實(shi)用(yong)新型一種陶瓷(ci)芯(xin)片植(zhi)(zhi)(zhi)(zhi)(zhi)入裝(zhuang)置較(jiao)佳實(shi)施(shi)例的(de)(de)(de)(de)結構示意圖(tu)(tu)(tu)，其包括真(zhen)(zhen)(zhen)(zhen)空(kong)植(zhi)(zhi)(zhi)(zhi)(zhi)晶(jing)臺(tai)4、設置于所(suo)述(shu)(shu)真(zhen)(zhen)(zhen)(zhen)空(kong)植(zhi)(zhi)(zhi)(zhi)(zhi)晶(jing)臺(tai)4底部的(de)(de)(de)(de)電磁(ci)振動機5、設置于所(suo)述(shu)(shu)真(zhen)(zhen)(zhen)(zhen)空(kong)植(zhi)(zhi)(zhi)(zhi)(zhi)晶(jing)臺(tai)4頂部的(de)(de)(de)(de)不(bu)銹鋼板(ban)(ban)2（該不(bu)銹鋼板(ban)(ban)2可通(tong)過膠帶3貼附在真(zhen)(zhen)(zhen)(zhen)空(kong)植(zhi)(zhi)(zhi)(zhi)(zhi)晶(jing)臺(tai)4上）及(ji)設置于真(zhen)(zhen)(zhen)(zhen)空(kong)植(zhi)(zhi)(zhi)(zhi)(zhi)晶(jing)臺(tai)4上方的(de)(de)(de)(de)引導板(ban)(ban)1，所(suo)述(shu)(shu)不(bu)銹鋼板(ban)(ban)2上設置有多個(ge)孔位，在所(suo)述(shu)(shu)引導板(ban)(ban)1上設置有與所(suo)述(shu)(shu)孔位匹(pi)配的(de)(de)(de)(de)通(tong)孔；所(suo)述(shu)(shu)真(zhen)(zhen)(zhen)(zhen)空(kong)植(zhi)(zhi)(zhi)(zhi)(zhi)晶(jing)臺(tai)4連接有用(yong)于驅動所(suo)述(shu)(shu)真(zhen)(zhen)(zhen)(zhen)空(kong)植(zhi)(zhi)(zhi)(zhi)(zhi)晶(jing)臺(tai)4前后擺動的(de)(de)(de)(de)馬達。

具體(ti)來說，在真空植晶臺4底部的(de)(de)(de)(de)電(dian)磁振(zhen)(zhen)動(dong)機5（也可以是其他類型的(de)(de)(de)(de)振(zhen)(zhen)動(dong)機），通過端(duan)(duan)子接線繞組的(de)(de)(de)(de)通電(dian)提供上(shang)(shang)下(xia)振(zhen)(zhen)動(dong)力(li)(li)，傳到(dao)上(shang)(shang)方的(de)(de)(de)(de)引(yin)導(dao)板1，所述(shu)引(yin)導(dao)板1上(shang)(shang)方設置有下(xia)壓(ya)(ya)(ya)氣(qi)缸，所述(shu)下(xia)壓(ya)(ya)(ya)氣(qi)缸的(de)(de)(de)(de)下(xia)端(duan)(duan)設置有用(yong)于調整(zheng)引(yin)導(dao)板1高度的(de)(de)(de)(de)壓(ya)(ya)(ya)緊螺(luo)柱(zhu)(zhu)。所述(shu)引(yin)導(dao)板1內部由下(xia)壓(ya)(ya)(ya)氣(qi)缸下(xia)端(duan)(duan)的(de)(de)(de)(de)壓(ya)(ya)(ya)緊螺(luo)柱(zhu)(zhu)對引(yin)導(dao)板1鎖(suo)定。所述(shu)壓(ya)(ya)(ya)緊螺(luo)柱(zhu)(zhu)采(cai)用(yong)硬質合金制成，壓(ya)(ya)(ya)緊螺(luo)柱(zhu)(zhu)末端(duan)(duan)采(cai)用(yong)硬化處理；所述(shu)壓(ya)(ya)(ya)緊螺(luo)柱(zhu)(zhu)采(cai)用(yong)標準扭(niu)力(li)(li)扳手進行(xing)鎖(suo)緊，鎖(suo)緊力(li)(li)度不可超限(xian)。

其中，所述真(zhen)空(kong)(kong)(kong)植(zhi)(zhi)晶臺(tai)(tai)4內部中空(kong)(kong)(kong)設(she)置，且所述真(zhen)空(kong)(kong)(kong)植(zhi)(zhi)晶臺(tai)(tai)4的側邊(bian)外(wai)接用于吸真(zhen)空(kong)(kong)(kong)的真(zhen)空(kong)(kong)(kong)氣管，所述真(zhen)空(kong)(kong)(kong)植(zhi)(zhi)晶臺(tai)(tai)4經(jing)表面光亮處理；此外(wai)，真(zhen)空(kong)(kong)(kong)植(zhi)(zhi)晶臺(tai)(tai)4側端(duan)安裝(zhuang)有定位感應(ying)器，用于檢(jian)測不銹鋼板2有無放置到位。

所(suo)述(shu)引(yin)(yin)導板1由引(yin)(yin)導片及設(she)置于所(suo)述(shu)引(yin)(yin)導片兩側的引(yin)(yin)導框(kuang)組成，所(suo)述(shu)引(yin)(yin)導框(kuang)和引(yin)(yin)導片采用(yong)膠水（金屬(shu)膠水）粘(zhan)結緊密貼合(he)，且對位(wei)處符合(he)裝配尺寸要求(qiu)。所(suo)述(shu)引(yin)(yin)導框(kuang)材質為鋁（也可采用(yong)其他不帶磁性金屬(shu)材料），所(suo)述(shu)引(yin)(yin)導片材質為304不銹鋼(gang)。所(suo)述(shu)引(yin)(yin)導框(kuang)的前端和末端內(nei)部均設(she)置有20°~30°斜(xie)(xie)面，以(yi)便于陶瓷芯(xin)片下(xia)料不受阻。在引(yin)(yin)導板1內(nei)部的料槽部位(wei)還(huan)可增(zeng)加斜(xie)(xie)面結構。

進一步，所述引導片的表面具有用于消除靜電的粗糙結構。該粗糙結構是設置在與（超微型）陶瓷芯片6的接觸面（正面），即該接觸面經過二次蝕刻處理。所述粗糙結構優選由多個半球形凹坑構成。具體地，在有孔區域（即設置通孔的位置）加工出多個半徑為R₀的半球形凹坑，無孔區域（未設置通孔的位置）加工出多個半徑為R₀的(de)半球形凹坑，且(qie)無孔區域的(de)半球形凹坑之(zhi)間具有1/2的(de)部分疊加；該引導片(pian)的(de)反(fan)面(mian)進行酸化(hua)處理(li)，使(shi)經過原始加工后的(de)引導板表面(mian)由亮(liang)面(mian)形成霧化(hua)狀，使(shi)之(zhi)不(bu)能進行有效反(fan)光。通過此(ci)種表面(mian)結(jie)構，可直接消除陶(tao)瓷(ci)芯(xin)片(pian)6因靜電吸(xi)附而導致粘料的(de)影響，提升入(ru)(ru)料率，避免粘料產(chan)生的(de)灑落，提高了(le)植入(ru)(ru)效率，同(tong)時降低了(le)陶(tao)瓷(ci)芯(xin)片(pian)的(de)廢(fei)耗。

進(jin)一步(bu)，所(suo)述引(yin)導(dao)(dao)板(ban)(ban)1的(de)(de)底部(bu)設置(zhi)(zhi)有殘料清(qing)除裝置(zhi)(zhi)7。該殘料清(qing)除裝置(zhi)(zhi)中設置(zhi)(zhi)有抽氣(qi)泵以(yi)及與所(suo)述抽氣(qi)泵連(lian)接(jie)的(de)(de)管道，所(suo)述管道朝(chao)向(xiang)所(suo)述引(yin)導(dao)(dao)板(ban)(ban)1以(yi)及不(bu)銹(xiu)鋼(gang)(gang)板(ban)(ban)2設置(zhi)(zhi)，通(tong)過管道內壓縮(suo)空氣(qi)高速(su)運動清(qing)除引(yin)導(dao)(dao)板(ban)(ban)1及不(bu)銹(xiu)鋼(gang)(gang)板(ban)(ban)2上(shang)殘留的(de)(de)陶(tao)(tao)瓷芯(xin)片6，從而(er)避免殘留的(de)(de)粘附產(chan)(chan)品對不(bu)銹(xiu)鋼(gang)(gang)板(ban)(ban)2及引(yin)導(dao)(dao)板(ban)(ban)1連(lian)續作業(ye)過程中產(chan)(chan)生(sheng)壓迫損(sun)傷。當然(ran)，上(shang)述方案為(wei)通(tong)過壓縮(suo)空氣(qi)蒸(zheng)主(zhu)動清(qing)除，還可(ke)以(yi)通(tong)過真空吸附的(de)(de)方式來(lai)吸附殘留的(de)(de)陶(tao)(tao)瓷芯(xin)片。該殘料清(qing)除裝置(zhi)(zhi)7也可(ke)采用除油吸水過濾器等類似裝置(zhi)(zhi)來(lai)實現清(qing)除殘留的(de)(de)陶(tao)(tao)瓷芯(xin)片。

所述引導板1、真空植晶臺4以及不銹鋼板2的對(dui)位(wei)(wei)(wei)由水平方向的對(dui)位(wei)(wei)(wei)氣缸進行對(dui)位(wei)(wei)(wei)，所述對(dui)位(wei)(wei)(wei)氣缸末端(duan)裝有(you)夾緊塊，對(dui)位(wei)(wei)(wei)時確保引導板1及不銹鋼板2同軸外徑圓孔(kong)誤差處(chu)于(yu)標準可控范圍內。

進(jin)一步，在(zai)所述(shu)真(zhen)空(kong)植(zhi)晶(jing)臺(tai)(tai)4側(ce)邊增(zeng)加(jia)(jia)限(xian)位(wei)感應器，以(yi)增(zeng)加(jia)(jia)設置水平(ping)(ping)停(ting)(ting)留(liu)(liu)行(xing)(xing)程(cheng)。具體實施方(fang)式(shi)為：不銹鋼(gang)板(ban)(ban)2、引導(dao)板(ban)(ban)1及真(zhen)空(kong)植(zhi)晶(jing)臺(tai)(tai)4對位(wei)→電(dian)(dian)磁振動機(ji)5啟動植(zhi)入(ru)(ru)行(xing)(xing)程(cheng)振動→真(zhen)空(kong)植(zhi)晶(jing)臺(tai)(tai)4前(qian)傾15-20°，使(shi)(shi)(shi)陶(tao)(tao)瓷(ci)芯(xin)片(pian)6入(ru)(ru)料(liao)→真(zhen)空(kong)植(zhi)晶(jing)臺(tai)(tai)4水平(ping)(ping)停(ting)(ting)留(liu)(liu)，進(jin)行(xing)(xing)植(zhi)入(ru)(ru)→真(zhen)空(kong)植(zhi)晶(jing)臺(tai)(tai)4后傾15-20°，使(shi)(shi)(shi)陶(tao)(tao)瓷(ci)芯(xin)片(pian)6回料(liao)→真(zhen)空(kong)植(zhi)晶(jing)臺(tai)(tai)4水平(ping)(ping)停(ting)(ting)留(liu)(liu)，再次進(jin)行(xing)(xing)植(zhi)入(ru)(ru)→真(zhen)空(kong)植(zhi)晶(jing)臺(tai)(tai)4再次前(qian)傾15-20°，使(shi)(shi)(shi)陶(tao)(tao)瓷(ci)芯(xin)片(pian)6植(zhi)入(ru)(ru)→真(zhen)空(kong)植(zhi)晶(jing)臺(tai)(tai)4后傾45-50°，使(shi)(shi)(shi)陶(tao)(tao)瓷(ci)芯(xin)片(pian)6收料(liao)到料(liao)盒→復位(wei)。增(zeng)加(jia)(jia)水平(ping)(ping)停(ting)(ting)留(liu)(liu)行(xing)(xing)程(cheng)的(de)限(xian)位(wei)設定，可直接增(zeng)加(jia)(jia)陶(tao)(tao)瓷(ci)芯(xin)片(pian)6在(zai)引導(dao)板(ban)(ban)1內部的(de)有效(xiao)振動時間，同時通過調整電(dian)(dian)磁振動機(ji)5的(de)電(dian)(dian)壓及振幅的(de)匹配(pei)，有效(xiao)提升單板(ban)(ban)陶(tao)(tao)瓷(ci)芯(xin)片(pian)植(zhi)入(ru)(ru)數量，提高了陶(tao)(tao)瓷(ci)芯(xin)片(pian)植(zhi)入(ru)(ru)率。

對(dui)于引(yin)導(dao)(dao)(dao)板(ban)1鉛(qian)直(zhi)方向(xiang)(xiang)、水平(ping)(ping)方向(xiang)(xiang)的(de)(de)對(dui)位(wei)調整(zheng)，鉛(qian)直(zhi)方向(xiang)(xiang)主要為(wei)真空(kong)植晶(jing)臺(tai)4與引(yin)導(dao)(dao)(dao)板(ban)1的(de)(de)貼(tie)合(he)緊密(mi)程度(du)，而(er)水平(ping)(ping)方向(xiang)(xiang)主要為(wei)不銹鋼板(ban)2受真空(kong)植晶(jing)臺(tai)4真空(kong)吸附后與引(yin)導(dao)(dao)(dao)板(ban)1的(de)(de)通孔同心對(dui)位(wei)偏移(yi)量。鉛(qian)直(zhi)方向(xiang)(xiang)的(de)(de)貼(tie)合(he)緊密(mi)程度(du)通過引(yin)導(dao)(dao)(dao)板(ban)1上(shang)部的(de)(de)下壓(ya)氣缸末端的(de)(de)壓(ya)緊螺柱調整(zheng)，必須采用(yong)扭(niu)力(li)扳手對(dui)其進(jin)行鎖定，扭(niu)力(li)矩設(she)定值不大(da)于0.3kgf·cm。水平(ping)(ping)方向(xiang)(xiang)的(de)(de)對(dui)位(wei)偏移(yi)量采用(yong)30倍刻度(du)顯微鏡(jing)檢查調整(zheng)，圓孔外徑偏移(yi)量10μm以內。

完成以(yi)上的(de)(de)結構優化設計(ji)后，植入(ru)裝置(zhi)中(zhong)引導板的(de)(de)安裝調試務必(bi)準確(que)到位，才可(ke)確(que)保單板植入(ru)率及連續植入(ru)效率。

應當理(li)解的是，本實(shi)用(yong)(yong)新型(xing)的應用(yong)(yong)不(bu)限于(yu)(yu)上述的舉例，對(dui)本領域普(pu)通(tong)技術人員(yuan)來說，可(ke)以根據上述說明加以改進或變(bian)換，所有這些改進和變(bian)換都(dou)應屬于(yu)(yu)本實(shi)用(yong)(yong)新型(xing)所附權利要(yao)求的保護范(fan)圍。