本(ben)發明涉(she)及高(gao)速信號(hao)的電(dian)極過(guo)(guo)渡領域，具體涉(she)及一(yi)種用于高(gao)速信號(hao)的GSG型電(dian)極和GS型電(dian)極的互(hu)易(yi)過(guo)(guo)渡方法及過(guo)(guo)渡電(dian)極。

背景技術：

高(gao)(gao)速(su)(su)集(ji)成(cheng)芯(xin)(xin)(xin)片和高(gao)(gao)速(su)(su)印刷(shua)電(dian)路板(ban)(ban)(ban)上的(de)高(gao)(gao)速(su)(su)信號(hao)傳輸線的(de)電(dian)極(ji)為采用平面(mian)(mian)波(bo)導(dao)型電(dian)極(ji)，常見的(de)平面(mian)(mian)波(bo)導(dao)型電(dian)極(ji)為GSG型電(dian)極(ji)(地(di)信號(hao)地(di)平面(mian)(mian)波(bo)導(dao)平面(mian)(mian)射頻(pin)電(dian)極(ji))和GS型電(dian)極(ji)(地(di)平面(mian)(mian)波(bo)導(dao)平面(mian)(mian)射頻(pin)電(dian)極(ji))。高(gao)(gao)速(su)(su)集(ji)成(cheng)芯(xin)(xin)(xin)片和高(gao)(gao)速(su)(su)印刷(shua)電(dian)路板(ban)(ban)(ban)在(zai)(zai)實際應用時(shi)，需要(yao)根據不(bu)同(tong)(tong)芯(xin)(xin)(xin)片或(huo)電(dian)路板(ban)(ban)(ban)功能區域的(de)特點(dian)采用類型的(de)電(dian)極(ji)，即可能在(zai)(zai)高(gao)(gao)速(su)(su)集(ji)成(cheng)芯(xin)(xin)(xin)片或(huo)高(gao)(gao)速(su)(su)印刷(shua)電(dian)路板(ban)(ban)(ban)的(de)某一部分(fen)(fen)采用GSG型電(dian)極(ji)，另外(wai)一部分(fen)(fen)采用GS型電(dian)極(ji)；，此(ci)時(shi)需要(yao)對2種不(bu)同(tong)(tong)的(de)電(dian)極(ji)結構(gou)進(jin)行過渡和低損耗(hao)轉換(huan)。

目前，將(jiang)上述(shu)2種電(dian)極結(jie)構(gou)的低(di)損耗(hao)轉換(huan)方(fang)式為直接(jie)連(lian)接(jie)轉換(huan)，該方(fang)式一(yi)般應用于低(di)速(su)領域中。將(jiang)直接(jie)連(lian)接(jie)轉換(huan)的轉換(huan)方(fang)式應用于高(gao)速(su)信(xin)號(hao)傳輸線時，會產生(sheng)諧振與信(xin)號(hao)損耗(hao)較大(da)的問題，進而(er)使得高(gao)速(su)芯片(pian)或高(gao)速(su)印刷電(dian)路板(ban)的信(xin)號(hao)質量大(da)幅(fu)度下降。

技術實現要素：

針對現有技術(shu)中(zhong)存在(zai)的(de)缺陷(xian)，本發明解決的(de)技術(shu)問題為：降低GSG型(xing)電(dian)極和(he)GS型(xing)電(dian)極在(zai)轉換過程帶來的(de)帶寬(kuan)劣化和(he)微波諧(xie)振，本發明能夠顯著提高GSG型(xing)電(dian)極和(he)GS型(xing)電(dian)極的(de)載(zai)體(ti)(高速(su)集成芯片和(he)高速(su)印(yin)刷電(dian)路(lu)板)的(de)整體(ti)信(xin)號質量和(he)帶寬(kuan)。

為(wei)達(da)到(dao)以(yi)上目的，本發(fa)明提供的GSG型(xing)(xing)電(dian)極(ji)(ji)(ji)和GS型(xing)(xing)電(dian)極(ji)(ji)(ji)的互易過渡(du)方(fang)法，該方(fang)法中(zhong)的GSG型(xing)(xing)電(dian)極(ji)(ji)(ji)和GS型(xing)(xing)電(dian)極(ji)(ji)(ji)阻抗匹(pi)配(pei)，GSG型(xing)(xing)電(dian)極(ji)(ji)(ji)包(bao)(bao)括(kuo)上G極(ji)(ji)(ji)、S極(ji)(ji)(ji)和下G極(ji)(ji)(ji)，GS型(xing)(xing)電(dian)極(ji)(ji)(ji)包(bao)(bao)括(kuo)S極(ji)(ji)(ji)和G極(ji)(ji)(ji)，該方(fang)法包(bao)(bao)括(kuo)以(yi)下步(bu)驟：

步驟A：保持GSG型(xing)電(dian)極(ji)(ji)(ji)(ji)和GS型(xing)電(dian)極(ji)(ji)(ji)(ji)的(de)(de)(de)(de)阻抗不變的(de)(de)(de)(de)情(qing)況下，將GSG型(xing)電(dian)極(ji)(ji)(ji)(ji)的(de)(de)(de)(de)下G極(ji)(ji)(ji)(ji)的(de)(de)(de)(de)寬度，與(yu)(yu)GS型(xing)電(dian)極(ji)(ji)(ji)(ji)的(de)(de)(de)(de)G極(ji)(ji)(ji)(ji)的(de)(de)(de)(de)寬度的(de)(de)(de)(de)比值調整為(wei)1～2；將GSG型(xing)電(dian)極(ji)(ji)(ji)(ji)的(de)(de)(de)(de)S極(ji)(ji)(ji)(ji)的(de)(de)(de)(de)寬度，與(yu)(yu)GS型(xing)電(dian)極(ji)(ji)(ji)(ji)的(de)(de)(de)(de)S極(ji)(ji)(ji)(ji)的(de)(de)(de)(de)寬度的(de)(de)(de)(de)比值調整為(wei)1～2；將GSG型(xing)電(dian)極(ji)(ji)(ji)(ji)的(de)(de)(de)(de)下G極(ji)(ji)(ji)(ji)與(yu)(yu)S極(ji)(ji)(ji)(ji)的(de)(de)(de)(de)Gap(間(jian)隔(ge))，與(yu)(yu)GS型(xing)電(dian)極(ji)(ji)(ji)(ji)的(de)(de)(de)(de)G極(ji)(ji)(ji)(ji)與(yu)(yu)S極(ji)(ji)(ji)(ji)的(de)(de)(de)(de)Gap的(de)(de)(de)(de)比值調整為(wei)1～2，轉到步驟B；

步(bu)驟B：將GSG型(xing)電極(ji)(ji)(ji)和GS型(xing)電極(ji)(ji)(ji)水平放置，GSG型(xing)電極(ji)(ji)(ji)和GS型(xing)電極(ji)(ji)(ji)預留至少(shao)長度(du)為(wei)10～200μm的過(guo)(guo)(guo)渡區(qu)域；GSG型(xing)電極(ji)(ji)(ji)的下G極(ji)(ji)(ji)的下邊緣(yuan)，與GS型(xing)電極(ji)(ji)(ji)的G極(ji)(ji)(ji)的下邊緣(yuan)平齊(qi)；在(zai)過(guo)(guo)(guo)渡區(qu)域中，放置2個與過(guo)(guo)(guo)渡區(qu)域長度(du)相同的過(guo)(guo)(guo)渡電極(ji)(ji)(ji)：第一(yi)過(guo)(guo)(guo)渡電極(ji)(ji)(ji)和第二(er)過(guo)(guo)(guo)渡電極(ji)(ji)(ji)；

第(di)一過渡電(dian)極的(de)(de)下邊緣，與(yu)GSG型(xing)(xing)電(dian)極的(de)(de)下G極的(de)(de)下邊緣平齊；第(di)一過渡電(dian)極的(de)(de)一側與(yu)GSG型(xing)(xing)電(dian)極的(de)(de)下G極的(de)(de)寬度相(xiang)同，另一側與(yu)GS型(xing)(xing)電(dian)極的(de)(de)G極的(de)(de)寬度相(xiang)同，將GSG型(xing)(xing)電(dian)極的(de)(de)下G極，通過第(di)一過渡電(dian)極與(yu)GS型(xing)(xing)電(dian)極的(de)(de)G極連接；

第二(er)過渡(du)電(dian)極(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)下(xia)邊緣(yuan)、GSG型電(dian)極(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)S極(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)下(xia)邊緣(yuan)、以及GS型電(dian)極(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)S極(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)下(xia)邊緣(yuan)平(ping)齊；第二(er)過渡(du)電(dian)極(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)一(yi)側與(yu)GSG型電(dian)極(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)S極(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)寬度(du)相(xiang)同，另一(yi)側與(yu)GS型電(dian)極(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)S極(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)寬度(du)相(xiang)同，將(jiang)GSG型電(dian)極(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)S極(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)，通過第二(er)過渡(du)電(dian)極(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)與(yu)GS型電(dian)極(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)連(lian)接，轉到步(bu)驟C；

步(bu)驟(zou)C：在GSG型電極(ji)的(de)上G極(ji)和下G極(ji)之間，搭建至少1個共(gong)地連接(jie)(jie)橋，共(gong)地連接(jie)(jie)橋包括(kuo)導體，導體與過渡區域的(de)距離為2～100μm，導體的(de)兩端分別與上G極(ji)、下G極(ji)連接(jie)(jie)。

本發明提供的(de)(de)(de)(de)(de)實現上述方法的(de)(de)(de)(de)(de)GSG型(xing)電(dian)(dian)極(ji)(ji)和(he)GS型(xing)電(dian)(dian)極(ji)(ji)的(de)(de)(de)(de)(de)互(hu)易過渡電(dian)(dian)極(ji)(ji)，包括至少(shao)1層阻抗匹配的(de)(de)(de)(de)(de)GSG型(xing)電(dian)(dian)極(ji)(ji)和(he)SG型(xing)電(dian)(dian)極(ji)(ji)；GSG型(xing)電(dian)(dian)極(ji)(ji)包括上G極(ji)(ji)、S極(ji)(ji)和(he)下G極(ji)(ji)，GS型(xing)電(dian)(dian)極(ji)(ji)包括S極(ji)(ji)和(he)G極(ji)(ji)；GSG型(xing)電(dian)(dian)極(ji)(ji)的(de)(de)(de)(de)(de)下G極(ji)(ji)的(de)(de)(de)(de)(de)寬度(du)，與GS型(xing)電(dian)(dian)極(ji)(ji)的(de)(de)(de)(de)(de)G極(ji)(ji)的(de)(de)(de)(de)(de)寬度(du)的(de)(de)(de)(de)(de)比(bi)值為1～2，GSG型(xing)電(dian)(dian)極(ji)(ji)的(de)(de)(de)(de)(de)S極(ji)(ji)的(de)(de)(de)(de)(de)寬度(du)，與GS型(xing)電(dian)(dian)極(ji)(ji)的(de)(de)(de)(de)(de)S極(ji)(ji)的(de)(de)(de)(de)(de)寬度(du)的(de)(de)(de)(de)(de)比(bi)值為1～2；GSG型(xing)電(dian)(dian)極(ji)(ji)的(de)(de)(de)(de)(de)下G極(ji)(ji)與S極(ji)(ji)的(de)(de)(de)(de)(de)Gap，與GS型(xing)電(dian)(dian)極(ji)(ji)的(de)(de)(de)(de)(de)G極(ji)(ji)與S極(ji)(ji)的(de)(de)(de)(de)(de)Gap的(de)(de)(de)(de)(de)比(bi)值為1～2；

GSG型(xing)(xing)電(dian)(dian)極(ji)(ji)(ji)的下(xia)G極(ji)(ji)(ji)，通(tong)過第(di)一(yi)(yi)過渡電(dian)(dian)極(ji)(ji)(ji)與(yu)同層(ceng)GS型(xing)(xing)電(dian)(dian)極(ji)(ji)(ji)的G極(ji)(ji)(ji)連接，第(di)一(yi)(yi)過渡電(dian)(dian)極(ji)(ji)(ji)的長度為10～200μm，第(di)一(yi)(yi)過渡電(dian)(dian)極(ji)(ji)(ji)的下(xia)邊(bian)緣(yuan)(yuan)、下(xia)G極(ji)(ji)(ji)的下(xia)邊(bian)緣(yuan)(yuan)、以(yi)及GS型(xing)(xing)電(dian)(dian)極(ji)(ji)(ji)的G極(ji)(ji)(ji)的下(xia)邊(bian)緣(yuan)(yuan)平齊；第(di)一(yi)(yi)過渡電(dian)(dian)極(ji)(ji)(ji)的一(yi)(yi)側與(yu)GSG型(xing)(xing)電(dian)(dian)極(ji)(ji)(ji)的下(xia)G極(ji)(ji)(ji)的寬(kuan)度相同，另一(yi)(yi)側與(yu)GS型(xing)(xing)電(dian)(dian)極(ji)(ji)(ji)的G極(ji)(ji)(ji)的寬(kuan)度相同；

GSG型(xing)(xing)電(dian)(dian)(dian)(dian)極(ji)(ji)(ji)的(de)(de)(de)(de)S極(ji)(ji)(ji)，通過(guo)(guo)第(di)二過(guo)(guo)渡(du)(du)(du)電(dian)(dian)(dian)(dian)極(ji)(ji)(ji)與(yu)(yu)同層GS型(xing)(xing)電(dian)(dian)(dian)(dian)極(ji)(ji)(ji)的(de)(de)(de)(de)S極(ji)(ji)(ji)連接(jie)，第(di)二過(guo)(guo)渡(du)(du)(du)電(dian)(dian)(dian)(dian)極(ji)(ji)(ji)的(de)(de)(de)(de)長度與(yu)(yu)第(di)一過(guo)(guo)渡(du)(du)(du)電(dian)(dian)(dian)(dian)極(ji)(ji)(ji)相(xiang)同；第(di)二過(guo)(guo)渡(du)(du)(du)電(dian)(dian)(dian)(dian)極(ji)(ji)(ji)的(de)(de)(de)(de)下(xia)(xia)邊緣、GSG型(xing)(xing)電(dian)(dian)(dian)(dian)極(ji)(ji)(ji)的(de)(de)(de)(de)S極(ji)(ji)(ji)的(de)(de)(de)(de)下(xia)(xia)邊緣、以及(ji)GS型(xing)(xing)電(dian)(dian)(dian)(dian)極(ji)(ji)(ji)的(de)(de)(de)(de)S極(ji)(ji)(ji)的(de)(de)(de)(de)下(xia)(xia)邊緣平齊；第(di)二過(guo)(guo)渡(du)(du)(du)電(dian)(dian)(dian)(dian)極(ji)(ji)(ji)的(de)(de)(de)(de)一側(ce)(ce)與(yu)(yu)GSG型(xing)(xing)電(dian)(dian)(dian)(dian)極(ji)(ji)(ji)的(de)(de)(de)(de)S極(ji)(ji)(ji)的(de)(de)(de)(de)寬度相(xiang)同，另一側(ce)(ce)與(yu)(yu)GS型(xing)(xing)電(dian)(dian)(dian)(dian)極(ji)(ji)(ji)的(de)(de)(de)(de)S極(ji)(ji)(ji)的(de)(de)(de)(de)寬度相(xiang)同；

GSG型(xing)電極(ji)(ji)的上G極(ji)(ji)和下(xia)G極(ji)(ji)之間，設置有至少1個(ge)共(gong)(gong)地(di)連接(jie)(jie)橋，共(gong)(gong)地(di)連接(jie)(jie)橋包括導體(ti)，導體(ti)與過(guo)渡區(qu)域的距離為2～100μm，導體(ti)的兩端(duan)分別與上G極(ji)(ji)、下(xia)G極(ji)(ji)連接(jie)(jie)。

與現(xian)有技術相(xiang)比，本發明的優點在于：

參見S2和(he)(he)S3可(ke)知(zhi)，本發(fa)明有針對(dui)性的(de)設計了阻抗(kang)匹(pi)配(pei)的(de)GSG型電(dian)(dian)(dian)(dian)極(ji)與(yu)GS型電(dian)(dian)(dian)(dian)極(ji)的(de)比(bi)例(li)(G級(ji)和(he)(he)S級(ji)的(de)寬(kuan)度(du)比(bi)例(li)與(yu)間隔(ge)比(bi)例(li))；與(yu)此同時，參見S4和(he)(he)S5可(ke)知(zhi)，本發(fa)明在(zai)GSG型電(dian)(dian)(dian)(dian)極(ji)與(yu)GS型電(dian)(dian)(dian)(dian)極(ji)之(zhi)間增加(jia)了過渡(du)(du)區域，在(zai)GSG型電(dian)(dian)(dian)(dian)極(ji)增加(jia)了共地連(lian)接(jie)橋，以此降低(di)GSG型電(dian)(dian)(dian)(dian)極(ji)和(he)(he)GS型電(dian)(dian)(dian)(dian)極(ji)在(zai)轉換過程帶(dai)來的(de)帶(dai)寬(kuan)劣化和(he)(he)微波(bo)諧(xie)振，進而實現GSG型電(dian)(dian)(dian)(dian)極(ji)與(yu)GS型電(dian)(dian)(dian)(dian)極(ji)之(zhi)間的(de)無諧(xie)振和(he)(he)低(di)損耗過渡(du)(du)，顯著提(ti)高(gao)了GSG型電(dian)(dian)(dian)(dian)極(ji)和(he)(he)GS型電(dian)(dian)(dian)(dian)極(ji)的(de)載體(高(gao)速集成(cheng)芯片和(he)(he)高(gao)速印刷電(dian)(dian)(dian)(dian)路板)的(de)整體信號(hao)質量和(he)(he)帶(dai)寬(kuan)。

在此基(ji)礎上，本發明的過渡電(dian)極并不會增加電(dian)極體系的制造成本和(he)復(fu)雜(za)程度，完全兼容已有的多層和(he)單程平(ping)面電(dian)極加工(gong)(gong)工(gong)(gong)藝，非常適于(yu)推廣。

附圖說明

圖1本發明(ming)實施(shi)例中(zhong)50歐姆阻(zu)抗匹配(pei)的(de)GSG型電極(ji)的(de)結構示意圖；

圖2為本發(fa)明實施(shi)例中50歐姆阻抗(kang)匹配的GS型電極的結構示意圖；

圖3為本發明實施(shi)例中(zhong)用(yong)于(yu)高速信號的GSG型(xing)電(dian)(dian)極和GS型(xing)電(dian)(dian)極的互易過渡(du)電(dian)(dian)極的結構(gou)示意圖；

圖4為本發(fa)明實施例(li)中搭建有共(gong)地連接橋的(de)GSG型電極的(de)左視圖；

圖(tu)5為本(ben)發明實施例中搭建有(you)共(gong)地連接橋的(de)(de)GSG型(xing)電極(ji)的(de)(de)主視圖(tu)。

具體實施方式

以下結合附圖及實施例對本發明(ming)作進一步詳細(xi)說明(ming)。

本(ben)發(fa)明實施(shi)例中(zhong)的用于高速(su)信號的GSG型電(dian)極(ji)和(he)GS型電(dian)極(ji)的互易(yi)過渡方法，包括以下(xia)步(bu)驟(zou)：

S1：參見圖(tu)1和圖(tu)2所示，通過(guo)電(dian)磁場仿真分析軟件，計算(suan)出需要過(guo)渡的(de)GSG型(xing)(xing)(xing)(xing)(xing)電(dian)極(ji)和GS型(xing)(xing)(xing)(xing)(xing)電(dian)極(ji)的(de)幾何(he)尺(chi)寸，GSG型(xing)(xing)(xing)(xing)(xing)電(dian)極(ji)和GS型(xing)(xing)(xing)(xing)(xing)電(dian)極(ji)的(de)阻抗匹(pi)配，GSG型(xing)(xing)(xing)(xing)(xing)電(dian)極(ji)包括(kuo)順次(ci)設(she)置(zhi)(zhi)的(de)上G極(ji)(地電(dian)極(ji))、S極(ji)(信號(hao)電(dian)極(ji))和下(xia)G極(ji)，GS型(xing)(xing)(xing)(xing)(xing)電(dian)極(ji)包括(kuo)順次(ci)設(she)置(zhi)(zhi)的(de)S極(ji)和G極(ji)，轉到S2。

S1中GSG型電(dian)(dian)極(ji)(ji)和GS型電(dian)(dian)極(ji)(ji)的阻(zu)抗(kang)匹配(pei)包括2種情形：在單端信號(hao)下(xia)，GSG型電(dian)(dian)極(ji)(ji)和GS型電(dian)(dian)極(ji)(ji)的阻(zu)抗(kang)均為(wei)50Ω，在差(cha)分(fen)信號(hao)下(xia)，GSG型電(dian)(dian)極(ji)(ji)和GS型電(dian)(dian)極(ji)(ji)的阻(zu)抗(kang)均為(wei)100Ω。

S2：保(bao)持GSG型(xing)電(dian)極和GS型(xing)電(dian)極的阻抗不(bu)變的情況(kuang)下，根據GSG型(xing)電(dian)極和GS型(xing)電(dian)極的幾何尺(chi)寸(cun)(cun)，調整以下3個尺(chi)寸(cun)(cun)：

(1)將GSG型電(dian)極的(de)下G極的(de)寬(kuan)(kuan)度(du)，與GS型電(dian)極的(de)G極的(de)寬(kuan)(kuan)度(du)的(de)比值(zhi)調整(zheng)為1～2(本(ben)實施(shi)例中為1.2)；根據調整(zheng)后下G極的(de)寬(kuan)(kuan)度(du)設計上G極的(de)寬(kuan)(kuan)度(du)；

(2)將GSG型(xing)電極的(de)S極的(de)寬(kuan)度(du)，與(yu)GS型(xing)電極的(de)S極的(de)寬(kuan)度(du)的(de)比值(zhi)調整為1～2(本實施例(li)中為2)；

(3)將GSG型電極(ji)的(de)下G極(ji)與(yu)S極(ji)的(de)Gap(間隔(ge))，與(yu)GS型電極(ji)的(de)G極(ji)與(yu)S極(ji)的(de)Gap的(de)比值調整為1～2(本實施(shi)例中為0.5)，轉到S3。

S3：根據S1中(zhong)的(de)(de)幾(ji)何尺寸個S2中(zhong)調(diao)整(zheng)的(de)(de)寬度(du)，制作對(dui)應的(de)(de)GSG型(xing)(xing)(xing)電(dian)(dian)(dian)極(ji)(ji)(ji)和(he)(he)(he)GS型(xing)(xing)(xing)電(dian)(dian)(dian)極(ji)(ji)(ji)。將GSG型(xing)(xing)(xing)電(dian)(dian)(dian)極(ji)(ji)(ji)和(he)(he)(he)GS型(xing)(xing)(xing)電(dian)(dian)(dian)極(ji)(ji)(ji)水平(ping)放(fang)置，GSG型(xing)(xing)(xing)電(dian)(dian)(dian)極(ji)(ji)(ji)和(he)(he)(he)GS型(xing)(xing)(xing)電(dian)(dian)(dian)極(ji)(ji)(ji)預留至少長度(du)為(wei)(wei)10～200μm的(de)(de)過渡區域(yu)(即(ji)圖(tu)3中(zhong)的(de)(de)過渡部(bu)分，長度(du)優(you)選(xuan)為(wei)(wei)80μm，越(yue)小(xiao)過渡信號的(de)(de)質量越(yue)好(hao)，在實際(ji)工(gong)程應用(yong)中(zhong)可(ke)以(yi)適當的(de)(de)調(diao)整(zheng)其長度(du)，但應當在加工(gong)工(gong)藝條件允許的(de)(de)情況下(xia)盡可(ke)能的(de)(de)小(xiao))；GSG型(xing)(xing)(xing)電(dian)(dian)(dian)極(ji)(ji)(ji)和(he)(he)(he)GS型(xing)(xing)(xing)電(dian)(dian)(dian)極(ji)(ji)(ji)的(de)(de)相(xiang)鄰(lin)(lin)側(ce)(即(ji)GSG型(xing)(xing)(xing)電(dian)(dian)(dian)極(ji)(ji)(ji)鄰(lin)(lin)近GS型(xing)(xing)(xing)電(dian)(dian)(dian)極(ji)(ji)(ji)的(de)(de)一(yi)側(ce)、以(yi)及GS型(xing)(xing)(xing)電(dian)(dian)(dian)極(ji)(ji)(ji)鄰(lin)(lin)近GSG型(xing)(xing)(xing)電(dian)(dian)(dian)極(ji)(ji)(ji)的(de)(de)一(yi)側(ce))均為(wei)(wei)過渡側(ce)，GSG型(xing)(xing)(xing)電(dian)(dian)(dian)極(ji)(ji)(ji)的(de)(de)下(xia)G極(ji)(ji)(ji)的(de)(de)下(xia)邊(bian)緣(yuan)，與GS型(xing)(xing)(xing)電(dian)(dian)(dian)極(ji)(ji)(ji)的(de)(de)G極(ji)(ji)(ji)的(de)(de)下(xia)邊(bian)緣(yuan)平(ping)齊，轉到S4。

S4：參(can)見(jian)圖3所示，在過(guo)(guo)渡(du)區(qu)(qu)域(yu)中，放(fang)置2個與(yu)過(guo)(guo)渡(du)區(qu)(qu)域(yu)長(chang)度(du)相(xiang)同的(de)(de)(de)四邊(bian)形過(guo)(guo)渡(du)電(dian)極(ji)：第一過(guo)(guo)渡(du)電(dian)極(ji)和第二過(guo)(guo)渡(du)電(dian)極(ji)。第一過(guo)(guo)渡(du)電(dian)極(ji)的(de)(de)(de)下(xia)(xia)邊(bian)緣，與(yu)GSG型電(dian)極(ji)的(de)(de)(de)下(xia)(xia)G極(ji)的(de)(de)(de)下(xia)(xia)邊(bian)緣平齊。第一過(guo)(guo)渡(du)電(dian)極(ji)的(de)(de)(de)一側(圖3中為左側)與(yu)GSG型電(dian)極(ji)的(de)(de)(de)下(xia)(xia)G極(ji)的(de)(de)(de)寬(kuan)(kuan)度(du)相(xiang)同，另一側(圖3中為右側)與(yu)GS型電(dian)極(ji)的(de)(de)(de)G極(ji)的(de)(de)(de)寬(kuan)(kuan)度(du)相(xiang)同，將(jiang)GSG型電(dian)極(ji)的(de)(de)(de)下(xia)(xia)G極(ji)，通(tong)過(guo)(guo)第一過(guo)(guo)渡(du)電(dian)極(ji)與(yu)GS型電(dian)極(ji)的(de)(de)(de)G極(ji)連接。

第二過渡電(dian)極(ji)(ji)的(de)(de)(de)下(xia)邊(bian)緣(yuan)、GSG型(xing)電(dian)極(ji)(ji)的(de)(de)(de)S極(ji)(ji)的(de)(de)(de)下(xia)邊(bian)緣(yuan)、以及GS型(xing)電(dian)極(ji)(ji)的(de)(de)(de)S極(ji)(ji)的(de)(de)(de)下(xia)邊(bian)緣(yuan)平(ping)齊(qi)。第二過渡電(dian)極(ji)(ji)的(de)(de)(de)一側(ce)(圖3中為左側(ce))與GSG型(xing)電(dian)極(ji)(ji)的(de)(de)(de)S極(ji)(ji)的(de)(de)(de)寬度(du)相同，另一側(ce)(圖3中為右(you)側(ce))與GS型(xing)電(dian)極(ji)(ji)的(de)(de)(de)S極(ji)(ji)的(de)(de)(de)寬度(du)相同，將GSG型(xing)電(dian)極(ji)(ji)的(de)(de)(de)S極(ji)(ji)，通過第二過渡電(dian)極(ji)(ji)與GS型(xing)電(dian)極(ji)(ji)連接，轉到S5。

通過(guo)S4可知，過(guo)渡電(dian)極(ji)需要(yao)匹配兩(liang)側電(dian)極(ji)的寬度，當兩(liang)側電(dian)極(ji)的寬度不相等(deng)時，過(guo)渡電(dian)極(ji)呈(cheng)不規則四(si)邊形，當兩(liang)側電(dian)極(ji)的寬度相等(deng)時，過(guo)渡電(dian)極(ji)呈(cheng)長方形。

S5：參(can)見圖3、圖4和(he)圖5所示，在GSG型(xing)電極的(de)(de)上(shang)G極和(he)下(xia)G極之間，搭建(jian)至少1個共地(di)連接橋(qiao)(共地(di)連接橋(qiao)的(de)(de)數量越多(duo)，過渡信號的(de)(de)質(zhi)量越好)，以抑制諧振的(de)(de)產生。

參見圖(tu)(tu)3、圖(tu)(tu)4和(he)圖(tu)(tu)5所示，當需要過(guo)渡(du)的(de)(de)(de)GSG型電(dian)(dian)極(ji)和(he)SG型電(dian)(dian)極(ji)為多層(ceng)(ceng)平面電(dian)(dian)極(ji)體(ti)系時(shi)(即載體(ti)有多層(ceng)(ceng)芯片(pian)和(he)印刷電(dian)(dian)路板，每(mei)層(ceng)(ceng)芯片(pian)或(huo)印刷電(dian)(dian)路板上均設置有GSG型電(dian)(dian)極(ji)和(he)SG型電(dian)(dian)極(ji))，共地連(lian)(lian)接橋選(xuan)用任(ren)意導(dao)體(ti)。定義需要搭建(jian)共地連(lian)(lian)接橋的(de)(de)(de)GSG型電(dian)(dian)極(ji)的(de)(de)(de)所在的(de)(de)(de)過(guo)渡(du)層(ceng)(ceng)為A層(ceng)(ceng)，共地連(lian)(lian)接橋的(de)(de)(de)連(lian)(lian)接層(ceng)(ceng)為B層(ceng)(ceng)，A層(ceng)(ceng)與B層(ceng)(ceng)鄰(lin)近或(huo)不鄰(lin)近(B越接近A，整(zheng)體(ti)過(guo)渡(du)信(xin)號的(de)(de)(de)質量越好)；將導(dao)體(ti)與上G極(ji)垂直后(hou)，將導(dao)體(ti)的(de)(de)(de)一(yi)端(duan)與AB層(ceng)(ceng)的(de)(de)(de)上G極(ji)之間的(de)(de)(de)通孔(kong)連(lian)(lian)接，另(ling)一(yi)端(duan)與AB層(ceng)(ceng)的(de)(de)(de)下G極(ji)之間的(de)(de)(de)通孔(kong)連(lian)(lian)接。

當需要(yao)過(guo)渡的(de)GSG型電(dian)極(ji)(ji)(ji)和SG型電(dian)極(ji)(ji)(ji)為單層(ceng)平面(mian)電(dian)極(ji)(ji)(ji)體系時，共地連(lian)接(jie)(jie)橋(qiao)選用連(lian)接(jie)(jie)線(xian)，將連(lian)接(jie)(jie)線(xian)與(yu)上G極(ji)(ji)(ji)垂直后，將連(lian)接(jie)(jie)線(xian)的(de)兩端(duan)通過(guo)打線(xian)機，分別與(yu)GSG型電(dian)極(ji)(ji)(ji)的(de)上G極(ji)(ji)(ji)、下G極(ji)(ji)(ji)連(lian)接(jie)(jie)。

共(gong)地連(lian)接橋(qiao)(導(dao)體或連(lian)接線)與過渡區(qu)域的距離為(wei)2～100μm(本實施例中為(wei)5μm，共(gong)地連(lian)接橋(qiao)距離過渡區(qu)域較遠會導(dao)致過渡信號的質(zhi)量下降)。

參見圖3所示(shi)，本(ben)發明實(shi)施例中(zhong)實(shi)現上述方法的(de)用于高速(su)信(xin)號的(de)GSG型(xing)電極(ji)和(he)GS型(xing)電極(ji)的(de)互易過渡(du)電極(ji)，包(bao)括至少1層阻抗(kang)匹配(pei)(單端信(xin)號下阻抗(kang)均(jun)為50Ω，差分信(xin)號下阻抗(kang)均(jun)為100Ω)的(de)GSG型(xing)電極(ji)和(he)SG型(xing)電極(ji)；參見圖1所示(shi)，GSG型(xing)電極(ji)包(bao)括順(shun)次(ci)設置的(de)上G極(ji)、S極(ji)和(he)下G極(ji)，參見圖2所示(shi)，GS型(xing)電極(ji)包(bao)括順(shun)次(ci)設置的(de)S極(ji)和(he)G極(ji)。

參見圖3所示，GSG型(xing)電極(ji)(ji)(ji)的(de)(de)(de)下G極(ji)(ji)(ji)的(de)(de)(de)寬度，與GS型(xing)電極(ji)(ji)(ji)的(de)(de)(de)G極(ji)(ji)(ji)的(de)(de)(de)寬度的(de)(de)(de)比值(zhi)為1～2(本(ben)實施(shi)例中(zhong)為1.2)，GSG型(xing)電極(ji)(ji)(ji)的(de)(de)(de)S極(ji)(ji)(ji)的(de)(de)(de)寬度，與GS型(xing)電極(ji)(ji)(ji)的(de)(de)(de)S極(ji)(ji)(ji)的(de)(de)(de)寬度的(de)(de)(de)比值(zhi)為1～2(本(ben)實施(shi)例中(zhong)為2)；GSG型(xing)電極(ji)(ji)(ji)的(de)(de)(de)下G極(ji)(ji)(ji)與S極(ji)(ji)(ji)的(de)(de)(de)Gap，與GS型(xing)電極(ji)(ji)(ji)的(de)(de)(de)G極(ji)(ji)(ji)與S極(ji)(ji)(ji)的(de)(de)(de)Gap的(de)(de)(de)比值(zhi)為1～2(本(ben)實施(shi)例中(zhong)為0.5)。

參見圖(tu)3所示，GSG型(xing)(xing)(xing)(xing)電(dian)(dian)(dian)極(ji)(ji)(ji)的(de)(de)(de)(de)下(xia)G極(ji)(ji)(ji)，通過第(di)(di)一過渡電(dian)(dian)(dian)極(ji)(ji)(ji)與(yu)同(tong)層(ceng)GS型(xing)(xing)(xing)(xing)電(dian)(dian)(dian)極(ji)(ji)(ji)的(de)(de)(de)(de)G極(ji)(ji)(ji)連(lian)接，第(di)(di)一過渡電(dian)(dian)(dian)極(ji)(ji)(ji)的(de)(de)(de)(de)長度為10～200μm(優選為80μm)。第(di)(di)一過渡電(dian)(dian)(dian)極(ji)(ji)(ji)的(de)(de)(de)(de)下(xia)邊緣(yuan)、下(xia)G極(ji)(ji)(ji)的(de)(de)(de)(de)下(xia)邊緣(yuan)、以及GS型(xing)(xing)(xing)(xing)電(dian)(dian)(dian)極(ji)(ji)(ji)的(de)(de)(de)(de)G極(ji)(ji)(ji)的(de)(de)(de)(de)下(xia)邊緣(yuan)平齊；第(di)(di)一過渡電(dian)(dian)(dian)極(ji)(ji)(ji)的(de)(de)(de)(de)一側(圖(tu)3中為左側)與(yu)GSG型(xing)(xing)(xing)(xing)電(dian)(dian)(dian)極(ji)(ji)(ji)的(de)(de)(de)(de)下(xia)G極(ji)(ji)(ji)的(de)(de)(de)(de)寬度相同(tong)，另(ling)一側(圖(tu)3中為右(you)側)與(yu)GS型(xing)(xing)(xing)(xing)電(dian)(dian)(dian)極(ji)(ji)(ji)的(de)(de)(de)(de)G極(ji)(ji)(ji)的(de)(de)(de)(de)寬度相同(tong)。

參(can)見圖3所示，GSG型(xing)電(dian)(dian)(dian)極(ji)(ji)(ji)(ji)的(de)(de)S極(ji)(ji)(ji)(ji)，通過第(di)二過渡電(dian)(dian)(dian)極(ji)(ji)(ji)(ji)與同層GS型(xing)電(dian)(dian)(dian)極(ji)(ji)(ji)(ji)的(de)(de)S極(ji)(ji)(ji)(ji)連(lian)接(jie)，第(di)二過渡電(dian)(dian)(dian)極(ji)(ji)(ji)(ji)的(de)(de)長度(du)(du)與第(di)一過渡電(dian)(dian)(dian)極(ji)(ji)(ji)(ji)相(xiang)同。第(di)二過渡電(dian)(dian)(dian)極(ji)(ji)(ji)(ji)的(de)(de)下邊(bian)緣(yuan)、GSG型(xing)電(dian)(dian)(dian)極(ji)(ji)(ji)(ji)的(de)(de)S極(ji)(ji)(ji)(ji)的(de)(de)下邊(bian)緣(yuan)、以(yi)及GS型(xing)電(dian)(dian)(dian)極(ji)(ji)(ji)(ji)的(de)(de)S極(ji)(ji)(ji)(ji)的(de)(de)下邊(bian)緣(yuan)平齊；第(di)二過渡電(dian)(dian)(dian)極(ji)(ji)(ji)(ji)的(de)(de)一側(圖3中為左側)與GSG型(xing)電(dian)(dian)(dian)極(ji)(ji)(ji)(ji)的(de)(de)S極(ji)(ji)(ji)(ji)的(de)(de)寬度(du)(du)相(xiang)同，另一側(圖3中為右(you)側)與GS型(xing)電(dian)(dian)(dian)極(ji)(ji)(ji)(ji)的(de)(de)S極(ji)(ji)(ji)(ji)的(de)(de)寬度(du)(du)相(xiang)同。

參見圖3、圖4和(he)圖5所示，在GSG型(xing)電(dian)(dian)極(ji)的(de)(de)(de)上G極(ji)和(he)下G極(ji)之(zhi)間，設(she)(she)置有(you)至少1個共地(di)(di)連(lian)接(jie)(jie)(jie)(jie)橋，本實(shi)(shi)施例中的(de)(de)(de)GSG型(xing)電(dian)(dian)極(ji)和(he)SG型(xing)電(dian)(dian)極(ji)為(wei)多層(ceng)(3層(ceng))平面電(dian)(dian)極(ji)體系，在此基礎上，共地(di)(di)連(lian)接(jie)(jie)(jie)(jie)橋包括與(yu)(yu)GSG型(xing)電(dian)(dian)極(ji)的(de)(de)(de)上G極(ji)垂直(zhi)的(de)(de)(de)導體(若(ruo)不垂直(zhi)可能導致過渡(du)信(xin)號(hao)質(zhi)量下降)，導體與(yu)(yu)過渡(du)區域(yu)的(de)(de)(de)距離為(wei)2～100μm(本實(shi)(shi)施例中為(wei)5μm)。定義設(she)(she)置有(you)共地(di)(di)連(lian)接(jie)(jie)(jie)(jie)橋的(de)(de)(de)GSG型(xing)電(dian)(dian)極(ji)的(de)(de)(de)所在的(de)(de)(de)過渡(du)層(ceng)為(wei)A層(ceng)，共地(di)(di)連(lian)接(jie)(jie)(jie)(jie)橋的(de)(de)(de)連(lian)接(jie)(jie)(jie)(jie)層(ceng)為(wei)B層(ceng)，A層(ceng)與(yu)(yu)B層(ceng)鄰(lin)(lin)近(jin)或不鄰(lin)(lin)近(jin)(B越(yue)接(jie)(jie)(jie)(jie)近(jin)A，整體過渡(du)信(xin)號(hao)的(de)(de)(de)質(zhi)量越(yue)好)；導體的(de)(de)(de)一端(duan)與(yu)(yu)AB層(ceng)的(de)(de)(de)上G極(ji)之(zhi)間的(de)(de)(de)通(tong)孔連(lian)接(jie)(jie)(jie)(jie)，另一端(duan)與(yu)(yu)AB層(ceng)的(de)(de)(de)下G極(ji)之(zhi)間的(de)(de)(de)通(tong)孔連(lian)接(jie)(jie)(jie)(jie)。

在實(shi)際應用中，若GSG型電(dian)極(ji)和SG型電(dian)極(ji)為(wei)單層平面電(dian)極(ji)體系，共地連(lian)接(jie)(jie)橋包(bao)括與(yu)上G極(ji)垂直的連(lian)接(jie)(jie)線(xian)，連(lian)接(jie)(jie)線(xian)的兩(liang)端分(fen)別與(yu)GSG型電(dian)極(ji)的上G極(ji)和下G極(ji)連(lian)接(jie)(jie)。

進一步，本(ben)(ben)發(fa)明不(bu)局限于(yu)上述實施方式，對于(yu)本(ben)(ben)技(ji)(ji)術領(ling)域(yu)的普通技(ji)(ji)術人員(yuan)來說，在不(bu)脫(tuo)離本(ben)(ben)發(fa)明原(yuan)理的前提下，還可以做出若干改(gai)進和(he)潤飾(shi)，這些改(gai)進和(he)潤飾(shi)也視為本(ben)(ben)發(fa)明的保(bao)護范(fan)圍(wei)之內(nei)。本(ben)(ben)說明書中未(wei)作詳(xiang)細描述的內(nei)容屬于(yu)本(ben)(ben)領(ling)域(yu)專業技(ji)(ji)術人員(yuan)公知的現(xian)有技(ji)(ji)術。