一、技術領域

本發(fa)明涉及一種驅(qu)動(dong)(dong)電(dian)路(lu)，尤其是一種用(yong)于半導(dao)體激光器的驅(qu)動(dong)(dong)電(dian)路(lu)。

二、

背景技術：

由(you)于(yu)(yu)(yu)半(ban)導(dao)(dao)體激(ji)(ji)光(guang)(guang)器(qi)在輸出波長(chang)(chang)范圍、輸出功率和能量轉(zhuan)換效率的(de)(de)(de)特點，被廣泛應用(yong)在光(guang)(guang)纖通信、光(guang)(guang)盤(pan)、激(ji)(ji)光(guang)(guang)打印機、激(ji)(ji)光(guang)(guang)掃描儀和激(ji)(ji)光(guang)(guang)指(zhi)標器(qi)的(de)(de)(de)技術領域中，因此用(yong)于(yu)(yu)(yu)半(ban)導(dao)(dao)體激(ji)(ji)光(guang)(guang)器(qi)的(de)(de)(de)驅(qu)動電(dian)(dian)(dian)路(lu)是(shi)一種重要(yao)的(de)(de)(de)電(dian)(dian)(dian)路(lu)，在現(xian)有的(de)(de)(de)用(yong)于(yu)(yu)(yu)半(ban)導(dao)(dao)體激(ji)(ji)光(guang)(guang)器(qi)的(de)(de)(de)驅(qu)動電(dian)(dian)(dian)路(lu)中，由(you)于(yu)(yu)(yu)負載(zai)兩端(duan)的(de)(de)(de)電(dian)(dian)(dian)壓存(cun)儲于(yu)(yu)(yu)輸出電(dian)(dian)(dian)容器(qi)之中，如果負載(zai)電(dian)(dian)(dian)流突(tu)然改變，則輸出電(dian)(dian)(dian)容器(qi)中的(de)(de)(de)電(dian)(dian)(dian)壓必須進行充電(dian)(dian)(dian)或(huo)放電(dian)(dian)(dian)以與(yu)新的(de)(de)(de)已調(diao)節電(dian)(dian)(dian)流相匹配，在轉(zhuan)換期間(jian)，負載(zai)中的(de)(de)(de)電(dian)(dian)(dian)流未得到良好的(de)(de)(de)控制，因而(er)導(dao)(dao)致(zhi)了(le)負載(zai)電(dian)(dian)(dian)流響應時間(jian)較長(chang)(chang)，從(cong)而(er)延長(chang)(chang)了(le)對半(ban)導(dao)(dao)體激(ji)(ji)光(guang)(guang)器(qi)的(de)(de)(de)驅(qu)動時間(jian)。

基于現有的技(ji)術問題、技(ji)術特征(zheng)和技(ji)術效果，做出(chu)本發明的申(shen)請技(ji)術方案。

三、

技術實現要素：

本(ben)發明的客體是一種用于半導體激(ji)光(guang)器的驅動電路(lu)。

為(wei)了(le)(le)克服上述技術缺點，本發明(ming)的(de)(de)目(mu)的(de)(de)是提供一種用于半導(dao)體(ti)激光器(qi)(qi)的(de)(de)驅動電路，因此(ci)縮短了(le)(le)對(dui)半導(dao)體(ti)激光器(qi)(qi)的(de)(de)驅動時間。

為達到上述目的，本發(fa)明采取的技(ji)術(shu)方案是：包(bao)含(han)有(you)具(ju)有(you)轉(zhuan)(zhuan)化器(qi)LT的驅動(dong)電(dian)路本體(ti)，轉(zhuan)(zhuan)化器(qi)LT的型號設置(zhi)為LT3743。

由于(yu)設(she)計了(le)驅動電(dian)(dian)路本體，通過轉化器(qi)LT的模塊化的電(dian)(dian)壓轉換，不再使用電(dian)(dian)容器(qi)對電(dian)(dian)壓進行轉換，縮短(duan)了(le)負載電(dian)(dian)流響應時(shi)(shi)間(jian)(jian)，因(yin)此(ci)縮短(duan)了(le)對半導體激(ji)光器(qi)的驅動時(shi)(shi)間(jian)(jian)。

本發明設計(ji)了，按(an)照對電壓(ya)模(mo)塊化(hua)轉(zhuan)換的方式集成轉(zhuan)化(hua)器LT的技術特征。

本(ben)發明設(she)計了，驅動電(dian)(dian)(dian)(dian)路本(ben)體設(she)置為還包(bao)含有電(dian)(dian)(dian)(dian)阻(zu)R1、電(dian)(dian)(dian)(dian)容(rong)(rong)C1、電(dian)(dian)(dian)(dian)容(rong)(rong)C2、電(dian)(dian)(dian)(dian)容(rong)(rong)C3、電(dian)(dian)(dian)(dian)容(rong)(rong)C4、電(dian)(dian)(dian)(dian)容(rong)(rong)C5、電(dian)(dian)(dian)(dian)容(rong)(rong)C6、

MOS管(guan)M1、電(dian)容C7、二極管(guan)D2、電(dian)容C8、MOS管(guan)M2、電(dian)感L1、電(dian)感L2、電(dian)感L3、電(dian)阻(zu)R2、MOS管(guan)M3、二極管(guan)D1、電(dian)容C9、電(dian)阻(zu)R3和電(dian)阻(zu)R4，

轉化器LT設置有接口EN\UWLO、接口PWM、接口CTRL_-SEL、接口RT、接口SYNC、接口V_REF、接口CTRL_-H、接口CTRL_-L、接口CTRL_-T、接口SS、接口VCL、接口VCH、

接口V_in、接口HG、接口CBOOT、接口SW、接口V_incc-INT、接口LG、接口GND、接口SENSE⁺、接口SENSE^-、接口(kou)(kou)PWMGL和接口(kou)(kou)FB，

電阻R1的一端設置為與轉化器LT的接口RT連接并且電阻R1的另一端設置為與地連接，轉化器LT的接口SYNC和接口CTRL_-L分別設置為與地連接，電容C1的一端設置為與轉化器LT的接口V_REF連(lian)(lian)(lian)接(jie)(jie)并(bing)且電(dian)容(rong)(rong)C1的另(ling)一(yi)端(duan)(duan)設置(zhi)(zhi)(zhi)為(wei)(wei)與(yu)(yu)(yu)地(di)連(lian)(lian)(lian)接(jie)(jie)，電(dian)容(rong)(rong)C2的一(yi)端(duan)(duan)設置(zhi)(zhi)(zhi)為(wei)(wei)與(yu)(yu)(yu)轉(zhuan)化器(qi)(qi)LT的接(jie)(jie)口(kou)SS連(lian)(lian)(lian)接(jie)(jie)并(bing)且電(dian)容(rong)(rong)C2的另(ling)一(yi)端(duan)(duan)設置(zhi)(zhi)(zhi)為(wei)(wei)與(yu)(yu)(yu)地(di)連(lian)(lian)(lian)接(jie)(jie)，電(dian)容(rong)(rong)C3的一(yi)端(duan)(duan)設置(zhi)(zhi)(zhi)為(wei)(wei)通(tong)過電(dian)感L2與(yu)(yu)(yu)轉(zhuan)化器(qi)(qi)LT的接(jie)(jie)口(kou)VCL連(lian)(lian)(lian)接(jie)(jie)并(bing)且電(dian)容(rong)(rong)C3的另(ling)一(yi)端(duan)(duan)設置(zhi)(zhi)(zhi)為(wei)(wei)與(yu)(yu)(yu)地(di)連(lian)(lian)(lian)接(jie)(jie)，電(dian)容(rong)(rong)C4的一(yi)端(duan)(duan)設置(zhi)(zhi)(zhi)為(wei)(wei)通(tong)過電(dian)感L3與(yu)(yu)(yu)轉(zhuan)化器(qi)(qi)LT的接(jie)(jie)口(kou)VCH連(lian)(lian)(lian)接(jie)(jie)并(bing)且電(dian)容(rong)(rong)C4的另(ling)一(yi)端(duan)(duan)設置(zhi)(zhi)(zhi)為(wei)(wei)與(yu)(yu)(yu)地(di)連(lian)(lian)(lian)接(jie)(jie)，

轉化器LT的接口V_in、電容C5的一端、電容C6的一端和MOS管M1的S極設置為相互連接并且電容C5的一端和電容C6的一端分別設置為與地連接，轉化器LT的接口HG 設置為與MOS管M1的G極連接并且轉化器LT的接口CBOOT、二極管D2的負極和電容C7的一端設置為相互連接，MOS管M1的D極、電容C7的另一端、MOS管M2的S極和轉化器LT的接口SW設置為相互連接并且轉化器LT的接口SW、二極管D2的正極、電感L1的一端、轉化器LT的接口V_incc-INT和電容C8的一端設置為相互連接，轉化器LT的接口LG、電容C8的另一端和MOS管M2的G極設置為相互連接并且轉化器LT的接口LG和接口GND和MOS管M2的D極設置為相互連接，MOS管M2的D極設置為與地連接并且電感L1的另一端、電阻R2的一端和轉化器LT的接口SENSE⁺設置為相互連接，電阻R2的另一端、轉化器LT的接口SENSE^-、MOS管(guan)(guan)M3的(de)(de)(de)S極(ji)、二(er)極(ji)管(guan)(guan)D1的(de)(de)(de)負極(ji)、電(dian)阻R3的(de)(de)(de)一(yi)(yi)(yi)端和電(dian)容C9的(de)(de)(de)一(yi)(yi)(yi)端設(she)(she)置(zhi)為相互(hu)連接(jie)(jie)并(bing)(bing)且二(er)極(ji)管(guan)(guan)D1的(de)(de)(de)正極(ji)和電(dian)容C9的(de)(de)(de)另(ling)(ling)一(yi)(yi)(yi)端分(fen)別設(she)(she)置(zhi)為與地(di)連接(jie)(jie)，MOS管(guan)(guan)M3的(de)(de)(de)G極(ji)設(she)(she)置(zhi)為與轉化器(qi)LT的(de)(de)(de)接(jie)(jie)口(kou)PWMGL連接(jie)(jie)并(bing)(bing)且MOS管(guan)(guan)M3的(de)(de)(de)D極(ji)設(she)(she)置(zhi)為與地(di)連接(jie)(jie)，電(dian)阻R3的(de)(de)(de)另(ling)(ling)一(yi)(yi)(yi)端、轉化器(qi)LT的(de)(de)(de)接(jie)(jie)口(kou)FB和電(dian)阻R4的(de)(de)(de)一(yi)(yi)(yi)端設(she)(she)置(zhi)為相互(hu)連接(jie)(jie)并(bing)(bing)且電(dian)阻R4的(de)(de)(de)另(ling)(ling)一(yi)(yi)(yi)端設(she)(she)置(zhi)為與地(di)連接(jie)(jie)。

本發(fa)明的(de)(de)(de)技術效(xiao)果在(zai)于：LT3743運用固定頻率(lv)(lv)、平均(jun)電(dian)(dian)(dian)(dian)流(liu)模(mo)(mo)式(shi)控制(zhi)，以(yi)通(tong)(tong)過一(yi)(yi)個(ge)與(yu)電(dian)(dian)(dian)(dian)感器相串聯(lian)的(de)(de)(de)檢測電(dian)(dian)(dian)(dian)阻器準確地調(diao)(diao)節電(dian)(dian)(dian)(dian)感器電(dian)(dian)(dian)(dian)流(liu)。在(zai)一(yi)(yi)個(ge)0V到低(di)于輸入(ru)電(dian)(dian)(dian)(dian)壓軌(gui)2V的(de)(de)(de)輸出電(dian)(dian)(dian)(dian)壓范圍內(nei)，通(tong)(tong)過LT3743能(neng)夠以(yi)6%的(de)(de)(de)準確度來調(diao)(diao)節任意負載(zai)中的(de)(de)(de)電(dian)(dian)(dian)(dian)流(liu)。并把準確的(de)(de)(de)模(mo)(mo)擬調(diao)(diao)光(guang)與(yu)PWM調(diao)(diao)光(guang)組合起來，實現了精準、寬(kuan)范圍的(de)(de)(de)負載(zai)電(dian)(dian)(dian)(dian)流(liu)控制(zhi)，模(mo)(mo)擬調(diao)(diao)光(guang)通(tong)(tong)過CTRL_L、CTRL_H、和(he)CTRL_T引腳來控制(zhi)；PWM調(diao)(diao)光(guang)則(ze)通(tong)(tong)過PWM和(he)CTRL_SEL引腳控制(zhi)。通(tong)(tong)過采用在(zai)外部進(jin)行(xing)開(kai)關操(cao)作的(de)(de)(de)負載(zai)電(dian)(dian)(dian)(dian)容器這種獨特的(de)(de)(de)做法，通(tong)(tong)過LT3743實現了高和(he)低(di)模(mo)(mo)擬狀(zhuang)態之間的(de)(de)(de)快速變(bian)換，從而(er)能(neng)夠在(zai)幾秒的(de)(de)(de)時間內(nei)改變(bian)已調(diao)(diao)負載(zai)電(dian)(dian)(dian)(dian)流(liu)水平。開(kai)關頻率(lv)(lv)可以(yi)在(zai)200KHz的(de)(de)(de)內(nei)進(jin)行(xing)設置(zhi)和(he)同步至一(yi)(yi)個(ge)頻率(lv)(lv)范圍為300KHz至1MHz的(de)(de)(de)外部時鐘。

在(zai)本技(ji)(ji)(ji)術(shu)(shu)方案(an)中(zhong)(zhong)，模(mo)塊化(hua)電壓(ya)轉(zhuan)換(huan)的轉(zhuan)化(hua)器(qi)LT為重要技(ji)(ji)(ji)術(shu)(shu)特(te)征，在(zai)用于半導體激光器(qi)的驅動電路的技(ji)(ji)(ji)術(shu)(shu)領域(yu)中(zhong)(zhong)，具有(you)新穎性(xing)、創造性(xing)和(he)實(shi)用性(xing)，在(zai)本技(ji)(ji)(ji)術(shu)(shu)方案(an)中(zhong)(zhong)的術(shu)(shu)語(yu)都是可以用本技(ji)(ji)(ji)術(shu)(shu)領域(yu)中(zhong)(zhong)的專利文獻進行解釋(shi)和(he)理(li)解。

四、附圖說明

為(wei)了更清楚(chu)地說明本(ben)發(fa)明實(shi)施例或(huo)現有技術(shu)中(zhong)的(de)技術(shu)方案(an)，下面將對實(shi)施例或(huo)現有技術(shu)描述(shu)中(zhong)所需要使用的(de)附圖作簡單(dan)地介紹(shao)，顯而(er)易見地，下面描述(shu)中(zhong)的(de)附圖僅僅是(shi)本(ben)發(fa)明的(de)一(yi)些實(shi)施例，對于本(ben)領域普通技術(shu)人員來講，在(zai)不付出創(chuang)造性(xing)勞(lao)動的(de)前提下，還可以根據這些附圖獲得(de)其他的(de)附圖。

圖(tu)1為本(ben)發(fa)明的示意圖(tu)：

圖(tu)(tu)2為本發明的負載電流PWM和CTRL_SEL調光波形(xing)圖(tu)(tu)：

圖3為(wei)本(ben)發明的(de)0A～2A至20A負載(zai)電流(liu)階躍(yue)圖。

五、具體實施方式

根據審查指南(nan)，對(dui)本發明所使(shi)用的諸如(ru)“具有”、“包(bao)含”以及“包(bao)括”術語應當(dang)理解為不(bu)配出(chu)一個或(huo)多個其它元件或(huo)其組合的存在或(huo)添加。

在本發明(ming)的(de)描述中，需要(yao)說明(ming)的(de)是(shi)，術語“中心(xin)”、“上”、“下(xia)”、“左”、“右”、“豎直”、“水平”、“內”、“外”等指示(shi)的(de)方(fang)位(wei)(wei)或(huo)位(wei)(wei)置關系為一(yi)般表述的(de)方(fang)位(wei)(wei)或(huo)位(wei)(wei)置關系，僅是(shi)為了(le)便于描述本發明(ming)和簡(jian)化描述，而不(bu)是(shi)指示(shi)或(huo)暗(an)示(shi)所指的(de)裝置或(huo)元件必須(xu)具有特定的(de)方(fang)位(wei)(wei)、以(yi)特定的(de)方(fang)位(wei)(wei)構造和操作，因此(ci)不(bu)能理解(jie)為對本發明(ming)的(de)限制。此(ci)外，術語“第一(yi)”、“第二(er)”、“第三”僅用于描述目的(de)，而不(bu)能理解(jie)為指示(shi)或(huo)暗(an)示(shi)相對重(zhong)要(yao)性。

在(zai)本(ben)發明(ming)(ming)的(de)描述中(zhong)，需要說明(ming)(ming)的(de)是(shi)，除非另有明(ming)(ming)確的(de)規定(ding)和限(xian)定(ding)，術(shu)(shu)語(yu)“安裝”、“相(xiang)連(lian)(lian)”、“連(lian)(lian)接(jie)(jie)”應(ying)做廣(guang)義理(li)解，例如，可(ke)以(yi)是(shi)固定(ding)連(lian)(lian)接(jie)(jie)，也可(ke)以(yi)是(shi)可(ke)拆卸連(lian)(lian)接(jie)(jie)，或(huo)一體(ti)(ti)地連(lian)(lian)接(jie)(jie)；可(ke)以(yi)是(shi)機械(xie)連(lian)(lian)接(jie)(jie)，也可(ke)以(yi)是(shi)電(dian)連(lian)(lian)接(jie)(jie)；可(ke)以(yi)是(shi)直接(jie)(jie)相(xiang)連(lian)(lian)，也可(ke)以(yi)通(tong)(tong)過中(zhong)間媒介間接(jie)(jie)相(xiang)連(lian)(lian)，可(ke)以(yi)是(shi)兩個元(yuan)件內部的(de)連(lian)(lian)通(tong)(tong)。對于本(ben)領域的(de)普通(tong)(tong)技術(shu)(shu)人(ren)員(yuan)而(er)言，可(ke)以(yi)具體(ti)(ti)情況理(li)解上(shang)述術(shu)(shu)語(yu)在(zai)本(ben)發明(ming)(ming)中(zhong)的(de)具體(ti)(ti)含(han)義。

此外，下面所(suo)描(miao)述(shu)的本發明不同實(shi)施(shi)方(fang)式中所(suo)涉(she)及的技(ji)術特征只要(yao)彼此之間未(wei)構成沖突就可(ke)以相互(hu)結合(he)。

下面將結(jie)合本(ben)發(fa)明實施(shi)例(li)(li)(li)中(zhong)(zhong)，對(dui)本(ben)發(fa)明實施(shi)例(li)(li)(li)中(zhong)(zhong)的技(ji)術(shu)方案進(jin)行(xing)清楚(chu)、完整地描(miao)述(shu)，顯(xian)然，所(suo)(suo)描(miao)述(shu)的實施(shi)例(li)(li)(li)僅是(shi)本(ben)發(fa)明一部(bu)分實施(shi)例(li)(li)(li)，而不(bu)是(shi)全部(bu)的實施(shi)例(li)(li)(li)。基于本(ben)發(fa)明中(zhong)(zhong)的實施(shi)例(li)(li)(li)，本(ben)領域普通技(ji)術(shu)人員在沒有做出(chu)創造性(xing)勞動(dong)前(qian)提下所(suo)(suo)獲(huo)得的所(suo)(suo)有其他實施(shi)例(li)(li)(li)，都屬(shu)于本(ben)發(fa)明保護的范(fan)圍(wei)。

圖1為本(ben)發明的一個(ge)實施例(li)，結合(he)附圖具(ju)體說明本(ben)實施例(li)，包含有(you)轉化器LT、電(dian)(dian)阻R1、電(dian)(dian)容C1、電(dian)(dian)容C2、電(dian)(dian)容C3、電(dian)(dian)容C4、電(dian)(dian)容C5、電(dian)(dian)容C6、

MOS管(guan)(guan)M1、電(dian)容(rong)C7、二(er)極管(guan)(guan)D2、電(dian)容(rong)C8、MOS管(guan)(guan)M2、電(dian)感L1、電(dian)感L2、電(dian)感L3、電(dian)阻(zu)R2、MOS管(guan)(guan)M3、二(er)極管(guan)(guan)D1、電(dian)容(rong)C9、電(dian)阻(zu)R3和電(dian)阻(zu)R4，

轉化器LT設置有接口EN\UWLO、接口PWM、接口CTRL_-SEL、接口RT、接口SYNC、接口V_REF、接口CTRL_-H、接口CTRL_-L、接口CTRL_-T、接口SS、接口VCL、接口VCH、接口V_in、接口HG、接口CBOOT、接口SW、接口V_incc-INT、接口LG、接口GND、接口SENSE⁺、接口SENSE^-、接口PWMGL和(he)接口FB，

電阻R1的一端設置為與轉化器LT的接口RT連接并且電阻R1的另一端設置為與地連接，轉化器LT的接口SYNC和接口CTRL_-L分別設置為與地連接，電容C1的一端設置為與轉化器LT的接口V_REF連(lian)接(jie)并且(qie)電(dian)(dian)容(rong)(rong)C1的(de)(de)另(ling)一端(duan)(duan)(duan)(duan)設(she)置(zhi)(zhi)(zhi)為(wei)(wei)與(yu)地(di)連(lian)接(jie)，電(dian)(dian)容(rong)(rong)C2的(de)(de)一端(duan)(duan)(duan)(duan)設(she)置(zhi)(zhi)(zhi)為(wei)(wei)與(yu)轉(zhuan)化(hua)(hua)器LT的(de)(de)接(jie)口SS連(lian)接(jie)并且(qie)電(dian)(dian)容(rong)(rong)C2的(de)(de)另(ling)一端(duan)(duan)(duan)(duan)設(she)置(zhi)(zhi)(zhi)為(wei)(wei)與(yu)地(di)連(lian)接(jie)，電(dian)(dian)容(rong)(rong)C3的(de)(de)一端(duan)(duan)(duan)(duan)設(she)置(zhi)(zhi)(zhi)為(wei)(wei)通(tong)過(guo)電(dian)(dian)感(gan)L2與(yu)轉(zhuan)化(hua)(hua)器LT的(de)(de)接(jie)口VCL連(lian)接(jie)并且(qie)電(dian)(dian)容(rong)(rong)C3的(de)(de)另(ling)一端(duan)(duan)(duan)(duan)設(she)置(zhi)(zhi)(zhi)為(wei)(wei)與(yu)地(di)連(lian)接(jie)，電(dian)(dian)容(rong)(rong)C4的(de)(de)一端(duan)(duan)(duan)(duan)設(she)置(zhi)(zhi)(zhi)為(wei)(wei)通(tong)過(guo)電(dian)(dian)感(gan)L3與(yu)轉(zhuan)化(hua)(hua)器LT的(de)(de)接(jie)口VCH連(lian)接(jie)并且(qie)電(dian)(dian)容(rong)(rong)C4的(de)(de)另(ling)一端(duan)(duan)(duan)(duan)設(she)置(zhi)(zhi)(zhi)為(wei)(wei)與(yu)地(di)連(lian)接(jie)，

轉化器LT的接口V_in、電容C5的一端、電容C6的一端和MOS管M1的S極設置為相互連接并且電容C5的一端和電容C6的一端分別設置為與地連接，轉化器LT的接口HG 設置為與MOS管M1的G極連接并且轉化器LT的接口CBOOT、二極管D2的負極和電容C7的一端設置為相互連接，MOS管M1的D極、電容C7的另一端、MOS管M2的S極和轉化器LT的接口SW設置為相互連接并且轉化器LT的接口SW、二極管D2的正極、電感L1的一端、轉化器LT的接口V_incc-INT和電容C8的一端設置為相互連接，轉化器LT的接口LG、電容C8的另一端和MOS管M2的G極設置為相互連接并且轉化器LT的接口LG和接口GND和MOS管M2的D極設置為相互連接，MOS管M2的D極設置為與地連接并且電感L1的另一端、電阻R2的一端和轉化器LT的接口SENSE⁺設置為相互連接，電阻R2的另一端、轉化器LT的接口SENSE^-、MOS管M3的(de)(de)(de)(de)S極(ji)(ji)、二極(ji)(ji)管D1的(de)(de)(de)(de)負極(ji)(ji)、電(dian)阻R3的(de)(de)(de)(de)一(yi)端(duan)和(he)電(dian)容C9的(de)(de)(de)(de)一(yi)端(duan)設(she)(she)置為(wei)(wei)相互(hu)連接(jie)(jie)(jie)(jie)并(bing)且(qie)二極(ji)(ji)管D1的(de)(de)(de)(de)正極(ji)(ji)和(he)電(dian)容C9的(de)(de)(de)(de)另(ling)(ling)一(yi)端(duan)分別設(she)(she)置為(wei)(wei)與(yu)地(di)連接(jie)(jie)(jie)(jie)，MOS管M3的(de)(de)(de)(de)G極(ji)(ji)設(she)(she)置為(wei)(wei)與(yu)轉(zhuan)化器LT的(de)(de)(de)(de)接(jie)(jie)(jie)(jie)口PWMGL連接(jie)(jie)(jie)(jie)并(bing)且(qie)MOS管M3的(de)(de)(de)(de)D極(ji)(ji)設(she)(she)置為(wei)(wei)與(yu)地(di)連接(jie)(jie)(jie)(jie)，電(dian)阻R3的(de)(de)(de)(de)另(ling)(ling)一(yi)端(duan)、轉(zhuan)化器LT的(de)(de)(de)(de)接(jie)(jie)(jie)(jie)口FB和(he)電(dian)阻R4的(de)(de)(de)(de)一(yi)端(duan)設(she)(she)置為(wei)(wei)相互(hu)連接(jie)(jie)(jie)(jie)并(bing)且(qie)電(dian)阻R4的(de)(de)(de)(de)另(ling)(ling)一(yi)端(duan)設(she)(she)置為(wei)(wei)與(yu)地(di)連接(jie)(jie)(jie)(jie)。

在本實施例中，轉化器LT的型號設置為LT3743。

PWM和CTRL_SEL引腳各種不同狀態(tai)的定時(shi)波形：當PWM為低電平時(shi)，所有(you)的開關操作將被終(zhong)止，而且兩(liang)個輸出電容器均與負載(zai)斷接(jie)。

開關(guan)周(zhou)(zhou)期(qi)同(tong)步：LT3743使所有(you)的(de)(de)開關(guan)脈(mo)沖(chong)(chong)邊沿同(tong)步至(zhi)(zhi)PWM和CTRL_SEL上升沿。同(tong)步賦予了(le)系統(tong)設(she)計師采(cai)用任意周(zhou)(zhou)期(qi)或非周(zhou)(zhou)期(qi)PWM調光(guang)脈(mo)沖(chong)(chong)寬度和占空比的(de)(de)自由度。對于大電(dian)(dian)流負(fu)載驅動而言，這(zhe)是從(cong)零電(dian)(dian)流或低電(dian)(dian)流狀(zhuang)態恢復(fu)同(tong)電(dian)(dian)流狀(zhuang)態過程中(zhong)必(bi)不可少的(de)(de)特(te)點。通過在CTRL_SEL或PWM信號(hao)變至(zhi)(zhi)高電(dian)(dian)平時(shi)(shi)重(zhong)新(xin)走動時(shi)(shi)鐘(zhong)(zhong)，電(dian)(dian)感(gan)器(qi)電(dian)(dian)流將(jiang)立即(ji)開始斜坡(po)上升，而無須等待一(yi)個時(shi)(shi)鐘(zhong)(zhong)上升沿。未采(cai)用同(tong)步時(shi)(shi)，時(shi)(shi)鐘(zhong)(zhong)脈(mo)沖(chong)(chong)沿和PWM脈(mo)沖(chong)(chong)沿的(de)(de)相(xiang)伴關(guan)系將(jiang)不受(shou)控制(zhi)，因而有(you)可能在負(fu)載光(guang)輸出(chu)中(zhong)引(yin)起明顯抖(dou)動。當采(cai)用一(yi)個具(ju)有(you)SYNC引(yin)腳(jiao)的(de)(de)外部時(shi)(shi)鐘(zhong)(zhong)時(shi)(shi)，開關(guan)周(zhou)(zhou)期(qi)將(jiang)在8個開關(guan)周(zhou)(zhou)期(qi)之內重(zhong)新(xin)同(tong)步至(zhi)(zhi)外部時(shi)(shi)鐘(zhong)(zhong)。

軟啟(qi)(qi)動(dong)開(kai)關：為了減小大(da)啟(qi)(qi)動(dong)電(dian)(dian)(dian)流(liu)，LT3743采用了一種可壓制已調電(dian)(dian)(dian)流(liu)的獨(du)特軟起動(dong)電(dian)(dian)(dian)路(lu)，從而在軟走動(dong)引腳充(chong)電(dian)(dian)(dian)至1.5V時提供全驅動(dong)。為了最大(da)限度地縮短不同電(dian)(dian)(dian)流(liu)水平之間(jian)的轉換時間(jian)，LT3743運用了針對每種電(dian)(dian)(dian)流(liu)水平的單獨(du)補償，這樣電(dian)(dian)(dian)流(liu)控制環路(lu)就可以盡可能快地恢復穩態操作(zuo)。

一款采用(yong)開關輸出電(dian)(dian)(dian)(dian)容(rong)(rong)(rong)器(qi)的(de)(de)2V、10A半導體激(ji)光器(qi)驅動(dong)器(qi)，為調(diao)整激(ji)光功(gong)率，需要(yao)電(dian)(dian)(dian)(dian)流在(zai)2A至(zhi)10A間(jian)進(jin)行快速切換的(de)(de)能力，以(yi)保持PWM調(diao)光脈沖沿。450KHz的(de)(de)較(jiao)低(di)(di)(di)開關頻率允許使用(yong)一個(ge)(ge)非常(chang)小的(de)(de)1.0μH的(de)(de)電(dian)(dian)(dian)(dian)感(gan)器(qi)。在(zai)25%紋波電(dian)(dian)(dian)(dian)流條件下，高電(dian)(dian)(dian)(dian)流狀態(tai)和低(di)(di)(di)電(dian)(dian)(dian)(dian)流狀態(tai)之間(jian)的(de)(de)轉(zhuan)換時間(jian)大約(yue)為2μS。1mF的(de)(de)大輸出電(dian)(dian)(dian)(dian)容(rong)(rong)(rong)器(qi)存儲(chu)了兩種不同電(dian)(dian)(dian)(dian)流狀態(tai)下負載兩端(duan)的(de)(de)電(dian)(dian)(dian)(dian)壓(ya)降，并提供了MOSFET調(diao)光開關接通(tong)時瞬間(jian)電(dian)(dian)(dian)(dian)流。對于實現快速負載電(dian)(dian)(dian)(dian)流轉(zhuan)換來(lai)說，采用(yong)幾個(ge)(ge)并聯的(de)(de)低(di)(di)(di)ESR電(dian)(dian)(dian)(dian)容(rong)(rong)(rong)器(qi)是到頭緊要(yao)的(de)(de)。已調(diao)高電(dian)(dian)(dian)(dian)流和低(di)(di)(di)電(dian)(dian)(dian)(dian)流由連接在(zai)VREF引腳與(yu)CTRL_L和CTRL_H引腳的(de)(de)基準(zhun)信號。

本發明具有下特點：

1、由于(yu)設計了(le)驅(qu)動(dong)電(dian)路(lu)本體(ti)，通過轉化(hua)器LT的(de)(de)模(mo)塊(kuai)化(hua)的(de)(de)電(dian)壓(ya)轉換，不再使(shi)用電(dian)容器對電(dian)壓(ya)進行轉換，縮(suo)短了(le)負載電(dian)流(liu)響應時間，因此縮(suo)短了(le)對半導體(ti)激光器的(de)(de)驅(qu)動(dong)時間。

2、由于設計了電(dian)阻(zu)R1、電(dian)容(rong)(rong)C1、電(dian)容(rong)(rong)C2、電(dian)容(rong)(rong)C3、電(dian)容(rong)(rong)C4、電(dian)容(rong)(rong)C5、電(dian)容(rong)(rong)C6、MOS管(guan)M1、電(dian)容(rong)(rong)C7、二(er)極管(guan)D2、電(dian)容(rong)(rong)C8、MOS管(guan)M2、電(dian)感L1、電(dian)阻(zu)R2、MOS管(guan)M3、二(er)極管(guan)D1、電(dian)容(rong)(rong)C9、電(dian)阻(zu)R3和電(dian)阻(zu)R4，與(yu)轉(zhuan)化器LT的連接，優化了電(dian)路(lu)，提高(gao)了電(dian)路(lu)的性能(neng)。

3、由于設計了。

4、由于設計(ji)了(le)對結(jie)構(gou)形狀進行了(le)數(shu)值(zhi)(zhi)范(fan)(fan)圍的(de)(de)(de)限定，使數(shu)值(zhi)(zhi)范(fan)(fan)圍為(wei)本發明的(de)(de)(de)技(ji)術(shu)(shu)方案中的(de)(de)(de)技(ji)術(shu)(shu)特征(zheng)，不是通過公式(shi)計(ji)算(suan)或(huo)通過有(you)限次試(shi)(shi)驗(yan)得(de)出的(de)(de)(de)技(ji)術(shu)(shu)特征(zheng)，試(shi)(shi)驗(yan)表明該數(shu)值(zhi)(zhi)范(fan)(fan)圍的(de)(de)(de)技(ji)術(shu)(shu)特征(zheng)取得(de)了(le)很(hen)好的(de)(de)(de)技(ji)術(shu)(shu)效(xiao)果(guo)。

5、由于設計了本發明的技術(shu)特(te)(te)征，在技術(shu)特(te)(te)征的單(dan)獨和相互之間的集合(he)的作用，通過(guo)試驗表明，本發明的各項性能指(zhi)(zhi)標(biao)為現有的各項性能指(zhi)(zhi)標(biao)的至少為1.7倍，通過(guo)評估具有很好的市場價值(zhi)。

還有其它(ta)的(de)(de)與模塊化電壓(ya)轉換的(de)(de)轉化器LT相同或相近似的(de)(de)技術(shu)特(te)(te)征(zheng)(zheng)都是(shi)本發明的(de)(de)實(shi)施例(li)之一(yi)，并且以上(shang)所述(shu)實(shi)施例(li)的(de)(de)各技術(shu)特(te)(te)征(zheng)(zheng)可以進行任意的(de)(de)組合，為滿足(zu)專利(li)法、專利(li)實(shi)施細則(ze)和審查指南的(de)(de)要求，不再對上(shang)述(shu)實(shi)施例(li)中的(de)(de)各個(ge)技術(shu)特(te)(te)征(zheng)(zheng)所有可能的(de)(de)組合的(de)(de)實(shi)施例(li)都進行描(miao)述(shu)。

因此在內(nei)，凡是(shi)包含有具(ju)有轉化器LT的驅(qu)動(dong)電路本(ben)體，轉化器LT的型號設置為(wei)LT3743的技術內(nei)容(rong)都在本(ben)發明(ming)的保(bao)護范圍內(nei)。