本發明涉(she)及(ji)顯示技術領域，特別(bie)是涉(she)及(ji)一種陣列基板及(ji)其制作方法。

背景技術：

傳統的(de)有源(yuan)陣(zhen)列顯示裝置(zhi)的(de)制(zhi)備(bei)方法中(zhong)，像(xiang)素電極(ji)(ji)層(ceng)(ceng)與(yu)源(yuan)漏極(ji)(ji)的(de)形成各需(xu)要一道光罩，需(xu)要的(de)光罩次(ci)數較多，工藝制(zhi)程復雜(za)，生產(chan)成本高，不利于提高生產(chan)效率(lv)，并且，傳統的(de)陣(zhen)列基板有源(yuan)層(ceng)(ceng)與(yu)像(xiang)素電極(ji)(ji)分層(ceng)(ceng)設置(zhi)，兩者(zhe)之間存在較大的(de)接觸電阻。

技術實現要素：

有(you)鑒于此，本發明提(ti)供(gong)一種陣列(lie)基板及其制作方法，能夠(gou)減小(xiao)有(you)源層與像(xiang)素電(dian)極之間的接(jie)觸電(dian)阻(zu)。

本發(fa)明的(de)一方(fang)面提供一種(zhong)陣(zhen)列基板(ban)(ban)的(de)制作方(fang)法，包括：提供一襯底基板(ban)(ban)；在襯底基板(ban)(ban)上依次沉積金屬(shu)(shu)氧(yang)化(hua)物(wu)半(ban)導(dao)體(ti)(ti)層(ceng)及源極(ji)(ji)金屬(shu)(shu)層(ceng)；對金屬(shu)(shu)氧(yang)化(hua)物(wu)半(ban)導(dao)體(ti)(ti)層(ceng)及源極(ji)(ji)金屬(shu)(shu)層(ceng)進行(xing)(xing)圖案化(hua)處(chu)(chu)理(li)(li)，并對經(jing)過圖案化(hua)處(chu)(chu)理(li)(li)后(hou)的(de)金屬(shu)(shu)氧(yang)化(hua)物(wu)半(ban)導(dao)體(ti)(ti)層(ceng)的(de)一部分進行(xing)(xing)導(dao)體(ti)(ti)化(hua)處(chu)(chu)理(li)(li)，以使得經(jing)導(dao)體(ti)(ti)化(hua)處(chu)(chu)理(li)(li)的(de)部分金屬(shu)(shu)氧(yang)化(hua)物(wu)半(ban)導(dao)體(ti)(ti)層(ceng)作為與(yu)未經(jing)導(dao)體(ti)(ti)化(hua)處(chu)(chu)理(li)(li)的(de)部分金屬(shu)(shu)氧(yang)化(hua)物(wu)半(ban)導(dao)體(ti)(ti)層(ceng)電連接的(de)漏極(ji)(ji)及像素電極(ji)(ji)。

其中，在襯底(di)(di)基(ji)板上(shang)(shang)依次沉(chen)積(ji)金屬(shu)(shu)氧(yang)化(hua)物半(ban)導體層(ceng)及源(yuan)極(ji)金屬(shu)(shu)層(ceng)的步驟之前(qian)，進(jin)一步包(bao)括：在襯底(di)(di)基(ji)板上(shang)(shang)沉(chen)積(ji)柵(zha)極(ji)金屬(shu)(shu)層(ceng)；對柵(zha)極(ji)金屬(shu)(shu)層(ceng)進(jin)行圖(tu)案化(hua)處理，以(yi)形(xing)成(cheng)底(di)(di)柵(zha)電極(ji)，其中金屬(shu)(shu)氧(yang)化(hua)物半(ban)導體層(ceng)及源(yuan)極(ji)金屬(shu)(shu)層(ceng)沉(chen)積(ji)于形(xing)成(cheng)有底(di)(di)柵(zha)電極(ji)的襯底(di)(di)基(ji)板上(shang)(shang)。

其中(zhong)，在襯(chen)底(di)(di)基板(ban)上(shang)(shang)(shang)沉(chen)積(ji)柵(zha)極(ji)金(jin)屬(shu)層(ceng)(ceng)的(de)步驟之前，制(zhi)作(zuo)(zuo)方法(fa)還(huan)(huan)包括(kuo)：在襯(chen)底(di)(di)基板(ban)上(shang)(shang)(shang)沉(chen)積(ji)緩沖層(ceng)(ceng)，其中(zhong)柵(zha)極(ji)金(jin)屬(shu)層(ceng)(ceng)沉(chen)積(ji)在緩沖層(ceng)(ceng)上(shang)(shang)(shang)；對柵(zha)極(ji)金(jin)屬(shu)層(ceng)(ceng)進行(xing)圖案化(hua)處理的(de)步驟之后，制(zhi)作(zuo)(zuo)方法(fa)還(huan)(huan)包括(kuo)：在形成有(you)底(di)(di)柵(zha)電極(ji)的(de)襯(chen)底(di)(di)基板(ban)上(shang)(shang)(shang)沉(chen)積(ji)柵(zha)極(ji)絕緣層(ceng)(ceng)，其中(zhong)金(jin)屬(shu)氧化(hua)物(wu)半導體層(ceng)(ceng)及源極(ji)金(jin)屬(shu)層(ceng)(ceng)沉(chen)積(ji)在柵(zha)極(ji)絕緣層(ceng)(ceng)上(shang)(shang)(shang)。

其(qi)中，在(zai)襯底基板上依次沉積金(jin)(jin)(jin)屬(shu)氧(yang)(yang)(yang)(yang)化(hua)(hua)物半(ban)導(dao)(dao)(dao)(dao)體(ti)(ti)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)及源(yuan)(yuan)(yuan)極(ji)(ji)(ji)(ji)金(jin)(jin)(jin)屬(shu)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)的步驟(zou)包括：在(zai)金(jin)(jin)(jin)屬(shu)氧(yang)(yang)(yang)(yang)化(hua)(hua)物半(ban)導(dao)(dao)(dao)(dao)體(ti)(ti)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)與源(yuan)(yuan)(yuan)極(ji)(ji)(ji)(ji)金(jin)(jin)(jin)屬(shu)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)之間沉積還(huan)原(yuan)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)；對(dui)金(jin)(jin)(jin)屬(shu)氧(yang)(yang)(yang)(yang)化(hua)(hua)物半(ban)導(dao)(dao)(dao)(dao)體(ti)(ti)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)及源(yuan)(yuan)(yuan)極(ji)(ji)(ji)(ji)金(jin)(jin)(jin)屬(shu)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)進(jin)(jin)行圖案化(hua)(hua)處(chu)理(li)(li)，并對(dui)經過圖案化(hua)(hua)處(chu)理(li)(li)后的金(jin)(jin)(jin)屬(shu)氧(yang)(yang)(yang)(yang)化(hua)(hua)物半(ban)導(dao)(dao)(dao)(dao)體(ti)(ti)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)的一(yi)(yi)部分進(jin)(jin)行導(dao)(dao)(dao)(dao)體(ti)(ti)化(hua)(hua)處(chu)理(li)(li)的步驟(zou)包括：對(dui)金(jin)(jin)(jin)屬(shu)氧(yang)(yang)(yang)(yang)化(hua)(hua)物半(ban)導(dao)(dao)(dao)(dao)體(ti)(ti)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)、還(huan)原(yuan)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)和源(yuan)(yuan)(yuan)極(ji)(ji)(ji)(ji)金(jin)(jin)(jin)屬(shu)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)進(jin)(jin)行圖案化(hua)(hua)處(chu)理(li)(li)，以使得金(jin)(jin)(jin)屬(shu)氧(yang)(yang)(yang)(yang)化(hua)(hua)物半(ban)導(dao)(dao)(dao)(dao)體(ti)(ti)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)的對(dui)應于源(yuan)(yuan)(yuan)極(ji)(ji)(ji)(ji)的第(di)一(yi)(yi)區域(yu)(yu)上覆(fu)蓋(gai)(gai)有還(huan)原(yuan)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)和源(yuan)(yuan)(yuan)極(ji)(ji)(ji)(ji)金(jin)(jin)(jin)屬(shu)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)的疊層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)結(jie)構，對(dui)應于源(yuan)(yuan)(yuan)極(ji)(ji)(ji)(ji)與漏(lou)(lou)極(ji)(ji)(ji)(ji)之間的第(di)二區域(yu)(yu)上不覆(fu)蓋(gai)(gai)還(huan)原(yuan)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)和源(yuan)(yuan)(yuan)極(ji)(ji)(ji)(ji)金(jin)(jin)(jin)屬(shu)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)，對(dui)應于漏(lou)(lou)極(ji)(ji)(ji)(ji)和像(xiang)素電極(ji)(ji)(ji)(ji)的第(di)三(san)區域(yu)(yu)上僅覆(fu)蓋(gai)(gai)有還(huan)原(yuan)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)；通過退火處(chu)理(li)(li)使得第(di)一(yi)(yi)區域(yu)(yu)和第(di)三(san)區域(yu)(yu)上的還(huan)原(yuan)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)對(dui)金(jin)(jin)(jin)屬(shu)氧(yang)(yang)(yang)(yang)化(hua)(hua)物半(ban)導(dao)(dao)(dao)(dao)體(ti)(ti)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)進(jin)(jin)行還(huan)原(yuan)。

其中，對金(jin)(jin)(jin)(jin)屬氧化(hua)物半(ban)導(dao)體(ti)層(ceng)、還原(yuan)層(ceng)和源(yuan)極(ji)(ji)金(jin)(jin)(jin)(jin)屬層(ceng)進(jin)(jin)行圖案(an)(an)(an)化(hua)處(chu)理(li)(li)的步驟包括：對金(jin)(jin)(jin)(jin)屬氧化(hua)物半(ban)導(dao)體(ti)層(ceng)、還原(yuan)層(ceng)和源(yuan)極(ji)(ji)金(jin)(jin)(jin)(jin)屬層(ceng)的疊層(ceng)結構進(jin)(jin)行整體(ti)圖案(an)(an)(an)化(hua)處(chu)理(li)(li)；對整體(ti)圖案(an)(an)(an)化(hua)處(chu)理(li)(li)后的金(jin)(jin)(jin)(jin)屬氧化(hua)物半(ban)導(dao)體(ti)層(ceng)、還原(yuan)層(ceng)和源(yuan)極(ji)(ji)金(jin)(jin)(jin)(jin)屬層(ceng)進(jin)(jin)行一(yi)次(ci)局(ju)部(bu)圖案(an)(an)(an)化(hua)處(chu)理(li)(li)，以去(qu)除(chu)第二區(qu)域上的還原(yuan)層(ceng)和源(yuan)極(ji)(ji)金(jin)(jin)(jin)(jin)屬層(ceng)；對一(yi)次(ci)局(ju)部(bu)圖案(an)(an)(an)化(hua)處(chu)理(li)(li)后的金(jin)(jin)(jin)(jin)屬氧化(hua)物半(ban)導(dao)體(ti)層(ceng)、還原(yuan)層(ceng)和源(yuan)極(ji)(ji)金(jin)(jin)(jin)(jin)屬層(ceng)進(jin)(jin)行二次(ci)局(ju)部(bu)圖案(an)(an)(an)化(hua)處(chu)理(li)(li)，以去(qu)除(chu)第三區(qu)域上的源(yuan)極(ji)(ji)金(jin)(jin)(jin)(jin)屬層(ceng)。

其(qi)中(zhong)，還原層的(de)材(cai)料為(wei)還原性高于金(jin)屬氧化物半導體(ti)層中(zhong)的(de)金(jin)屬元素的(de)金(jin)屬。

其中(zhong)，對(dui)(dui)金屬(shu)氧化(hua)(hua)(hua)物(wu)半(ban)(ban)導體(ti)(ti)(ti)層(ceng)及源極金屬(shu)層(ceng)進(jin)行(xing)(xing)(xing)圖(tu)案(an)化(hua)(hua)(hua)處(chu)理(li)，并對(dui)(dui)經過(guo)圖(tu)案(an)化(hua)(hua)(hua)后的(de)金屬(shu)氧化(hua)(hua)(hua)物(wu)半(ban)(ban)導體(ti)(ti)(ti)層(ceng)的(de)一部(bu)分進(jin)行(xing)(xing)(xing)導體(ti)(ti)(ti)化(hua)(hua)(hua)處(chu)理(li)的(de)步驟包括(kuo)：對(dui)(dui)金屬(shu)氧化(hua)(hua)(hua)物(wu)半(ban)(ban)導體(ti)(ti)(ti)層(ceng)和源極金屬(shu)層(ceng)進(jin)行(xing)(xing)(xing)整體(ti)(ti)(ti)圖(tu)案(an)化(hua)(hua)(hua)處(chu)理(li)；在整體(ti)(ti)(ti)圖(tu)案(an)化(hua)(hua)(hua)處(chu)理(li)后的(de)金屬(shu)氧化(hua)(hua)(hua)物(wu)半(ban)(ban)導體(ti)(ti)(ti)層(ceng)上對(dui)(dui)漏極和像素電(dian)極的(de)對(dui)(dui)應區域的(de)金屬(shu)氧化(hua)(hua)(hua)物(wu)半(ban)(ban)導體(ti)(ti)(ti)層(ceng)進(jin)行(xing)(xing)(xing)等離子摻雜處(chu)理(li)。

其(qi)中，在(zai)整體(ti)(ti)圖案(an)化(hua)后的(de)(de)(de)(de)金(jin)(jin)(jin)屬氧(yang)(yang)化(hua)物半(ban)(ban)導(dao)(dao)(dao)體(ti)(ti)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)上(shang)對(dui)(dui)(dui)漏極和(he)像素(su)電極的(de)(de)(de)(de)對(dui)(dui)(dui)應區(qu)(qu)域的(de)(de)(de)(de)金(jin)(jin)(jin)屬氧(yang)(yang)化(hua)物半(ban)(ban)導(dao)(dao)(dao)體(ti)(ti)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)進(jin)行(xing)(xing)等離(li)子(zi)摻雜(za)處(chu)理(li)的(de)(de)(de)(de)步驟包括：在(zai)整體(ti)(ti)圖案(an)化(hua)處(chu)理(li)后的(de)(de)(de)(de)金(jin)(jin)(jin)屬氧(yang)(yang)化(hua)物半(ban)(ban)導(dao)(dao)(dao)體(ti)(ti)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)和(he)源極金(jin)(jin)(jin)屬層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)上(shang)形成光阻層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)，其(qi)中光阻層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)在(zai)金(jin)(jin)(jin)屬氧(yang)(yang)化(hua)物半(ban)(ban)導(dao)(dao)(dao)體(ti)(ti)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)的(de)(de)(de)(de)對(dui)(dui)(dui)應于(yu)(yu)源極的(de)(de)(de)(de)第(di)(di)(di)一(yi)(yi)區(qu)(qu)域的(de)(de)(de)(de)厚(hou)(hou)(hou)度(du)為(wei)(wei)第(di)(di)(di)一(yi)(yi)厚(hou)(hou)(hou)度(du)，在(zai)對(dui)(dui)(dui)應于(yu)(yu)源極與漏極之間的(de)(de)(de)(de)第(di)(di)(di)二區(qu)(qu)域的(de)(de)(de)(de)厚(hou)(hou)(hou)度(du)為(wei)(wei)第(di)(di)(di)二厚(hou)(hou)(hou)度(du)，在(zai)對(dui)(dui)(dui)應于(yu)(yu)漏極和(he)像素(su)電極的(de)(de)(de)(de)第(di)(di)(di)三區(qu)(qu)域的(de)(de)(de)(de)的(de)(de)(de)(de)厚(hou)(hou)(hou)度(du)為(wei)(wei)第(di)(di)(di)三厚(hou)(hou)(hou)度(du)，第(di)(di)(di)一(yi)(yi)厚(hou)(hou)(hou)度(du)大于(yu)(yu)第(di)(di)(di)二厚(hou)(hou)(hou)度(du)，第(di)(di)(di)二厚(hou)(hou)(hou)度(du)大于(yu)(yu)第(di)(di)(di)三厚(hou)(hou)(hou)度(du)；進(jin)行(xing)(xing)一(yi)(yi)次蝕刻(ke)，以去除第(di)(di)(di)三區(qu)(qu)域上(shang)的(de)(de)(de)(de)光阻層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)和(he)源極金(jin)(jin)(jin)屬層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)，并使(shi)得(de)第(di)(di)(di)三區(qu)(qu)域上(shang)的(de)(de)(de)(de)金(jin)(jin)(jin)屬氧(yang)(yang)化(hua)物半(ban)(ban)導(dao)(dao)(dao)體(ti)(ti)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)外露且第(di)(di)(di)一(yi)(yi)區(qu)(qu)域和(he)第(di)(di)(di)二區(qu)(qu)域上(shang)的(de)(de)(de)(de)光阻層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)部分保(bao)留；進(jin)行(xing)(xing)等離(li)子(zi)摻雜(za)處(chu)理(li)，使(shi)得(de)第(di)(di)(di)三區(qu)(qu)域的(de)(de)(de)(de)金(jin)(jin)(jin)屬氧(yang)(yang)化(hua)物半(ban)(ban)導(dao)(dao)(dao)體(ti)(ti)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)被導(dao)(dao)(dao)體(ti)(ti)化(hua)。

其中，在整(zheng)體圖(tu)案(an)化處理后的(de)金屬氧(yang)(yang)化物半導(dao)體層(ceng)(ceng)上(shang)對(dui)漏極(ji)和(he)像素(su)電極(ji)的(de)對(dui)應區域(yu)的(de)金屬氧(yang)(yang)化物半導(dao)體層(ceng)(ceng)進行等(deng)離(li)子摻雜處理的(de)步(bu)驟(zou)進一(yi)步(bu)包括(kuo)：進行二次蝕刻，以去除第(di)二區域(yu)上(shang)的(de)光(guang)阻(zu)層(ceng)(ceng)和(he)源極(ji)金屬層(ceng)(ceng)，且第(di)一(yi)區域(yu)上(shang)的(de)光(guang)阻(zu)層(ceng)(ceng)部分(fen)保留(liu)；剝(bo)離(li)第(di)一(yi)區域(yu)上(shang)的(de)光(guang)阻(zu)層(ceng)(ceng)。

本(ben)發明的另一方面(mian)提供(gong)一種(zhong)陣(zhen)列基板(ban)，包(bao)括襯(chen)底(di)基板(ban)、底(di)柵電(dian)極(ji)(ji)、源(yuan)極(ji)(ji)、金(jin)(jin)屬氧(yang)(yang)化(hua)物(wu)半(ban)(ban)導(dao)體(ti)(ti)層(ceng)(ceng)、漏極(ji)(ji)及像素電(dian)極(ji)(ji)，其中漏極(ji)(ji)及像素電(dian)極(ji)(ji)與(yu)金(jin)(jin)屬氧(yang)(yang)化(hua)物(wu)半(ban)(ban)導(dao)體(ti)(ti)層(ceng)(ceng)同(tong)層(ceng)(ceng)設置，并且由金(jin)(jin)屬氧(yang)(yang)化(hua)物(wu)半(ban)(ban)導(dao)體(ti)(ti)層(ceng)(ceng)導(dao)體(ti)(ti)化(hua)處理后形成。

通過上述方案，本發明的(de)有益(yi)效果是：區(qu)別于現有技術，本發明通過一道(dao)光罩工藝在有源層上直接(jie)制成像素(su)電(dian)(dian)極，從而(er)可以減(jian)小有源層與像素(su)電(dian)(dian)極之間的(de)接(jie)觸(chu)電(dian)(dian)阻(zu)。

附圖說明

為了更(geng)清楚(chu)地(di)說(shuo)明本發明實(shi)施(shi)例中的(de)(de)(de)技術(shu)方案，下(xia)面將對實(shi)施(shi)例描述中所需要使用的(de)(de)(de)附圖(tu)(tu)作簡單地(di)介紹，顯而(er)易見(jian)地(di)，下(xia)面描述中的(de)(de)(de)附圖(tu)(tu)僅僅是本發明的(de)(de)(de)一些(xie)實(shi)施(shi)例，對于本領域(yu)普通技術(shu)人(ren)員來講，在不付出創造性勞動的(de)(de)(de)前提下(xia)，還(huan)可以(yi)根據這(zhe)些(xie)附圖(tu)(tu)獲得其(qi)他的(de)(de)(de)附圖(tu)(tu)。其(qi)中：

圖(tu)1是本發明一實施例的(de)(de)陣(zhen)列基板的(de)(de)制(zhi)作方法的(de)(de)流程示(shi)意圖(tu)；

圖(tu)2是圖(tu)1中的陣列基板通過(guo)退火處理對金屬氧化(hua)物半導(dao)體層的一(yi)部分(fen)進行(xing)導(dao)體化(hua)處理的流(liu)程示意圖(tu)；

圖3是采(cai)用圖2的(de)方法(fa)制作底(di)柵結構的(de)陣(zhen)列基板的(de)場(chang)景示意圖；

圖4是圖2中(zhong)對金屬氧化物半導體層、還原層和源極金屬層進行圖案化處理的具(ju)體步驟(zou)流程示意圖；

圖5是圖1中的(de)陣(zhen)列基板通(tong)過等(deng)離子(zi)摻雜(za)處理(li)對金屬氧化物半導體層的(de)一部分進(jin)行(xing)導體化處理(li)的(de)流程示意圖；

圖(tu)6是采(cai)用圖(tu)5的(de)(de)方(fang)法(fa)制(zhi)作(zuo)底(di)柵結構(gou)的(de)(de)陣列(lie)基板的(de)(de)場景示意圖(tu)

圖(tu)(tu)7是(shi)圖(tu)(tu)5中對金屬氧化物(wu)半導(dao)(dao)體(ti)層(ceng)、還原層(ceng)和源極(ji)金屬層(ceng)進行(xing)圖(tu)(tu)案(an)化處理及導(dao)(dao)體(ti)化處理的具體(ti)步驟流程(cheng)示意圖(tu)(tu)。

具體實施方式

下面將(jiang)結合(he)本(ben)發(fa)明(ming)(ming)(ming)實(shi)(shi)施(shi)(shi)例(li)(li)(li)中的(de)(de)附(fu)圖(tu)，對(dui)本(ben)發(fa)明(ming)(ming)(ming)實(shi)(shi)施(shi)(shi)例(li)(li)(li)中的(de)(de)技(ji)術方案進(jin)行清楚、完(wan)整地描(miao)述(shu)，顯然，所描(miao)述(shu)的(de)(de)實(shi)(shi)施(shi)(shi)例(li)(li)(li)僅僅是(shi)本(ben)發(fa)明(ming)(ming)(ming)一(yi)部分(fen)實(shi)(shi)施(shi)(shi)例(li)(li)(li)，而不(bu)是(shi)全部實(shi)(shi)施(shi)(shi)例(li)(li)(li)。基于本(ben)發(fa)明(ming)(ming)(ming)中的(de)(de)實(shi)(shi)施(shi)(shi)例(li)(li)(li)，本(ben)領(ling)域普通技(ji)術人員(yuan)在沒(mei)有做出創(chuang)造(zao)性的(de)(de)勞動前提(ti)下所獲得的(de)(de)所有其他實(shi)(shi)施(shi)(shi)例(li)(li)(li)，都屬(shu)于本(ben)發(fa)明(ming)(ming)(ming)保(bao)護的(de)(de)范圍。

請(qing)參看(kan)圖(tu)1、圖(tu)3或6，圖(tu)1是本發明一實施例的(de)陣列(lie)基板的(de)制(zhi)作(zuo)(zuo)方法(fa)的(de)流程示意圖(tu)，圖(tu)3及圖(tu)6是制(zhi)作(zuo)(zuo)底柵結構的(de)陣列(lie)基板的(de)場景示意圖(tu)。如圖(tu)1所示，本實施例的(de)陣列(lie)基板30或陣列(lie)基板60的(de)制(zhi)作(zuo)(zuo)方法(fa)包括：

S101：提供一襯(chen)底基板300。

襯底基(ji)板(ban)300可為玻璃(li)基(ji)板(ban)、塑料基(ji)板(ban)或可撓性基(ji)板(ban)，在此(ci)不作(zuo)限制。

S102：在(zai)襯(chen)底基(ji)板300上依次沉積金(jin)屬(shu)氧化物半導體層(ceng)304及源極金(jin)屬(shu)層(ceng)305。

采用氣相沉積(ji)法(fa)在襯底基(ji)(ji)板300上依次沉積(ji)金(jin)(jin)屬氧(yang)(yang)化(hua)(hua)物(wu)半導(dao)體層304及源極(ji)金(jin)(jin)屬層305。其中，沉積(ji)的(de)金(jin)(jin)屬氧(yang)(yang)化(hua)(hua)物(wu)半導(dao)體層304作為陣列基(ji)(ji)板30的(de)有(you)源層304，其材料(liao)可以為TCO(Transparent Conductive Oxide；透明(ming)導(dao)電氧(yang)(yang)化(hua)(hua)物(wu))材料(liao)，例(li)如金(jin)(jin)屬氧(yang)(yang)化(hua)(hua)物(wu)半導(dao)體層304的(de)材料(liao)為IGZO(Indium Gallium Zinc Oxide；銦鎵(jia)鋅氧(yang)(yang)化(hua)(hua)物(wu))或(huo)IGZTO(Indium Gallium Zinc Ti Oxide；銦鎵(jia)鋅鈦(tai)氧(yang)(yang)化(hua)(hua)物(wu))。

在(zai)(zai)其他(ta)實施例(li)中(zhong)，如(ru)在(zai)(zai)底(di)柵(zha)(zha)型的(de)陣列基板(ban)的(de)制作中(zhong)，可在(zai)(zai)沉(chen)(chen)積(ji)金(jin)屬氧化物(wu)半導(dao)體(ti)(ti)層(ceng)(ceng)304及源(yuan)極(ji)(ji)(ji)(ji)金(jin)屬層(ceng)(ceng)305的(de)步(bu)驟之前，預先在(zai)(zai)襯(chen)底(di)基板(ban)300上沉(chen)(chen)積(ji)緩沖層(ceng)(ceng)301，并在(zai)(zai)緩沖層(ceng)(ceng)301上進(jin)(jin)一步(bu)沉(chen)(chen)積(ji)柵(zha)(zha)極(ji)(ji)(ji)(ji)金(jin)屬層(ceng)(ceng)(圖未示(shi))，通(tong)過一道光罩工(gong)藝對柵(zha)(zha)極(ji)(ji)(ji)(ji)金(jin)屬層(ceng)(ceng)進(jin)(jin)行圖案化處理，以形(xing)成(cheng)底(di)柵(zha)(zha)電極(ji)(ji)(ji)(ji)302，金(jin)屬氧化物(wu)半導(dao)體(ti)(ti)層(ceng)(ceng)304及源(yuan)極(ji)(ji)(ji)(ji)金(jin)屬層(ceng)(ceng)305沉(chen)(chen)積(ji)于形(xing)成(cheng)有底(di)柵(zha)(zha)電極(ji)(ji)(ji)(ji)302的(de)襯(chen)底(di)基板(ban)300上。可選地，進(jin)(jin)一步(bu)在(zai)(zai)形(xing)成(cheng)有底(di)柵(zha)(zha)電極(ji)(ji)(ji)(ji)302的(de)襯(chen)底(di)基板(ban)300上沉(chen)(chen)積(ji)柵(zha)(zha)極(ji)(ji)(ji)(ji)絕緣層(ceng)(ceng)303，金(jin)屬氧化物(wu)半導(dao)體(ti)(ti)層(ceng)(ceng)304及源(yuan)極(ji)(ji)(ji)(ji)金(jin)屬層(ceng)(ceng)305沉(chen)(chen)積(ji)于柵(zha)(zha)極(ji)(ji)(ji)(ji)絕緣層(ceng)(ceng)303上。

還可在金屬氧化(hua)物半(ban)導體層304上沉積柵極金屬層以形(xing)成頂(ding)柵結(jie)構的陣(zhen)列(lie)基板(ban)，其制作方法(fa)與底柵結(jie)構的陣(zhen)列(lie)基板(ban)類似，在此(ci)不再贅述。

S103：對金(jin)(jin)屬氧化物半(ban)導體層304及源極金(jin)(jin)屬層305進行(xing)圖(tu)案化處理，并對經過圖(tu)案化處理后的金(jin)(jin)屬氧化物半(ban)導體層304的一部分進行(xing)導體化處理。

采用(yong)一道光罩工藝對(dui)(dui)金屬(shu)(shu)(shu)氧(yang)化(hua)(hua)(hua)物半導(dao)體(ti)(ti)(ti)層(ceng)304及源(yuan)(yuan)(yuan)極(ji)(ji)金屬(shu)(shu)(shu)層(ceng)305進(jin)行整體(ti)(ti)(ti)圖案(an)(an)化(hua)(hua)(hua)處理(li)(li)(li)，對(dui)(dui)經過(guo)圖案(an)(an)化(hua)(hua)(hua)處理(li)(li)(li)后的(de)金屬(shu)(shu)(shu)氧(yang)化(hua)(hua)(hua)物半導(dao)體(ti)(ti)(ti)層(ceng)304的(de)一部分(fen)進(jin)行導(dao)體(ti)(ti)(ti)化(hua)(hua)(hua)處理(li)(li)(li)，以在金屬(shu)(shu)(shu)氧(yang)化(hua)(hua)(hua)物半導(dao)體(ti)(ti)(ti)層(ceng)304上(shang)直接形成漏(lou)極(ji)(ji)308及像素電(dian)極(ji)(ji)307，即使得(de)經過(guo)導(dao)體(ti)(ti)(ti)化(hua)(hua)(hua)處理(li)(li)(li)后的(de)部分(fen)金屬(shu)(shu)(shu)氧(yang)化(hua)(hua)(hua)物半導(dao)體(ti)(ti)(ti)層(ceng)304形成為陣(zhen)列(lie)基(ji)板30或(huo)陣(zhen)列(lie)基(ji)板60的(de)漏(lou)極(ji)(ji)308及像素電(dian)極(ji)(ji)307，而未經導(dao)體(ti)(ti)(ti)化(hua)(hua)(hua)處理(li)(li)(li)的(de)部分(fen)金屬(shu)(shu)(shu)氧(yang)化(hua)(hua)(hua)物半導(dao)體(ti)(ti)(ti)層(ceng)304作為陣(zhen)列(lie)基(ji)板30的(de)有(you)(you)源(yuan)(yuan)(yuan)層(ceng)304，漏(lou)極(ji)(ji)308及像素電(dian)極(ji)(ji)307與有(you)(you)源(yuan)(yuan)(yuan)層(ceng)304同層(ceng)且電(dian)連接，從而可以減小像素電(dian)極(ji)(ji)307與有(you)(you)源(yuan)(yuan)(yuan)層(ceng)304之(zhi)間的(de)接觸電(dian)阻。源(yuan)(yuan)(yuan)極(ji)(ji)金屬(shu)(shu)(shu)層(ceng)305經圖案(an)(an)化(hua)(hua)(hua)處理(li)(li)(li)后形成為陣(zhen)列(lie)基(ji)板30的(de)源(yuan)(yuan)(yuan)極(ji)(ji)311。其(qi)中，導(dao)體(ti)(ti)(ti)化(hua)(hua)(hua)處理(li)(li)(li)可以分(fen)為退火處理(li)(li)(li)或(huo)等離子摻雜處理(li)(li)(li)。

S104：沉積鈍(dun)(dun)化層(ceng)(ceng)312，并對鈍(dun)(dun)化層(ceng)(ceng)312進行圖案(an)化處理。

通過氣(qi)相沉積(ji)法在形成有源極311、漏極308及像(xiang)素電極307的襯底基板300上(shang)進一步沉積(ji)鈍(dun)化(hua)層312，鈍(dun)化(hua)層312的材料可以(yi)為氧化(hua)硅等含氫量(liang)較(jiao)小的絕緣材料，并進一步對(dui)(dui)鈍(dun)化(hua)層312進行(xing)圖(tu)案化(hua)處理，以(yi)去(qu)除對(dui)(dui)應于(yu)像(xiang)素電極307區(qu)域上(shang)的鈍(dun)化(hua)層312。

以下詳(xiang)細說明通過(guo)(guo)退火(huo)處(chu)理(li)(li)(li)對步驟(zou)S103中對金(jin)屬(shu)氧化(hua)物(wu)(wu)半導(dao)體(ti)層(ceng)304及源極(ji)金(jin)屬(shu)層(ceng)305進(jin)行圖(tu)案化(hua)處(chu)理(li)(li)(li)，并對經過(guo)(guo)圖(tu)案化(hua)處(chu)理(li)(li)(li)后(hou)的(de)金(jin)屬(shu)氧化(hua)物(wu)(wu)半導(dao)體(ti)層(ceng)304的(de)一部分進(jin)行導(dao)體(ti)化(hua)處(chu)理(li)(li)(li)的(de)具(ju)體(ti)過(guo)(guo)程(cheng)。如(ru)圖(tu)2所示，進(jin)行導(dao)體(ti)化(hua)處(chu)理(li)(li)(li)的(de)具(ju)體(ti)過(guo)(guo)程(cheng)進(jin)一步包括：

S201：在金(jin)屬(shu)氧化物半導體(ti)層304與源極金(jin)屬(shu)層305之間沉(chen)積還原層306。

請(qing)結合圖(tu)3所示，圖(tu)3是底柵(zha)結構(gou)的(de)(de)(de)陣(zhen)列基(ji)板的(de)(de)(de)場景示意圖(tu)。在(zai)形成(cheng)有底柵(zha)電極(ji)(ji)(ji)302的(de)(de)(de)襯底基(ji)板300上(shang)依次(ci)沉積(ji)(ji)金(jin)(jin)(jin)(jin)(jin)(jin)屬(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)氧(yang)化(hua)(hua)物(wu)(wu)半(ban)(ban)導(dao)(dao)體(ti)層(ceng)(ceng)(ceng)304及(ji)源(yuan)極(ji)(ji)(ji)金(jin)(jin)(jin)(jin)(jin)(jin)屬(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)層(ceng)(ceng)(ceng)305，并(bing)(bing)在(zai)金(jin)(jin)(jin)(jin)(jin)(jin)屬(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)氧(yang)化(hua)(hua)物(wu)(wu)半(ban)(ban)導(dao)(dao)體(ti)層(ceng)(ceng)(ceng)304與源(yuan)極(ji)(ji)(ji)金(jin)(jin)(jin)(jin)(jin)(jin)屬(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)層(ceng)(ceng)(ceng)305之間進一步沉積(ji)(ji)還(huan)原(yuan)(yuan)層(ceng)(ceng)(ceng)306。其中(zhong)，底柵(zha)電極(ji)(ji)(ji)302形成(cheng)于設置有緩(huan)沖層(ceng)(ceng)(ceng)301的(de)(de)(de)襯底基(ji)板300上(shang)，并(bing)(bing)且，底柵(zha)電極(ji)(ji)(ji)302上(shang)方還(huan)覆(fu)蓋有柵(zha)極(ji)(ji)(ji)絕(jue)緣層(ceng)(ceng)(ceng)303，金(jin)(jin)(jin)(jin)(jin)(jin)屬(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)氧(yang)化(hua)(hua)物(wu)(wu)半(ban)(ban)導(dao)(dao)體(ti)層(ceng)(ceng)(ceng)304、還(huan)原(yuan)(yuan)層(ceng)(ceng)(ceng)306及(ji)源(yuan)極(ji)(ji)(ji)金(jin)(jin)(jin)(jin)(jin)(jin)屬(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)層(ceng)(ceng)(ceng)305依次(ci)沉積(ji)(ji)于柵(zha)極(ji)(ji)(ji)絕(jue)緣層(ceng)(ceng)(ceng)303上(shang)。其中(zhong)，柵(zha)極(ji)(ji)(ji)金(jin)(jin)(jin)(jin)(jin)(jin)屬(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)層(ceng)(ceng)(ceng)及(ji)源(yuan)極(ji)(ji)(ji)金(jin)(jin)(jin)(jin)(jin)(jin)屬(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)層(ceng)(ceng)(ceng)305的(de)(de)(de)材(cai)料(liao)可(ke)(ke)以為鉬(mu)、鈦、銅(tong)、鋁(lv)、銀等(deng)(deng)金(jin)(jin)(jin)(jin)(jin)(jin)屬(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)元素中(zhong)的(de)(de)(de)一種或多(duo)種的(de)(de)(de)堆棧組合，柵(zha)極(ji)(ji)(ji)絕(jue)緣層(ceng)(ceng)(ceng)303的(de)(de)(de)材(cai)料(liao)可(ke)(ke)選(xuan)為氮化(hua)(hua)硅(gui)、氧(yang)化(hua)(hua)硅(gui)或兩者(zhe)的(de)(de)(de)組合，還(huan)原(yuan)(yuan)層(ceng)(ceng)(ceng)306的(de)(de)(de)材(cai)料(liao)可(ke)(ke)為鋁(lv)、錳等(deng)(deng)強還(huan)原(yuan)(yuan)性金(jin)(jin)(jin)(jin)(jin)(jin)屬(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)，還(huan)原(yuan)(yuan)層(ceng)(ceng)(ceng)306金(jin)(jin)(jin)(jin)(jin)(jin)屬(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)的(de)(de)(de)還(huan)原(yuan)(yuan)性需高于金(jin)(jin)(jin)(jin)(jin)(jin)屬(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)氧(yang)化(hua)(hua)物(wu)(wu)半(ban)(ban)導(dao)(dao)體(ti)層(ceng)(ceng)(ceng)304中(zhong)的(de)(de)(de)金(jin)(jin)(jin)(jin)(jin)(jin)屬(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)元素的(de)(de)(de)金(jin)(jin)(jin)(jin)(jin)(jin)屬(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)。在(zai)本實施例中(zhong)，柵(zha)極(ji)(ji)(ji)金(jin)(jin)(jin)(jin)(jin)(jin)屬(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)層(ceng)(ceng)(ceng)及(ji)源(yuan)極(ji)(ji)(ji)金(jin)(jin)(jin)(jin)(jin)(jin)屬(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)層(ceng)(ceng)(ceng)305的(de)(de)(de)材(cai)料(liao)均(jun)為MoCu(銅(tong)化(hua)(hua)鉬(mu))，柵(zha)極(ji)(ji)(ji)絕(jue)緣層(ceng)(ceng)(ceng)303的(de)(de)(de)材(cai)料(liao)為氧(yang)化(hua)(hua)硅(gui)，還(huan)原(yuan)(yuan)層(ceng)(ceng)(ceng)306的(de)(de)(de)材(cai)料(liao)為Al(鋁(lv))，金(jin)(jin)(jin)(jin)(jin)(jin)屬(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)氧(yang)化(hua)(hua)物(wu)(wu)半(ban)(ban)導(dao)(dao)體(ti)層(ceng)(ceng)(ceng)304的(de)(de)(de)材(cai)料(liao)為IGZO。

S202：對金屬氧(yang)化物半導體層(ceng)304、還原層(ceng)306和源極金屬層(ceng)305進(jin)行圖(tu)案化處(chu)理。

通過(guo)一道(dao)光罩工(gong)藝(yi)對(dui)(dui)金(jin)(jin)(jin)屬(shu)氧(yang)化(hua)物半(ban)導(dao)體(ti)層(ceng)(ceng)(ceng)304、還(huan)原層(ceng)(ceng)(ceng)306和源(yuan)極(ji)金(jin)(jin)(jin)屬(shu)層(ceng)(ceng)(ceng)305進(jin)行整(zheng)體(ti)圖案(an)化(hua)處理，以使得金(jin)(jin)(jin)屬(shu)氧(yang)化(hua)物半(ban)導(dao)體(ti)層(ceng)(ceng)(ceng)304對(dui)(dui)應于源(yuan)極(ji)311的(de)(de)第一區(qu)域310上覆(fu)(fu)蓋(gai)有還(huan)原層(ceng)(ceng)(ceng)306及(ji)(ji)源(yuan)層(ceng)(ceng)(ceng)金(jin)(jin)(jin)屬(shu)層(ceng)(ceng)(ceng)305的(de)(de)疊層(ceng)(ceng)(ceng)結構(gou)，對(dui)(dui)應于源(yuan)極(ji)311與漏(lou)極(ji)308之(zhi)間的(de)(de)第二區(qu)域320不覆(fu)(fu)蓋(gai)有還(huan)原層(ceng)(ceng)(ceng)306及(ji)(ji)源(yuan)極(ji)金(jin)(jin)(jin)屬(shu)層(ceng)(ceng)(ceng)305，即對(dui)(dui)應于源(yuan)極(ji)311與漏(lou)極(ji)308之(zhi)間的(de)(de)第二區(qu)域320裸露，而對(dui)(dui)應于漏(lou)極(ji)308及(ji)(ji)像素電(dian)極(ji)307的(de)(de)第三(san)區(qu)域330上僅覆(fu)(fu)蓋(gai)有還(huan)原層(ceng)(ceng)(ceng)306。

其中，如圖4所示，步驟S202進一步包括：

S2021：對金(jin)屬氧化物半導體層304、還原(yuan)層306和源極金(jin)屬層305的疊層結構進行(xing)整體圖案化處理。

采(cai)用(yong)半(ban)道光罩工藝對(dui)金(jin)(jin)屬(shu)氧(yang)化物半(ban)導(dao)體(ti)(ti)層(ceng)(ceng)(ceng)304、還原(yuan)層(ceng)(ceng)(ceng)306及(ji)源(yuan)極(ji)(ji)金(jin)(jin)屬(shu)層(ceng)(ceng)(ceng)305的疊(die)層(ceng)(ceng)(ceng)結構共同進行(xing)整體(ti)(ti)圖(tu)案化處理(li)，在本實(shi)施例中，采(cai)用(yong)銅(tong)酸(suan)及(ji)草(cao)酸(suan)作(zuo)為顯影液、利用(yong)半(ban)色(se)調(diao)掩(yan)膜、灰色(se)調(diao)掩(yan)膜或單狹縫掩(yan)膜對(dui)金(jin)(jin)屬(shu)氧(yang)化物半(ban)導(dao)體(ti)(ti)層(ceng)(ceng)(ceng)304、還原(yuan)層(ceng)(ceng)(ceng)306及(ji)源(yuan)極(ji)(ji)金(jin)(jin)屬(shu)層(ceng)(ceng)(ceng)305的疊(die)層(ceng)(ceng)(ceng)結構共同進行(xing)顯影蝕刻(ke)處理(li)，以將(jiang)金(jin)(jin)屬(shu)氧(yang)化物半(ban)導(dao)體(ti)(ti)層(ceng)(ceng)(ceng)304、還原(yuan)層(ceng)(ceng)(ceng)306和源(yuan)極(ji)(ji)金(jin)(jin)屬(shu)層(ceng)(ceng)(ceng)305的疊(die)層(ceng)(ceng)(ceng)結構中的其(qi)中一個端部去除。

S2022：對整體圖案(an)化處理后的金屬(shu)氧化物半導(dao)體層304、還(huan)原層306和源極金屬(shu)層305進行一(yi)次局部圖案(an)化處理。

采用半(ban)(ban)道光(guang)罩工(gong)藝對(dui)(dui)整(zheng)體(ti)圖(tu)案(an)(an)化(hua)(hua)處(chu)理(li)后(hou)的(de)(de)(de)金屬氧(yang)化(hua)(hua)物半(ban)(ban)導體(ti)層(ceng)(ceng)304、還(huan)(huan)原(yuan)層(ceng)(ceng)306和源(yuan)(yuan)極(ji)(ji)金屬層(ceng)(ceng)305進行一次局部圖(tu)案(an)(an)化(hua)(hua)處(chu)理(li)。在本(ben)實施例(li)中(zhong)，采用銅酸(suan)及鋁酸(suan)作為顯影液，利用半(ban)(ban)色調(diao)掩膜、灰(hui)色調(diao)掩膜或(huo)單狹(xia)縫掩膜對(dui)(dui)整(zheng)體(ti)圖(tu)案(an)(an)化(hua)(hua)處(chu)理(li)后(hou)的(de)(de)(de)金屬氧(yang)化(hua)(hua)物半(ban)(ban)導體(ti)層(ceng)(ceng)304、還(huan)(huan)原(yuan)層(ceng)(ceng)306和源(yuan)(yuan)極(ji)(ji)金屬層(ceng)(ceng)305進行一次局部顯影蝕刻處(chu)理(li)，以去除源(yuan)(yuan)極(ji)(ji)311與(yu)漏極(ji)(ji)308之間(jian)的(de)(de)(de)第二區(qu)(qu)域(yu)320上的(de)(de)(de)還(huan)(huan)原(yuan)層(ceng)(ceng)306及源(yuan)(yuan)極(ji)(ji)金屬層(ceng)(ceng)305，從而使得源(yuan)(yuan)極(ji)(ji)311與(yu)漏極(ji)(ji)308之間(jian)的(de)(de)(de)第二區(qu)(qu)域(yu)320上的(de)(de)(de)金屬氧(yang)化(hua)(hua)物半(ban)(ban)導體(ti)層(ceng)(ceng)304裸露，源(yuan)(yuan)極(ji)(ji)311對(dui)(dui)應(ying)的(de)(de)(de)第一區(qu)(qu)域(yu)310及漏極(ji)(ji)308與(yu)像(xiang)素電極(ji)(ji)307對(dui)(dui)應(ying)的(de)(de)(de)第三區(qu)(qu)域(yu)330上保留還(huan)(huan)原(yuan)層(ceng)(ceng)306及源(yuan)(yuan)極(ji)(ji)金屬層(ceng)(ceng)305的(de)(de)(de)疊層(ceng)(ceng)結構。

S2023：對一次局(ju)部(bu)圖(tu)案(an)化(hua)(hua)處(chu)理(li)后的金屬氧(yang)化(hua)(hua)物半(ban)導體(ti)層(ceng)(ceng)304、還原層(ceng)(ceng)306和源(yuan)極(ji)金屬層(ceng)(ceng)305進行(xing)二(er)次局(ju)部(bu)圖(tu)案(an)化(hua)(hua)處(chu)理(li)。

采(cai)用半(ban)(ban)(ban)道光(guang)罩工藝對一次(ci)局部(bu)圖案化(hua)處(chu)理(li)后的金(jin)屬(shu)氧化(hua)物半(ban)(ban)(ban)導體(ti)層(ceng)304、還原(yuan)層(ceng)306和源(yuan)極(ji)(ji)金(jin)屬(shu)層(ceng)305進(jin)行二(er)次(ci)局部(bu)圖案化(hua)處(chu)理(li)。在本實施例中，采(cai)用銅酸作為顯影液，利用半(ban)(ban)(ban)色調掩(yan)膜、灰色調掩(yan)膜或單(dan)狹縫掩(yan)膜對一次(ci)局部(bu)圖案化(hua)處(chu)理(li)后的金(jin)屬(shu)氧化(hua)物半(ban)(ban)(ban)導體(ti)層(ceng)304、還原(yuan)層(ceng)306和源(yuan)極(ji)(ji)金(jin)屬(shu)層(ceng)305進(jin)行二(er)次(ci)局部(bu)顯影蝕刻處(chu)理(li)，以去除漏極(ji)(ji)308及像素電極(ji)(ji)307對應的第三區域330上(shang)的源(yuan)極(ji)(ji)金(jin)屬(shu)層(ceng)305。

因此，通過多次半道光(guang)罩制程(cheng)對(dui)(dui)金屬氧化(hua)物半導體(ti)層(ceng)(ceng)(ceng)304、還(huan)原(yuan)層(ceng)(ceng)(ceng)306及(ji)源極(ji)(ji)金屬層(ceng)(ceng)(ceng)305進行圖(tu)案化(hua)處理，從而使得IGZO半導體(ti)層(ceng)(ceng)(ceng)304對(dui)(dui)應(ying)于(yu)源極(ji)(ji)311的第(di)一區域310上覆(fu)蓋有(you)Al還(huan)原(yuan)層(ceng)(ceng)(ceng)306和源極(ji)(ji)金屬層(ceng)(ceng)(ceng)305的疊層(ceng)(ceng)(ceng)結構，對(dui)(dui)應(ying)于(yu)源極(ji)(ji)311與漏極(ji)(ji)308之(zhi)間的第(di)二區域320上裸露，對(dui)(dui)應(ying)于(yu)漏極(ji)(ji)308和像素(su)電極(ji)(ji)307的第(di)三區域330上僅覆(fu)蓋有(you)Al還(huan)原(yuan)層(ceng)(ceng)(ceng)306。

S203：通過退火處(chu)理使得第一區域(yu)310及第三區域(yu)330上的還原(yuan)層306對金屬氧化物半(ban)導體層304進行還原(yuan)。

對(dui)(dui)經(jing)過(guo)二次局部圖案(an)化處(chu)理后的(de)(de)金(jin)(jin)(jin)屬(shu)(shu)氧化物(wu)半導(dao)(dao)(dao)體層(ceng)(ceng)(ceng)304、還原(yuan)(yuan)(yuan)層(ceng)(ceng)(ceng)306及(ji)源極金(jin)(jin)(jin)屬(shu)(shu)層(ceng)(ceng)(ceng)305進行退(tui)火處(chu)理，使得(de)(de)(de)第(di)(di)一(yi)區(qu)(qu)域(yu)310及(ji)第(di)(di)三區(qu)(qu)域(yu)330上(shang)的(de)(de)還原(yuan)(yuan)(yuan)層(ceng)(ceng)(ceng)306對(dui)(dui)金(jin)(jin)(jin)屬(shu)(shu)氧化物(wu)半導(dao)(dao)(dao)體層(ceng)(ceng)(ceng)304進行還原(yuan)(yuan)(yuan)，從(cong)而使得(de)(de)(de)第(di)(di)一(yi)區(qu)(qu)域(yu)310及(ji)第(di)(di)三區(qu)(qu)域(yu)330上(shang)的(de)(de)金(jin)(jin)(jin)屬(shu)(shu)氧化物(wu)半導(dao)(dao)(dao)體層(ceng)(ceng)(ceng)304形成(cheng)為(wei)(wei)導(dao)(dao)(dao)體。在本實施例中，由(you)于鋁還原(yuan)(yuan)(yuan)層(ceng)(ceng)(ceng)306的(de)(de)厚度約為(wei)(wei)50～100埃，其厚度較薄，并未在襯底基板(ban)300上(shang)形成(cheng)連續薄膜(mo)，不影響(xiang)陣列基板(ban)的(de)(de)透光性。因此，在退(tui)火處(chu)理中，通(tong)過(guo)對(dui)(dui)IGZO層(ceng)(ceng)(ceng)304、Al還原(yuan)(yuan)(yuan)層(ceng)(ceng)(ceng)306及(ji)源極金(jin)(jin)(jin)屬(shu)(shu)層(ceng)(ceng)(ceng)305進行加熱，并且控制加熱的(de)(de)時間及(ji)溫度，使得(de)(de)(de)還原(yuan)(yuan)(yuan)性鋁306對(dui)(dui)被覆蓋(gai)的(de)(de)第(di)(di)一(yi)區(qu)(qu)域(yu)310及(ji)第(di)(di)三區(qu)(qu)域(yu)330上(shang)的(de)(de)IGZO304進行金(jin)(jin)(jin)屬(shu)(shu)奪氧反應，從(cong)而使得(de)(de)(de)第(di)(di)一(yi)區(qu)(qu)域(yu)310及(ji)第(di)(di)三區(qu)(qu)域(yu)330上(shang)的(de)(de)IGZO由(you)于缺氧而增強導(dao)(dao)(dao)電(dian)性成(cheng)為(wei)(wei)導(dao)(dao)(dao)體。

在退火(huo)處(chu)理(li)后，第(di)(di)(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)區域(yu)(yu)310上(shang)形(xing)成(cheng)(cheng)(cheng)為第(di)(di)(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)導(dao)(dao)(dao)(dao)體(ti)(ti)309及源(yuan)(yuan)極(ji)金(jin)屬層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)305的(de)(de)(de)(de)疊層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)結構(gou)，第(di)(di)(di)(di)(di)(di)三(san)區域(yu)(yu)330形(xing)成(cheng)(cheng)(cheng)為第(di)(di)(di)(di)(di)(di)二(er)導(dao)(dao)(dao)(dao)體(ti)(ti)的(de)(de)(de)(de)單層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)結構(gou)，第(di)(di)(di)(di)(di)(di)二(er)區域(yu)(yu)320由于未被還原(yuan)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)306覆(fu)蓋，依舊為金(jin)屬氧化物半導(dao)(dao)(dao)(dao)體(ti)(ti)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)304，因此，經(jing)過(guo)退火(huo)處(chu)理(li)后，使(shi)得第(di)(di)(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)區域(yu)(yu)310上(shang)的(de)(de)(de)(de)源(yuan)(yuan)極(ji)金(jin)屬層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)305形(xing)成(cheng)(cheng)(cheng)為陣列(lie)基板30的(de)(de)(de)(de)源(yuan)(yuan)極(ji)311，并且(qie)，由于對應(ying)于第(di)(di)(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)區域(yu)(yu)310的(de)(de)(de)(de)金(jin)屬氧化物半導(dao)(dao)(dao)(dao)體(ti)(ti)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)304也導(dao)(dao)(dao)(dao)體(ti)(ti)化成(cheng)(cheng)(cheng)了導(dao)(dao)(dao)(dao)體(ti)(ti)，從而(er)提高了陣列(lie)基板30的(de)(de)(de)(de)遷移率(lv)。源(yuan)(yuan)極(ji)311及漏(lou)極(ji)308之(zhi)(zhi)間的(de)(de)(de)(de)第(di)(di)(di)(di)(di)(di)二(er)區域(yu)(yu)320保留下來的(de)(de)(de)(de)金(jin)屬氧化物半導(dao)(dao)(dao)(dao)體(ti)(ti)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)304形(xing)成(cheng)(cheng)(cheng)為陣列(lie)基板30的(de)(de)(de)(de)有源(yuan)(yuan)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)304，第(di)(di)(di)(di)(di)(di)三(san)區域(yu)(yu)330上(shang)的(de)(de)(de)(de)第(di)(di)(di)(di)(di)(di)二(er)導(dao)(dao)(dao)(dao)體(ti)(ti)形(xing)成(cheng)(cheng)(cheng)為陣列(lie)基板30的(de)(de)(de)(de)漏(lou)極(ji)308及像素電極(ji)307，從而(er)實現在有源(yuan)(yuan)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)IGZO304上(shang)直接(jie)制造漏(lou)極(ji)308及像素電極(ji)307，漏(lou)極(ji)308及像素電極(ji)307與有源(yuan)(yuan)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)304電連接(jie)，可減小像素電極(ji)307與有源(yuan)(yuan)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)304之(zhi)(zhi)間的(de)(de)(de)(de)接(jie)觸(chu)電阻。

因此，通(tong)過本(ben)實(shi)施例的(de)(de)制作(zuo)方法制得的(de)(de)陣列(lie)(lie)基板30包括襯(chen)底基板300、底柵電(dian)極(ji)(ji)(ji)302、源(yuan)極(ji)(ji)(ji)311、有(you)源(yuan)層(ceng)304、漏(lou)極(ji)(ji)(ji)308及(ji)像素電(dian)極(ji)(ji)(ji)307，其中漏(lou)極(ji)(ji)(ji)308及(ji)像素電(dian)極(ji)(ji)(ji)307與有(you)源(yuan)層(ceng)304同層(ceng)設置，并(bing)且由金屬(shu)氧化物半導體(ti)層(ceng)304經過退火處理形(xing)(xing)成(cheng)導體(ti)作(zuo)為(wei)像素電(dian)極(ji)(ji)(ji)307，從而本(ben)發明的(de)(de)陣列(lie)(lie)基板的(de)(de)制作(zuo)實(shi)現了減小(xiao)像素電(dian)極(ji)(ji)(ji)307與有(you)源(yuan)層(ceng)304之間的(de)(de)接觸電(dian)阻，并(bing)且通(tong)過一道光(guang)(guang)罩(zhao)工藝直接在金屬(shu)氧化物半導體(ti)層(ceng)304上形(xing)(xing)成(cheng)有(you)源(yuan)層(ceng)304、像素電(dian)極(ji)(ji)(ji)307及(ji)漏(lou)極(ji)(ji)(ji)，可減小(xiao)光(guang)(guang)罩(zhao)次數，簡(jian)化生產制程。

請進(jin)一(yi)步參看(kan)圖(tu)(tu)5，圖(tu)(tu)5是(shi)圖(tu)(tu)1中(zhong)(zhong)的陣列基板通過(guo)等離子摻(chan)雜處(chu)理(li)對(dui)(dui)(dui)金(jin)屬氧(yang)化(hua)(hua)物半(ban)(ban)導(dao)體(ti)(ti)層304的一(yi)部分進(jin)行(xing)(xing)導(dao)體(ti)(ti)化(hua)(hua)處(chu)理(li)的流(liu)程示(shi)意圖(tu)(tu)。其中(zhong)(zhong)，圖(tu)(tu)5是(shi)通過(guo)等離子摻(chan)雜處(chu)理(li)對(dui)(dui)(dui)步驟S103中(zhong)(zhong)對(dui)(dui)(dui)金(jin)屬氧(yang)化(hua)(hua)物半(ban)(ban)導(dao)體(ti)(ti)層304及源極金(jin)屬層305進(jin)行(xing)(xing)圖(tu)(tu)案化(hua)(hua)處(chu)理(li)，并對(dui)(dui)(dui)經過(guo)圖(tu)(tu)案化(hua)(hua)處(chu)理(li)后的金(jin)屬氧(yang)化(hua)(hua)物半(ban)(ban)導(dao)體(ti)(ti)層304的一(yi)部分進(jin)行(xing)(xing)導(dao)體(ti)(ti)化(hua)(hua)處(chu)理(li)的具(ju)體(ti)(ti)過(guo)程的詳細說明(ming)。如(ru)圖(tu)(tu)5所示(shi)，進(jin)行(xing)(xing)導(dao)體(ti)(ti)化(hua)(hua)處(chu)理(li)的具(ju)體(ti)(ti)過(guo)程進(jin)一(yi)步包(bao)括：

S501：對金屬(shu)氧(yang)化物半(ban)導體層304和源極(ji)金屬(shu)層305進行整(zheng)體圖案(an)化處理。

請(qing)結(jie)合圖6所示，圖6為采用圖5的(de)(de)(de)方(fang)法制造底(di)柵(zha)(zha)(zha)結(jie)構的(de)(de)(de)陣列基板(ban)(ban)(ban)的(de)(de)(de)場景示意圖，其中相同(tong)的(de)(de)(de)元件(jian)與圖3實施例(li)的(de)(de)(de)標(biao)號相同(tong)。在本實施例(li)中，在形(xing)成(cheng)有(you)底(di)柵(zha)(zha)(zha)電極(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)302的(de)(de)(de)襯(chen)底(di)基板(ban)(ban)(ban)300上(shang)(shang)(shang)依次沉積金(jin)屬氧化物(wu)半(ban)導(dao)體(ti)層(ceng)(ceng)304及源(yuan)極(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)金(jin)屬層(ceng)(ceng)305，其中，底(di)柵(zha)(zha)(zha)電極(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)302形(xing)成(cheng)于設(she)置有(you)緩沖(chong)層(ceng)(ceng)301的(de)(de)(de)襯(chen)底(di)基板(ban)(ban)(ban)300上(shang)(shang)(shang)，并(bing)且，底(di)柵(zha)(zha)(zha)電極(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)302上(shang)(shang)(shang)方(fang)還覆蓋有(you)柵(zha)(zha)(zha)極(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)絕(jue)(jue)緣(yuan)層(ceng)(ceng)303，金(jin)屬氧化物(wu)半(ban)導(dao)體(ti)層(ceng)(ceng)304及源(yuan)極(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)金(jin)屬層(ceng)(ceng)305依次沉積于柵(zha)(zha)(zha)極(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)絕(jue)(jue)緣(yuan)層(ceng)(ceng)303上(shang)(shang)(shang)。可選地，柵(zha)(zha)(zha)極(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)金(jin)屬層(ceng)(ceng)及源(yuan)極(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)金(jin)屬層(ceng)(ceng)305的(de)(de)(de)材(cai)料(liao)均(jun)為MoCu(銅(tong)化鉬)，柵(zha)(zha)(zha)極(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)絕(jue)(jue)緣(yuan)層(ceng)(ceng)303的(de)(de)(de)材(cai)料(liao)為氧化硅(gui)，金(jin)屬氧化物(wu)半(ban)導(dao)體(ti)層(ceng)(ceng)304的(de)(de)(de)材(cai)料(liao)為IGZO。

通過(guo)半道光(guang)罩工藝對(dui)金(jin)(jin)屬氧化(hua)物半導(dao)體(ti)層(ceng)(ceng)(ceng)304和源極金(jin)(jin)屬層(ceng)(ceng)(ceng)305進行整體(ti)圖(tu)案化(hua)處理，即使用銅酸及草酸作為顯(xian)影液，采用半色調(diao)掩膜、灰色調(diao)掩膜或單狹縫掩膜對(dui)金(jin)(jin)屬氧化(hua)物半導(dao)體(ti)層(ceng)(ceng)(ceng)304和源極金(jin)(jin)屬層(ceng)(ceng)(ceng)305的(de)疊層(ceng)(ceng)(ceng)結構(gou)共同進行顯(xian)影蝕刻處理，以將(jiang)金(jin)(jin)屬氧化(hua)物半導(dao)體(ti)層(ceng)(ceng)(ceng)304和源極金(jin)(jin)屬層(ceng)(ceng)(ceng)305的(de)疊層(ceng)(ceng)(ceng)結構(gou)中(zhong)的(de)其中(zhong)一個端(duan)部(bu)去除。

S502：在(zai)整體圖案化處(chu)理(li)后(hou)的金(jin)屬(shu)氧化物(wu)半導(dao)體層(ceng)304上對漏極(ji)308和像素電極(ji)307的對應區域的金(jin)屬(shu)氧化物(wu)半導(dao)體層(ceng)304進行等離子摻雜處(chu)理(li)。

其中，如圖7所示(shi)，步驟S502進一步包括：

S5021：在整體圖案化處理(li)后(hou)的金屬(shu)氧化物半導體層(ceng)(ceng)304和(he)源極(ji)金屬(shu)層(ceng)(ceng)305上形成(cheng)光阻(zu)層(ceng)(ceng)313。

結(jie)合圖(tu)(tu)6所示，在(zai)通(tong)過(guo)半道(dao)光(guang)(guang)罩工藝(yi)對(dui)金(jin)屬(shu)氧(yang)(yang)化(hua)物半導體(ti)層304和(he)源極金(jin)屬(shu)層305進行整體(ti)圖(tu)(tu)案化(hua)處理之(zhi)后，在(zai)金(jin)屬(shu)氧(yang)(yang)化(hua)物半導體(ti)層304及源極金(jin)屬(shu)層305上形成(cheng)光(guang)(guang)阻(zu)層313，其中光(guang)(guang)阻(zu)層313在(zai)金(jin)屬(shu)氧(yang)(yang)化(hua)物半導體(ti)層304的(de)(de)(de)對(dui)應于源極的(de)(de)(de)第(di)一(yi)區(qu)域310的(de)(de)(de)厚度(du)(du)(du)(du)(du)(du)為(wei)第(di)一(yi)厚度(du)(du)(du)(du)(du)(du)，在(zai)對(dui)應于源極與漏極之(zhi)間的(de)(de)(de)第(di)二(er)區(qu)域320的(de)(de)(de)厚度(du)(du)(du)(du)(du)(du)為(wei)第(di)二(er)厚度(du)(du)(du)(du)(du)(du)，在(zai)對(dui)應于漏極和(he)像素電極的(de)(de)(de)第(di)三(san)(san)區(qu)域330的(de)(de)(de)厚度(du)(du)(du)(du)(du)(du)為(wei)第(di)三(san)(san)厚度(du)(du)(du)(du)(du)(du)，第(di)一(yi)厚度(du)(du)(du)(du)(du)(du)大于第(di)二(er)厚度(du)(du)(du)(du)(du)(du)，第(di)二(er)厚度(du)(du)(du)(du)(du)(du)大于第(di)三(san)(san)厚度(du)(du)(du)(du)(du)(du)。

S5022：對金屬氧(yang)化物半導體層304、源極金屬層305及光阻層313進(jin)行一次蝕(shi)刻。

對(dui)金(jin)屬(shu)氧(yang)(yang)化(hua)物(wu)半(ban)導體層(ceng)(ceng)(ceng)304、源極(ji)(ji)(ji)金(jin)屬(shu)層(ceng)(ceng)(ceng)305及光阻層(ceng)(ceng)(ceng)313進行一(yi)次蝕(shi)刻(ke)，以去除對(dui)應于(yu)漏極(ji)(ji)(ji)308和(he)像素(su)電極(ji)(ji)(ji)307的(de)(de)第三區(qu)域(yu)(yu)330上(shang)的(de)(de)光阻層(ceng)(ceng)(ceng)313和(he)源極(ji)(ji)(ji)金(jin)屬(shu)層(ceng)(ceng)(ceng)305，從而使(shi)得第三區(qu)域(yu)(yu)330上(shang)的(de)(de)金(jin)屬(shu)氧(yang)(yang)化(hua)物(wu)半(ban)導體層(ceng)(ceng)(ceng)304外露(lu)，并且(qie)對(dui)應于(yu)源極(ji)(ji)(ji)的(de)(de)第一(yi)區(qu)域(yu)(yu)310和(he)對(dui)應于(yu)源極(ji)(ji)(ji)與漏極(ji)(ji)(ji)之(zhi)間(jian)的(de)(de)第二區(qu)域(yu)(yu)320上(shang)的(de)(de)光阻層(ceng)(ceng)(ceng)313部分保(bao)留。

S5023：對經過一次蝕(shi)刻之后的第三區域上的金屬氧化物(wu)半導體層304進行等(deng)離子摻(chan)雜處(chu)理。

對一次蝕刻后對應于漏極308及像素電極307的第三區域330上的金屬氧化物半導體層304進行等離子摻雜處理，在本實施例中，采用NH₃(氨氣)、N₂(氮氣)或H₂(氫氣)對外露的金(jin)屬(shu)氧(yang)化(hua)物(wu)半導(dao)(dao)體304進(jin)行離(li)子(zi)摻(chan)雜處理(li)，以(yi)將漏(lou)極308和(he)像素電(dian)(dian)極307的對應區域的金(jin)屬(shu)氧(yang)化(hua)物(wu)半導(dao)(dao)體層304導(dao)(dao)體化(hua)以(yi)形成漏(lou)極308及像素電(dian)(dian)極307。

S5024：對源(yuan)極金屬層(ceng)305及光阻層(ceng)313進行二(er)次蝕刻。

通過半道(dao)光(guang)罩工(gong)藝對余(yu)下的(de)(de)(de)源(yuan)極金屬層(ceng)305及(ji)光(guang)阻層(ceng)313進(jin)行圖案化處(chu)理。在本(ben)實施(shi)例中，采用銅(tong)酸液，通過半色調掩膜、灰色調掩膜或單狹(xia)縫掩膜對源(yuan)極311對應的(de)(de)(de)第(di)一區(qu)域(yu)310及(ji)源(yuan)極311與漏(lou)極308之間的(de)(de)(de)第(di)二(er)區(qu)域(yu)上的(de)(de)(de)源(yuan)極金屬層(ceng)305及(ji)光(guang)阻層(ceng)313進(jin)行顯影蝕刻處(chu)理，以(yi)將(jiang)源(yuan)極311及(ji)漏(lou)極308之間的(de)(de)(de)第(di)二(er)區(qu)域(yu)320上的(de)(de)(de)光(guang)阻層(ceng)313及(ji)源(yuan)極金屬層(ceng)305去除，并(bing)且保留對應于源(yuan)極的(de)(de)(de)第(di)一區(qu)域(yu)310上的(de)(de)(de)光(guang)阻層(ceng)313。

S5025：剝離第一區(qu)域(yu)上(shang)的光阻層313。

剝離對應于源(yuan)極的第一區域310上的光阻層(ceng)(ceng)313，從(cong)而使得源(yuan)極金屬層(ceng)(ceng)305外(wai)露形成為源(yuan)極311。

綜上(shang)所述，區別于現有(you)技術(shu)，本發明通(tong)過在(zai)襯底基(ji)材上(shang)依(yi)次沉積金(jin)(jin)屬(shu)氧(yang)(yang)化(hua)(hua)物(wu)半(ban)導(dao)體(ti)層(ceng)及源(yuan)極(ji)(ji)(ji)金(jin)(jin)屬(shu)層(ceng)，并(bing)對(dui)金(jin)(jin)屬(shu)氧(yang)(yang)化(hua)(hua)物(wu)半(ban)導(dao)體(ti)層(ceng)及源(yuan)極(ji)(ji)(ji)金(jin)(jin)屬(shu)層(ceng)進行圖案化(hua)(hua)處理后進一步對(dui)金(jin)(jin)屬(shu)氧(yang)(yang)化(hua)(hua)物(wu)半(ban)導(dao)體(ti)層(ceng)部分(fen)進行導(dao)體(ti)化(hua)(hua)處理，以使得部分(fen)金(jin)(jin)屬(shu)氧(yang)(yang)化(hua)(hua)物(wu)半(ban)導(dao)體(ti)層(ceng)導(dao)體(ti)化(hua)(hua)后形成陣列基(ji)板的(de)像(xiang)素電(dian)(dian)極(ji)(ji)(ji)，從而(er)實(shi)現使得像(xiang)素電(dian)(dian)極(ji)(ji)(ji)與(yu)有(you)源(yuan)層(ceng)同層(ceng)設置且電(dian)(dian)連(lian)接(jie)，減小(xiao)像(xiang)素電(dian)(dian)極(ji)(ji)(ji)與(yu)有(you)源(yuan)層(ceng)之間的(de)接(jie)觸電(dian)(dian)阻，并(bing)且可以通(tong)過一次光罩工藝直接(jie)金(jin)(jin)屬(shu)氧(yang)(yang)化(hua)(hua)物(wu)半(ban)導(dao)體(ti)上(shang)形成像(xiang)素電(dian)(dian)極(ji)(ji)(ji)與(yu)漏極(ji)(ji)(ji)，可簡化(hua)(hua)制程。

以上所述僅為本(ben)(ben)(ben)發明(ming)的(de)(de)實施例，并非因(yin)此限制本(ben)(ben)(ben)發明(ming)的(de)(de)專利范圍，凡(fan)是利用本(ben)(ben)(ben)發明(ming)說明(ming)書及附(fu)圖內容所作的(de)(de)等(deng)效結構(gou)或等(deng)效流(liu)程變換，或直(zhi)接或間接運(yun)用在其他相關的(de)(de)技術領(ling)域，均同理(li)包(bao)括在本(ben)(ben)(ben)發明(ming)的(de)(de)專利保護范圍內。