本發明屬于一種低阻硅片和高阻硅片鍵合制造方法，適用于降低開關二極管的結電容。

背景技術：

半導體集成電路的工作頻率不斷提升，對于作為電子開關的開關二極管提出了更高要求，開關二極管的電容在高頻電路中不容忽視，電容過高，會造成信號損失，產生噪音，近年來不斷地對高頻電路中的開關二極管的電容提出了更高的要求，目前開關二極管制造工藝主要是在外延片上制造，通過加大外延層電阻率的方式降低結電容已經到達了極限，由于外延工藝過程中摻雜成分的擴散性，很難在電阻率低于0.01Ω.㎝的低阻單晶硅上生長出電阻率大于300Ω.㎝的高阻單晶硅，本發明是通過目前成熟的硅硅鍵合工藝，在電阻率小于0.01Ω.㎝的低阻單晶硅層上鍵合30-70微米厚度，電阻率大于1000Ω.㎝的高阻單晶硅層，用此結構硅片制造的開關二極管，擁有更低的結電容，結電容降低20%以上。

技術實現要素：

1、一種降低開關二極管結電容的鍵合結構，其結構包括：在低阻硅層（101）上是一層高阻硅層（102），低阻硅層電阻率小于0.01Ω.㎝，高阻硅層電阻率大于1000Ω.㎝，高阻硅層厚度（301）范圍是30-70微米。

2、一種降低開關二極管結電容的鍵合硅片的制造方法，其方法包括：

A、對鍵合前的低阻硅片（101）和高阻硅片（102）進行表面拋光，清洗及甩干；

B、將低阻硅片（101）和高阻硅片（102）的拋光表面緊密結合在一起，通過鍵合工藝鍵合在一起；

C、對高阻硅層（102）進行減薄，倒角及拋光。

附圖說明

圖1是鍵合工藝前的低阻硅片和高阻硅片；

圖2是鍵合工藝后的低阻硅片和高阻硅片結構；

圖3是減薄、倒角及拋光后的低阻硅層和高阻硅層結構。

編號說明：

101：低阻單晶硅，電阻率小于0.01Ω.㎝；

102：高阻單晶硅，電阻率大于1000Ω.㎝；

201：低阻單晶硅和高阻單晶硅的鍵合表面；

301：減薄拋光后的高阻單晶硅的厚度范圍30-70微米。

具體實施方式

1．鍵合前的低阻硅片（101）和高阻硅片（102）準備，如圖1，硅片需要經過表面拋光，清洗及甩干，低阻硅片電阻率小于0.01Ω.㎝，高阻硅片電阻率大于1000Ω.㎝，清洗甩干后立即放入鍵合機，防止表面再次產生自然氧化層，影響鍵合表面（201）。

2．通過鍵合工藝，將低阻硅片和高阻硅片緊密結合在一起，如圖2，低阻硅片拋光面和高阻硅片拋光面接觸。

3．減薄，倒角及拋光，如圖3，根據使用需求，高阻硅層的厚度（301），表面平坦度等，對高阻硅片進行減薄，倒角及拋光，留下來的高阻硅層厚度范圍30-70微米，低阻硅層的目的是將來硅片背面作為開關二極管的一個電極，高阻硅層能夠降低開關二極管結電容，倒角在降低碎片率方面十分有效。

通過上述實施例闡述了本發明，同時也可以采用其它實施例實現本發明，本發明不局限于上述具體實施例，因此本發明由所附權利要求范圍限定。