技術領域

本公開大體上涉(she)及改進(jin)的(de)半導體存儲器件(jian)和(he)制造(zao)這種(zhong)器件(jian)的(de)方(fang)法。

相關技術

存(cun)(cun)(cun)儲(chu)(chu)(chu)(chu)(chu)(chu)器(qi)(qi)(qi)件(jian)(jian)的(de)(de)(de)(de)(de)存(cun)(cun)(cun)儲(chu)(chu)(chu)(chu)(chu)(chu)容量取決(jue)于包(bao)括在存(cun)(cun)(cun)儲(chu)(chu)(chu)(chu)(chu)(chu)器(qi)(qi)(qi)件(jian)(jian)中的(de)(de)(de)(de)(de)存(cun)(cun)(cun)儲(chu)(chu)(chu)(chu)(chu)(chu)單元(yuan)的(de)(de)(de)(de)(de)數量，而(er)存(cun)(cun)(cun)儲(chu)(chu)(chu)(chu)(chu)(chu)器(qi)(qi)(qi)件(jian)(jian)的(de)(de)(de)(de)(de)物(wu)理尺寸(cun)取決(jue)于存(cun)(cun)(cun)儲(chu)(chu)(chu)(chu)(chu)(chu)單元(yuan)彼(bi)此(ci)的(de)(de)(de)(de)(de)接近程度。通常期(qi)望增加(jia)存(cun)(cun)(cun)儲(chu)(chu)(chu)(chu)(chu)(chu)器(qi)(qi)(qi)件(jian)(jian)的(de)(de)(de)(de)(de)存(cun)(cun)(cun)儲(chu)(chu)(chu)(chu)(chu)(chu)容量同(tong)時保持存(cun)(cun)(cun)儲(chu)(chu)(chu)(chu)(chu)(chu)器(qi)(qi)(qi)件(jian)(jian)的(de)(de)(de)(de)(de)物(wu)理尺寸(cun)不(bu)變，或者減小(xiao)存(cun)(cun)(cun)儲(chu)(chu)(chu)(chu)(chu)(chu)器(qi)(qi)(qi)件(jian)(jian)的(de)(de)(de)(de)(de)物(wu)理尺寸(cun)同(tong)時保持存(cun)(cun)(cun)儲(chu)(chu)(chu)(chu)(chu)(chu)器(qi)(qi)(qi)件(jian)(jian)的(de)(de)(de)(de)(de)存(cun)(cun)(cun)儲(chu)(chu)(chu)(chu)(chu)(chu)容量不(bu)變。這(zhe)兩種情況中的(de)(de)(de)(de)(de)任一(yi)個可通過最小(xiao)化存(cun)(cun)(cun)儲(chu)(chu)(chu)(chu)(chu)(chu)器(qi)(qi)(qi)陣列中相(xiang)鄰(lin)的(de)(de)(de)(de)(de)存(cun)(cun)(cun)儲(chu)(chu)(chu)(chu)(chu)(chu)單元(yuan)之間(jian)(jian)的(de)(de)(de)(de)(de)間(jian)(jian)隔，而(er)同(tong)時為電觸(chu)點提(ti)供足夠的(de)(de)(de)(de)(de)間(jian)(jian)隔并(bing)保持相(xiang)鄰(lin)的(de)(de)(de)(de)(de)存(cun)(cun)(cun)儲(chu)(chu)(chu)(chu)(chu)(chu)單元(yuan)與電觸(chu)點之間(jian)(jian)的(de)(de)(de)(de)(de)需要的(de)(de)(de)(de)(de)電氣隔離來實現(xian)。然(ran)而(er)，相(xiang)鄰(lin)存(cun)(cun)(cun)儲(chu)(chu)(chu)(chu)(chu)(chu)單元(yuan)之間(jian)(jian)的(de)(de)(de)(de)(de)間(jian)(jian)隔由存(cun)(cun)(cun)儲(chu)(chu)(chu)(chu)(chu)(chu)單元(yuan)的(de)(de)(de)(de)(de)柵(zha)極的(de)(de)(de)(de)(de)縱(zong)橫(heng)比(bi)限制。相(xiang)鄰(lin)柵(zha)極的(de)(de)(de)(de)(de)縱(zong)橫(heng)比(bi)越(yue)低，柵(zha)極可彼(bi)此(ci)越(yue)接近。

需(xu)要的(de)(de)(de)是(shi)半導(dao)(dao)體器(qi)件(jian)和用于制造它們的(de)(de)(de)方法，導(dao)(dao)致(zhi)存儲單(dan)元具有相(xiang)對低的(de)(de)(de)縱橫比的(de)(de)(de)柵極，使得(de)可最(zui)小化相(xiang)鄰單(dan)元之間(jian)的(de)(de)(de)間(jian)隔(ge)，同時保持柵極與觸點之間(jian)的(de)(de)(de)需(xu)要的(de)(de)(de)電氣(qi)隔(ge)離(li)。

概述

根據(ju)(ju)各種實(shi)施方(fang)式(shi)，描(miao)述了一種制造集成(cheng)電(dian)(dian)路(lu)器件(jian)的(de)方(fang)法及其產生的(de)結構(gou)。根據(ju)(ju)示(shi)例方(fang)法，在襯底上形(xing)成(cheng)介(jie)電(dian)(dian)層并(bing)且在介(jie)電(dian)(dian)層上形(xing)成(cheng)柵(zha)極(ji)(ji)堆(dui)疊。柵(zha)極(ji)(ji)堆(dui)疊可(ke)包(bao)括(kuo)第一柵(zha)極(ji)(ji)導(dao)(dao)體(ti)以(yi)及在第一柵(zha)極(ji)(ji)導(dao)(dao)體(ti)和介(jie)電(dian)(dian)層之(zhi)間(jian)(jian)的(de)柵(zha)極(ji)(ji)介(jie)電(dian)(dian)結構(gou)。柵(zha)極(ji)(ji)介(jie)電(dian)(dian)結構(gou)可(ke)包(bao)括(kuo)兩個或更(geng)多個以(yi)交(jiao)替(ti)方(fang)式(shi)布置的(de)介(jie)電(dian)(dian)薄膜(mo)。柵(zha)極(ji)(ji)間(jian)(jian)介(jie)電(dian)(dian)結構(gou)可(ke)在柵(zha)極(ji)(ji)堆(dui)疊的(de)側壁處(chu)形(xing)成(cheng)，其中柵(zha)極(ji)(ji)間(jian)(jian)介(jie)電(dian)(dian)結構(gou)可(ke)包(bao)括(kuo)兩個或更(geng)多個以(yi)交(jiao)替(ti)方(fang)式(shi)布置的(de)介(jie)電(dian)(dian)薄膜(mo)。可(ke)鄰(lin)近柵(zha)極(ji)(ji)間(jian)(jian)介(jie)電(dian)(dian)結構(gou)并(bing)在介(jie)電(dian)(dian)層上形(xing)成(cheng)L形(xing)第二(er)柵(zha)極(ji)(ji)導(dao)(dao)體(ti)。

還描述了一種半導(dao)體器件(jian)。半導(dao)體器件(jian)可(ke)包(bao)括襯底、襯底上的介(jie)電(dian)層、第一柵(zha)(zha)(zha)(zha)(zha)極(ji)(ji)(ji)導(dao)體、柵(zha)(zha)(zha)(zha)(zha)極(ji)(ji)(ji)間(jian)(jian)(jian)介(jie)電(dian)結(jie)構(gou)(gou)和第二(er)柵(zha)(zha)(zha)(zha)(zha)極(ji)(ji)(ji)導(dao)體。柵(zha)(zha)(zha)(zha)(zha)極(ji)(ji)(ji)介(jie)電(dian)結(jie)構(gou)(gou)可(ke)設置(zhi)在第一柵(zha)(zha)(zha)(zha)(zha)極(ji)(ji)(ji)導(dao)體和介(jie)電(dian)層之(zhi)間(jian)(jian)(jian)，并且(qie)(qie)可(ke)包(bao)括兩(liang)個(ge)(ge)或更(geng)多(duo)個(ge)(ge)以(yi)交(jiao)替方(fang)(fang)式布置(zhi)的介(jie)電(dian)薄(bo)(bo)膜。柵(zha)(zha)(zha)(zha)(zha)極(ji)(ji)(ji)間(jian)(jian)(jian)介(jie)電(dian)結(jie)構(gou)(gou)可(ke)設置(zhi)在第一柵(zha)(zha)(zha)(zha)(zha)極(ji)(ji)(ji)導(dao)體和第二(er)柵(zha)(zha)(zha)(zha)(zha)極(ji)(ji)(ji)導(dao)體之(zhi)間(jian)(jian)(jian)，并且(qie)(qie)可(ke)包(bao)括兩(liang)個(ge)(ge)或更(geng)多(duo)個(ge)(ge)以(yi)交(jiao)替方(fang)(fang)式布置(zhi)的介(jie)電(dian)薄(bo)(bo)膜。第二(er)柵(zha)(zha)(zha)(zha)(zha)極(ji)(ji)(ji)導(dao)體可(ke)形(xing)(xing)成為L形(xing)(xing)，使得第二(er)柵(zha)(zha)(zha)(zha)(zha)極(ji)(ji)(ji)具有上述相對低的縱橫比，其(qi)允許減小相鄰柵(zha)(zha)(zha)(zha)(zha)極(ji)(ji)(ji)之(zhi)間(jian)(jian)(jian)的間(jian)(jian)(jian)隔，同時保持柵(zha)(zha)(zha)(zha)(zha)極(ji)(ji)(ji)與可(ke)后續形(xing)(xing)成的觸點之(zhi)間(jian)(jian)(jian)的需(xu)要的電(dian)氣隔離(li)。

本(ben)發明(ming)的(de)(de)(de)另外(wai)的(de)(de)(de)特征(zheng)和優點以(yi)及(ji)本(ben)發明(ming)的(de)(de)(de)各種實(shi)施方式(shi)的(de)(de)(de)結構和操作(zuo)在(zai)下文(wen)參照(zhao)附圖詳細地(di)描(miao)述。應注意，本(ben)發明(ming)不局限于(yu)本(ben)文(wen)描(miao)述的(de)(de)(de)特定的(de)(de)(de)實(shi)施方式(shi)。本(ben)文(wen)提出的(de)(de)(de)這些實(shi)施方式(shi)僅用(yong)于(yu)例(li)證目的(de)(de)(de)。基于(yu)本(ben)文(wen)中包(bao)含的(de)(de)(de)教(jiao)導，另外(wai)的(de)(de)(de)實(shi)施方式(shi)對(dui)于(yu)相(xiang)關領域的(de)(de)(de)技術(shu)人(ren)員將變得明(ming)顯。

附圖簡述

現在將(jiang)參(can)考(kao)所附(fu)示意圖(tu)僅以示例的(de)(de)方(fang)式(shi)(shi)描(miao)述本(ben)(ben)(ben)發(fa)明的(de)(de)實施方(fang)式(shi)(shi)，其中(zhong)相(xiang)應(ying)的(de)(de)參(can)考(kao)符號指示相(xiang)應(ying)的(de)(de)部(bu)分(fen)。此外，此處(chu)被并(bing)入本(ben)(ben)(ben)文且形成(cheng)說明書的(de)(de)一部(bu)分(fen)的(de)(de)附(fu)圖(tu)示出了本(ben)(ben)(ben)發(fa)明的(de)(de)實施方(fang)式(shi)(shi)，并(bing)連同描(miao)述一起進一步(bu)地用來解釋(shi)本(ben)(ben)(ben)發(fa)明的(de)(de)原理(li)，并(bing)使得相(xiang)關(guan)領(ling)域的(de)(de)技(ji)術人員能(neng)夠(gou)開發(fa)并(bing)使用本(ben)(ben)(ben)發(fa)明。

圖1描繪根據各種實施方式的分(fen)柵存(cun)儲單元的橫截面。

圖2示出根據各種(zhong)實施方(fang)式的存儲(chu)器(qi)陣列中的多個常(chang)規分柵存儲(chu)單(dan)元(yuan)。

圖3-9示(shi)出(chu)根據各種實施方式的(de)(de)半導體器件在其制造期間在不同的(de)(de)時刻處的(de)(de)橫截面(mian)。

圖(tu)10示出根據(ju)各種(zhong)實施(shi)方式的存(cun)儲器陣列中的多個分柵存(cun)儲單元。

圖(tu)11是根(gen)據各種(zhong)實施方(fang)式(shi)描繪了一種(zhong)制造半導體器(qi)件的(de)方(fang)法的(de)流程圖(tu)。

本(ben)發明(ming)的實施(shi)方(fang)式的特征和優點從下文結合附圖所闡述的詳(xiang)細描(miao)述中將變(bian)得更(geng)明(ming)顯(xian)。在附圖中，相(xiang)同(tong)的參考數字(zi)一般(ban)指(zhi)示(shi)相(xiang)同(tong)的、功能類(lei)似的、和/或結構類(lei)似的元件。

詳細描述

該說明(ming)書公開了包含本(ben)(ben)發(fa)明(ming)的(de)(de)(de)特(te)征的(de)(de)(de)一個或(huo)多個實(shi)(shi)(shi)施方(fang)式(shi)(shi)。所公開的(de)(de)(de)實(shi)(shi)(shi)施方(fang)式(shi)(shi)僅(jin)僅(jin)舉(ju)例證明(ming)本(ben)(ben)發(fa)明(ming)。本(ben)(ben)發(fa)明(ming)的(de)(de)(de)范圍不限(xian)制(zhi)于所公開的(de)(de)(de)實(shi)(shi)(shi)施方(fang)式(shi)(shi)。本(ben)(ben)發(fa)明(ming)由本(ben)(ben)文所附的(de)(de)(de)權利(li)要求限(xian)定。

所描(miao)述(shu)的(de)實(shi)施(shi)方(fang)(fang)(fang)式(shi)(shi)和說明書中對“一個實(shi)施(shi)方(fang)(fang)(fang)式(shi)(shi)”、“實(shi)施(shi)方(fang)(fang)(fang)式(shi)(shi)”、“示例實(shi)施(shi)方(fang)(fang)(fang)式(shi)(shi)”等的(de)引用(yong)指示所描(miao)述(shu)的(de)實(shi)施(shi)方(fang)(fang)(fang)式(shi)(shi)可包(bao)括(kuo)特(te)(te)定(ding)特(te)(te)征、結構或特(te)(te)性(xing)，但可能不是每個實(shi)施(shi)方(fang)(fang)(fang)式(shi)(shi)都必須包(bao)括(kuo)特(te)(te)定(ding)特(te)(te)征、結構或特(te)(te)性(xing)。而且，這些短語并不一定(ding)指的(de)是同一個實(shi)施(shi)方(fang)(fang)(fang)式(shi)(shi)。此外，當特(te)(te)定(ding)特(te)(te)征、結構或特(te)(te)性(xing)與(yu)(yu)實(shi)施(shi)方(fang)(fang)(fang)式(shi)(shi)相聯系進行描(miao)述(shu)時，應理(li)解，不管(guan)有(you)沒有(you)明確描(miao)述(shu)，與(yu)(yu)其他(ta)實(shi)施(shi)方(fang)(fang)(fang)式(shi)(shi)相聯系而實(shi)現這些特(te)(te)征、結構或特(te)(te)性(xing)將落(luo)入(ru)本領域的(de)技術人員的(de)常識內。

根據某些實施(shi)方(fang)式(shi)，在(zai)蝕刻(ke)(ke)材(cai)(cai)料(liao)(liao)時，在(zai)蝕刻(ke)(ke)工(gong)藝(yi)完成(cheng)后，材(cai)(cai)料(liao)(liao)的至少一部分(fen)仍然保持在(zai)后面。與之相反，當去除(chu)材(cai)(cai)料(liao)(liao)時，所(suo)有或基本上所(suo)有的材(cai)(cai)料(liao)(liao)都在(zai)去除(chu)過程中被去除(chu)。

在本文所包含的教導(dao)中，提及(ji)了在其上(shang)制造(zao)器件的襯(chen)底(di)(di)的各個(ge)區(qu)(qu)(qu)(qu)(qu)(qu)域(yu)(yu)(yu)。應(ying)(ying)該(gai)明白，這些區(qu)(qu)(qu)(qu)(qu)(qu)域(yu)(yu)(yu)可能存在于(yu)襯(chen)底(di)(di)上(shang)的任何地方，此(ci)外該(gai)區(qu)(qu)(qu)(qu)(qu)(qu)域(yu)(yu)(yu)可能不是(shi)相互排斥的。也(ye)就是(shi)說，在一(yi)些實施方式(shi)中，一(yi)個(ge)或多個(ge)區(qu)(qu)(qu)(qu)(qu)(qu)域(yu)(yu)(yu)的部(bu)分可重疊。應(ying)(ying)當理解，任何數量的區(qu)(qu)(qu)(qu)(qu)(qu)域(yu)(yu)(yu)可存在于(yu)襯(chen)底(di)(di)上(shang)并(bing)(bing)且可指定(ding)具有某些類型的器件或材料(liao)的區(qu)(qu)(qu)(qu)(qu)(qu)域(yu)(yu)(yu)。通常，區(qu)(qu)(qu)(qu)(qu)(qu)域(yu)(yu)(yu)用于(yu)方便(bian)地描述(shu)(shu)襯(chen)底(di)(di)的包括(kuo)類似(si)器件的區(qu)(qu)(qu)(qu)(qu)(qu)域(yu)(yu)(yu)，并(bing)(bing)且不應(ying)(ying)限制所描述(shu)(shu)的實施方式(shi)的范圍或精(jing)神。

在實施(shi)方(fang)式(shi)中(zhong)，術(shu)(shu)語“形成(forming)”、“形成(form)”、“沉(chen)(chen)積(ji)”或“設置”是指將一層(ceng)材料施(shi)加到襯(chen)底或另一層(ceng)材料的(de)動作(zuo)。這些(xie)術(shu)(shu)語意在描述任何可(ke)(ke)(ke)能的(de)層(ceng)形成技(ji)術(shu)(shu)，包(bao)括但(dan)不限于(yu)熱(re)生(sheng)(sheng)長、濺射、蒸發、化學(xue)氣相(xiang)沉(chen)(chen)積(ji)、外(wai)延生(sheng)(sheng)長、電鍍等(deng)(deng)。根(gen)據各種實施(shi)方(fang)式(shi)，例如，可(ke)(ke)(ke)以根(gen)據任何適當的(de)公(gong)(gong)知(zhi)方(fang)法(fa)進行沉(chen)(chen)積(ji)。例如，沉(chen)(chen)積(ji)可(ke)(ke)(ke)以包(bao)括生(sheng)(sheng)長、涂覆、或將材料轉(zhuan)移到襯(chen)底上的(de)任何工(gong)藝。除其他之外(wai)，一些(xie)公(gong)(gong)知(zhi)的(de)技(ji)術(shu)(shu)包(bao)括物理氣相(xiang)沉(chen)(chen)積(ji)(PVD)、化學(xue)氣相(xiang)沉(chen)(chen)積(ji)(CVD)、電化學(xue)沉(chen)(chen)積(ji)(ECD)、分子束外(wai)延(MBE)、原(yuan)子層(ceng)沉(chen)(chen)積(ji)(ALD)、和等(deng)(deng)離子體增(zeng)強CVD(PECVD)。

在(zai)實施(shi)方式中(zhong)，術語(yu)“襯(chen)底(di)”是(shi)指硅。然而，襯(chen)底(di)也(ye)可(ke)以(yi)是(shi)大(da)量的(de)半導體材料中(zhong)的(de)任何一種，例如鍺、砷(shen)化(hua)鎵、磷(lin)化(hua)銦等。在(zai)其(qi)他實施(shi)方式中(zhong)，襯(chen)底(di)可(ke)以(yi)是(shi)不導電(dian)的(de)，例如玻璃(li)或藍寶石(shi)晶(jing)片(pian)。

在實施方式(shi)中，“掩膜(mo)(mo)”可以包(bao)括允許選(xuan)擇性地去除(或蝕刻)材料的(de)未形成(cheng)掩膜(mo)(mo)的(de)部分的(de)任何適當(dang)的(de)材料。根據一些實施方式(shi)，掩模(mo)結構可以包(bao)括光刻膠，諸(zhu)如聚(ju)甲基(ji)丙烯酸甲酯(PMMA)、聚(ju)甲基(ji)戊二酰亞胺(PMGI)、苯酚甲醛樹脂、適合的(de)環氧樹脂，等。

在更(geng)詳細地描述這樣的實(shi)(shi)(shi)施方(fang)式之前(qian)，提供其中可以實(shi)(shi)(shi)現本實(shi)(shi)(shi)施方(fang)式的示(shi)例存儲單元和環境是有益的。

圖1示出了分柵非易失(shi)性存儲單(dan)元100。存儲單(dan)元100形成在(zai)諸如硅的襯底(di)(di)102上。襯底(di)(di)102通常是p型(xing)或p型(xing)阱，而第一(yi)摻雜(za)(za)源極(ji)/漏極(ji)區104和(he)第二摻雜(za)(za)源極(ji)/漏極(ji)區106是n型(xing)。然而，還(huan)有(you)可能(neng)的是，基底(di)(di)102是n型(xing)，而區域104和(he)106是p型(xing)。

存(cun)儲單(dan)元100包括(kuo)兩(liang)個(ge)(ge)柵(zha)(zha)(zha)(zha)(zha)極(ji)(ji)(ji)(ji)，選擇(ze)(ze)柵(zha)(zha)(zha)(zha)(zha)極(ji)(ji)(ji)(ji)108，其形(xing)成(cheng)(cheng)(cheng)(cheng)為(wei)(wei)與(yu)存(cun)儲柵(zha)(zha)(zha)(zha)(zha)極(ji)(ji)(ji)(ji)110相鄰。每個(ge)(ge)柵(zha)(zha)(zha)(zha)(zha)極(ji)(ji)(ji)(ji)可(ke)(ke)包括(kuo)柵(zha)(zha)(zha)(zha)(zha)極(ji)(ji)(ji)(ji)導體，諸如(ru)由眾所周知的(de)(de)(de)例(li)如(ru)沉積(ji)和(he)蝕(shi)刻技術(shu)形(xing)成(cheng)(cheng)(cheng)(cheng)的(de)(de)(de)摻雜多(duo)晶(jing)硅(“poly”)層(ceng)，以(yi)限(xian)定柵(zha)(zha)(zha)(zha)(zha)極(ji)(ji)(ji)(ji)結(jie)構。選擇(ze)(ze)柵(zha)(zha)(zha)(zha)(zha)極(ji)(ji)(ji)(ji)108設置(zhi)(zhi)在(zai)介(jie)(jie)(jie)電(dian)(dian)層(ceng)112上。存(cun)儲柵(zha)(zha)(zha)(zha)(zha)極(ji)(ji)(ji)(ji)110設置(zhi)(zhi)在(zai)具(ju)有一個(ge)(ge)或(huo)(huo)多(duo)個(ge)(ge)介(jie)(jie)(jie)電(dian)(dian)層(ceng)的(de)(de)(de)電(dian)(dian)介(jie)(jie)(jie)質(zhi)114上。在(zai)一個(ge)(ge)示例(li)中，電(dian)(dian)介(jie)(jie)(jie)質(zhi)114包括(kuo)夾(jia)在(zai)兩(liang)個(ge)(ge)二氧(yang)(yang)化(hua)硅層(ceng)之(zhi)間(jian)(jian)(jian)的(de)(de)(de)電(dian)(dian)荷(he)捕獲(huo)氮(dan)化(hua)硅層(ceng)，以(yi)產(chan)生(sheng)(sheng)共同(tong)且通(tong)常(chang)被(bei)稱(cheng)為(wei)(wei)“氧(yang)(yang)化(hua)物(wu)/氮(dan)化(hua)物(wu)/氧(yang)(yang)化(hua)物(wu)”或(huo)(huo)“ONO”的(de)(de)(de)三層(ceng)堆疊(die)。其它電(dian)(dian)介(jie)(jie)(jie)質(zhi)可(ke)(ke)以(yi)包括(kuo)富硅氮(dan)化(hua)物(wu)膜(mo)，或(huo)(huo)者包括(kuo)但(dan)不限(xian)于(yu)以(yi)各種化(hua)學計量的(de)(de)(de)硅、氧(yang)(yang)和(he)氮(dan)的(de)(de)(de)任何膜(mo)。柵(zha)(zha)(zha)(zha)(zha)極(ji)(ji)(ji)(ji)間(jian)(jian)(jian)電(dian)(dian)介(jie)(jie)(jie)質(zhi)116設置(zhi)(zhi)在(zai)選擇(ze)(ze)柵(zha)(zha)(zha)(zha)(zha)極(ji)(ji)(ji)(ji)108和(he)存(cun)儲柵(zha)(zha)(zha)(zha)(zha)極(ji)(ji)(ji)(ji)110之(zhi)間(jian)(jian)(jian)，用于(yu)兩(liang)個(ge)(ge)柵(zha)(zha)(zha)(zha)(zha)極(ji)(ji)(ji)(ji)之(zhi)間(jian)(jian)(jian)的(de)(de)(de)電(dian)(dian)氣隔離。在(zai)一些示例(li)中，柵(zha)(zha)(zha)(zha)(zha)極(ji)(ji)(ji)(ji)間(jian)(jian)(jian)電(dian)(dian)介(jie)(jie)(jie)質(zhi)116和(he)電(dian)(dian)介(jie)(jie)(jie)質(zhi)114是相同(tong)的(de)(de)(de)電(dian)(dian)介(jie)(jie)(jie)質(zhi)，而(er)(er)其它示例(li)在(zai)另一個(ge)(ge)之(zhi)前形(xing)成(cheng)(cheng)(cheng)(cheng)一個(ge)(ge)電(dian)(dian)介(jie)(jie)(jie)質(zhi)(例(li)如(ru)，它們可(ke)(ke)具(ju)有不同(tong)的(de)(de)(de)介(jie)(jie)(jie)電(dian)(dian)性質(zhi))。因此，柵(zha)(zha)(zha)(zha)(zha)極(ji)(ji)(ji)(ji)間(jian)(jian)(jian)電(dian)(dian)介(jie)(jie)(jie)質(zhi)116不需(xu)要包括(kuo)與(yu)電(dian)(dian)介(jie)(jie)(jie)質(zhi)114相同(tong)的(de)(de)(de)膜(mo)結(jie)構。區域104和(he)106通(tong)過使用例(li)如(ru)離子(zi)注(zhu)入技術(shu)注(zhu)入摻雜劑來產(chan)生(sheng)(sheng)。區域104和(he)106根據施加到每個(ge)(ge)晶(jing)體管(guan)的(de)(de)(de)電(dian)(dian)位而(er)(er)形(xing)成(cheng)(cheng)(cheng)(cheng)分柵(zha)(zha)(zha)(zha)(zha)晶(jing)體管(guan)的(de)(de)(de)源極(ji)(ji)(ji)(ji)或(huo)(huo)漏極(ji)(ji)(ji)(ji)。在(zai)分柵(zha)(zha)(zha)(zha)(zha)晶(jing)體管(guan)中，為(wei)(wei)了方便起見，區域104通(tong)常(chang)稱(cheng)為(wei)(wei)漏極(ji)(ji)(ji)(ji)，而(er)(er)區域106通(tong)常(chang)稱(cheng)為(wei)(wei)源極(ji)(ji)(ji)(ji)，而(er)(er)與(yu)相對偏壓(ya)無關(guan)。應(ying)當理解，該(gai)描述(shu)(shu)意(yi)在(zai)提供常(chang)見分柵(zha)(zha)(zha)(zha)(zha)構造(zao)的(de)(de)(de)一般概述(shu)(shu)，并且在(zai)實際(ji)實踐(jian)中，提供更多(duo)的(de)(de)(de)詳細步驟和(he)層(ceng)以(yi)形(xing)成(cheng)(cheng)(cheng)(cheng)最(zui)終(zhong)的(de)(de)(de)存(cun)儲單(dan)元100。

圖(tu)2描(miao)繪了形成于(yu)襯(chen)底202上(shang)的(de)(de)(de)(de)常(chang)規分(fen)柵(zha)(zha)存(cun)儲(chu)元(yuan)(yuan)件(jian)200的(de)(de)(de)(de)存(cun)儲(chu)器陣(zhen)列的(de)(de)(de)(de)一(yi)(yi)部分(fen)的(de)(de)(de)(de)橫(heng)截面(mian)圖(tu)。存(cun)儲(chu)元(yuan)(yuan)件(jian)200包括大(da)體上(shang)相同的(de)(de)(de)(de)多(duo)(duo)個(ge)存(cun)儲(chu)單(dan)元(yuan)(yuan)240。每個(ge)存(cun)儲(chu)單(dan)元(yuan)(yuan)240包括第(di)(di)一(yi)(yi)柵(zha)(zha)極(ji)(ji)(ji)(ji)210和(he)第(di)(di)二(er)柵(zha)(zha)極(ji)(ji)(ji)(ji)208，其中(zhong)第(di)(di)一(yi)(yi)柵(zha)(zha)極(ji)(ji)(ji)(ji)210和(he)第(di)(di)二(er)柵(zha)(zha)極(ji)(ji)(ji)(ji)208通過介電(dian)結構彼此絕緣(yuan)(yuan)(yuan)并且與(yu)(yu)襯(chen)底絕緣(yuan)(yuan)(yuan)。多(duo)(duo)個(ge)觸(chu)點(dian)224提供對第(di)(di)一(yi)(yi)摻(chan)雜源(yuan)(yuan)極(ji)(ji)(ji)(ji)/漏極(ji)(ji)(ji)(ji)區(qu)204和(he)第(di)(di)二(er)源(yuan)(yuan)極(ji)(ji)(ji)(ji)/漏極(ji)(ji)(ji)(ji)區(qu)206的(de)(de)(de)(de)電(dian)氣(qi)接入。柵(zha)(zha)極(ji)(ji)(ji)(ji)和(he)觸(chu)點(dian)之(zhi)(zhi)間(jian)(jian)(jian)(jian)的(de)(de)(de)(de)間(jian)(jian)(jian)(jian)隙(xi)通常(chang)用絕緣(yuan)(yuan)(yuan)材(cai)料(liao)(諸如(ru)氧化(hua)物)填充，以在柵(zha)(zha)極(ji)(ji)(ji)(ji)和(he)觸(chu)點(dian)之(zhi)(zhi)間(jian)(jian)(jian)(jian)提供足夠的(de)(de)(de)(de)電(dian)氣(qi)隔(ge)離。用絕緣(yuan)(yuan)(yuan)材(cai)料(liao)填充間(jian)(jian)(jian)(jian)隙(xi)而在絕緣(yuan)(yuan)(yuan)材(cai)料(liao)中(zhong)沒有任(ren)何空隙(xi)的(de)(de)(de)(de)能(neng)力高(gao)度依賴(lai)于(yu)第(di)(di)一(yi)(yi)柵(zha)(zha)極(ji)(ji)(ji)(ji)210和(he)第(di)(di)二(er)柵(zha)(zha)極(ji)(ji)(ji)(ji)208的(de)(de)(de)(de)縱(zong)橫(heng)比(bi)。例如(ru)，如(ru)圖(tu)2所示，第(di)(di)二(er)柵(zha)(zha)極(ji)(ji)(ji)(ji)208具(ju)有比(bi)第(di)(di)一(yi)(yi)柵(zha)(zha)極(ji)(ji)(ji)(ji)210更高(gao)的(de)(de)(de)(de)縱(zong)橫(heng)比(bi)。減(jian)小(xiao)圖(tu)2中(zhong)的(de)(de)(de)(de)兩個(ge)第(di)(di)二(er)柵(zha)(zha)極(ji)(ji)(ji)(ji)208之(zhi)(zhi)間(jian)(jian)(jian)(jian)的(de)(de)(de)(de)間(jian)(jian)(jian)(jian)隔(ge)226可抑制利用絕緣(yuan)(yuan)(yuan)材(cai)料(liao)填充這兩個(ge)柵(zha)(zha)極(ji)(ji)(ji)(ji)和(he)觸(chu)點(dian)之(zhi)(zhi)間(jian)(jian)(jian)(jian)的(de)(de)(de)(de)間(jian)(jian)(jian)(jian)隙(xi)而不在絕緣(yuan)(yuan)(yuan)材(cai)料(liao)中(zhong)產(chan)生任(ren)何空隙(xi)的(de)(de)(de)(de)能(neng)力。換句話說(shuo)，相鄰(lin)(lin)柵(zha)(zha)極(ji)(ji)(ji)(ji)之(zhi)(zhi)間(jian)(jian)(jian)(jian)的(de)(de)(de)(de)縱(zong)橫(heng)比(bi)越低，柵(zha)(zha)極(ji)(ji)(ji)(ji)彼此可以越靠(kao)近，同時允許適當(dang)的(de)(de)(de)(de)間(jian)(jian)(jian)(jian)隙(xi)填充。因此，需要的(de)(de)(de)(de)是(shi)半導體器件(jian)和(he)制造它們的(de)(de)(de)(de)方法，導致(zhi)存(cun)儲(chu)單(dan)元(yuan)(yuan)具(ju)有相對低的(de)(de)(de)(de)縱(zong)橫(heng)比(bi)的(de)(de)(de)(de)柵(zha)(zha)極(ji)(ji)(ji)(ji)，使得可最小(xiao)化(hua)相鄰(lin)(lin)單(dan)元(yuan)(yuan)之(zhi)(zhi)間(jian)(jian)(jian)(jian)的(de)(de)(de)(de)間(jian)(jian)(jian)(jian)隔(ge)，同時保持柵(zha)(zha)極(ji)(ji)(ji)(ji)與(yu)(yu)觸(chu)點(dian)之(zhi)(zhi)間(jian)(jian)(jian)(jian)的(de)(de)(de)(de)需要的(de)(de)(de)(de)電(dian)氣(qi)隔(ge)離。

現在(zai)將參照圖3至圖9來描(miao)述(shu)根據各種實施方(fang)(fang)式的(de)(de)用于(yu)(yu)(yu)制(zhi)造具(ju)有L形第(di)二柵(zha)(zha)極(ji)(ji)(ji)導(dao)(dao)體(ti)的(de)(de)改進(jin)的(de)(de)存儲單元的(de)(de)方(fang)(fang)法，圖3至圖9描(miao)繪了(le)半導(dao)(dao)體(ti)器(qi)件(jian)300在(zai)其(qi)生產(chan)期間在(zai)不(bu)同階段處的(de)(de)橫截面。在(zai)圖3中，半導(dao)(dao)體(ti)器(qi)件(jian)300被描(miao)繪為具(ju)有襯底302。介電層(ceng)312形成在(zai)襯底302上(shang)(shang)并且(qie)包括例(li)如(ru)但不(bu)限(xian)于(yu)(yu)(yu)氧(yang)化物(wu)層(ceng)。一對基本相同的(de)(de)柵(zha)(zha)極(ji)(ji)(ji)堆疊330形成在(zai)介電層(ceng)312上(shang)(shang)。每個柵(zha)(zha)極(ji)(ji)(ji)堆疊330包括第(di)一柵(zha)(zha)極(ji)(ji)(ji)導(dao)(dao)體(ti)310、柵(zha)(zha)極(ji)(ji)(ji)介電結構(gou)314和(he)掩膜層(ceng)318。本公開不(bu)限(xian)于(yu)(yu)(yu)產(chan)生柵(zha)(zha)極(ji)(ji)(ji)堆疊330的(de)(de)任何特定方(fang)(fang)法。實際上(shang)(shang)，本發明的(de)(de)精神(shen)和(he)范圍包括用于(yu)(yu)(yu)形成柵(zha)(zha)極(ji)(ji)(ji)堆疊330的(de)(de)任何適當的(de)(de)方(fang)(fang)法，如(ru)對于(yu)(yu)(yu)半導(dao)(dao)體(ti)制(zhi)造領域的(de)(de)普通技術人員并且(qie)基于(yu)(yu)(yu)本公開將是明顯(xian)的(de)(de)。

第(di)一(yi)(yi)柵(zha)極導體(ti)(ti)310可(ke)(ke)以(yi)(yi)包(bao)括(kuo)(kuo)任何適合的(de)材料(liao)，諸如多(duo)晶硅(gui)(gui)。柵(zha)極介(jie)(jie)電(dian)(dian)結構314可(ke)(ke)以(yi)(yi)設置在(zai)襯底302上(shang)方和第(di)一(yi)(yi)柵(zha)極導體(ti)(ti)310下方。根據各(ge)種實施方式，柵(zha)極介(jie)(jie)電(dian)(dian)結構314包(bao)括(kuo)(kuo)一(yi)(yi)個(ge)(ge)或(huo)多(duo)個(ge)(ge)介(jie)(jie)電(dian)(dian)層(ceng)(ceng)，諸如ONO，如上(shang)所述(shu)。不管柵(zha)極介(jie)(jie)電(dian)(dian)結構314的(de)具體(ti)(ti)組成(cheng)是什么，其(qi)優選包(bao)含至(zhi)少一(yi)(yi)個(ge)(ge)電(dian)(dian)荷(he)捕獲層(ceng)(ceng)。根據一(yi)(yi)些(xie)實施方式，電(dian)(dian)荷(he)捕獲層(ceng)(ceng)可(ke)(ke)以(yi)(yi)由(you)氮(dan)(dan)化(hua)(hua)物或(huo)富硅(gui)(gui)氮(dan)(dan)化(hua)(hua)物形成(cheng)，并且可(ke)(ke)以(yi)(yi)包(bao)括(kuo)(kuo)多(duo)層(ceng)(ceng)不同的(de)氮(dan)(dan)化(hua)(hua)物。可(ke)(ke)選地，介(jie)(jie)電(dian)(dian)層(ceng)(ceng)可(ke)(ke)包(bao)括(kuo)(kuo)單層(ceng)(ceng)介(jie)(jie)電(dian)(dian)材料(liao)，諸如氧(yang)化(hua)(hua)物、氮(dan)(dan)化(hua)(hua)物或(huo)其(qi)某(mou)些(xie)組合。

圖(tu)3還示出(chu)(chu)了形成(cheng)在(zai)柵極(ji)堆疊330的(de)側壁上(shang)的(de)介電(dian)(dian)(dian)結構(gou)316a和316b。介電(dian)(dian)(dian)結構(gou)316a和316b可以各包括一(yi)個或(huo)多(duo)(duo)個層，諸(zhu)如(ru)ONO，如(ru)上(shang)所述(shu)。可選地，介電(dian)(dian)(dian)結構(gou)316a和316b可包括單層介電(dian)(dian)(dian)材料，諸(zhu)如(ru)氧化(hua)物(wu)、氮化(hua)物(wu)或(huo)其某些組合(he)。如(ru)稍后將示出(chu)(chu)的(de)，介電(dian)(dian)(dian)結構(gou)316a將形成(cheng)存儲(chu)單元的(de)柵極(ji)間介電(dian)(dian)(dian)結構(gou)。圖(tu)3中(zhong)還示出(chu)(chu)了設置(zhi)在(zai)柵極(ji)堆疊330、介電(dian)(dian)(dian)結構(gou)316a和316b以及介電(dian)(dian)(dian)層312上(shang)的(de)多(duo)(duo)晶(jing)硅(gui)層308。氧化(hua)物(wu)層320隨后設置(zhi)在(zai)多(duo)(duo)晶(jing)硅(gui)層308上(shang)。

圖(tu)(tu)4描繪了(le)在(zai)生產過程(cheng)中(zhong)(zhong)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)另一時刻處的(de)(de)(de)(de)(de)(de)器(qi)件300，其中(zhong)(zhong)可以選(xuan)擇性地蝕(shi)刻氧化(hua)(hua)物層(ceng)320，以在(zai)多晶(jing)硅(gui)層(ceng)308的(de)(de)(de)(de)(de)(de)、與介電結構(gou)316a相鄰的(de)(de)(de)(de)(de)(de)部分上形(xing)成氧化(hua)(hua)物間隔區(qu)(qu)320a。在(zai)圖(tu)(tu)5中(zhong)(zhong)，氧化(hua)(hua)物間隔區(qu)(qu)320a在(zai)多晶(jing)硅(gui)層(ceng)308的(de)(de)(de)(de)(de)(de)蝕(shi)刻期間用(yong)作(zuo)掩(yan)膜，留下鄰近介電結構(gou)316a的(de)(de)(de)(de)(de)(de)L形(xing)多晶(jing)硅(gui)結構(gou)308a和(he)柵極(ji)(ji)堆(dui)疊330之(zhi)間的(de)(de)(de)(de)(de)(de)多晶(jing)硅(gui)結構(gou)308b。如(ru)(ru)稍后將示(shi)出(chu)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)，L形(xing)多晶(jing)硅(gui)結構(gou)308a將形(xing)成存儲(chu)單(dan)元的(de)(de)(de)(de)(de)(de)L形(xing)第二(er)柵極(ji)(ji)導體。在(zai)制(zhi)造工藝(yi)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)這一時刻處，襯底302可以被注入以形(xing)成摻雜區(qu)(qu)304。使(shi)用(yong)例(li)如(ru)(ru)但(dan)不限于濕蝕(shi)刻工藝(yi)，如(ru)(ru)圖(tu)(tu)6所示(shi)去除(chu)氧化(hua)(hua)物間隔區(qu)(qu)320a。

圖7示出(chu)了在(zai)生產工藝(yi)中的(de)更進(jin)一(yi)(yi)步(bu)(bu)階(jie)段(duan)處的(de)器(qi)件300，其中在(zai)隨后的(de)掩(yan)膜和蝕刻(ke)步(bu)(bu)驟(未示出(chu))之后，多晶硅(gui)結構308b可(ke)以(yi)(yi)去除并(bing)且(qie)(qie)可(ke)以(yi)(yi)襯底302可(ke)以(yi)(yi)被(bei)注入以(yi)(yi)形(xing)成(cheng)(cheng)摻(chan)雜區306。在(zai)圖8中，可(ke)以(yi)(yi)去除掩(yan)膜層318，并(bing)且(qie)(qie)可(ke)以(yi)(yi)根(gen)據多種(zhong)已知方法(fa)在(zai)第(di)一(yi)(yi)柵(zha)(zha)(zha)極導體310和L形(xing)第(di)二柵(zha)(zha)(zha)極導體308a的(de)壁上形(xing)成(cheng)(cheng)間隔區322。在(zai)這一(yi)(yi)時刻(ke)處，有效(xiao)地形(xing)成(cheng)(cheng)一(yi)(yi)對存儲單(dan)元(yuan)(yuan)340。根(gen)據各(ge)種(zhong)實施方式，第(di)一(yi)(yi)柵(zha)(zha)(zha)極導體310可(ke)以(yi)(yi)用于制(zhi)造存儲柵(zha)(zha)(zha)極，L形(xing)第(di)二柵(zha)(zha)(zha)極導體308a可(ke)以(yi)(yi)用于制(zhi)作(zuo)分(fen)柵(zha)(zha)(zha)存儲單(dan)元(yuan)(yuan)的(de)選擇柵(zha)(zha)(zha)極。因此，摻(chan)雜區304成(cheng)(cheng)為(wei)漏極并(bing)且(qie)(qie)摻(chan)雜區306成(cheng)(cheng)為(wei)分(fen)柵(zha)(zha)(zha)存儲單(dan)元(yuan)(yuan)的(de)源極。

在圖(tu)(tu)9中(zhong)，形成(cheng)觸(chu)點(dian)324以提供(gong)到摻雜區304和(he)306的(de)(de)電氣(qi)接入。圖(tu)(tu)10描(miao)繪(hui)了器件(jian)300的(de)(de)更(geng)寬的(de)(de)部分，包括具有L形第(di)(di)二柵極(ji)的(de)(de)四個存儲單(dan)元。如圖(tu)(tu)10所示，兩個L形第(di)(di)二柵極(ji)之間(jian)的(de)(de)間(jian)隔326比圖(tu)(tu)2中(zhong)的(de)(de)間(jian)隔226更(geng)窄。換句(ju)話說，L形第(di)(di)二柵極(ji)提供(gong)需要(yao)的(de)(de)低縱橫(heng)比，允(yun)(yun)許(xu)第(di)(di)二柵極(ji)彼(bi)此更(geng)靠近。這種方法還允(yun)(yun)許(xu)柵極(ji)和(he)觸(chu)點(dian)之間(jian)的(de)(de)間(jian)隙用絕緣(yuan)材料填充，而不在絕緣(yuan)材料中(zhong)產生任何空隙。

應當理(li)(li)解，為了便于解釋，圖3-10描繪了具有僅兩個(ge)或四個(ge)存儲單元的器件300的簡化版本。然(ran)而(er)，本領域(yu)普通技術人員將(jiang)理(li)(li)解，器件300可以包含大量的存儲單元和其他組件。

圖(tu)11描繪了根據各(ge)種(zhong)實施方式的制造諸如(ru)器件300的半導(dao)體器件的方法(fa)1100。圖(tu)11的討論將參考圖(tu)3-9，但是應當理(li)解(jie)，方法(fa)1100不限(xian)于圖(tu)3-9所描繪的具體實施方式，而是更一般地適用。

如圖(tu)11所示(shi)，方法(fa)1100通(tong)過在(zai)(zai)襯底(di)302上形(xing)(xing)(xing)(xing)成(cheng)(cheng)(cheng)(cheng)介(jie)(jie)電(dian)層(ceng)(ceng)(例(li)如，介(jie)(jie)電(dian)層(ceng)(ceng)312)而開始于步(bu)(bu)(bu)(bu)驟(zou)(zou)(zou)(zou)1102處(chu)(chu)。在(zai)(zai)步(bu)(bu)(bu)(bu)驟(zou)(zou)(zou)(zou)1104處(chu)(chu)，在(zai)(zai)介(jie)(jie)電(dian)層(ceng)(ceng)312上形(xing)(xing)(xing)(xing)成(cheng)(cheng)(cheng)(cheng)柵(zha)(zha)(zha)(zha)(zha)(zha)極(ji)(ji)堆(dui)疊330。柵(zha)(zha)(zha)(zha)(zha)(zha)極(ji)(ji)堆(dui)疊330包括第一(yi)(yi)(yi)(yi)柵(zha)(zha)(zha)(zha)(zha)(zha)極(ji)(ji)導(dao)(dao)體310和(he)柵(zha)(zha)(zha)(zha)(zha)(zha)極(ji)(ji)介(jie)(jie)電(dian)結構(gou)314。柵(zha)(zha)(zha)(zha)(zha)(zha)極(ji)(ji)介(jie)(jie)電(dian)結構(gou)314可(ke)以包括一(yi)(yi)(yi)(yi)個(ge)或多個(ge)層(ceng)(ceng)并(bing)(bing)(bing)且優(you)選包含(han)至少一(yi)(yi)(yi)(yi)個(ge)電(dian)荷捕(bu)獲層(ceng)(ceng)。在(zai)(zai)步(bu)(bu)(bu)(bu)驟(zou)(zou)(zou)(zou)1106處(chu)(chu)，在(zai)(zai)步(bu)(bu)(bu)(bu)驟(zou)(zou)(zou)(zou)1106處(chu)(chu)集成(cheng)(cheng)(cheng)(cheng)，在(zai)(zai)柵(zha)(zha)(zha)(zha)(zha)(zha)極(ji)(ji)堆(dui)疊330的(de)(de)側壁(bi)之(zhi)一(yi)(yi)(yi)(yi)上形(xing)(xing)(xing)(xing)成(cheng)(cheng)(cheng)(cheng)柵(zha)(zha)(zha)(zha)(zha)(zha)極(ji)(ji)間(jian)介(jie)(jie)電(dian)結構(gou)(例(li)如，介(jie)(jie)電(dian)結構(gou)316a或316b)。在(zai)(zai)步(bu)(bu)(bu)(bu)驟(zou)(zou)(zou)(zou)1108處(chu)(chu)形(xing)(xing)(xing)(xing)成(cheng)(cheng)(cheng)(cheng)多晶(jing)(jing)(jing)硅(gui)層(ceng)(ceng)308，接(jie)著在(zai)(zai)步(bu)(bu)(bu)(bu)驟(zou)(zou)(zou)(zou)1110處(chu)(chu)形(xing)(xing)(xing)(xing)成(cheng)(cheng)(cheng)(cheng)氧(yang)化(hua)(hua)物(wu)層(ceng)(ceng)320。在(zai)(zai)步(bu)(bu)(bu)(bu)驟(zou)(zou)(zou)(zou)1112處(chu)(chu)，通(tong)過選擇性地蝕刻(ke)(ke)氧(yang)化(hua)(hua)物(wu)層(ceng)(ceng)320在(zai)(zai)多晶(jing)(jing)(jing)硅(gui)層(ceng)(ceng)308的(de)(de)一(yi)(yi)(yi)(yi)部分(fen)上形(xing)(xing)(xing)(xing)成(cheng)(cheng)(cheng)(cheng)氧(yang)化(hua)(hua)物(wu)間(jian)隔(ge)區320a。在(zai)(zai)接(jie)下(xia)來的(de)(de)步(bu)(bu)(bu)(bu)驟(zou)(zou)(zou)(zou)1114處(chu)(chu)，氧(yang)化(hua)(hua)物(wu)間(jian)隔(ge)區320a用作(zuo)掩膜(mo)以蝕刻(ke)(ke)多晶(jing)(jing)(jing)硅(gui)308，以有效地在(zai)(zai)柵(zha)(zha)(zha)(zha)(zha)(zha)極(ji)(ji)堆(dui)疊330的(de)(de)一(yi)(yi)(yi)(yi)側上形(xing)(xing)(xing)(xing)成(cheng)(cheng)(cheng)(cheng)L形(xing)(xing)(xing)(xing)第二(er)柵(zha)(zha)(zha)(zha)(zha)(zha)極(ji)(ji)導(dao)(dao)體308a，并(bing)(bing)(bing)在(zai)(zai)柵(zha)(zha)(zha)(zha)(zha)(zha)極(ji)(ji)堆(dui)疊330的(de)(de)另(ling)一(yi)(yi)(yi)(yi)側上留下(xia)多晶(jing)(jing)(jing)硅(gui)部分(fen)308b。此(ci)外，在(zai)(zai)步(bu)(bu)(bu)(bu)驟(zou)(zou)(zou)(zou)1114處(chu)(chu)，襯底(di)302被(bei)注入(ru)(ru)以形(xing)(xing)(xing)(xing)成(cheng)(cheng)(cheng)(cheng)漏(lou)極(ji)(ji)結304。在(zai)(zai)步(bu)(bu)(bu)(bu)驟(zou)(zou)(zou)(zou)1116處(chu)(chu)蝕刻(ke)(ke)氧(yang)化(hua)(hua)物(wu)間(jian)隔(ge)區320a，并(bing)(bing)(bing)且在(zai)(zai)步(bu)(bu)(bu)(bu)驟(zou)(zou)(zou)(zou)1118處(chu)(chu)蝕刻(ke)(ke)多晶(jing)(jing)(jing)硅(gui)部分(fen)308b，在(zai)(zai)此(ci)期(qi)間(jian)襯底(di)被(bei)進一(yi)(yi)(yi)(yi)步(bu)(bu)(bu)(bu)注入(ru)(ru)以形(xing)(xing)(xing)(xing)成(cheng)(cheng)(cheng)(cheng)源極(ji)(ji)結306。在(zai)(zai)步(bu)(bu)(bu)(bu)驟(zou)(zou)(zou)(zou)1120處(chu)(chu)，在(zai)(zai)第一(yi)(yi)(yi)(yi)柵(zha)(zha)(zha)(zha)(zha)(zha)極(ji)(ji)導(dao)(dao)體310和(he)L形(xing)(xing)(xing)(xing)第二(er)柵(zha)(zha)(zha)(zha)(zha)(zha)極(ji)(ji)導(dao)(dao)體308a的(de)(de)壁(bi)上形(xing)(xing)(xing)(xing)成(cheng)(cheng)(cheng)(cheng)間(jian)隔(ge)區322。在(zai)(zai)步(bu)(bu)(bu)(bu)驟(zou)(zou)(zou)(zou)1122處(chu)(chu)，形(xing)(xing)(xing)(xing)成(cheng)(cheng)(cheng)(cheng)觸點324以提供對漏(lou)極(ji)(ji)結304和(he)源極(ji)(ji)結306的(de)(de)電(dian)氣接(jie)入(ru)(ru)。

應認識到，詳細描述(shu)(shu)(shu)部(bu)(bu)(bu)分(不是概述(shu)(shu)(shu)和摘要部(bu)(bu)(bu)分)旨(zhi)在用(yong)于解釋權利要求。概述(shu)(shu)(shu)和摘要部(bu)(bu)(bu)分可闡(chan)述(shu)(shu)(shu)如(ru)由發明人(ren)所預期(qi)的本發明的一個(ge)或多(duo)個(ge)示例性實(shi)施方式但并非(fei)所有示例性實(shi)施方式，因此，并非(fei)旨(zhi)在以任何方式限制本發明及所附權利要求。

上(shang)面(mian)已經借(jie)助于示出特定(ding)功(gong)能及其關(guan)系的(de)(de)(de)實(shi)現的(de)(de)(de)功(gong)能構(gou)建(jian)塊(kuai)描(miao)述(shu)(shu)了本發明的(de)(de)(de)實(shi)施方式。為了方便描(miao)述(shu)(shu)，本文已經任意(yi)地界定(ding)了這些功(gong)能構(gou)建(jian)塊(kuai)的(de)(de)(de)邊(bian)界。只(zhi)要適當(dang)地執(zhi)行所指定(ding)的(de)(de)(de)功(gong)能及其關(guan)系，就可(ke)以界定(ding)替代(dai)邊(bian)界。

特定(ding)實(shi)(shi)施(shi)方(fang)式的(de)(de)(de)前述描述將(jiang)完全揭示本(ben)(ben)(ben)發明(ming)(ming)的(de)(de)(de)一般(ban)性質，使(shi)得其他人可以通過(guo)應用本(ben)(ben)(ben)領(ling)(ling)域(yu)技(ji)術(shu)(shu)(shu)內的(de)(de)(de)知(zhi)識，在不(bu)偏(pian)離(li)本(ben)(ben)(ben)發明(ming)(ming)的(de)(de)(de)一般(ban)概(gai)念(nian)的(de)(de)(de)情況(kuang)下，對于各(ge)種應用容易地修改和(he)/或(huo)適(shi)應這(zhe)樣的(de)(de)(de)特定(ding)實(shi)(shi)施(shi)方(fang)式，而無需過(guo)度實(shi)(shi)驗。因此(ci)，基于本(ben)(ben)(ben)文(wen)(wen)呈現的(de)(de)(de)教(jiao)(jiao)導和(he)指(zhi)導，這(zhe)樣的(de)(de)(de)適(shi)應和(he)修改旨在位于所公開的(de)(de)(de)實(shi)(shi)施(shi)方(fang)式的(de)(de)(de)等同(tong)物的(de)(de)(de)含(han)義(yi)和(he)范圍內。應當理解(jie)，本(ben)(ben)(ben)文(wen)(wen)的(de)(de)(de)措(cuo)辭(ci)或(huo)術(shu)(shu)(shu)語(yu)是為(wei)了(le)描述而不(bu)是限制的(de)(de)(de)目(mu)的(de)(de)(de)，使(shi)得本(ben)(ben)(ben)說明(ming)(ming)書的(de)(de)(de)術(shu)(shu)(shu)語(yu)或(huo)措(cuo)辭(ci)將(jiang)由本(ben)(ben)(ben)領(ling)(ling)域(yu)技(ji)術(shu)(shu)(shu)人員根據教(jiao)(jiao)導和(he)指(zhi)導來解(jie)釋。另(ling)外，應當理解(jie)，本(ben)(ben)(ben)文(wen)(wen)包含(han)的(de)(de)(de)示例或(huo)解(jie)釋都不(bu)意味著(zhu)傳(chuan)達出(chu)所描述的(de)(de)(de)實(shi)(shi)施(shi)方(fang)式實(shi)(shi)際上已經被實(shi)(shi)施(shi)。

本發明的廣度和(he)范圍不應被上面描述的任何(he)示例性實施方案所限制，而(er)是(shi)只(zhi)應根據以下權利要求(qiu)和(he)它(ta)們的等效(xiao)物來限定。