半導體芯片拾取裝置制造方法
【專利摘要】本實用新型提供一種半導體芯片拾取裝置，包括：拾取頭，拾取頭的一面為半導體芯片吸附面；所述拾取頭內設有連通半導體芯片吸附面的空腔結構；拾取頭遠離半導體芯片吸附面的一面設有與空腔結構相連接的通氣孔，空腔結構橫截面的形狀為X型。將半導體芯片拾取裝置中空腔結構的橫截面形狀設計為X型，有效地改善了在拾取半導體芯片的過程中，由于現有技術中半導體芯片拾取裝置中空腔結構的中心與半導體芯片的接觸面距離較遠而導致的容易造成芯片產生較大變形的問題，使得空腔結構的中心與半導體芯片的接觸面距離比較近，在拾取過程中，半導體芯片各個位置變形較小且均勻，不會發生因變形過大而發生的破裂的現象。
【專利說明】半導體芯片拾取裝置

【技術領域】
[0001]本實用新型涉及半導體技術設備領域，特別是涉及一種半導體芯片拾取裝置。

【背景技術】
[0002]半導體芯片是將晶圓切斷成所定大小制造。為了不使得切斷時切斷的半導體芯片零亂，在背面粘接具有粘接性的保持帶，由晶圓切割裝置等從表面側切斷晶圓。此時，粘接在背面的保持帶雖然被切入若干，但沒有被切斷，成為保持各半導體芯片的狀態。在完成切割工藝之后，被切割好的半導體芯片需要從具有粘接性的保持帶上取下來單獨進行下一步的封裝。具體的做法是將一個具有真空吸取功能的半導體芯片拾取裝置的拾取頭貼在半導體芯片上，利用所述拾取頭內的真空吸力將粘附在具有粘結性的保持帶上的半導體芯片取走。
[0003]現有的所述半導體芯片拾取裝置如圖1a至圖1d所示，請參與圖la，圖1a為所述半導體芯片拾取裝置的縱截面示意圖。由圖1a可知，所述半導體芯片拾取裝置包括拾取頭10，所述拾取頭10的一面為半導體芯片吸附面101，所述拾取頭10內設有連通所述半導體芯片吸附面101的空腔結構11，所述拾取頭10遠離所述半導體芯片吸附面101的一面設有與所述空腔結構11相連通的通氣孔12 ;所述拾取頭10遠離所述半導體芯片吸附面101的一面上設有一連接板13，所述連接板13內設有與所述通氣孔12相對應連通的第一通孔14 ;所述連接板13遠離所述拾取頭10的一面設有一軸體15，所述軸體15內設有一與所述通氣孔12和所述第一通孔14相連通的第二通孔16，所述軸體15遠離所述連接板13的一端與一真空發生裝置相連接(未示出)。
[0004]然而，現有的所述半導體芯片拾取裝置中，所述拾取頭10的橫截面示意圖如圖1b至圖1c所示，所述拾取頭10和所述空腔結構11的橫截面形狀為長方形，如圖1b所示)，或所述拾取頭10和所述空腔結構11的橫截面形狀為橢圓形，如圖1c所示。這樣的結構設計，只有所述拾取頭10周邊的結構與半導體芯片相接處，會使得在使用所述半導體芯片拾取裝置拾取半導體芯片時，在所述空腔結構11內抽取真空之后，半導體芯片17會因為所述空腔結構11內形成的真空負壓而發生變形，而所述半導體芯片17的中心部位附件會因為距離接觸面較遠而產生相對于接觸面較近處更大的變形，如圖1d所示，而現有的所述半導體芯片17的都比較薄，較大的變形容易導致所述半導體芯片17的破裂
[0005]因此，提供一種改進型的半導體芯片拾取裝置非常必要。
實用新型內容
[0006]鑒于以上所述現有技術的缺點，本實用新型的目的在于提供一種半導體芯片拾取裝置，用于解決在半導體芯片拾取過程中，由于現有技術中半導體芯片拾取裝置中空腔結構的中心與半導體芯片的接觸面距離較遠而導致的容易造成芯片產生較大變形，進而容易造成半導體芯片破裂的問題。
[0007]為實現上述目的及其他相關目的，本實用新型提供一種半導體芯片拾取裝置，所述半導體芯片拾取裝置包括:拾取頭，所述拾取頭的一面為半導體芯片吸附面；所述拾取頭內設有連通所述半導體芯片吸附面的空腔結構，所述空腔結構橫截面的形狀為X型；所述拾取頭遠離所述半導體芯片吸附面的一面設有與所述空腔結構相連接的通氣孔。
[0008]作為本實用新型的半導體芯片拾取裝置的一種優選方案，所述X型橫截面的中間夾角3為100。?150。。
[0009]作為本實用新型的半導體芯片拾取裝置的一種優選方案，所述拾取頭橫截面的形狀為長方形、橢圓形、圓形。
[0010]作為本實用新型的半導體芯片拾取裝置的一種優選方案，所述通氣孔位于所述拾取頭遠離所述半導體芯片吸附面的一面的中心。
[0011]作為本實用新型的半導體芯片拾取裝置的一種優選方案，所述通氣孔與所述空腔結構的中心相連通。
[0012]作為本實用新型的半導體芯片拾取裝置的一種優選方案，所述半導體芯片拾取裝置還包括一軸體，所述軸體一端與所述拾取頭遠離所述半導體芯片吸附面的一面相連接，另一端與一真空發生裝置相連接；所述軸體內設有與所述通氣孔相對應連通的第一通孔。
[0013]作為本實用新型的半導體芯片拾取裝置的一種優選方案，所述半導體芯片拾取裝置還包括一連接板，所述連接板一端與所述拾取頭遠離所述半導體芯片吸附面的一面相連接，另一端與所述軸體遠離所述真空發生裝置的一端相連接；所述連接板內設有與所述通氣孔、所述第一通孔相對應連通的第二通孔。
[0014]如上所述，本實用新型的半導體芯片拾取裝置，具有以下有益效果:將半導體芯片拾取裝置中空腔結構的橫截面形狀設計為X型，有效地改善了在拾取半導體芯片的過程中，由于現有技術中半導體芯片拾取裝置中空腔結構的中心與半導體芯片的接觸面距離較遠而導致的容易造成半導體芯片產生較大變形的問題，使得空腔結構的中心與半導體芯片的接觸面距離比較近，在拾取過程中，半導體芯片各個位置變形較小且均勻，不會發生因變形過大而發生的破裂的現象。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0015]圖匕顯示為現有技術中的半導體芯片拾取裝置的縱截面示意圖。
[0016]圖至圖1(3顯示為現有技術中的拾取頭的俯視示意圖，其中，圖中，拾取頭和拾取頭內空腔結構的橫截面的形狀均為長方形，圖化中，拾取頭和拾取頭內空腔結構的橫截面的形狀均為橢圓形。
[0017]圖1(1顯示為現有技術中半導體芯片在半導體芯片拾取裝置吸附下發生變形的結構示意圖。
[0018]圖2顯示為本實用新型的半導體芯片拾取裝置的縱截面示意圖。
[0019]圖3至圖4顯示為本實用新型的拾取頭的俯視示意圖。
[0020]圖5顯示為本實用新型的半導體芯片拾取裝置吸附半導體芯片的結構示意圖。
[0021]元件標號說明
[0022]10拾取頭
[0023]101半導體芯片吸附面
[0024]11空腔結構
[0025]12通氣孔
[0026]13連接板
[0027]14第一通孔
[0028]15軸體
[0029]16第二通孔
[0030]17半導體芯片
[0031]20拾取頭
[0032]201半導體芯片吸附面
[0033]21空腔結構
[0034]22通氣孔
[0035]23軸體
[0036]24第一通孔
[0037]25連接板
[0038]26第二通孔
[0039]27半導體芯片

【具體實施方式】
[0040]以下由特定的具體實施例說明本實用新型的實施方式，熟悉此技術的人士可由本說明書所揭露的內容輕易地了解本實用新型的其他優點及功效。
[0041]請參閱圖2至圖5。須知，本說明書所附圖示所繪示的結構、比例、大小等，均僅用以配合說明書所揭示的內容，以供熟悉此技術的人士了解與閱讀，并非用以限定本實用新型可實施的限定條件，故不具技術上的實質意義，任何結構的修飾、比例關系的改變或大小的調整，在不影響本實用新型所能產生的功效及所能達成的目的下，均應仍落在本實用新型所揭示的技術內容得能涵蓋的范圍內。同時，本說明書中所引用的如“上”、“下”、“左”、“右”、“中部”及“一”等的用語，亦僅為便于敘述的明了，而非用以限定本實用新型可實施的范圍，其相對關系的改變或調整，在無實質變更技術內容下，當亦視為本實用新型可實施的范疇。
[0042]請參閱圖2，本實用新型提供一種半導體芯片拾取裝置，所述半導體芯片拾取裝置至少包括:拾取頭20，所述拾取頭20的一面為半導體芯片吸附面201 ;所述拾取頭20內設有連通所述半導體芯片吸附面201的空腔結構21 ;所述拾取頭20遠離所述半導體芯片吸附面201的一面設有與所述空腔結構21相連接的通氣孔22。
[0043]具體的，所述空腔結構21的中心與所述拾取頭20的中心相重合，所述通氣孔22位于所述拾取頭20遠離所述半導體芯片吸附面201的一面的中心，所述通氣孔22與所述空腔結構21的中心相連通。
[0044]具體的，所述芯片拾取裝置還包括一軸體23，所述軸體23的一端與所述拾取頭20遠離所述半導體芯片吸附面201的一面相連接，另一端與一真空發生裝置(未示出)相連接；所述軸體23內設有一第一通孔24，所述第一通孔24的尺寸可以與所述通氣孔22的尺寸不同，也可以與所述通氣孔22的尺寸相同，優選地，本實施例中，所述第一通孔24的尺寸與所述通氣孔22的尺寸相同，且所述第一通孔24與所述通氣孔22上下對應。所述軸體23的尺寸可以小于或等于所述拾取頭20的尺寸，優選地，本實施例中，所述軸體23的尺寸可以小于所述拾取頭20的尺寸。
[0045]具體的，所述半導體芯片拾取裝置還包括一連接板25，所述連接板25 —端與所述拾取頭20遠離所述半導體芯片吸附面201的一面相連接，另一端與所述軸體23遠離所述真空發生裝置的一端相連接；所述連接板25內設有一第二通孔26，所述第二通孔26的尺寸可以與所述通氣孔22、所述第一通孔24的尺寸不同，也可以與所述通氣孔22、所述第一通孔24的尺寸相同，優選地，本實施例中，所述第二通孔26的尺寸與所述通氣孔22、所述第一通孔24的尺寸相同，且所述第二通孔26與所述通氣孔22、所述第一通孔24上下對應。
[0046]具體的，所述連接板25的尺小于或等于所述拾取頭20的尺寸，優選地，本實施例中，所述連接板25的尺等于所述拾取頭20的尺寸。
[0047]請參與圖3至圖4，所述拾取頭20橫截面的形狀可以為長方形(如圖3所示)、橢圓形(如圖4所示)或圓形，所述空腔結構21橫截面的形狀為X型。
[0048]具體的，所述X型橫截面的中間夾角0可以為0。至180。中任一角度，優選地，本實施例中，所述X型橫截面的中間夾角￠1為100°?150°
[0049]將半導體芯片拾取裝置中空腔結構的橫截面形狀設計為X型，有效地改善了在拾取半導體芯片的過程中，由于現有技術中半導體芯片拾取裝置中空腔結構21的中心與半導體芯片的接觸面距離較遠而導致的容易造成半導體芯片產生較大變形的問題，使得所述空腔結構21的中心與半導體芯片的接觸面距離比較近，在拾取過程中，半導體芯片各個位置變形較小且均勻，不會發生因變形過大而發生的破裂的現象。
[0050]請參閱圖5，半導體芯片拾取裝置吸附半導體芯片的結構示意圖。由圖5可知，在使用所述半導體芯片拾取裝置吸附半導體芯片27時，所述半導體芯片27可以緊緊的貼附在所述拾取頭20的半導體芯片吸附面201上，所述空腔結構21的中心與半導體芯片27的接觸面距離比較近，所述半導體芯片27各個位置變形較小且均勻，不會發生因變形過大而發生的破裂的現象。
[0051]綜上所述，本實用新型提供一種半導體芯片拾取裝置，將半導體芯片拾取裝置中空腔結構的橫截面形狀設計為X型，有效地改善了在拾取半導體芯片的過程中，由于現有技術中半導體芯片拾取裝置中空腔結構的中心與半導體芯片的接觸面距離較遠而導致的容易造成芯片產生較大變形的問題，使得空腔結構的中心與半導體芯片的接觸面距離比較近，在拾取過程中，半導體芯片各個位置變形較小且均勻，不會發生因變形過大而發生的破裂的現象。
[0052]上述實施例僅例示性說明本實用新型的原理及其功效，而非用于限制本實用新型。任何熟悉此技術的人士皆可在不違背本實用新型的精神及范疇下，對上述實施例進行修飾或改變。因此，舉凡所屬【技術領域】中具有通常知識者在未脫離本實用新型所揭示的精神與技術思想下所完成的一切等效修飾或改變，仍應由本實用新型的權利要求所涵蓋。
【權利要求】
1.一種半導體芯片拾取裝置，其特征在于，所述半導體芯片拾取裝置包括:拾取頭，所述拾取頭的一面為半導體芯片吸附面；所述拾取頭內設有連通所述半導體芯片吸附面的空腔結構，所述空腔結構橫截面的形狀為X型；所述拾取頭遠離所述半導體芯片吸附面的一面設有與所述空腔結構相連接的通氣孔。
2.根據權利要求1所述的半導體芯片拾取裝置，其特征在于:所述X型橫截面的中間夾角α為100°?150°。
3.根據權利要求1所述的半導體芯片拾取裝置，其特征在于:所述拾取頭橫截面的形狀為長方形、橢圓形、圓形。
4.根據權利要求1所述的半導體芯片拾取裝置，其特征在于:所述通氣孔位于所述拾取頭遠離所述半導體芯片吸附面的一面的中心。
5.根據權利要求1所述的半導體芯片拾取裝置，其特征在于:所述通氣孔與所述空腔結構的中心相連通。
6.根據權利要求1所述的半導體芯片拾取裝置，其特征在于:所述半導體芯片拾取裝置還包括一軸體，所述軸體一端與所述拾取頭遠離所述半導體芯片吸附面的一面相連接，另一端與一真空發生裝置相連接；所述軸體內設有與所述通氣孔相對應連通的第一通孔。
7.根據權利要求6所述的半導體芯片拾取裝置，其特征在于:所述半導體芯片拾取裝置還包括一連接板，所述連接板一端與所述拾取頭遠離所述半導體芯片吸附面的一面相連接，另一端與所述軸體遠離所述真空發生裝置的一端相連接；所述連接板內設有與所述通氣孔、所述第一通孔相對應連通的第二通孔。
【文檔編號】H01L21/683GK204204826SQ201420699159
【公開日】2015年3月11日 申請日期:2014年11月19日 優先權日:2014年11月19日
【發明者】蔡超 申請人:中芯國際集成電路制造(北京)有限公司