專利名稱：一種增強型n溝道絕緣柵場效應管的制作方法
技術領域：
本發明涉及電子元器件領域，特別是涉及一種增強型N溝道絕緣柵場效應管。
背景技術：
絕緣柵場效應管的種類較多，有PMOS、NMOS和VMOS功率管等，但目前應用最多的是MOS管。MOS絕緣柵場效應管也即金屬一氧化物一半導體場效應管，通常用MOS表示，簡稱作MOS管。它具有比結型場效應管更高的輸入阻抗，并且制造工藝比較簡單，使用靈活方便，非常有利于高度集成化。

發明內容
本發明主要解決的技術問題是提供一種增強型N溝道絕緣柵場效應管，制造工藝比較簡單，使用靈活方便，有利于高度集成化。為解決上述技術問題，本發明采用的一個技術方案是:提供一種增強型N溝道絕緣柵場效應管，包括:P型硅襯底、多個N型區、二氧化硅絕緣層、源極、柵極和漏極，所述P型硅襯底的上部擴散有兩個N型區，所述兩個N型區的表面上加工有二氧化硅絕緣層，所述二氧化硅絕緣層和兩個N型區的表面上分別引出源極、柵極和漏極。在本發明一個較佳實施例中，所述二氧化硅絕緣層上表面蓋有一層金屬鋁。在本發明一個較佳實施例中，所述P型硅襯底焊接在電路板表面。在本發明一個較佳實施例中，所述N型區為導電溝道。

本發明的有益效果是:本發明一種增強型N溝道絕緣柵場效應管，制造工藝比較簡單，使用靈活方便，有利于高度集成化。


圖1是本發明一種增強型N溝道絕緣柵場效應管一較佳實施例的結構示意圖； 附圖中各部件的標記如下:1、源極，2、柵極，3、漏極，4、二氧化硅絕緣層，5、N型區，6、P
型硅襯底，7、電路板。
具體實施例方式下面結合附圖對本發明的較佳實施例進行詳細闡述，以使本發明的優點和特征能更易于被本領域技術人員理解，從而對本發明的保護范圍做出更為清楚明確的界定。請參閱圖1，一種增強型N溝道絕緣柵場效應管，包括:P型硅襯底6、多個N型區
5、二氧化硅絕緣層4、源極1、柵極2和漏極3，所述P型硅襯底6的上部擴散有兩個N型區5，所述兩個N型區5的表面上加工有二氧化硅絕緣層4，所述二氧化硅絕緣層4和兩個N型區5的表面上分別引出源極1、柵極2和漏極3。另外，所述二氧化硅絕緣層4上表面蓋有一層金屬鋁，如果在金屬鋁層和半導體之間加電壓，則金屬鋁與半導體之間產生一個垂直于半導體表面的電場。
另外，所述P型硅襯底5焊接在電路板7表面，固定安裝在電子設備的內部。另外，所述N型區5為導電溝道，能把原來被PN結高阻層隔開的源區和漏區連接起來。區別于現有技術，本發明一種增強型N溝道絕緣柵場效應管，制造工藝比較簡單，使用靈活方便，有利于高度集成化。以上所述僅為本發明的實施例，并非因此限制本發明的專利范圍，凡是利用本發明說明書及附圖內容所作的等效結構或等效流程變換，或直接或間接運用在其他相關的技術領域，均同理包括在本 發明的專利保護范圍內。
權利要求
1.一種增強型N溝道絕緣柵場效應管，其特征在于，包括:P型硅襯底、多個N型區、二氧化硅絕緣層、源極、柵極和漏極，所述P型硅襯底的上部擴散有兩個N型區，所述兩個N型區的表面上加工有二氧化硅絕緣層，所述二氧化硅絕緣層和兩個N型區的表面上分別弓I出源極、柵極和漏極。
2.根據權利要求1所述的增強型N溝道絕緣柵場效應管，其特征在于，所述二氧化硅絕緣層上表面蓋有一層金屬招。
3.根據權利要求1所述的增強型N溝道絕緣柵場效應管，其特征在于，所述P型硅襯底焊接在電路板表面。
4.根據權利要求1所述的增強型N溝道絕緣柵場效應管，其特征在于，所述N型區為導電溝 道。
全文摘要
本發明公開了一種增強型N溝道絕緣柵場效應管，包括P型硅襯底、多個N型區、二氧化硅絕緣層、源極、柵極和漏極，所述P型硅襯底的上部擴散有兩個N型區，所述兩個N型區的表面上加工有二氧化硅絕緣層，所述二氧化硅絕緣層和兩個N型區的表面上分別引出源極、柵極和漏極。通過上述方式，本發明提供的一種增強型N溝道絕緣柵場效應管，制造工藝比較簡單，使用靈活方便，有利于高度集成化。
文檔編號H01L29/78GK103219383SQ20131010003
公開日2013年7月24日 申請日期2013年3月27日 優先權日2013年3月27日
發明者林偉良 申請人:林偉良